JPH02270343A - 半導体ウエハキャリア - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハキャリア、殊に連続化学蒸着反応
器に使用されるキャリアとキャリアリードの形状に関す
る。

〔従来の技術〕

連続化学蒸着反応器は半導体ウェハが連続的に流れるス
タンドアロン処理システムとすることができる。かかる
システムにおける基体的サブシステムはウェハ処理、反
応室、ガス流システム、冷却システム、および電気シス
テムを含むことができる。

ウェハ処理システムはウェハローダとアンローダ、ウェ
ハキャリア、および反応室内を通ってウェハを移動させ
るトラックを含むことができる。

反応室サブシステムは半導体ウェハを処理する部位であ
る。各室はガス供給入口、反応室ハウジング、ヒートラ
ンプおよび廃棄物を含むことができ゛る。

ガス流サブシステムは反応ガスを各室へ供給し、パルプ
、フローコントローラ、および排気システムを供給する
。

冷却サブシステムは処理温度を維持する働きを　。

し、周囲構成品に対する熱放射を少なくする。気流と水
流の上も冷却サブシステムで使用することができる。

電気サブシステムはサブシステムを制御し反応器に電力
を供給し電源、モータ、センサー、バルブ、およびｌも
しくはそれ以上のコンピュータ／コントローラを含むこ
とができる。

基本的な反応器とプロセスは以下の通りである。

半導体ウェハをキャリア上に積載し、同キャリアはポー
トを通って反応器の一端に入り各種室を逐次移動しもう
一つのポートを通って反応器の他端から出る。

反応器は物理的に閉鎖されていすとも反応器の各室間の
各端にガスシールを有する。−例として反応器は８個の
室を備えており、第１室は窒素シールにより成り、第２
室は予熱室、次の４室は蒸着室、それに冷却室と最後の
室は窒素シールである。

典型的なガス供給システムは萎着室の何れにも向ける２
つの異なる蒸着プロセスについてガスを供給することが
できる。各室はウェハキャリアと各ウェハキャリア間の
スペーサにより頂部と底部の２つの部分に効果的に分割
される。

室間の接合は室からのガスの流れと排気ガスにより一室
を他室と効果的に隔離する。

発明の要約 本発明は多室連続化学蒸着反応器に使用されるサヤブタ
、もしくはウェハキャリアおよびキャリアリッド形に関
する。半導体ウェハはロボットアームによりウニバカセ
ントから除去されキャリア内に配置される。キャリアは
異なる径のウェハを収納する幾つかの形のうちの一つと
することができる。各キャリアは例えばグラファイト、
もしくはシリコンカーバイドでコーチングしたグラファ
イトとすることができ、ウェハの径に応じて１つもしく
はそれ以上のウェハを保持することができる。ウェハは
反応器内に面を下側にすることによってウェハの処理全
体がキャリアの下側から行われリフトが半導体ウェハの
上側上に配置され処理もしくはその他のガスがその側に
作用しないよう　。

にし処理中に半導体に対して均一な熱分布を与えるよう
に配置される。

キャリアリッドは処理中にウェハに対して熱を運ぶサヤ
ブタもしくは伝熱媒体としての働きを行う。ＣＣＶＤ　
（連続化学蒸着）反応器内で処理する場合、半導体ウェ
ハはキャリア内に配置され、逐次各種室を通って移動し
反応器端から出てゆく。

半導体ウェハはキャリア内にさかさまに配置されること
によって半導体ウェハの処理面はキャリア内に面を下に
してキャリア下側の開口を通る処理ガスにさらされる。

キャリアリッドは半導体の上側もしくは後側をおおい、
白熱電球ヒータからの放射熱のサセプタとしての働きを
行うようになっている。

キャリアは１個の８インチ半導体ウェハもしくは２個の
６インチ半導体ウェハに対して使用できるように最適化
される。

従来のシステムでは異なるサイズのウェハに対しては異
なる反応器を使用する必要があった。

本発明の一例では、ウェハはクリップによりキャリアの
下側の所定位置に保持される。もう一つの本発明実施例
では、ウェハはキャリアの下側に構成された２個のスロ
ットもしくはトランク内に配置される。上記の２例では
キャリアは処理中にウェハに対して熱を運ぶためのサセ
プタもしくは伝熱媒体としての働きを行う。

半導体ウェハはキャリア内に配置され遂次各種室を経て
移動され反応器端から出てゆく。半導体ウェハはキャリ
ア上に逆転して配置される。キャリアは白熱電球ヒータ
からの放射熱用サセプタである。

各室はそれに関連するヒートランプ、ガス入口、および
ウェハキャリアがその上を移動することになるトラック
とシールを有する。

トラック上に側面をつけたキャリアの２つの側部には丸
い溝が存在する。上記シールはガスが反応器外側の環境
へ漏出することを防止すると共に排気ガスが処理室に進
入したり反応ガスが反応室の上側へ進入することを防止
する。

キャリアは処理ガスがキャリア上部の反応室領域へ移動
する作用を防止するためにも使用される。

反応器の各室はウェハキャリアにより２つの領域へ分割
される。これら２つの領域はキャリア上下の領域である
。処理ガスはキャリア下部の反応器の下部分に貫流し半
導体ウェハ面を横切って流れる。

不活性ガスを反応器の上部領域を経て向かわせ、処理ガ
スが上部領域に進入する作用を防止すると共に排気ガス
が反応器の処理域に進入しないようにするために必要と
されるガス差圧を提供することを補助できるようにする
。

室間の接合のため、処理ガス流もしくは室からのガスの
排気によって室どうしを互いに効果的に隔離することが
できる。

本発明と共にその対象によって示される技術的進歩は本
発明の実施例に関する以下の説明を添附図面を請求範囲
に提示する新規な特徴と相俟って考察することにより明
らかとなる筈である。

〔実施例〕

第１図は本発明を利用した典型的な反応器を示す。トラ
ック２１ａに沿って運動するロボットアーム２１に沿っ
て隣接する形に複数のウェハカセット２０が配置される
。上記トラックによってロボットアーム２１が複数のウ
ェハカセットの各々に隣接して移動することによってロ
ボットアームが各カセット内の各ウェハに接近できるよ
うになっている。ロボットアームはカセットから１枚の
ウェハを持上げ同ウェハを反応器に対する入口における
キャリア２２内に配置する。反応器に対する入口２３は
シールジヨイントであって反応器内のガスが反応器から
漏出することを防止する。

入口２３において、キャリアが反応器に進入する前に真
空ピンクアップアーム（図示せず）がキャリアからリッ
ドを持上げてロボットアームが半導体ウェハをキャリア
内に配置することができるようにする。半導体がキャリ
ア内に配置された後、キャリアリントが取替えられキャ
リアは反応器と同反応器を構成する複数の室内を割送り
される。

キャリアは反応器と、キャリアの長さを利用した室と各
キャリア間の少なくとも１個のスペーサ。

バー内を割送りされる。各キャリアが反応器内へ割送り
されるにつれて先行するキャリアはそれぞれ次の反応器
へと移動する。− 上記割出しは連続的に行われキャリアが最後の反応室か
ら退出するに従って反応器の復帰路を通って各反応器内
に開口する出口へ移動し、そこでキャリアのリッドは復
帰リッドピックアップ（図示せず）により除去される。

反応器全体に延在するトラック３３はウェハキャリアを
反応器内に移動させるために使用される。トラック３２
ａ上に取付けられたロボットアーム３２は半導体ウェハ
をキ・ヤリアから取除きそれをウェハカセット３６内へ
配置する。

反応器は複数の水晶反応室２５内に分割する。

反応室２５は接合２５ａにより接続され上記接合２５ａ
内を処理ガスが導入されそこから使用済ガスが排気され
る。

各反応上部にはヒータブロック２４が位置決めされ、同
ブロック２４は反応室を所望温度に加熱するために使用
される。ランプハウジングの冷却水が接合物２５ａと入
口２６を通って導入される。

各接合部２５ａは排気ガスを反応室から除去するために
少なくとも一個の排気管２７を有する。

排気ガスは焼取り管３１を通ってガスバーナ３０へ向か
う。

反応器は閉鎖容器３７内に包囲されエアダクト２９を設
けて系シュラウド内部からガス／エアを循環させ排気さ
せる。

第２図は典型的な従来の半導体キャリア４０を示したも
のでその内部に開口４５を有しその内部に半導体ウェハ
４５が配置される。ウェハは一つの平坦な辺縁部４２を
有し、同辺縁部を使用してウェハを割出しもしくは方向
づける。開口４５はまた平坦な側部４３を有し半導体ウ
ェハの平坦な辺縁部４２を整合させる。半導体ウェハの
平坦部がキャリアウェハ開口の平坦部と整合するように
ウェハを方向づける必要がある。タブ４４は開口４５の
底部から突出することによって半導体を開口内に維持し
ウェハの処理側であるウェハの下側をできるだけ露出さ
せるようにする。

リッド４６を使用して処理中にウェハの上側もしくは後
側をおおい処理中に熱あ半導体ウェハへ伝播させる。

第３図と第４図はウェハ５１をキャリア底部内に形成さ
れた凹所５５内に取付けた半導体ウェハキャリア５０の
底側を示したものである。凹所５５は各側部に凹所５５
の側部５５ａから延在するリップ５２を有し押縁を形成
し、同押縁上に半導体の２辺を支持して半導体ウェハ５
０を凹所５５内に保持するようにする。半導体ウェハ５
０はキャリア側部からキャリア内に挿入もしくは搭載し
処理期間中そこに留まるようにする。

搭載前にウェハの向きを整える必要はない。キャリアは
ウェハに対するサセプタとしての役割を果し、ウェハに
熱を伝える。

キャリアの２側部は円形溝５２上部に端部５３を備え、
上記円形溝５２は反応室内で長いトラック（図示せず）
をスライドさせる。

第５図と第６図は半導体ウェハキャリアのもう一つの実
施例を示したものである。図示したキャリアは２個の半
導体ウェハを同一キャリア上に保持するだけの容量をも
っている。ウェハ６１と６２はウェハ周囲の３点に位置
するピン６３により所定位置に保持される。

各ピン６３は“Ｌ”の垂直脚６３ｃがキャリア内の開口
６５を貫いて延びる倒立“Ｌ”字形をしている。垂直脚
６３Ｃは要部６３ｃの支点もしくはピボット点としての
働きを行うピン６６により固定される。

キャリア上にウェハが存在しない場合、もしくはウェハ
搭載中にはピン６３は第６図に６３ａで示した所定位置
にある。

ウェハがキャリア上に配置された後、ピン６３はウェハ
に向かって移動することによってピン６３の水平部分が
ウェハに対立しウェハ６１をキャリアに対して所定位置
に保持するようになっている。

第６図において、保持位置のピンの符号は６３ｂとして
示されている。ウェハがキャリアに固定された後、キャ
リアは逆転した反応器内に延在す。

るトラック上に配置される。反応器内で半導体ウェハが
処理されることになる。キャリアの各側に一個づつ存在
する円形溝６４はトラック（図示せず）と係合する。上
記トランク上には反応器を経てウェハが運ばれる。

第７図と第８図は第５図と第６図に示したものと同様な
キャリアを示したものであるがピンを固定するウェハは
異なっている。キャリア７０上にはピン７３によって２
個のウェハ７１．７２が取付けられる。

各ピン７３は倒立“Ｌ”字形をしており、キャリア７０
内を延在する。ピン７３は垂直部分７３ｂと水平部分７
３ａを備えている。ピンが回転することによって水平部
分７３ａが回転しキャリア表面上に配置された半導体ウ
ェハ上に延びるようになっている。

少なくとも３本のピンを使用して各半導体ウェハをキャ
リア表面に固定する。ウェハがキャリア上に配置される
と、ピンが回転することによって水平部分７３ａがウェ
ハ上に延びるようになっている。その後、キャリアが逆
転し処理反応器を経゛て上部に溝７４が位置するトラッ
ク上に運ばれる。

第５図と第７図には、２個の半導体ウェハが一定角をな
して位置決めされる様子が描かれているが、キャリアの
長さを横切っては延びていない。

ウェハを一定角度で配置することによって、キャリア上
に２個の、例えば６インチウェハを配置することができ
、同一サイズのキャリアを使用して８インチウェハを１
個保持することもできる。

キャリアの設計によって６インチウェハもしくは８イン
チウェハの何れも同一反応系内で処理することが可能に
なる。ウェハを対角線状に位置決めすることによって反
応室内における２個のウェハにわたる幅を制限してウェ
ハ全体により優れた熱分布を確保することができる。

第３図〜第８図に示すキャリアを使用すれば逆転した時
にキャリアがウェハの後側を処理ガスから保護しウェハ
に対する熱サセプタとしての働きを行うためにリッドを
キャリアと共に使用する必要はない。ウェハを整合させ
て平坦な辺縁がキャリアの平坦部とかみあうようにする
必要はなくなる。

第９ａ図と第９ｂ図は本発明の半導体キャリアとリッド
の代替例を示す。半導体キャリア８０はその内部に開口
８５を有し、同開口８５内には半導体ウェハが配置され
る。

上記ウェハはウェハを割出しもしくは方向づけるために
使用される平坦な辺縁を一つ備えている。

開口８５はまた半導体ウェハの平坦な辺縁部を整合させ
るために平坦な側部８３を備えている。

ウェハを向きを整えることによって半導体ウェハの平坦
部がキャリアウェハの開口の平坦部と整合するようにす
る必要がある。

半導体支持領域８４は開口８５の底部の側部より突出す
ることによって半導体を開口内に保持しウェハの処理側
であるウェハの下側をできるだけ露出させるようになっ
ている。

場合によって小さなダブを開口８５の底側から延在させ
半導体ウェハを支持する孝うにしてもよい。

キャリア８０の頂部は上面８６と下面８８を有する。下
面４８はキャリア８０の頂面の大半をカバーし、キャリ
ア表面の一部を切削してリッド８６用の開口を形成する
ことによって形成する。

頂面８６から傾斜する移行部が存在し面８８を低くして
リッド８６の形とマツチさせるようにしである。キャリ
アの各端は丸い凹所８２を有し、同凹所８２はキャリア
を反応器（図示せず）内のトラックに沿って移動させる
ためのガイドとしての働きを行う。

リッド８６を使用して処理中ウェハの「上」側もしくは
後側をカバーして処理中半導体ウェハに対して熱を伝播
させる。リッドの傾斜端８７はキャリアの傾斜移行部８
１と符合する。

第１０図は頂面８６と下面８８を示すキャリア８０の上
面図である。半導体支持領域８４は下面領域が半導体ウ
ェハの厚さに等しい深さにくぼんでいる。

半導体ウェハの平坦な辺縁は平坦な支持領域８３内に位
置決めされる。平坦部は特定位置のみを示しているが半
導体ウェハ開口内の任意の所望値１に構成することがで
きる。

第１１図はリッド８９がその上部に位置決めされた半導
体キャリア８０の側面図である。第１０図では支持領域
８４上に位置決めされた半導体ウェハ９３が描かれてい
る。

半導体ウェハの下側（処理側）は開口８５内で露出され
処理ガスが半導体ウェハに接触できるようになっている
。内部に半導体ウェハが配置される開口９４の深さは半
導体ウェハの厚さよりも大きいため、リッド４９がキャ
リア上に配置された時にリッド８９が半導体に接触せず
リッドから半導体ウェハに均一な放射熱を提供すること
になろう。リッド８９はキャリアの面８８上に載ってい
る。

リッド８９はキャリアの上面８６と下面８８の間の移行
部を形成する傾斜面とかみあう傾斜端８７を有する。同
様に、リッドの底部９０は９１で丸くなっており、底部
９０と傾斜側部８７の間、　に丸い移行部を形成してい
る。

キャリア下面８８、特に９２におけるリッド開口の丸み
は正方形の隅は加熱とそれによる部品の膨張のためにキ
ャリアとリッド中に応力を・ひきおこす傾向があるため
に重要である。９２と９１における深４く大きいため半
導体ウェハの処理中にキャリアとリッドが高温に加熱さ
れるときにひきおこされる応力を除去することができる
。

以上の記載に関連して以下の各項を開示する。

１、連続的化学蒸着反応器に使用される半導体ウェハキ
ャリアにおいて、 第１と第２の大きな面を有する高温材料製の全体として
矩形本体で上記第１の大きな面が上記第１の大きな面内
に形成され同面を横切って延びる凹所を備えるものと、 上記凹所の表面からキャリア内を延びキャリアの上記大
きな面のうちの第２のものを貫いて開口する全体として
円形の開口と、 ′　上記全体として円形の開口の側部から延び半導体ウ
ェハを保持するリップと、 上記第１の大きな面内に形成され同面を横切。

って延びる凹所内に嵌合し、上記全体として円形の開口
内に位置する半導体ウェハをおおうように形成されたリ
ップと、 を備えることを特徴とする前記半導体ウェハキャリア。

２、上記全体として円形の開口の側部から延びるリップ
が上記第２の大きな面に隣接する開口の側部から延びる
ことを特徴とする前記１項のキャリア。

３、連続的化学蒸着反応器に使用する上側と下側を有す
る半導体ウェハキャリアにおいて、２つの大きな面を有
する高温材料製の全体として矩形の本体と、 キャリア内に取付けられる半導体の形に対応するキャリ
アを貫く開口と、 上記キャリアを貫く開口内に平坦な方向づけ辺縁を有す
る半導体ウェハを取付けるための手段と、 上記キャリアの上側における凹所と、 上記開口の側部からキャリアを貫いて延び半導体ウェハ
を保持するリップと、 上部キャリアの上側における凹所に対応する形を有し熱
を上記半導体ウェハをおおい同ウェハに熱を伝達するリ
ッドと、 を備えることを特徴とする半導体ウェハキャリア。

４、　キャリア上に取付けられる半導体ウェハが平坦な
方向づけ辺縁を有し、キャリアを貫く上記開口が半導体
ウェハ上の平坦な辺縁と一致する平坦な辺縁領域を有す
ることを特徴とする３項のキャリア。

５、キャリアが反応器を貫いてトランク上を移動し、上
記キャリアが２つの側部上に互いにはまりあう全体とし
て円形の溝を有し間溝によって反応器内を移動すること
を特徴とする３項のキャリア。

６、　リッドとキャリアが丸い隅を有し半導体デバイス
の処理中にリッドとキャリアの加熱による応力を防止す
ることを特徴とする３項のキャリア。

７、連続化学蒸着反応器に使用する上側と下側を有する
半導体ウェハキャリアにおいて、２つの大きな面を有す
る高温材料製の全体として矩形の本体と、 キャリア内に取付けられる半導体の形に相当するキャリ
アを貫通する開口と、 上記キャリアを貫通する開口内に平坦な方向づけ辺縁を
有する半導体ウェハ取付用手段と、上記キャリアの上側
内の凹所と、 キャリアを貫く開口の側部から延び半導体ウェハを保持
するリップと、 上部キャリアの上側における凹所に相当する形を有し上
記半導体ウェハをおおい同ウェハに熱を伝達するリッド
と、 を備え、上記リッドとキャリアがリッドをキャリア上で
整合させやすくするための符合用テーパを備えることを
特徴とする半導体ウェハキャリア。

８、　キャリアが反応器内をトラック上に移動し、同キ
ャリアが２つの側部上に互いにはまりあう全体として円
形の溝を有しそれによって反応器内を移動することを特
徴とする３項のキャリア。

９、連続化学蒸着反応器に使用する半導体ウェハキャリ
アサセプタにおいて、２つの大きな面を有する高温材料
製の全体として矩形本体を備え、上記２つの大きな面の
うちの一つが上記−つの大きな面内に形成されて同面を
横切って延びる凹所を有し、上記凹所の２つの側部が凹
所の側部から延び出るリップを有し同凹所の側部面に２
つのトラックを形成することによって半導体ウェハが凹
所内のトラック内に配置され、キャリアーサセプタが凹
所と上記−つの大きな面が下部位置にあるように位置決
めされた時にその内部に保持されるようにし、上記キャ
リアーサセプタが同時に上記１つの大きな面の２端を横
切って延びる円形溝を有することを特徴とする半導体ウ
ェハキャリアーサセプタ。

１０、トラックがキャリアーサセプタ側で開放すること
によってキャリアーサセプタの側部内に半導体ウェハを
搭載できるようにしたことを特徴。

とする９項のキャリアーサセプタ。

１１、連続化学蒸着反応器に使用する半導体ウェハキャ
リアーサセプタにおいて、２つの大きな面を有する高温
材料製の全体として矩形の本体と複数の固定ピンを備え
、同固定ピンがキャリアーサセプタ内を延び垂直部分と
水平部分を備え、上記水平部分がキャリアーサセプタの
一面上に延び半導体ウェハを上記キャリアーサセプタの
一面に固定するために使用されることを特徴とする前記
キャリアーサセプタ。

１２、上記固定ピンがキャリアーサセプタ内の孔内を延
びピボットピンによりその内部に可動的に固定されるこ
とによって固定ピンがピボットピンの周囲に旋回し固定
ピンの水平部分が半導体ウェハに対して移動し同ウェハ
をキャリアーサセプタの一面上に固定できるようにした
ことを特徴とする１１項のキャリアーサセプタ。

１３、少なくとも３本の固定ピンが半導体ウェハよりも
大きな領域周囲に隔たって配置されキャリアーサセプタ
に固定され各ピンが固定されることによってその上部に
半導体ウェハが取付けられる領域の中心方向へ旋回する
ようにしたことを特徴とする１１項のキャリアーサセプ
タ。

１４、連続化学蒸着反応器に使用する下側と上側を有す
る半導体ウェハキャリアーサセプタにおいて、２つの大
きな面を有する高温材料製の全体として矩形の本体と、
半導体ウェハの平坦な辺縁の向きとは独立にキャリアー
サセプタの下側に平坦な方向づけ辺縁を有する半導体ウ
ェハ取付用手段を備えることを特徴とする前記キャリア
ーサセプタ。

１５、半導体がキャリアーサセプタの下側の凹所内に取
付けられることを特徴とする１４項のキャリアーサセプ
タ。

１６、凹所がキャリアーサセプタの２つの辺縁に延びる
２つの側部と、キャリアーサセプタの下側内に形成され
た他の２つの側部を有し、上記凹所の上部他の２つの側
部が凹所の側部から延び出るリップを有し２つのトラッ
クを形成することによって半導体ウェハが凹所内のトラ
ック内。

に配置されその内部に保持されることを特徴とする１５
項のキャリアーサセプタ。

１７、半導体ウェハをキャリアーサセプタの下側に取付
ける手段が複数の固定ピンを備え、同固定ピンがキャリ
アーサセプタ内を延び垂直部分と水平部分を備え、上記
水平部分が半導体ウェハをキャリアーサセプタの上記−
面に固定するために使用されるキャリアーサセプタの一
面上を延びることを特徴とする１４項のキャリアーサセ
プタ。

１８．２個の半導体ウェハよりも大きな径の半導体を取
付けるために使用される半導体キャリア上に上記２個の
半導体ウェハを取付ける方法において、 ２個の半導体ウェハをキャリアを横切って対角線状に配
置し、 上記半導体ウェハを半導体ウェハの周囲の少なくとも３
点でキャリアに固定する、 段階より成ることを特徴とする前記方法。

１９、半導体ウェハが１０°と１５°の範囲の一角度で
キャリアを横切って対角線状に配置されることを特徴と
する１８項の方法。

２０、連続化学蒸着反応器システムに使用するキャリア
ーサセプタが反応器システム内で処理される半導体ウェ
ハのキャリア、カバーおよびヒートサセプタとしての働
きを行う。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明が活用される典型的なＣＣＶＤ反応器図
、 第２図は従来技術の頂部搭載半導体キャリア図、第３図
は本発明による底部搭載半導体キャリア図、 第４図は底部搭載半導体キャリアの取付リップを示す第
３図の一部の断面図、 第５図は底部搭載半導体キャリアのもう一つの実施例図
、 第６図は第５図のキャリアの部分断面図、第７図は底部
搭載半導体ウェハキャリアのもう一つの実施例図、 第８図は第７図のキャリアの部分断面図、第９ａ図およ
び第９ｂ図は本発明の代替例である頂部搭載半導体キャ
リア図、 第１０図は第９図の半導体キャリアの上面図、第１１図
は第９図の半導体キャリアと引上げた位置にあるリッド
の側面図。 ２１ａ、３２ａ・・・トラック、２１・・・ロボットア
ーム、２０・・・ウェハカセット、２３・・・入口、２
４・・・ヒータブロック、２５ａ・・・接合部、４６・
・・リッド、５１・・・ウェハ、５５・・・凹所、５２
・・・円形溝、６３．６６・・・ビン、７３ｂ・・・垂
直部分、７３ａ・・・水平部分。 腎 ヮー」 壓 手続補正書（方式） ２．４．２４ ■、事件の表示　　　平成１年特許願第３３０９１９号
２、発明の名称　　　　　半導体ウェハキャリア３、補
正をする者 事件との関係　　出願人 ４、代理人 ５、補正命令の日付　　　平成２年３月２７日６、補正
の対象　　　　　全図面 ７、補正の内容

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）連続的化学蒸着反応器に使用される半導体ウェハ
   キャリアにおいて、 第１と第２の大きな面を有する高温材料製の全体として
   矩形本体で上記第１の大きな面が上記第１の大きな面内
   に形成され同面を横切って延びる凹所を備えるものと、 上記凹所の表面からキャリア内を延びキャリアの上記大
   きな面のうちの第２のものを貫いて開口する全体として
   円形の開口と、 上記全体として円形の開口の側部から延び半導体ウェハ
   を保持するリップと、 上記第１の大きな面内に形成され同面を横切って延びる
   凹所内に嵌合し、上記全体として円形の開口内に位置す
   る半導体ウェハをおおうように形成されたリップと、 を備える前記半導体ウェハキャリア。