JPH02269986A - 半導体磁気抵抗素子センサ - Google Patents
半導体磁気抵抗素子センサInfo
- Publication number
- JPH02269986A JPH02269986A JP1091310A JP9131089A JPH02269986A JP H02269986 A JPH02269986 A JP H02269986A JP 1091310 A JP1091310 A JP 1091310A JP 9131089 A JP9131089 A JP 9131089A JP H02269986 A JPH02269986 A JP H02269986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive element
- semiconductor magnetoresistive
- semiconductor
- element sensor
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体の磁気抵抗効果を利用して磁界の変化
を検出する各種センサ、例えば、回転セ従来の技術 従来、半導体に磁界を加えると抵抗が増加する現象は磁
気抵抗効果として知られており、この性質を利用した半
導体磁気抵抗素子は、位置検出、歯車の回転検出センサ
等に用いられている。従来の半導体磁気抵抗素子を第４
図に示す。第４図で１は基板であり、アルミナ等の基材
が用いられる。
を検出する各種センサ、例えば、回転セ従来の技術 従来、半導体に磁界を加えると抵抗が増加する現象は磁
気抵抗効果として知られており、この性質を利用した半
導体磁気抵抗素子は、位置検出、歯車の回転検出センサ
等に用いられている。従来の半導体磁気抵抗素子を第４
図に示す。第４図で１は基板であり、アルミナ等の基材
が用いられる。
２は半導体磁気抵抗膜であり、電子移動度が高いという
理由からＩｎＳｂが一般に用いられる。３は短絡電極、
４は端子電極である。３，４の電極材料としてはＣｕ、
ｋｌ等が用いられる。第６図は第４図の磁気抵抗素子を
Ｂ−Ｂ’で切ったときの断面図である。第４図に示した
磁気抵抗素子は、一般には第６図に示すように蛇行形状
化した。２つの磁気抵抗素子を直列接続して端子６−７
間に電圧を印加して、６−６間に発生する電圧を出力と
して取り出す。つまり、センサとして用いる場合、第６
図の点線で囲まれた部分が感知部となる。
理由からＩｎＳｂが一般に用いられる。３は短絡電極、
４は端子電極である。３，４の電極材料としてはＣｕ、
ｋｌ等が用いられる。第６図は第４図の磁気抵抗素子を
Ｂ−Ｂ’で切ったときの断面図である。第４図に示した
磁気抵抗素子は、一般には第６図に示すように蛇行形状
化した。２つの磁気抵抗素子を直列接続して端子６−７
間に電圧を印加して、６−６間に発生する電圧を出力と
して取り出す。つまり、センサとして用いる場合、第６
図の点線で囲まれた部分が感知部となる。
実際に使用する時は、第７図に示すようにしんちゅう等
の非磁性体を材料とする保護ケース９、の中に接着剤１
０、を用いて半導体磁気抵抗素子を固定し、これを磁性
体を材料とする歯車８、に距離りをもって対向させる。
の非磁性体を材料とする保護ケース９、の中に接着剤１
０、を用いて半導体磁気抵抗素子を固定し、これを磁性
体を材料とする歯車８、に距離りをもって対向させる。
発明が解決しようとする課題
実用状態において、耐環境性１機械強度向上他の理由で
、半導体磁気抵抗素子は保護ケース９゜の中に封入して
使用する必要がある。このため保護ケース９、の歯車８
、に対向した内面の厚みと、内面と半導体磁気抵抗素子
間の距離ｌを加えた距離で歯車８．と半導体磁気抵抗素
子間が隔てられるため半導体磁気抵抗素子の出力は低下
してしまう。
、半導体磁気抵抗素子は保護ケース９゜の中に封入して
使用する必要がある。このため保護ケース９、の歯車８
、に対向した内面の厚みと、内面と半導体磁気抵抗素子
間の距離ｌを加えた距離で歯車８．と半導体磁気抵抗素
子間が隔てられるため半導体磁気抵抗素子の出力は低下
してしまう。
またケース９の中で半導体磁気抵抗素子の位置決めが困
難であり、ケース内面と半導体磁気抵抗素子Ｒ，，Ｒ２
の距離ｅは調整が難しく、このため歯車８．と半導体磁
気抵抗素子Ｒ，、Ｒ２の距離りも調整できないため、６
−６間の出力のノくラツキが生じることがある。また保
護ケース９の閉口部側に半導体磁気抵抗素子を固定する
ため工作上の困難さがあった。以上のように、従来の構
造を持つ半導体磁気抵抗素子センサはその取付上の問題
においていくつかの問題があった。
難であり、ケース内面と半導体磁気抵抗素子Ｒ，，Ｒ２
の距離ｅは調整が難しく、このため歯車８．と半導体磁
気抵抗素子Ｒ，、Ｒ２の距離りも調整できないため、６
−６間の出力のノくラツキが生じることがある。また保
護ケース９の閉口部側に半導体磁気抵抗素子を固定する
ため工作上の困難さがあった。以上のように、従来の構
造を持つ半導体磁気抵抗素子センサはその取付上の問題
においていくつかの問題があった。
本発明は前記問題点に鑑みて、高い磁気抵抗効果を安定
して取出せる半導体磁気抵抗素子センサを提供するもの
である。
して取出せる半導体磁気抵抗素子センサを提供するもの
である。
課題を解決するための手段
そのため本発明では、絶縁基板上に半導体磁気抵抗を形
成し、この基板の裏面と歯車等の磁気信号体に対向させ
たものである。またこの基板を円筒または矩形の筒に密
閉接続して保護ケースの閉口部とするような構造にして
いる。
成し、この基板の裏面と歯車等の磁気信号体に対向させ
たものである。またこの基板を円筒または矩形の筒に密
閉接続して保護ケースの閉口部とするような構造にして
いる。
作用
本発明の構造では、半導体磁気抵抗素子は保護ケースの
中に封入した状態であり、耐環境性、機械強度向上環が
得られる。また歯車に対向した基板の表面には半導体磁
気抵抗素子が形成されているから、歯車との距離が短縮
され半導体磁気抵抗素子の出力も大きくなる。またケー
スの中での位置設定でなく、ケースの位置決めにより半
導体磁気抵抗素子と歯車の距離は定められるから、距離
の調整不良による出力のバラツキは小さくすることがで
きる。また円筒または矩形の筒に基板、すなわち半導体
磁気抵抗素子を密閉接続するのは容易な作業である。
中に封入した状態であり、耐環境性、機械強度向上環が
得られる。また歯車に対向した基板の表面には半導体磁
気抵抗素子が形成されているから、歯車との距離が短縮
され半導体磁気抵抗素子の出力も大きくなる。またケー
スの中での位置設定でなく、ケースの位置決めにより半
導体磁気抵抗素子と歯車の距離は定められるから、距離
の調整不良による出力のバラツキは小さくすることがで
きる。また円筒または矩形の筒に基板、すなわち半導体
磁気抵抗素子を密閉接続するのは容易な作業である。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。第１
図は本発明の一実施例により作成した半導体磁気抵抗素
子センサの一部を切除して示す図である。１１はアルミ
ナ等の絶縁基板、１２はＩｎＳｂ蒸着膜による半導体磁
気抵抗膜、１３は短絡電極、１６〜１７は端子電極であ
り、１３と１５〜１７にはＣｕの蒸着膜を用いている。
図は本発明の一実施例により作成した半導体磁気抵抗素
子センサの一部を切除して示す図である。１１はアルミ
ナ等の絶縁基板、１２はＩｎＳｂ蒸着膜による半導体磁
気抵抗膜、１３は短絡電極、１６〜１７は端子電極であ
り、１３と１５〜１７にはＣｕの蒸着膜を用いている。
２１はリード線、２２は５ｕＳ３０４で作った厚さ０．
３ ｆｆｆｆ 、外径１０朋の円筒、２０は円筒と基板
を密閉接続する接着剤で、本実施例ではエポキシ接着剤
を用いた。
３ ｆｆｆｆ 、外径１０朋の円筒、２０は円筒と基板
を密閉接続する接着剤で、本実施例ではエポキシ接着剤
を用いた。
第２図は本発明の一実施例の実用状態を説明するもので
、磁性体を材料とする歯車１８に距離Ｌ′をもって絶縁
基板１１を隔てて半導体磁気抵抗膜１２が配置される。
、磁性体を材料とする歯車１８に距離Ｌ′をもって絶縁
基板１１を隔てて半導体磁気抵抗膜１２が配置される。
また第３図は半導体磁気抵抗素子側より見た平面図であ
る。
る。
発明の効果
本発明の構造をとることにより、耐環境性、機械強度に
優れ、しかも歯車との距離が小さいために出力が大きく
、かつ出力のバラツキが小さく、また組立作業が容易な
半導体磁気抵抗素子センサが得られるという効果を得る
ことができる。
優れ、しかも歯車との距離が小さいために出力が大きく
、かつ出力のバラツキが小さく、また組立作業が容易な
半導体磁気抵抗素子センサが得られるという効果を得る
ことができる。
第１図は本発明の一実施例による半導体磁気抵抗素子セ
ンサの一部切除斜視図、第２図は本発明の一実施例の実
用状態の説明図、第３図は本発明の一実施例の半導体磁
気抵抗素子の上面図、第４図は従来の半導体磁気抵抗素
子の上面図、第６図は第４図のＢ−Ｂ’における断面図
、第６図は従来の半導体磁気抵抗素子の上面図、第７図
は従来の半導体磁気抵抗素子の実用状態の説明図である
。 １１・・・・・・絶縁基板、１２・・・・・・半導体磁
気抵抗膜、１３・・・・・・短絡電極、１６〜１７・・
・・・・端子電極。 ２０・・・・・・密閉接着剤、２１・・・・・・リード
線、２２・・・・・・円筒。 第１図 ／ Ｎ６図 ＣＶＪｅ’） 城 惚１．艷
ゝ
ンサの一部切除斜視図、第２図は本発明の一実施例の実
用状態の説明図、第３図は本発明の一実施例の半導体磁
気抵抗素子の上面図、第４図は従来の半導体磁気抵抗素
子の上面図、第６図は第４図のＢ−Ｂ’における断面図
、第６図は従来の半導体磁気抵抗素子の上面図、第７図
は従来の半導体磁気抵抗素子の実用状態の説明図である
。 １１・・・・・・絶縁基板、１２・・・・・・半導体磁
気抵抗膜、１３・・・・・・短絡電極、１６〜１７・・
・・・・端子電極。 ２０・・・・・・密閉接着剤、２１・・・・・・リード
線、２２・・・・・・円筒。 第１図 ／ Ｎ６図 ＣＶＪｅ’） 城 惚１．艷
ゝ
Claims (4)
- （１）絶縁基板上に半導体磁気抵抗を形成し、この基板
の裏面を磁気信号体に対向させた半導体磁気抵抗素子セ
ンサ。 - （２）絶縁基板にガラスを使用した請求項１に記載の半
導体磁気抵抗素子センサ。 - （３）絶縁基板にアルミナ基板を使用した請求項１に記
載の半導体磁気抵抗素子センサ。 - （４）絶縁基板にホーロー処理したステンレス板を使用
した請求項１記載の半導体磁気抵抗素子センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1091310A JPH02269986A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 半導体磁気抵抗素子センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1091310A JPH02269986A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 半導体磁気抵抗素子センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02269986A true JPH02269986A (ja) | 1990-11-05 |
Family
ID=14022898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1091310A Pending JPH02269986A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 半導体磁気抵抗素子センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02269986A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04265819A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-09-22 | Santa Barbara Res Center | 磁界変化感知システムおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP1091310A patent/JPH02269986A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04265819A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-09-22 | Santa Barbara Res Center | 磁界変化感知システムおよびその製造方法 |
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