JPH0719018Y2 - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JPH0719018Y2 JPH0719018Y2 JP1989036245U JP3624589U JPH0719018Y2 JP H0719018 Y2 JPH0719018 Y2 JP H0719018Y2 JP 1989036245 U JP1989036245 U JP 1989036245U JP 3624589 U JP3624589 U JP 3624589U JP H0719018 Y2 JPH0719018 Y2 JP H0719018Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic sensor
- leads
- magnetoresistive
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 65
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000089486 Phragmites australis subsp australis Species 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は磁気センサに関し、詳しくはVTR装置やFDD装置
におけるモータ速度制御手段などに使用され、磁気抵抗
効果素子をDHD（ダブル・ヒートシンク・ダイオード）
構造で組込んだ磁気センサに関する。
におけるモータ速度制御手段などに使用され、磁気抵抗
効果素子をDHD（ダブル・ヒートシンク・ダイオード）
構造で組込んだ磁気センサに関する。
VTR装置やFDD装置におけるモータ速度制御手段に使用さ
れる磁気センサには、例えば、外部から加えられる磁界
の変化で電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子（以下
MR素子と称す）を組込んだものがある。
れる磁気センサには、例えば、外部から加えられる磁界
の変化で電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子（以下
MR素子と称す）を組込んだものがある。
この種、MR素子を使用した磁気センサの一例を第５図及
び第６図を参照しながら説明する。同図に示す磁気セン
サ（１）は、セラミック等の非磁性基板（２）の一側縁
表面に、磁気抵抗体の一種である、パーマロイ等の強磁
性体薄膜からなるMR素子（３）を蒸着或いはスパッタリ
ングにより被着形成すると共に、上記MR素子（３）の両
端から延びる金属製リード（４）（４）を非磁性基板
（２）上に被着形成し、更に上記MR素子（３）を含む主
要部分をエポキシ樹脂等の外装樹脂材（５）でモールド
したものである。
び第６図を参照しながら説明する。同図に示す磁気セン
サ（１）は、セラミック等の非磁性基板（２）の一側縁
表面に、磁気抵抗体の一種である、パーマロイ等の強磁
性体薄膜からなるMR素子（３）を蒸着或いはスパッタリ
ングにより被着形成すると共に、上記MR素子（３）の両
端から延びる金属製リード（４）（４）を非磁性基板
（２）上に被着形成し、更に上記MR素子（３）を含む主
要部分をエポキシ樹脂等の外装樹脂材（５）でモールド
したものである。
上記構成からなる磁気センサ（１）を、例えばVTR装置
におけるモータ速度制御手段に使用する場合、第６図に
示すように、VTR装置内に装着され、磁気ヘッド（図示
せず）が組付けられた回転ドラム（６）の周縁に上記磁
気センサ（１）を近接配置し、上記回転ドラム（６）の
周縁に装着された磁界発生手段、例えば磁石（７）によ
る磁束Ａを磁気センサ（１）で検知する。即ち、まず磁
気センサ（１）のリード（４）（４）（第５図参照）を
介してMR素子（３）にセンス電流を流しておき、図中矢
印で示すように回転ドラム（６）を回転させると、これ
により磁気センサ（１）のMR素子（３）の前方を通過す
る磁石（７）の磁束Ａが図中鎖線で示すようにMR素子
（３）を通り、このMR素子（３）の電気抵抗値が変化
し、その変化に比例して上記MR素子（３）の両端電圧が
変化するのを読取り、回転ドラム（６）の回転数を検出
してこの磁気センサ（１）の出力信号によりモータ速度
制御する。
におけるモータ速度制御手段に使用する場合、第６図に
示すように、VTR装置内に装着され、磁気ヘッド（図示
せず）が組付けられた回転ドラム（６）の周縁に上記磁
気センサ（１）を近接配置し、上記回転ドラム（６）の
周縁に装着された磁界発生手段、例えば磁石（７）によ
る磁束Ａを磁気センサ（１）で検知する。即ち、まず磁
気センサ（１）のリード（４）（４）（第５図参照）を
介してMR素子（３）にセンス電流を流しておき、図中矢
印で示すように回転ドラム（６）を回転させると、これ
により磁気センサ（１）のMR素子（３）の前方を通過す
る磁石（７）の磁束Ａが図中鎖線で示すようにMR素子
（３）を通り、このMR素子（３）の電気抵抗値が変化
し、その変化に比例して上記MR素子（３）の両端電圧が
変化するのを読取り、回転ドラム（６）の回転数を検出
してこの磁気センサ（１）の出力信号によりモータ速度
制御する。
ところで、前述した構成からなる磁気センサ（１）で
は、被検知対象物である回転ドラム（６）の磁石（７）
の磁束Ａを検知するため、回転ドラム（６）に磁気セン
サ（１）を近接配置しなければならず、上記回転ドラム
（６）周辺での構造上、磁気センサ（１）の設置位置に
制約を受けることが多かった。
は、被検知対象物である回転ドラム（６）の磁石（７）
の磁束Ａを検知するため、回転ドラム（６）に磁気セン
サ（１）を近接配置しなければならず、上記回転ドラム
（６）周辺での構造上、磁気センサ（１）の設置位置に
制約を受けることが多かった。
また、従来の磁気センサ（１）は、非磁性基板（２）上
のMR素子（３）を外装樹脂材（５）でモールドした構造
であるため、外装樹脂材（５）が吸湿し易く耐湿性に劣
しく、MR素子（３）が湿気により劣化し易いという問題
があった。
のMR素子（３）を外装樹脂材（５）でモールドした構造
であるため、外装樹脂材（５）が吸湿し易く耐湿性に劣
しく、MR素子（３）が湿気により劣化し易いという問題
があった。
そこで、本考案は上記問題点に鑑みて提案されたもの
で、その目的とするところは機器への組付けが容易で、
且つ、小型化及び耐湿性の向上を図り得る磁気センサを
提供するところにある。
で、その目的とするところは機器への組付けが容易で、
且つ、小型化及び耐湿性の向上を図り得る磁気センサを
提供するところにある。
本考案における上記目的を達成するための技術的手段
は、非磁性基板上に磁気抵抗体薄膜を被着させたペレッ
ト状のMR素子を高透磁率の軟磁性材料からなる一対の金
属製軸状リードで挾持して磁気的結合させると共に電気
的に接続し、上記磁気抵抗効果素子およびリードの接続
部にガラススリーブを外嵌し、両リードの素子挾持端部
の外周面にガラススリーブの内周面を溶着して上記MR素
子を封止した磁気センサである。
は、非磁性基板上に磁気抵抗体薄膜を被着させたペレッ
ト状のMR素子を高透磁率の軟磁性材料からなる一対の金
属製軸状リードで挾持して磁気的結合させると共に電気
的に接続し、上記磁気抵抗効果素子およびリードの接続
部にガラススリーブを外嵌し、両リードの素子挾持端部
の外周面にガラススリーブの内周面を溶着して上記MR素
子を封止した磁気センサである。
本考案に係る磁気センサは、MR素子をDHD構造で組込ん
だものであるから、小型で生産製に富んだ磁気センサが
実現容易となり、而もMR素子の両端から延びる軸状リー
ドが磁気的な導出入路となり、この軸状リードを所望形
状にフォーミングしてその先端部を被検知対象物に近接
させるだけでMR素子によるセンシングが可能となる。し
たがって磁気センサ本体を被検知対象物から離隔配置で
き、設置位置を選択する自由度が上がる。また、上記MR
素子がガラススリーブ内で軸状リード間に気密的に封止
されるので、外部からの悪影響を受けにくく、耐湿性の
改善が図れる。
だものであるから、小型で生産製に富んだ磁気センサが
実現容易となり、而もMR素子の両端から延びる軸状リー
ドが磁気的な導出入路となり、この軸状リードを所望形
状にフォーミングしてその先端部を被検知対象物に近接
させるだけでMR素子によるセンシングが可能となる。し
たがって磁気センサ本体を被検知対象物から離隔配置で
き、設置位置を選択する自由度が上がる。また、上記MR
素子がガラススリーブ内で軸状リード間に気密的に封止
されるので、外部からの悪影響を受けにくく、耐湿性の
改善が図れる。
本考案に係る磁気センサの一実施例を第１図乃至第４図
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
第１図に示す磁気センサ（10）において、（11）はシリ
コンやセラミック等の非磁性基板（12）上に磁気抵抗体
の一種の、Fe−Ni合金であるパーマロイ等の強磁性体薄
膜（13）を被着させたペレット状のMR素子である。例え
ば、高抵抗のシリコンからなるウェーハ表面を酸化さ
せ、その表面にパーマロイ等の強磁性体材料を蒸着或い
はスパッタリングして所定のパターンに成膜する。この
成膜後、磁界を加えながら高湿加熱してアニール処理を
行うことにより磁束に対する抵抗変化率を大きくして感
度アップを図る。その後、上記ウェーハを各ペレットサ
イズ毎にダイシングにより分割し、そのペレット両端面
に電極（14）（14）を適宜の手段により形成してMR素子
（11）を得る。このMR素子（11）における強磁性体薄膜
（13）は、例えば第２図に示すように基板全面に成膜し
た後、第３図に示すような屈曲したパターンにフォトエ
ッチング技術を利用して仕上げる。この第３図に示す屈
曲パターンを有するMR素子（11）では、電極（14）（1
4）間の電流路（15）の部分に於いて電流の流れに対し
磁場が垂直に作用し、磁場の検出感度を高めることが出
来る。
コンやセラミック等の非磁性基板（12）上に磁気抵抗体
の一種の、Fe−Ni合金であるパーマロイ等の強磁性体薄
膜（13）を被着させたペレット状のMR素子である。例え
ば、高抵抗のシリコンからなるウェーハ表面を酸化さ
せ、その表面にパーマロイ等の強磁性体材料を蒸着或い
はスパッタリングして所定のパターンに成膜する。この
成膜後、磁界を加えながら高湿加熱してアニール処理を
行うことにより磁束に対する抵抗変化率を大きくして感
度アップを図る。その後、上記ウェーハを各ペレットサ
イズ毎にダイシングにより分割し、そのペレット両端面
に電極（14）（14）を適宜の手段により形成してMR素子
（11）を得る。このMR素子（11）における強磁性体薄膜
（13）は、例えば第２図に示すように基板全面に成膜し
た後、第３図に示すような屈曲したパターンにフォトエ
ッチング技術を利用して仕上げる。この第３図に示す屈
曲パターンを有するMR素子（11）では、電極（14）（1
4）間の電流路（15）の部分に於いて電流の流れに対し
磁場が垂直に作用し、磁場の検出感度を高めることが出
来る。
（16）（16）は上記MR素子（11）を両側方から挾持する
一対の軸状リード（以下スラグリードと称す）で、Fe−
Ni合金からなる芯線をCuでクラッドしたジュメット線の
ような高透磁率の軟磁性材料で構成される。このスラグ
リード（16）（16）は、対向する面にMR素子（11）の両
電極（14）（14）が衝合した大径のスラグ部（17）（1
7）と、このスラグ部（17）（17）に溶接固定されてス
ラグ部（17）（17）から180°反対方向に延びる小径の
リード部（18）（18）とからなり、MR素子（11）と磁気
的結合すると共に電気的に接続される。（19）はスラグ
リード（16）（16）のスラグ部（17）（17）に跨がって
外嵌されたガラススリーブで、上記スラグ（17）（17）
の外周面にガラススリーブ（19）の内周面を溶着してMR
素子（11）を封止する。
一対の軸状リード（以下スラグリードと称す）で、Fe−
Ni合金からなる芯線をCuでクラッドしたジュメット線の
ような高透磁率の軟磁性材料で構成される。このスラグ
リード（16）（16）は、対向する面にMR素子（11）の両
電極（14）（14）が衝合した大径のスラグ部（17）（1
7）と、このスラグ部（17）（17）に溶接固定されてス
ラグ部（17）（17）から180°反対方向に延びる小径の
リード部（18）（18）とからなり、MR素子（11）と磁気
的結合すると共に電気的に接続される。（19）はスラグ
リード（16）（16）のスラグ部（17）（17）に跨がって
外嵌されたガラススリーブで、上記スラグ（17）（17）
の外周面にガラススリーブ（19）の内周面を溶着してMR
素子（11）を封止する。
上記構成からなる磁気センサ（10）をVTR装置における
モータ速度制御手段として使用する場合、まず、第４図
に示すようにVTR装置の回転ドラム（20）の周縁近傍に
磁気センサ（10）を配置する。この場合、本考案の磁気
センサ（10）では、一方のスラグリード（16）を他方の
スラグリード（16）側へ略180°程度屈曲させて両スラ
グリード（16）（16）を同一方向に導出し、その先端部
を回転ドラム（20）の周縁に近接配置する。この時、磁
気センサ本内であるガラススリーブ（19）内のMR素子
（11）は、回転ドラム（20）の周縁近接位置から離隔し
た位置に配設することができる。尚、上記磁気センサ本
体のMR素子（11）から延びるスラグリード（16）（16）
は後述するように磁気的な導出入路となるために、上記
MR素子（11）にセンサ電流を流す手段としては、例えば
各スラグリード（16）（16）のガラススリーブ（19）の
両端位置にCu線等の引出しリード（21）（21）を接続
し、この引出しリード（21）（21）を介してMR素子（1
1）にセンス電流を流すようにすればよい。
モータ速度制御手段として使用する場合、まず、第４図
に示すようにVTR装置の回転ドラム（20）の周縁近傍に
磁気センサ（10）を配置する。この場合、本考案の磁気
センサ（10）では、一方のスラグリード（16）を他方の
スラグリード（16）側へ略180°程度屈曲させて両スラ
グリード（16）（16）を同一方向に導出し、その先端部
を回転ドラム（20）の周縁に近接配置する。この時、磁
気センサ本内であるガラススリーブ（19）内のMR素子
（11）は、回転ドラム（20）の周縁近接位置から離隔し
た位置に配設することができる。尚、上記磁気センサ本
体のMR素子（11）から延びるスラグリード（16）（16）
は後述するように磁気的な導出入路となるために、上記
MR素子（11）にセンサ電流を流す手段としては、例えば
各スラグリード（16）（16）のガラススリーブ（19）の
両端位置にCu線等の引出しリード（21）（21）を接続
し、この引出しリード（21）（21）を介してMR素子（1
1）にセンス電流を流すようにすればよい。
この状態で図中矢印で示すように回転ドラム（20）を回
転させると、これにより磁気センサ（10）のスラグリー
ド（16）（16）の先端部前方を通過する磁石（22）の磁
束Ｂは、図中鎖線で示すようにスラグリード（16）（1
6）が高透磁率の軟磁性材料からなるため、そのスラグ
リード（16）（16）を介してMR素子（11）に効率良く導
出入され、このMR素子（11）の電気抵抗値が変化し、そ
の変化に比例して上記MR素子（11）の両端電圧が変化す
るのを読取り、回転ドラム（20）の回転数を検出してこ
の磁気センサ（10）の出力信号によりモータ速度を制御
する。
転させると、これにより磁気センサ（10）のスラグリー
ド（16）（16）の先端部前方を通過する磁石（22）の磁
束Ｂは、図中鎖線で示すようにスラグリード（16）（1
6）が高透磁率の軟磁性材料からなるため、そのスラグ
リード（16）（16）を介してMR素子（11）に効率良く導
出入され、このMR素子（11）の電気抵抗値が変化し、そ
の変化に比例して上記MR素子（11）の両端電圧が変化す
るのを読取り、回転ドラム（20）の回転数を検出してこ
の磁気センサ（10）の出力信号によりモータ速度を制御
する。
尚、上記実施例では磁気抵抗体の一種である、パーマロ
イ等の強磁性体材料からなるMR素子について説明した
が、本考案はこれに限定されることなく、他の磁気抵抗
体としてInSb等の半導体材料からなるMR素子についても
適用可能であるのは勿論である。
イ等の強磁性体材料からなるMR素子について説明した
が、本考案はこれに限定されることなく、他の磁気抵抗
体としてInSb等の半導体材料からなるMR素子についても
適用可能であるのは勿論である。
本考案によれば、MR素子をDHD構造で組込んだから、被
検知対象物に対して近接配置させる必要がなく、軸状リ
ードの先端部をその被検知対象物まで引きまわすだけで
済むので、その設置位置が任意に選定できる小型で生産
性に富んだ実用的価値大なる磁気センサを提供できる。
また、MR素子はガラススリーブ内に気密封止されるので
外部からの影響を受けにくく、耐湿性の向上を図ること
が実現容易となる。
検知対象物に対して近接配置させる必要がなく、軸状リ
ードの先端部をその被検知対象物まで引きまわすだけで
済むので、その設置位置が任意に選定できる小型で生産
性に富んだ実用的価値大なる磁気センサを提供できる。
また、MR素子はガラススリーブ内に気密封止されるので
外部からの影響を受けにくく、耐湿性の向上を図ること
が実現容易となる。
第１図は本考案に係る磁気センサの一実施例を示す断面
図、第２図は非磁性基板の全面にパーマロイを成膜した
状態を示す拡大平面図、第３図は第２図の基板全面の成
膜をパターン化した第１図の磁気センサにおけるMR素子
の拡大平面図、第４図は第１図の磁気センサの使用状態
を示す概略平面図である。 第５図は磁気センサの従来例を示す部分断面を含む平面
図、第６図は第５図の磁気センサの使用状態を示す概略
平面図である。 （10）…磁気センサ、（11）…磁気抵抗効果素子（MR素
子）、（12）…非磁性基板、（13）…磁気抵抗体薄膜、
（16）…リード、（19）…ガラススリーブ。
図、第２図は非磁性基板の全面にパーマロイを成膜した
状態を示す拡大平面図、第３図は第２図の基板全面の成
膜をパターン化した第１図の磁気センサにおけるMR素子
の拡大平面図、第４図は第１図の磁気センサの使用状態
を示す概略平面図である。 第５図は磁気センサの従来例を示す部分断面を含む平面
図、第６図は第５図の磁気センサの使用状態を示す概略
平面図である。 （10）…磁気センサ、（11）…磁気抵抗効果素子（MR素
子）、（12）…非磁性基板、（13）…磁気抵抗体薄膜、
（16）…リード、（19）…ガラススリーブ。
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性基板上に磁気抵抗体薄膜を被着させ
たペレット状の磁気抵抗効果素子を高透磁率の軟磁性材
料からなる一対の金属製軸状リードで挾持して磁気的結
合させると共に電気的に接続し、上記磁気抵抗効果素子
およびリードの接続部にガラススリーブを外嵌し、両リ
ードの素子挾持端部の外周面にガラススリーブの内周面
を溶着して上記磁気抵抗効果素子を封止したことを特徴
とする磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989036245U JPH0719018Y2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989036245U JPH0719018Y2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 磁気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02128579U JPH02128579U (ja) | 1990-10-23 |
| JPH0719018Y2 true JPH0719018Y2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=31542312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989036245U Expired - Lifetime JPH0719018Y2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719018Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004060298A1 (de) * | 2004-12-15 | 2006-06-22 | Robert Bosch Gmbh | Magnetsensoranordnung |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1989036245U patent/JPH0719018Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02128579U (ja) | 1990-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6427184B2 (ja) | 変化する磁場を生成する磁気センサのための方法及び装置 | |
| JP4274420B2 (ja) | 磁界センサー | |
| KR900007100B1 (ko) | 무접점 전위차계 | |
| JPH11102508A (ja) | 薄膜磁気変換器 | |
| JP2002303536A (ja) | 回転角検出センサ | |
| JP2004354182A (ja) | 薄膜磁気センサ及びその製造方法 | |
| US5128614A (en) | Compound core element having a pair of uniaxial anisotropic ferromagnetic cell components with different coercive field strength for a thin film sensor | |
| JP2018179776A (ja) | 薄膜磁気センサ | |
| JPH11109006A (ja) | 磁気インピーダンスセンサ | |
| JP6064656B2 (ja) | センサ用磁気抵抗素子、およびセンサ回路 | |
| EP0789250A2 (en) | Thin film giant magnetoresistive cip transducer with flux guide yoke structure | |
| JP2000284028A (ja) | 薄膜磁性体ｍｉ素子 | |
| JP2008209224A (ja) | 磁気センサ | |
| JP2007024598A (ja) | 磁気センサ | |
| JPH11287669A (ja) | 磁界センサ | |
| JP3873752B2 (ja) | 回転角度検出装置 | |
| JPS625284B2 (ja) | ||
| JP2008209317A (ja) | 磁気式角度センサ | |
| JP3602235B2 (ja) | 磁気センサ | |
| JPH10173252A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗センサ | |
| JPH0721507B2 (ja) | 磁気センサ | |
| JPH0154872B2 (ja) | ||
| JPH02271258A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPH0777531A (ja) | 磁気式位置、回転検出用素子 | |
| JPS62229888A (ja) | ポテンシヨメ−タ |