JPH02270242A - 高周波信号切換用リレー装置およびそれを用いる減衰器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は高周波リレー装置およびそれを用いる減衰器
に係り、特に高周波帯域における信号切替器を構成する
高周波リレーを備えたものに関する。

（従来の技術） スペクトラムアナライザ、標準信号発生器、ネットワー
クアナライザ等の数Ｇ１１ｚの高周波帯における測定器
システムでは、高周波信号のレベルを可変する手段とし
てプログラマブル減衰器が用いられる。このプログラマ
ブル減衰器は上述のような高周波リレーを多段構成にし
たものであって、それの性能、品質および形状がそのま
まａｐｌ定器システムに影響を与える要因となる。そし
て、それらの要因′の大部分が構成要素としての高周波
リレーに依存している。

第１３図は、従来の高周波リレーを示す断面側面図であ
り、実開昭６３−６９４５３号公報として開示されてい
る。

第１３図に示す・ＩＯは可動接点、４３は各々端子であ
る。可動接６．４０は、電磁石２により端子４３に接触
して電気的に回路の切替を行なう。

また、４１はシールドであり、これら可動接点４０、端
子４３外周を田っている。

第１４図は、別の従来の高周波リレーを示す要部の分解
斜視図であり、実開昭６１−１３３９４３号公報として
開示されている。

第１４図に示す４０１，４１１は可動接片、３４１．３
５１，３６１は各々端子で、絶縁部材３７１によりシー
ルドケース３３１に固定されている。可動接片４０１，
４１１は、図示しない移動機構により端子３４１，３５
１，３６１に接触して電気的に回路の切替を行なう。

また、シールドケース３３１は、これら可動接片４０１
，４１１．端Ｔ−３４１，３５１，３６１を覆っている
。

（発明が解決しようとする課２Ｉｆｉ）しかしながら、
第１３図に示した従来の高周波リレーは、中間の端子４
３を共通端子とした】トランスファーのみのものであっ
た。

この場合、シールド４１は可動接点４０の長平方向の中
央部分で切欠かれていて、このままではアイソレーショ
ンがとれない。

さらに、可動接点４０を移動させる電磁石２は、可動接
点４０の移動方向上であるシールド４１の側傍に並列し
て設けねばならず、高周波リレー全体の設置面積が増大
する問題点が生じる。

また、可動接点４０と端子４３とは直接接触するため、
多回数の切替によって接触面が摩耗し品く、同時に接触
抵抗等が増加することによって高周波特性に悪影響を及
ぼし、かつ品耐久性を有すｇ構成ではなかった。

また、第１４図に示した従来の高周波リレーのシールド
ケース３３１は、高周波伝送ラインである可動接片４０
１，４１１．及び端子３４１゜３５１．３６１を覆って
外部とのアイソレーションのみについて考慮されたもの
である。従って、このような高周波リレーは可動接片及
び端子と、シールドケースとの間の特性インピーダンス
は特に考慮されておらず、使用可能な周波数はたかだか
２００　Ｍｌｌｚ　＋ｌ−まりであり、さらに高い周波
数帯（１０００Ｍｌ１ｚ以上）に用いることができない
。

また、シールドケースには端子各々との間にアース端子
がなく、このままではアイソレーションがとれない。

さらに、電磁石とシールドケースが横方向に並列して設
けると高周波リレー全体の設置面積が増大する問題点が
生じる。

なお、第１３図、第１４図に示したような従来の高周波
リレーはプリント回路板に搭載口Ｉ能なプリント板実装
型のものであるが、上述したように数Ｇ　Ｈｚの高周波
帯まで使用帯域が伸びないと共に、再現性を含むｉｔ４
頼性に乏しいという欠点を有している。

そこで、この発明は以上のような点に鑑みてなされたも
ので、数ＧＩＩＺ以上の高周波帯まで使用帯域を伸ばす
ことができると共に、再現性を含む信頼性を向上するこ
とができるもので、特にはプリント仮実装化のために高
耐久性を得ることができるとともに、複数のトランスフ
ァーを単一の電磁石で切替えることができ、かつトラン
スファーを複数としてもこれらの間をアイソレーション
でき、これにより単一個のリレー装置で複数のトランス
ファーを得ることができ、設置面積の省スペース化を＝
１゛ることかできると共に、各端子との間のアイソレー
ションをとることができ、かつ、シールド内部における
回路の特性インピーダンスを所定の値に保つことができ
る高周波信号切換用リレー装置およびそれを用いる減衰
器を提１ｉ−することを目的としている。

（課題を解決するための手段） 本発明の一態様による品用波信号切換用リレー装置は、
それぞれ略長方体状の絶縁部材と、この絶縁部材の内側
に突出して互いに所定の間隔を有して支持される一対の
固定接点部材と、この一対の固定接点部材間に配置され
て上記絶縁部材に支持される可動接点部材および上記一
対の固定接点および可動接点部材を各別に電気的に導出
するもので互いに所定間隔をＨして上記絶縁部材の基部
に突出して支持される第１、第２および第３の端子とを
有する第１および第２の接点ブロックと、上記第１およ
び第２の接点ブロックの各可動接点部材に共通に作用し
て各可動接点部材を上記第１および第２の接点ブロック
の各一対の固定接点部材間で移動させる可動片を有する
電磁石と、上記第１および第２の接点ブロックを各別に
収容する二つの収容空間部と、上記電磁石を搭載する支
持部と、上記第１および第２の接点ブロックの各第１、
第２および第３の端子を案内する所定数の切欠部とを有
して断面略Ｈ型に形成されるもので、少なくともそれの
表面が導電性を呈するシールドブロック部材と、少なく
とも前記シールドブロック部材の開口部外囲をシールド
すると共に、前記シールドブロック部材と電気的に接続
されるシールドケースとを具備する。

また、本発明の別の態様による高周波リレーは、それぞ
れ一対の固定接点用板片と、可動接点ばねと、端子とを
一体的に絶縁部材で組み込み、かつ各接点の接触部分に
は接点部材を有する第１および第２の接点ブロックと、
前記第１および第２の接点ブロックの可動接点ばねの自
由端をいずれか一方の固定接点用板片の方向に変位させ
る可動片を有する電磁石と、略断面Ｈ字型に形成され、
複数のアース端子を有し、上面に前記電磁石が配置され
、さらに該第１および第２の接点ブロックを中間の第１
および第２の収容空間部内に各別に収容し、かつこれら
第１および第２の接点ブロック同土間がアイソレージジ
ンされる遮断壁を有する少なくともその表面が導電性を
有するブロック部材と、前記第１および第２の接点ブロ
ックと前記電磁石と前記ブロック体の外周を覆う導電性
のシールドケースと、を有することを特徴としている。

また、前記ブロック部材と、シールドケースは、接続手
段により電気的に接続された構成としても良い他、前記
ブロック部材下面に設けられ、前記シールドケース周縁
部との間の開口部を閉塞するためのボトムケースを設け
ても良い。

さらに本発明の別の態様による高周波リレーは切替器用
のシールドブロックとして、それぞれ−対の固定接点用
板片と可動接点ばねと複数の端子とを一体的に絶縁部材
で組み込んで成る第１および第２接点ブロックと、該第
１および第２の接点ブロックを収容するための収容空間
部を設けるために略断面Ｈ字型に形成され、かつ貫通溝
が設けられたブロック部材と、を有し、前記第１および
第２の収容空間部内で前記第１および第２の接点ブロッ
クの固体接点用板片および可動接点ばねと対峙するブロ
ック部材との間、および前記、第１および第２の接点ブ
ロックの複数端子と対峙する前記ブロック部材の貫通溝
との間のそれぞれが所定の間隔を保つようにして所定の
特性インピーダンスを保持することにより、さらに高い
周波数帯までの切替器への使用が可能となる。また、前
記ブロック部材に複数のアース端子を一体的に、前記複
数の端子と同一方向に形成したことにより、前記端子間
のアイソレーションが得られる。

また、前記ブロック部材は、段差部と突起とを備えるこ
とにより、前記第１および第２の接点ブロックの収容位
置が定まり前記所定の特性インピーダンスを保持するこ
とができる。

（作用） 上記第１の態様の構成によると、互いに電気的にアイソ
レーションされると共に、シールドされた２トランスフ
アー構造なので、高周波特性に優れ、特に減衰器に適し
ている。

上記第２態様の構成によると、第１お−よび第２の接点
ブロックにおいて表面に露出した固定接点用板片と可動
接点ばねとは、Ｈ字型に形成され、アース端子を介して
アースされたブロック部材の内部である第１および第２
の収容空間部内に配置される。そして、これら第１およ
び第２の収容空間部は遮断壁により互いにアイソレーシ
ョンされていて、第１および第２の接点ブロック間の電
磁波干渉あるいは電磁石の電磁界の影響を受けず、一定
に保持することができる。さらに、シールドケースを設
けたことにより高周波リレー外部に存在する不要電磁波
の干渉を受けることがない。

また、一対固定接点用板片及び可動接点ばねにはそれぞ
れ接点部材が設けられているので、接点部材と接点部材
とが直接接触するため、摩耗に耐えることができ、接触
抵抗などの変化がなくこれら接点部分の耐久性を向上さ
せることができる。

さらに、シールドブロック上方位置に強磁界を発生する
電磁石を配置できるので省スペースで２トランスフアー
の高周波リレーを得ることができる。

上記第３の態様の構成によると、各接点ブロック表面に
露出した固定接点用板片と可動接点ばねは、Ｈ字型に形
成されたブロック部材の内部である第１および第２の収
容空間部でブロック部材に対し所定の距離、つまり所定
の特性インピーダンスを得ることができる距離で配置さ
れているため、常時所定の特性インピーダンスを保持で
きる。また、各接点ブロックの複数の端子についてもブ
ロック部材の貫通溝部分を所定の距離で貫通しているた
め、所定の特性インピーダンスを保持できる。

この作用を確実ならしめるため、ブロック部材に設けら
れた段差部と突起は、第１および第２の接点ブロックの
ブロック部材に対する相対的な位置を定める。

このことにより、特性インピーダンスを所定値に保持で
き、さらに高い周波数の切替器および減衰器への使用が
可能となる。

さらに、このブロック部材には、アース端子が一体成形
されており、このアース端子により各接点ブロックの複
数の端子相互のアイソレーションが得られる。

（実施例） 第１図は、本発明の一実施例による高周波リレーを示す
分解斜視図である。

すなわち、この実施例ではシールド／接点ブロック組立
部（Ｉ）、電磁石組立部（■）、シールドケース組立部
（ｍ）およびボトムケース組立部（Ｖ）を有した高周波
リレー１００が提供される。

以下、順を追って上記各部（１）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ
）および（ＩＶ）の詳細を説明するものとする。但し、
説明の都合上、一部は説明の順序が前後すると共に、重
複して説明されるものもある。

第２図は第１図のシールド／接点ブロック組立部（１）
を取り出して示す分解斜視図である。この第２図におい
て、−幻の接点ブロック１，１は、それぞれが例えば燐
青銅）の良導体でなる端子３と可動接点ばね１４、また
端子４と固定接点用板片８、さらに端子−５と固定接点
用板片９が各々電気的に接続され、これらが例えばボリ
カーボネー°ト基材にガラス繊維を混入した合成樹脂等
で成るほぼ長方体状の絶縁部材２にモールド形成された
ものである。

そして、絶縁部材２の図示下面で端子３，４゜５が突出
した而２ａの切欠き１０．１２に可動接点ばね１４と固
定接点用板片９が、また、上面である而２ｂの切欠き１
１に固定接点用板片８が設けられ、可動接点ばね１４、
固定接点用板片８゜９はそれぞれ切欠き１０〜１２にお
いて下面２ａとほぼ平行に外方へ向かって突出している
。

すなわち、可動接点ばね１４、固定接点用板片８．９は
各切欠き１０，１１．１２の下面２ａに沿いほぼ平行と
なる如く直角に折曲される。したかって二つの固定接点
用板片８．９は絶縁部材２を上下両面から挟むように下
面２ａ、上面２ｂとに隣り合う而２ｃの側方において向
がいあう。

可動接点ばね１４の自由端は二つの固定接点用板片８．
９間に位置するが、その弾性によって通常、上側の固定
接点用板片８側に当接している。

固定接点用板片８．９の互いに向がい合う而には、それ
ぞれ例えば金、銀、ニッケル等の合金でなる接点部材８
ａ、９Ｂが固着されている。ｉ’Ｊ動接点ばね１４の上
下両面には、それぞれ接点部材８ａ。

９ａに対応した位置において、表面に金を被着した接点
部材１４ａ、１４ｂが固着されている。

また、絶縁部材２の上面２ｂには、両端に各々所定高さ
の突出片１５ａ、１５ｂが形成されている。この突出片
１５ａ、１５ｂは、後述する電磁石を位置決めするため
のものである。

次に、シールドブロック体（部材）１７は、下部ブロッ
ク１７ａと、上部ブロック１７ｂとにより成り、これら
は下部ブロック１７ａ上面中央に設けられ三箇所のピン
１８と、上部ブロック１７ｂ中夫に設けられた孔部１９
とを互いに嵌合して固着することにより側面路Ｈ字型に
組み立てられる。

これらの上部および下部ブロック１７ａ。

１７ｂでなるシールドブロック体１７は、少なくともそ
の表面が良導体であり、この実施例では亜鉛ダイカスト
による成型物の表面に銅を下地鍍金し、その上にニッケ
ル鍍金を施したものが用いられるが、プラスチック成型
物の表面に金属鍍金処理したものを用いても良い。

下部ブロック１７ａ底面には、例えば亜鉛ダイカストに
より一体成型されたアース用の端子２０が複数本（例え
ば六本）設けられている。また、下部ブロック１７ａの
上面は、中央部分で長手方向に渡り、遮断壁２１が形成
されているとともに、この遮断壁２１を中央としてほぼ
左右対称形状に形成されている。

下部ブロック１７ａの四−つの、角部分には所定高さの
突起２２が形成されており、うち長手方向一端部の突起
２２同土間は、左右とも同様の高さで連続した突起とさ
れている。

また、下部ブロック１７ａの長手方向には、縁に沿って
所定高さの側壁２３が形成されている。

この側壁２３は、前記接点ブロック１の組合せにおいて
絶縁部材２の而２ａの位置を位置決めする。

さらに側壁２３には接点ブロック１の下面に露出した可
動接点ばね１４の一部、一方の固定接点用板片９との間
の特性インピーダンスを一定に保つための切欠き２３ａ
、２３ｂが形成されている。

さらに、側壁２３には接点ブロック１の端子３〜５が各
々貫通する貫通溝２４　ａ、　　２４１）。

２４ｃが形成され、これら貫通溝２４ａ〜２４ｃは、各
々端子３〜５を中心とする外周に所定距離酸れた寸法で
形成されるもので、この貫通溝２４ａ〜２４ｃは、端子
３〜５各々との間で高周波的に所定の特性インピーダン
ス（例えば５０オーム）を保つために設けられる。尚、
貫通溝２４ａ〜２４ｃは、実施例の角溝形状以外に円形
であっても良い。

次に、上部ブロック１７ｂについて説明すると、前記下
部ブロック１７ａの遮断壁２１に連続的に当接する底部
２７が形成され、この底部２７から外方にＵ字状に２段
階の段部２８．２９を有する。

段部２９は、下部ブロック１７ａの側壁２３上方に所定
距離で位置し、接点ブロック１の絶縁部材２の上面’２
　ｂを位置決めする。

以上のように構成される一対の接点ブロック１゜１およ
びシールドブロック体１７でなるシールド／接点ブロッ
ク組立部（１）は、第１図、第２図の各矢印方向に各々
組み立てられる。このシールド／接点ブロック組立部（
１）の組み立てた状態は第６図Ａ、ＢＳＣの平面図、正
面図、側面図に示されるようになる。

第６図Ｃに示す如くシールドブロック体１７は、収容空
間Ａ、Ｂを杓゛するＨ字型に組み立てられ、また対称に
形成された各々の接点ブロック１，１は、このシールド
ブロック体１７に形成された遮断壁２１を中心とする収
容空間Ａ、Ｂに各々組み込まれる。

詳述すると、接点ブロック１を構成する絶縁部材２の上
面２ａがシールドブロック体１７の側壁２３上に位置し
、下面２ｂが段部２９下面に位置して位置決めされる。

この時、第６図Ｃに示す如く、収容空間Ａ、Ｂ内で固定
接点用板片８が上部ブロック１７ｂの段部２８下面２８
ａとの間に間隔Ｌ１で、さらに固定接点用板片９と下部
ブロック１７ａ上面１７ａａとの間に間隔Ｌｌ’で各々
所定の距離で配置されるよう、予め接点ブロック１．１
およびシールドブロック体１７とが成形される。尚、上
記距離Ｌｌ、Ｌｌ’　は等しく約１〜．１．５關として
固定接点用板片８，９とシールドブロック体１７との間
を高周波的に所定の特性インピーダンス（例えば５０オ
ーム）に保つものである。

また、シールドブロック体１７の段部２９下面には段差
部２９ａが形成されて接点ブロック１における絶縁部材
２の面２Ｃが当接することにより、固定接点用板片８．
９および可動接点ばね１４と、遮断壁２１との間隔Ｌ２
が自動的に所定値とするよう予め接点ブロック１，１と
ブロック体１７とが成形される。尚、上記距ＡＩＬ２は
０．２ｍｍとしてエツジラインにおいて高周波的に所定
の特性インピーダンス（例えば５０オーム）を保つもの
である。さらに、突起２２に接点ブロック１の長手方向
に存在する面２ｄが当接することによって接点ブロック
１の長手方向の位置決めがなさなれ、端子３，４．５と
貫通溝２４ａ、２４ｂ、２４ｃとの所定距離を保つこと
ができる。

第３図は第１図より電磁石組立部（ｎ）を取り出して示
す分解斜視図である。この第３図において、中空部３０
ｅ１を有するコイルボビン３０ｅにはコイル３０ｂが巻
回されると共に、コイル３０ｂに接続された端子３０ｆ
、３０ｇが一端側の両側に設けられている。上記コイル
ボビン３０ｅの中空部３０ｅ１には一端側から弾性支持
体３０ｄ１を介し可撓自在に支持されたアーマチュア３
０ｄ２を自°する側面Ｕ字状の第１ヨーク３０ｄが挿入
されると共に、他端側から側面１字状の第２ヨーク３０
ｃが挿入される。これらの第１および第２ヨーク３０ｄ
、３０Ｃは磁気回路を形成するもので、コイル３０ｂに
より励磁されたとき、アーマチュア３０ｄ２が第２ヨー
ク３０ｃの短辺側に成否されることになる。アーマチュ
ア３０ｄ２の先端は中空部３０ｅ　１の他端側から突出
した部分で可動片３０ａの支持部３０ａｌに支持される
。これにより、アーマチュア３０ｄ２のとる最大変位量
が可動片３０ａに伝達されることになる。可動片３Ｄａ
の下部両側は後述するように、該電磁石組立部（ｎ）が
上記シールド／接点ブロック組立部（１）上に組込まれ
た状態で、接点ブロック１．１の各可動接点ばね１４の
先端に対向して配置されることにより、上記コイル３０
ｂの付勢時にアーマチュア３０ｄ２から伝達される変位
力でもって各可動接点ばね１４の先端を押圧する。以上
により、可動片３０ａを有する電磁石３０が提供される
。

そして、このシールドブロック体１７上面には、第２図
、第４図の１−１で示すようにｉＪ動接点ばね１４を駆
動する駆動手段としての電磁石３０が配置される。電磁
石３０の６■動片３０ａは、６■動接点ばね１４に接触
して、この可動接点ばね１４を固定接点用板片８，９間
で移動させる。第７図ＡＳＢ、Ｃはシールド／接点ブロ
ック組立部（Ｉ）と電磁石組立部（ＩＩ）とを合体させ
ときの、平面図、正面図、側面図とを第６図ＡＳＢＳＣ
と同じ関係で示すものである。

第４図は第１図のシールドケース組立部（、■）を取り
出して示す分解斜視図である。第４図において３１は幅
１３ｍＩ！１．高さ１４．５ｍｌ１および長さ２６ｃｍ
のボックス状のシールドケースであり、長手方向に対向
する開口縁部にそれぞれ複数のアース端子３１ｂ（図ホ
の場合、二つずつで合計四つ）を有するとともに、接続
機構３５のための透孔３５ｂが短手方向に対向する両側
部に形成されている。接続機構３５はシールドケース３
１と上記ブロック体１７との間を閉塞して電気的に接続
する。この接続機構３５は、上部ブロック１７ｂ側部、
およびシールドケース３１に形成された螺子穴３５ａ１
透孔３５ｂを螺子３５ｃにより螺着固定する。接続機構
３５は、これに限らずブロック体１７に突起を設け、シ
ールドケースには突起に嵌合する四部を設ける構成とし
ても良い。

第５図は第１図のボトムケース組立部（ＩＶ）を取り出
して示す分解斜視図である。第５図において、３２は平
板状のボトムケースであって、上記各端子３，４，５，
２０．３Ｏｆ、３０ｇ部分部分商する部分に所定数の開
孔３２ａが形成されている。このボトムケース３２は、
シールドケース３１の開口周縁部３１ａを閉塞するもの
で、両者の間を密封するためにエポキシ樹脂系のシーリ
ング剤が用いられる。このシーリング剤が前記貫通溝２
４ａ、２４ｂ、２４ｃに流入して充填されることにより
、端子３．４．５部分の特性インピーダンスが変化する
ことを防止する。

次に、上記構成による作用を説明すると、本発明による
高周波リレーは上述の如く、２つの接点ブロック１，１
は１つのシールドロック体１７内に位置決めしていうな
らば２トランスフアータイプとして収容される。

このように接点ブロック１をシールドブロック体１７に
組み込むのみで２つの接点ブロック１゜１はシールドブ
ロック１７の遮断壁２１で電磁波が遮蔽され互いのアイ
ソレーションをとることができ、かつ、組み立てが容品
に行える。

また、接点ブロック１の端子３，４．５部分の高周波的
な特性インピーダンスは、各々貫通溝２４ａ、２４ｂ、
２４ｃにより所定値（例えば５０オーム）に保持するこ
とができる。さらに、固定接点用板片８．９及び可動接
点ばね１４部分の高周波的な特性インピーダンスについ
ても所定値（例えば５０オーム）に保持することができ
る。

一方、電磁石３０が発生する電磁界は、上部ブロック１
７ｂおよび下部ブロック１７ａによるシールドブロック
体１７によりアイソレーションされているため、固定接
点用板片８．９および可動接点ばね１４部分の高周波的
な特性インピーダンスに影響を与えることがない。

さらに、固定接点用板片８．９には接点部材８ａ、９ａ
が設けられ、１１動接点ばね１４には、接点部材１４ａ
、１４ｂが設けられており、可動接点が電磁石３０によ
り駆動されていずれかの固定接点用板片８．９側に変移
した場合、これら接点部材８ａと１４ａが、あるいは接
点部材９ａと１４ｂが直接接触するため、これら接点部
分の耐久性を向上させることができ、切替ｕ数を多回数
（１００万回以上実測で５００万回をクリヤしている）
にできる。

さらに、このシールドブロック体１７に近接した位置で
あるシールドブロック体１７上面等に、直接的に前記可
動接点ばね１４を駆動する電磁石３０を配置することが
できるので高周波リレー全体を小型化することができる
。

また、前記遮断壁２１により２つの接点ブロック１．１
　（２トランスフアー）を互いにアイソレーションして
１つの高周波リレー内に設けることができ、多数の接点
回路をコンパクトにまとめることができ、この高周波リ
レーを多数用いる機器の高周波リレ一部分の設置面積を
省スペース化できる。

以上のように構成された高周波リレーは、第８図の回路
図に示すプログラマブル減衰器の直列多段の回路切り替
え箇所に用いることができる。そして、上記高周波リレ
ーによれば、特性インピーダンスが保たれたものである
ため、多段の切り替え箇所に用いても回路全体の高周波
的な特性インピーダンスに影響を与え゛ることかない。

第９図ＡＳＢは上記プログラマブル減衰器に適用される
高周波リレー１００をプリントｄ語基板１０１に実装す
る際の具体例を示している。

このタイプの減衰器は入力端（ＩＮ）に加えられる信号
をスルーライン（Ｔ　Ｌ）を介してそのまま出力側（Ｏ
ＵＴ）に通過させるか（スルー）、または抵抗Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ３による減衰回路を介して所定ステップ（例えば
１ｄＢステツプ）の減衰量を伴わせて通過させるか（抑
圧）を切換えるものである。このとき、上述のように２
トランスフアータイプの高周波リレー１００であれば、
抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を図示のように高周波リレー１０
０の配置範囲内に配置することができると共に、次段へ
の接続パターン長を最短経路にすることができるので、
従来の１トランスフアータイプの高周波リレーを用いる
場合よりも格段に有利なものとすることができる。

次に、上記ボトムケース３２の他の例および該ボトムケ
ースをシールドケースにシーリングする具体例について
説明する。

第１０図に示すボトムケース（以下薄板本体）３２１は
、プラスチック樹脂により成形され、その厚さは約０．
３＋ｎとされている。

この薄板本体３２１は、シーリングするシールドケース
の開口部に対応する幅及び長さで成形される。

゛また、薄板本体３２１の一方の面３２１ａには、縁部
３２１ｂから所定の距離で約０．２＋ｕの高さを有する
突起部３２２が連続して設けられている。

この突起部３２２の一部は切欠き３２２ａとされ、この
切欠き３２２ａ部分は薄板本体３２１と同一の厚さとさ
れている。切欠き３２２ａは、連続した突起部３２２に
より成形時に発生される応力を分断する。

つまり、前記突起部３２２を有しない薄板本体３２１の
みであれば、薄板本体３２１はフラットであるから成型
後の収縮率が全面に渡り均一であって反りを生じない。

しかしながら、シーリング接着剤の流れを規制するため
に突起部３２２が必要であるが、突起部３２２が連続し
たものであれば薄板本体３２１の面で収縮率が異なる箇
所が発生して反りが生じる。この反りは、切欠き３２２
ａにより分断され薄板本体３２１はフラットに成形され
る。したがって、切欠き３２２ａは、連続した突起部３
２２の所定距離毎に形成されることが望ましく、この例
では薄板本体３２１が長方形状であるので、長辺側の突
起部３２２の中央箇所に切欠き３２２ａを設けた。

次に上述した薄板本体３２１でシールドケース３１１の
開口部をシーリングする場合につき説明すると、前記薄
板本体３２１は突起部３２２が設けられた面を下として
シールドケース３１１の下面に取り付けられる。第１１
図は、シールドケース３１１および薄板本体３２１を底
面から見た図であり、実際に組み立て作業が行われる際
と同一の方向である。

ここで、薄板本体３２１には、シールドケース３１１の
各端子３１１ｂに対応した位置に各々貫通孔３２３を開
口形成しておく。

そして、シールドケース３１１の縁部３１１Ｃと薄板本
体３２１とがシーリング剤の流入により密封されるが、
このシーリング剤は突起部３２２によってそれより内方
への流入が禁止される。

次に第１２図は、薄板本体３２１がシールドケース３１
１の開口部にシーリングされて完成される高周波リレー
１００のブリトと回路基板１０１への実装状態を示す側
面図である。

高周波リレー１００をプリント回路基板１０１に実装す
る際、突起部３２２が下面に位置して突出しているので
、高周波リレー１００は僅かに基板上で浮いており、半
田上りが良好となり、この半田付けを容品に行うことが
できる。

（発明の効果） 以上説明したように本発明の高周波リレーによれば、接
点ブロックに接点部材を設けたので多回数の切替えに対
して、接点部材は摩耗に耐えることができ高耐久性の高
周波リレーを得ることができ、多回数の切替を行なうこ
とができるとともに、接点ブロック間及びこの高周波リ
レーの外部との間のアイソレーションをとることができ
、高周波リレーをとりまく不要電磁波干渉を受けにくい
。

また、本発明によれば、接点ブロック近傍に電磁石を配
置でき、かつ、２トランスフアーを近接し、単一個の電
磁石で駆動することができるので、省スペースで２トラ
ンスフアータイプのプリント板実装化される電子機器と
特に減衰器に適した高周波リレーを得ることができる。

また、以上説明したように本発明の九周波リレーによれ
ばシールドブロック構造を採用して、接点ブロック間の
アイソレーションをとることができるばかりでなくブロ
ック体における接点ブロックの収容空間部内及び端子部
分における高周波的な特性インピーダンスを所定値（５
０オーム）に保つことができ、数ＧＨｚオーダーの高周
波帯（実測で２　、　２１１ｚ）まで使用帯域を伸ばす
ことが可能となる。

さらに、再現性についても、実測で約０．０２ｄＢのす
ぐれた値が得られており、この再現性を含めた信頼性を
大幅に向上せしめることができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例による高周波リレーを示す分
解斜視図、第２図は第１図の１部の詳細図、第３図は第
１図の■部の詳細図、第４図は第１図の■部の詳細図、
第５図は第１図の■部の詳細図、第６図Ａ、ＢＳＣはそ
れぞれ第１図の要部の平面図、正面図および側面図、第
７図はＡ、Ｂ。 Ｃはそれぞれ第１図の要部の平面図、正面図および側面
図、第８図は第１図の高周波リレーを用いたプログラマ
ブル減衰器の回路構成図、第９図Ａ、Ｂは第８図の一部
の実装状態を示す下面図と側面図、第１０図は第１図の
ボトムケースの別の例を示す斜視図、第１１図は第１０
図のボトムケースを用いる高周波リレーのシーリングを
説明するための分解斜視図、第１２図は第１１図の高周
波すレーの実装状態を示す一部断面側面図、第１３図は
従来の高周波リレーを示す断面側面図、第１４図は従来
の別の高周波リレーを示す要部の分解斜視図である。 １・・・接点ブロック、２・・・絶縁部材、３．４．５
・・・端子、８．９・・・固定接点用ブロック、８ａ。 ９ａ・・・接点部材、１４・・・Ｉ″ＩＪ動接点ばね、
１４ａ。 １４ｂ・・・接点部材、１７・・・シールドブロック体
、１７ａ・・・下部ブロック、１７ｂ・・・上部ブロッ
ク、２０・・・アース端子、２１・・・遮断壁、２２・
・・突起、２３　・・・側壁、２３ａ、２３ｂ−・・切
欠き、２４ａ。 ２４ｂ、２４ｃ・・・貫通溝、２９　ａ−・・段差部、
３０・・・電磁石、３０ａ・・・作動片、３１・・・シ
ールドケース、３１ａ・・・周縁部、３２・・・ボトム
ケース、３５・・・接続手段、１００・・・高周波リレ
ー、ＴＬ・・・スルーライン、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３・・・
抵抗、ＩＮ・・・入力ライン、ＯＵＴ・・・出力ライン
。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 ｚ９ 第７図Ａ 第７図Ｂ 第６図Ｃ Ｉ！！７図Ｃ 第１０図 第１２図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）それぞれ略長方体状の絶縁部材と、この絶縁部材
   の内側に突出して互いに所定の間隔を有して支持される
   一対の固定接点部材と、この一対の固定接点部材間に配
   置されて上記絶縁部材に支持される可動接点部材および
   上記一対の固定接点部材および可動接点部材を各別に電
   気的に導出するもので互いに所定間隔を有して上記絶縁
   部材の基部に突出して支持される第１、第２および第３
   の端子とを有する第１および第２の接点ブロックと、 上記第１および第２の接点ブロックの各可動接点に共通
   に作用して各可動接点部材を上記第１および第２の接点
   ブロックの各一対の固定接点部材間で移動させる可動片
   を有する電磁石と、 上記第１および第２の接点ブロックを各別に収容する二
   つの収容空間部と、上記電磁石を搭載する支持部と、上
   記第１および第２の接点ブロックの各第１、第２および
   第３の端子を案内する所定数の切欠部とを有して断面略
   Ｈ型に形成されるもので、少なくともそれの表面が導電
   性を呈するシールドブロック部材と、 少なくとも上記シールドブロック部材の開口部外囲をシ
   ールドすると共に、上記シールドブロック部材と電気的
   に接続されるシールドケースとを具備する高周波信号切
   換用リレー装置。
2. （２）それぞれ一対の固定接点用板片と該一対の固定接
   点用板片間を移動してスイッチの開閉を行う可動接点ば
   ねとを所定の厚みを有する絶縁部材の内側面に該絶縁部
   材の上面と下面とに対して所定距離だけ離して組み込み
   、かつ、前記一対の固定接点用板片及び可動接点ばねの
   各々を電気的に導出する第１、第２および第３の端子を
   前記絶縁部材の外側面に対して所定距離だけ離して該絶
   縁部材の下面から突出させてなる第１および第２の接点
   ブロックと、 前記第１および第２の接点ブロックの可動接点ばねの自
   由端を前記一対の固定接点用板片のいずれか一方の固定
   接点用板片の方向に変位させる可動片を有する電磁石と 中央に所定幅の突起部を持ち、前記第１および第２の接
   点ブロックの側面に接する両端の段差部と、前記第１お
   よび第２の接点ブロックの上面に接する下面部とを有し
   、少なくともその表面が導通性を有する第１のシールド
   ブロック体と、四隅にあって前記第１および第２の接点
   ブロックの端面に接する突起と、前記第１および第２の
   接点ブロックの下面に接する上面部と、前記第１および
   第２の接点ブロック間をシールドする遮断壁と、前記第
   １および第２の接点ブロックの各端子を取り出す複数の
   貫通溝と、前記第１および第２の接点ブロックの端子と
   同一方向に突出され使用時に共通電位に接続される複数
   のアース端子とを有し、前記遮断壁の上面が前記第１の
   シールドブロック体の突起部の下面と接合した状態で該
   第１のシールドブロック体と略断面Ｈ型に結合し、少な
   くともその表面が導通性を有する第２のシーールドブロ
   ック体と、 前記第１および第２の接点ブロックと前記電磁石と前記
   第１および第２のシールドブロック体の外周を覆う導電
   性のシールドケースとからなる高周波リレー。
3. （３）電磁石の可動片によって駆動される可動接点ばね
   と、該可動接点ばねと対向して設けられる二つの固定接
   点用板片とが絶縁部材によって支持されている第１およ
   び第２の接点ブロックと、該第１の接点ブロックと第２
   の接点ブロック間を遮蔽するとともに前記第１および第
   ２の接点ブロックと前記電磁石との間を遮蔽するシール
   ド部材とを備え、 少なくとも前記接点ブロックの端子部と各接点位置との
   間は前記シールド部材によって遮蔽されており、前記シ
   ールド部材によって囲まれていない前記第１および第２
   の接点ブロックのそれぞれの可動接点ばねの自由端が前
   記電磁石の可動片によって駆動されることを特徴とする
   高周波リレー。
4. （４）それぞれ一対の固定接点と可動接点を各別に電気
   的に導出する第１、第２および第３の端子を有する第１
   の接点ブロックと、それぞれ一対の固定接点と可動接点
   を各別に電気的に導出する第４、第５および第６の端子
   を有する第２の接点ブロックとを含み、上記第１、第２
   および第３の端子と上記第４、第５および第６の端子と
   が平行に配列される高周波リレーと、 上記第１の接点ブロックの可動接点を導出する上記第３
   の端子に接続される入力ラインと、上記第１の接点ブロ
   ックの一方の固定接点を導出する上記第１の端子と上記
   第２の接点ブロックの一方の固定接点を導出する上記第
   ４の端子間に直接的に接続されるスルーラインと、 上記第１の接点ブロックの他方の固定接点を導出する上
   記第２の端子と上記第２の接点ブロックの他方の固定接
   点を導出する上記第５の端子間に接続される適数個の抵
   抗を含む減衰回路と、上記第２の接点ブロックの可動接
   点を導出する上記第６の端子に接続される出力ラインと
   を具備する高周波リレーを用いた減衰器。