JPH02271967A - ＡｌＮ質焼結体 - Google Patents
ＡｌＮ質焼結体Info
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- JPH02271967A JPH02271967A JP1092315A JP9231589A JPH02271967A JP H02271967 A JPH02271967 A JP H02271967A JP 1092315 A JP1092315 A JP 1092315A JP 9231589 A JP9231589 A JP 9231589A JP H02271967 A JPH02271967 A JP H02271967A
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- Japan
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- aln
- sintered body
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- based sintered
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- Pending
Links
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分計］
本発明は、半導体素子の実装基板等として用いられるＡ
Ｊ２Ｎ貿焼結体に関する。
Ｊ２Ｎ貿焼結体に関する。
［従来の技術］
半導体素子の実装基板には、アルミナ基板が多用されて
いるが、最近、実装基板の放熱特性を改善するため、熱
伝導率がアルミナの５〜１０倍と高く、かつ高絶縁性で
低誘電率のＡｌＮ基板が開発されている。
いるが、最近、実装基板の放熱特性を改善するため、熱
伝導率がアルミナの５〜１０倍と高く、かつ高絶縁性で
低誘電率のＡｌＮ基板が開発されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来のＡＪ２Ｎ基板は、熱伝導率を高くす
るため、不純物を少なくし、密度を大きくしており、そ
の結果、白色で透光性を有している。従って、これを実
装基板として使用するには、次のような問題がある。
るため、不純物を少なくし、密度を大きくしており、そ
の結果、白色で透光性を有している。従って、これを実
装基板として使用するには、次のような問題がある。
（１）色むら、不均一な透光性等の外観不良が多発し、
製造上歩留まりが低下する。
製造上歩留まりが低下する。
（２）メタライズの際のスクリーン印刷等を行う場合、
その透光性が障害となり、赤外線センサ等による正確な
位置決めが困難となる。
その透光性が障害となり、赤外線センサ等による正確な
位置決めが困難となる。
これに対し、赤外線センサ等による位置検出が容易な灰
色ないし黒灰色を呈するＡｊ２Ｎ基板も知られているが
、このようなＡｊ２Ｎ基板は、熱伝導率がそれほど高く
なく、放熱特性が悪い問題がある。
色ないし黒灰色を呈するＡｊ２Ｎ基板も知られているが
、このようなＡｊ２Ｎ基板は、熱伝導率がそれほど高く
なく、放熱特性が悪い問題がある。
そこで、本発明は、外観に係る歩留まり、位置決め精度
及び放熱特性の向上をなし得るＡＩＬＮ質焼結体の提供
を目的とする。
及び放熱特性の向上をなし得るＡＩＬＮ質焼結体の提供
を目的とする。
［課題を解決するための手段］
前記課題を解決するため、本発明は、Ｙ２Ｏ３１〜１０
重量％、Ｔｉの酸化物、炭化物、ホウ化物、塩化物又は
フッ化物のうちの少なくとも１種０．１〜５重量％、残
部ＡｕＮからなる混合物を焼成してなるものである。
重量％、Ｔｉの酸化物、炭化物、ホウ化物、塩化物又は
フッ化物のうちの少なくとも１種０．１〜５重量％、残
部ＡｕＮからなる混合物を焼成してなるものである。
［作 用］
上記手段において、Ｙ２Ｏ３は、ＡＪＺＮの焼結助剤と
して機能すると共に、熱伝導率の向上に寄与する。Ｙ２
Ｏ，が１重量％未満では緻密な焼結体を得ることかでき
ず、１０重量％を超えると熱伝導率が低下すると共に、
色むらが発生し、かつコスト高になる。Ｙ２Ｏ３の添加
量は、好ましくは３〜５重量％である。これは、３重量
％未満では熱伝導率の向上の程度か小さく、５重量％を
超えるとコストの上昇にみあうだけの効果が得られない
ことによる。
して機能すると共に、熱伝導率の向上に寄与する。Ｙ２
Ｏ，が１重量％未満では緻密な焼結体を得ることかでき
ず、１０重量％を超えると熱伝導率が低下すると共に、
色むらが発生し、かつコスト高になる。Ｙ２Ｏ３の添加
量は、好ましくは３〜５重量％である。これは、３重量
％未満では熱伝導率の向上の程度か小さく、５重量％を
超えるとコストの上昇にみあうだけの効果が得られない
ことによる。
Ｔｉの酸化物、炭化物、ホウ化物、塩化物又はフッ化物
は、Ａ、９Ｎ質焼結体を均一な濃い茶黒色に着色し、透
光性を低下させ、更には熱伝導率を向上させ、０．１重
量％未満では、焼結体が着色せず、５重量％を超えると
熱伝導率か低下する。
は、Ａ、９Ｎ質焼結体を均一な濃い茶黒色に着色し、透
光性を低下させ、更には熱伝導率を向上させ、０．１重
量％未満では、焼結体が着色せず、５重量％を超えると
熱伝導率か低下する。
Ｔｉの酸化物、炭化物、ホウ化物、塩化物又はフッ化物
の添加量は、好ましくは０．１〜２重ユ％である。
の添加量は、好ましくは０．１〜２重ユ％である。
又、上記焼結体の焼成は、Ｎ２ガス又は他の不活性ガス
雰囲気中において１７００〜１９００℃で行う。
雰囲気中において１７００〜１９００℃で行う。
［実施例コ
以下、本発明の詳細な説明する。
ＡｕＮの原料粉末にＹ２Ｏ，とＴｊの酸化物、炭化物、
ホウ化物、塩化物又はフッ化物を第１表〜第３表に示す
割合でそれぞれ添加し、粉砕混合した。これらを直径１
６ｍｍ、厚さ８ｍｍの円板状に形成し、Ｎ２ガス雰囲気
中において１７５０℃で１時間焼成してＡ４２Ｎ質焼結
体を得た。
ホウ化物、塩化物又はフッ化物を第１表〜第３表に示す
割合でそれぞれ添加し、粉砕混合した。これらを直径１
６ｍｍ、厚さ８ｍｍの円板状に形成し、Ｎ２ガス雰囲気
中において１７５０℃で１時間焼成してＡ４２Ｎ質焼結
体を得た。
得られた各焼結体は、Ｔｉの酸化物、炭化物、ホウ化物
、塩化物又はフッ化物無添加の試着（白色）を除き、均
一な濃い茶黒色をしており、十分に透光性の低下が認め
られた。又、これらを厚さ０．５ｍｍにスライスしたが
、これも十分不透明であり、可視光の透過は認められな
かった。
、塩化物又はフッ化物無添加の試着（白色）を除き、均
一な濃い茶黒色をしており、十分に透光性の低下が認め
られた。又、これらを厚さ０．５ｍｍにスライスしたが
、これも十分不透明であり、可視光の透過は認められな
かった。
又、熱伝導率は、Ｔｉの酸化物、炭化物、ホウ化物、塩
化物又はフッ化物無添加で、Ｙ２０ｓ５重量％添加した
ものの熱伝導率を１００％とした場合、第１表〜第３表
に示すようになった。
化物又はフッ化物無添加で、Ｙ２０ｓ５重量％添加した
ものの熱伝導率を１００％とした場合、第１表〜第３表
に示すようになった。
各表中、Ｘ、△、○、◎は着色効果を表わし、×は効果
無し、Δは着色するが効果は乏しい、○は効果有り、◎
は効果大を示す。
無し、Δは着色するが効果は乏しい、○は効果有り、◎
は効果大を示す。
従ッテ、Ａ ＩｌＮ ニＹ ２０３１〜１０重量％とＴ
ｉの酸化物、炭化物、ホウ化物、塩化物又は、フッ化物
のうちの少なくとも１種０．１〜５重量％添加すること
により、色むら、不均一な透光性等による外観不良が低
減して歩留まりが向上すると共に、メタライズの際にお
ける赤外線センサによる位置決め精度が向上し、かつ熱
伝導率が向上することがわかる。
ｉの酸化物、炭化物、ホウ化物、塩化物又は、フッ化物
のうちの少なくとも１種０．１〜５重量％添加すること
により、色むら、不均一な透光性等による外観不良が低
減して歩留まりが向上すると共に、メタライズの際にお
ける赤外線センサによる位置決め精度が向上し、かつ熱
伝導率が向上することがわかる。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、焼結体が均一な濃い茶黒
色に着色され、かつ透光性が十分に低下するので、外観
上の歩留まりを向上できると共に、赤外線センサ等によ
る位置決めを容易かつ高精度に行うことができる。
色に着色され、かつ透光性が十分に低下するので、外観
上の歩留まりを向上できると共に、赤外線センサ等によ
る位置決めを容易かつ高精度に行うことができる。
又、熱伝導率が、従来に比して向上するので、放熱特性
を一層向上することができる。
を一層向上することができる。
出願人 東芝セラミックス株式会社
Claims (1)
- （１）Ｙ＿２Ｏ＿３１〜１０重量％、Ｔｉの酸化物、炭
化物、ホウ化物、塩化物又はフッ化物のうちの少なくと
も１種０．１〜５重量％、残部ＡｌＮからなる混合物を
焼成してなることを特徴とするＡｌＮ質焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092315A JPH02271967A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | ＡｌＮ質焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092315A JPH02271967A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | ＡｌＮ質焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271967A true JPH02271967A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14050967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1092315A Pending JPH02271967A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | ＡｌＮ質焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02271967A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128971A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-11 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 |
| JPS62153173A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-07-08 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JPH029764A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Toshiba Corp | セラミックス基板 |
| JPH0283266A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Murata Mfg Co Ltd | ＡｌＮ焼結体の製造方法 |
| JPH02172868A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Hitachi Metals Ltd | 窒化アルミニウム焼結体並びにそれを用いた電子部品 |
-
1989
- 1989-04-12 JP JP1092315A patent/JPH02271967A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62153173A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-07-08 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JPS62128971A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-11 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 |
| JPH029764A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Toshiba Corp | セラミックス基板 |
| JPH0283266A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Murata Mfg Co Ltd | ＡｌＮ焼結体の製造方法 |
| JPH02172868A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Hitachi Metals Ltd | 窒化アルミニウム焼結体並びにそれを用いた電子部品 |
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