JPH02269357A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH02269357A JPH02269357A JP9128589A JP9128589A JPH02269357A JP H02269357 A JPH02269357 A JP H02269357A JP 9128589 A JP9128589 A JP 9128589A JP 9128589 A JP9128589 A JP 9128589A JP H02269357 A JPH02269357 A JP H02269357A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、メモリー性を有する電子写真用感光体に関す
る。
る。
（従来の技術）
電子写真の基本プロセスである帯電、露光、現像、転写
の内、像露光のプロセスを省略し、１回の露光で多数枚
コピーを作製するシステムの開発が以前から行われてい
る。このシステムでは１回の像露光により光導電性が持
続する、いわゆるメモリー性にすぐれた感光体が必要と
なるため、感光体へのメモリー性付与の研究が盛んに報
告されている。メモリー性付与の方法としては、メモリ
ー性付与剤を添加する方法が一般的であり、ロイコ色素
（特開昭５２−４８３９号）、プロトン酸（米国特許３
，８７９．２０１号および３，９９７．３４２号、ハロ
ゲン化物（米国特許３，０８１．１６５号）、ジアゾニ
ウム塩（Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ ５ｃｉｅｎｃｅ
ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ２６巻、６
９頁（１９Ｂ２））などのメモリー性付与剤が提案され
ている。
の内、像露光のプロセスを省略し、１回の露光で多数枚
コピーを作製するシステムの開発が以前から行われてい
る。このシステムでは１回の像露光により光導電性が持
続する、いわゆるメモリー性にすぐれた感光体が必要と
なるため、感光体へのメモリー性付与の研究が盛んに報
告されている。メモリー性付与の方法としては、メモリ
ー性付与剤を添加する方法が一般的であり、ロイコ色素
（特開昭５２−４８３９号）、プロトン酸（米国特許３
，８７９．２０１号および３，９９７．３４２号、ハロ
ゲン化物（米国特許３，０８１．１６５号）、ジアゾニ
ウム塩（Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ ５ｃｉｅｎｃｅ
ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ２６巻、６
９頁（１９Ｂ２））などのメモリー性付与剤が提案され
ている。
（発明が解決しようとする問題点）
上記メモリー性付与剤の添加により、メモリー性が付与
されるが、メモリー性を付与するためには、長時間の露
光が必要であったり、ジアゾニウム塩のように、光で分
解しやすく、繰返し使用が困難であるなど実用化が難か
しいという問題があった。
されるが、メモリー性を付与するためには、長時間の露
光が必要であったり、ジアゾニウム塩のように、光で分
解しやすく、繰返し使用が困難であるなど実用化が難か
しいという問題があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、上記問題点解決のために鋭意検討した結
果、本発明に到達した。すなわち、本発明の目的は効率
的なメモリー性電子写真用感光体を提供することであり
、しかしてかかる本発明の目的は、導電性支持体上に下
記一般式（１）（式中、Ｒ１は水素原子、アルキル基ま
たはアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ８は水素原子ま
たはアルキル基を表す、） で表される化合物を含有する上層と該化合物を含有しな
い下層との少なくとも二層の光導電層を有することを特
徴とする電子写真感光体によって達成される。
果、本発明に到達した。すなわち、本発明の目的は効率
的なメモリー性電子写真用感光体を提供することであり
、しかしてかかる本発明の目的は、導電性支持体上に下
記一般式（１）（式中、Ｒ１は水素原子、アルキル基ま
たはアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ８は水素原子ま
たはアルキル基を表す、） で表される化合物を含有する上層と該化合物を含有しな
い下層との少なくとも二層の光導電層を有することを特
徴とする電子写真感光体によって達成される。
（作 用）
以下、本発明の詳細な説明する。
まず本発明における一般式（１）におけるＲ１は水素原
子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキ
シル基等のアルキル基、メトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、ブトキシカルボニル基等のアルコキシ
カルボニル基が用いられ、Ｒ２は水素原子、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等のアル
キル基が用いられる。
子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキ
シル基等のアルキル基、メトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、ブトキシカルボニル基等のアルコキシ
カルボニル基が用いられ、Ｒ２は水素原子、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等のアル
キル基が用いられる。
本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体上に少なく
とも２種類の光導電層を積層することにより形成される
。導電性支持体としては、アルミ、黄銅などの金属のド
ラムやシート、あるいは、ポリエステルやポリイミドな
どの絶縁性のプラスチックフィルムやシート、紙などの
表面を導電化処理をしたものなどが用いられる。導電化
処理法としては、１着、スパッタなどの方法による、ア
ルミ、金、銀などの金属層や、酸化インジウム、酸化ス
ズなどのいわゆる透明導電層の形成法が挙げられる。
とも２種類の光導電層を積層することにより形成される
。導電性支持体としては、アルミ、黄銅などの金属のド
ラムやシート、あるいは、ポリエステルやポリイミドな
どの絶縁性のプラスチックフィルムやシート、紙などの
表面を導電化処理をしたものなどが用いられる。導電化
処理法としては、１着、スパッタなどの方法による、ア
ルミ、金、銀などの金属層や、酸化インジウム、酸化ス
ズなどのいわゆる透明導電層の形成法が挙げられる。
本発明感光体の光導電層のタイプは電荷移動錯体型、色
素増感型、機能分離型等公知のタイプを含めていずれの
タイプのものでもよいが、電荷移動錯体型が好ましい。
素増感型、機能分離型等公知のタイプを含めていずれの
タイプのものでもよいが、電荷移動錯体型が好ましい。
電荷移動錯体型の光導電層は、電子供与性化合物と電子
受容性化合物の混合により形成される光導電性電荷移動
錯体から成る。
受容性化合物の混合により形成される光導電性電荷移動
錯体から成る。
電子供与性化合物としては、例えばポリビニルカルバゾ
ール、ポリビニルアントラセン、ポリアセナフチレン、
ポリスチリルアントラセン、ポリビニルピレン等の光導
電性ポリマーや、オキサジアゾール、ピラゾリン、イソ
オキサゾールなどの含窒素複素環化合物、ヒドラゾン化
合物、トリアリールアミンなどの低分子化合物が挙げら
れる。
ール、ポリビニルアントラセン、ポリアセナフチレン、
ポリスチリルアントラセン、ポリビニルピレン等の光導
電性ポリマーや、オキサジアゾール、ピラゾリン、イソ
オキサゾールなどの含窒素複素環化合物、ヒドラゾン化
合物、トリアリールアミンなどの低分子化合物が挙げら
れる。
電子受容性化合物としては、例えば２．４．７−ドリニ
トロフルオレノン、２，４．５．７−チトラニトロフル
オレノン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、クロラニル、ブロマニル、テレフタラルマロノ
ニトリル等のルイス酸と称される化合物が挙げられる。
トロフルオレノン、２，４．５．７−チトラニトロフル
オレノン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、クロラニル、ブロマニル、テレフタラルマロノ
ニトリル等のルイス酸と称される化合物が挙げられる。
電子受容性化合物は電子供与性化合物（ポリマーの場合
はモノマー単位）１モルに対し０．０５〜１．３モル、
好ましくは０．１〜１．１モルの割合で用いられる。
はモノマー単位）１モルに対し０．０５〜１．３モル、
好ましくは０．１〜１．１モルの割合で用いられる。
これらの内張も好ましい組合せとしてはポリビニルカル
バゾールと２．４．７−ドリニトロフルオレノンが挙げ
られる。光導電層としては、上記の電荷移動錯体に、必
要により、バインダーポリマー、可塑剤、酸化防止剤な
どの安定剤等を添加することができる。バインダーポリ
マーとしては、ポリエステル、ポリカーボネート、メタ
アクリル樹脂、ボリアリレート、ポリスルホンなどが挙
げられる。本発明感光体の光導電層は、前期導電性支持
体上に上記の光導電層の組成物および必要に応じてその
他の成分を有機溶剤に溶解した塗布液を塗布し、乾燥し
、下層を形成した後、該下層の上に前期塗布液に一般式
（１）で表わされるコラ化ピリジニウム類を添加した液
を塗布し、乾燥して上層を形成して得られる。下層用の
塗布液と全く組成の異なる塗布液を上層形成用に用いる
ことも可能ではあるが、その場合上層と下層の間に明瞭
な界面が形成され好ましくなく、上記の通り下層用の塗
布液にヨウ化ピリジニウムだけを添加して上層形成用に
用いるのが好ましい。
バゾールと２．４．７−ドリニトロフルオレノンが挙げ
られる。光導電層としては、上記の電荷移動錯体に、必
要により、バインダーポリマー、可塑剤、酸化防止剤な
どの安定剤等を添加することができる。バインダーポリ
マーとしては、ポリエステル、ポリカーボネート、メタ
アクリル樹脂、ボリアリレート、ポリスルホンなどが挙
げられる。本発明感光体の光導電層は、前期導電性支持
体上に上記の光導電層の組成物および必要に応じてその
他の成分を有機溶剤に溶解した塗布液を塗布し、乾燥し
、下層を形成した後、該下層の上に前期塗布液に一般式
（１）で表わされるコラ化ピリジニウム類を添加した液
を塗布し、乾燥して上層を形成して得られる。下層用の
塗布液と全く組成の異なる塗布液を上層形成用に用いる
ことも可能ではあるが、その場合上層と下層の間に明瞭
な界面が形成され好ましくなく、上記の通り下層用の塗
布液にヨウ化ピリジニウムだけを添加して上層形成用に
用いるのが好ましい。
バインダーポリマーの量は公知の電子写真用感光体と同
様にすればよく、例えば、ポリビニルカルバゾールなど
のポリマーを電子供与性化合物として用いるときは、必
ずしも他のポリマーをバインダーとして用いる必要はな
いが、ポリビニルカルバゾールなどの電子供与性化合物
としての好ましい効果を損なわい範囲、即ち、ポリビニ
ルカルバゾールなど１００重量部に対し５０重量部以下
の範囲で他のポリマーを適宜選択してバインダーとして
用い、本発明感光体に適当な強度を与えるのが好ましい
、一般式（１）で表わされるヨウ化ピリジニウムは０．
５〜２０重量部添加される。好ましくは１〜１０重量部
である。
様にすればよく、例えば、ポリビニルカルバゾールなど
のポリマーを電子供与性化合物として用いるときは、必
ずしも他のポリマーをバインダーとして用いる必要はな
いが、ポリビニルカルバゾールなどの電子供与性化合物
としての好ましい効果を損なわい範囲、即ち、ポリビニ
ルカルバゾールなど１００重量部に対し５０重量部以下
の範囲で他のポリマーを適宜選択してバインダーとして
用い、本発明感光体に適当な強度を与えるのが好ましい
、一般式（１）で表わされるヨウ化ピリジニウムは０．
５〜２０重量部添加される。好ましくは１〜１０重量部
である。
（実施例）
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれによって
限定されるものではない。
限定されるものではない。
実施例
ポリエステルフィルム上に形成した酸化インジウム、酸
化スズから成るＩＴＯといわれる透明導電層の上に、ポ
リビニルカルバゾール（ＰＶＫ）のモノマー単位１モル
に対し、２，４．７−ドリニトロフルオレノン（ＴＮＦ
）０．５モルの割合で混合したテトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）溶液を塗布し、乾燥して約５μｍの膜厚の光導電
層を得た。
化スズから成るＩＴＯといわれる透明導電層の上に、ポ
リビニルカルバゾール（ＰＶＫ）のモノマー単位１モル
に対し、２，４．７−ドリニトロフルオレノン（ＴＮＦ
）０．５モルの割合で混合したテトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）溶液を塗布し、乾燥して約５μｍの膜厚の光導電
層を得た。
この上に、前記塗布液に、さらに、１−エチル−４−メ
トキシカルボニルビリジニウムヨージドを０．０５モル
の割合になるように添加した塗布溶液を同様にして塗布
、乾燥し上層を得た。これにより、光導電層の上層にピ
リジニウムヨーシトを含有する感光体が得られた。
トキシカルボニルビリジニウムヨージドを０．０５モル
の割合になるように添加した塗布溶液を同様にして塗布
、乾燥し上層を得た。これにより、光導電層の上層にピ
リジニウムヨーシトを含有する感光体が得られた。
この感光体の電子写真特性を静電複写紙試験装置（川口
電機製作所製モデル５Ｐ−４２８）を用いて測定した。
電機製作所製モデル５Ｐ−４２８）を用いて測定した。
暗所でコロナ帯電（印加電圧−８ｋＶ）を行い、５００
ｎｍ単色光をＯ，ｌｄ／ｃｄの露光強度で３秒間照射し
た。
ｎｍ単色光をＯ，ｌｄ／ｃｄの露光強度で３秒間照射し
た。
コロナ帯電直後の感光体の表面電位をＶ□（Ｖ）該コロ
ナ帯電後暗所で１０秒間経過した後の表面電位の減衰率
（％）を求め暗減衰としてり、で表示し、前記照射の際
表面電位が半減するのに要する露光量を感度（半減露光
量、Ｅ１７□ｌ））として求めた。
ナ帯電後暗所で１０秒間経過した後の表面電位の減衰率
（％）を求め暗減衰としてり、で表示し、前記照射の際
表面電位が半減するのに要する露光量を感度（半減露光
量、Ｅ１７□ｌ））として求めた。
続いて、上記の帯電から露光までのプロセスを全く同様
に繰返し、帯電直後の表面電位■、８、暗減衰りよおよ
び半減露光量Ｅ、／２（１）を測定した。
に繰返し、帯電直後の表面電位■、８、暗減衰りよおよ
び半減露光量Ｅ、／２（１）を測定した。
表面電位ｖ、ｌとｖ３！を比較してメモリー性の指標と
した。即ち、メモリー性は の値で評価した。
した。即ち、メモリー性は の値で評価した。
メモリー性が全くない場合は、ｖｌの値が変化しないた
めＦ、−０となり、メモリー性が大きいとＦ、の値も大
きくなり、最大値は１００となる。
めＦ、−０となり、メモリー性が大きいとＦ、の値も大
きくなり、最大値は１００となる。
測定値を表１に示す。
この結果から、この感光体は、従来のメモリー性感光体
に比べ感度測定に要する程度の少ない露光量できわめて
大きなメモリー性を示すことが明らかとなった。メモリ
ー性を付与した状態で翌日再測定を行なった所、メモリ
ー性は保持されていることが認められた。
に比べ感度測定に要する程度の少ない露光量できわめて
大きなメモリー性を示すことが明らかとなった。メモリ
ー性を付与した状態で翌日再測定を行なった所、メモリ
ー性は保持されていることが認められた。
この感光体を乾燥基中に１００℃で１０分１いた所、メ
モリー性、即ち一回の露光による持続的な光導電性は消
去された。
モリー性、即ち一回の露光による持続的な光導電性は消
去された。
一方、この感光体を＋８ｋＶで帯電した場合は、ｖｏが
＋５０Ｖと小さく、暗減衰も大きく、メモリー性感光体
としては、負帯電で使用するのが好ましいことが示され
た。
＋５０Ｖと小さく、暗減衰も大きく、メモリー性感光体
としては、負帯電で使用するのが好ましいことが示され
た。
比較例
前記実施例とは光導電層塗布の順序を逆にするほかは、
全（同様にして、光導電層の下層のみにピリジニウムヨ
ーシトを含有する感光体を得た。
全（同様にして、光導電層の下層のみにピリジニウムヨ
ーシトを含有する感光体を得た。
メモリー性の評価結果を表１に示す。
表１から明らかなように比較例の感光体では帯電性が悪
（、メモリー性もほとんどないことが示され、メモリー
性付与のためには、ビリジニウムヨーシトを含む光導電
層が上層にあることが必要であることが示された。
（、メモリー性もほとんどないことが示され、メモリー
性付与のためには、ビリジニウムヨーシトを含む光導電
層が上層にあることが必要であることが示された。
表
（発明の効果）
本発明によれば高感度でしかも感光体の光減衰に必要な
程度の露光量でメモリー性が付与できる、メモリー性感
光体を得ることができる。
程度の露光量でメモリー性が付与できる、メモリー性感
光体を得ることができる。
出 願人三菱化成株式会社
代 理 人 弁理士 長谷用
ほか１名
Claims (1)
- （１）導電性支持体上に下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼…（ I ） （式中、Ｒ＾１は水素原子、アルキル基またはアルコキ
シカルボニル基を表し、Ｒ＾２は水素原子またはアルキ
ル基を表す。） で表される化合物を含有する上層と該化合物を含有しな
い下層との少なくとも二層の光導電層を有することを特
徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9128589A JPH02269357A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9128589A JPH02269357A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02269357A true JPH02269357A (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=14022192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9128589A Pending JPH02269357A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02269357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310612A (en) * | 1991-03-11 | 1994-05-10 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image-holding member and production method thereof, method for forming image-forming master using the image-holding member and the forming apparatus, and image-forming method using them |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP9128589A patent/JPH02269357A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310612A (en) * | 1991-03-11 | 1994-05-10 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image-holding member and production method thereof, method for forming image-forming master using the image-holding member and the forming apparatus, and image-forming method using them |
| US5411826A (en) * | 1991-03-11 | 1995-05-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image-holding member and production method thereof, method for forming image-forming master using the image-holding member and the forming apparatus, and image-forming method using them |
| US5464716A (en) * | 1991-03-11 | 1995-11-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image-holding member and production method thereof, method for forming image-forming master using the image-holding member and the forming apparatus, and image-forming method using them |
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