JPH02271968A - ＡｌＮ質焼結体 - Google Patents
ＡｌＮ質焼結体Info
- Publication number
- JPH02271968A JPH02271968A JP1092316A JP9231689A JPH02271968A JP H02271968 A JPH02271968 A JP H02271968A JP 1092316 A JP1092316 A JP 1092316A JP 9231689 A JP9231689 A JP 9231689A JP H02271968 A JPH02271968 A JP H02271968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aln
- sintered body
- weight
- based sintered
- boride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- -1 borides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体素子の実装基板等として用いられるＡ
ｊ２Ｎ質焼結体に関する。
ｊ２Ｎ質焼結体に関する。
［従来の技術］
半導体素子の実装基板には、アルミナ基板が多用されて
いるが、最近、実装基板の放熱特性を改善するため、熱
伝導率がアルミナの５〜１０倍と高く、かつ高絶縁性で
低誘電率のＡｊ２Ｎ基板が開発されている。
いるが、最近、実装基板の放熱特性を改善するため、熱
伝導率がアルミナの５〜１０倍と高く、かつ高絶縁性で
低誘電率のＡｊ２Ｎ基板が開発されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来のＡＪ２Ｎ基板は、熱伝導率を高くす
るため、不純物を少なくし、密度を大きくしており、そ
の結果、白色で透光性を有している。従って、これを実
装基板として使用するには、次のような問題がある。
るため、不純物を少なくし、密度を大きくしており、そ
の結果、白色で透光性を有している。従って、これを実
装基板として使用するには、次のような問題がある。
（１）色むら、不均一な透光性等の外観不良が多発し、
製造上歩留まりが低下する。
製造上歩留まりが低下する。
（２）メタライズの際のスクリーン印刷等を行う場合、
その透光性が障害となり、赤外線センサ等による正確な
位置決めが困難となる。
その透光性が障害となり、赤外線センサ等による正確な
位置決めが困難となる。
これに対し、赤外線センサ等による位置検出が容易な゛
灰色ないし黒灰色を呈するＡＩＬＮ基板も知られている
が、このようなＡ４２Ｎ基板は、熱伝導率がそれほど高
くなく、放熱特性が悪い問題がある。
灰色ないし黒灰色を呈するＡＩＬＮ基板も知られている
が、このようなＡ４２Ｎ基板は、熱伝導率がそれほど高
くなく、放熱特性が悪い問題がある。
そこで、本発明は、外観に係る歩留まり、位置決め精度
及び放熱特性の向上をなし得るＡｌＮ質焼結体の提供を
目的とする。
及び放熱特性の向上をなし得るＡｌＮ質焼結体の提供を
目的とする。
［課題を解決するための手段］
前記課題を解決するため、本発明は、Ｙ２Ｏ３１〜１０
重仝％、Ｃｅの酸化物、炭化物、ホウ化物、塩化物又は
フッ化物のうちの少なくとも１種０．１〜５重量％、残
部ＡｌＮからなる混合物を焼成してなるものである。
重仝％、Ｃｅの酸化物、炭化物、ホウ化物、塩化物又は
フッ化物のうちの少なくとも１種０．１〜５重量％、残
部ＡｌＮからなる混合物を焼成してなるものである。
［作 用］
上記手段において、Ｙ２Ｏ，は、ＡＩＮの焼結助剤とし
て機能すると共に、熱伝導率の向上に寄与する。Ｙ、Ｏ
，が１重量％未満では緻密な焼結体を得ることができず
、１０重量％を超えると熱伝導率が低下すると共に、色
むらが発生し、かつコスト高になる。Ｙ２Ｏ，の添加量
は、好ましくは３〜５重量％である。これは、３重量％
未満では熱伝導率の向上の程度が小さく、５重量％を超
えるとコストの上昇にみあうだけの効果が得られないこ
とによる。
て機能すると共に、熱伝導率の向上に寄与する。Ｙ、Ｏ
，が１重量％未満では緻密な焼結体を得ることができず
、１０重量％を超えると熱伝導率が低下すると共に、色
むらが発生し、かつコスト高になる。Ｙ２Ｏ，の添加量
は、好ましくは３〜５重量％である。これは、３重量％
未満では熱伝導率の向上の程度が小さく、５重量％を超
えるとコストの上昇にみあうだけの効果が得られないこ
とによる。
Ｃｅの酸化物、炭化物、ホウ化物、塩化物又はフッ化物
は、ＡｌＮ質焼結体を均一な濃い緑色に着色し、透光性
を低下させ、更には熱伝導率を向上させ、０．１重量％
未満では、焼結体が着色せず、５重量％を超えると熱伝
導率が低下する。
は、ＡｌＮ質焼結体を均一な濃い緑色に着色し、透光性
を低下させ、更には熱伝導率を向上させ、０．１重量％
未満では、焼結体が着色せず、５重量％を超えると熱伝
導率が低下する。
Ｃｅの酸化物、炭化物、ホウ化物、塩化物又はフッ化物
の添加量は、好ましくは０．１〜２重二重量ある。
の添加量は、好ましくは０．１〜２重二重量ある。
又、上記焼結体の焼成は、Ｎ２ガス又は他の不活性ガス
雰囲気中において１７００〜１９００℃で行う。
雰囲気中において１７００〜１９００℃で行う。
［実施例］
以下、本発明の詳細な説明する。
Ａ４２Ｎの原料粉末にＹ２０３とＣｅの酸化物、炭化物
、ホウ化物、塩化物又はフッ化物を第１表〜第３表に示
す割合でそれぞれ添加し、粉砕・混合した。これらを直
径１６Ｉｎ１１１、厚さ８ｍｍの円板状に形成し、Ｎ２
ガス雰囲気中において１７５０℃で１時間焼成してＡｆ
ｌＮ質焼結体を得た。
、ホウ化物、塩化物又はフッ化物を第１表〜第３表に示
す割合でそれぞれ添加し、粉砕・混合した。これらを直
径１６Ｉｎ１１１、厚さ８ｍｍの円板状に形成し、Ｎ２
ガス雰囲気中において１７５０℃で１時間焼成してＡｆ
ｌＮ質焼結体を得た。
得られた各焼結体は、Ｃｅの酸化物、炭化物、ホウ化物
、塩化物又はフッ化物無添加の試料（白色）を除き、均
一な濃い緑色をしており、十分に透光性の低下が認めら
れた。又、これらを厚さ０．５１１１Ｑ＋にスライスし
たが、これも十分不透明であり、可視光の透過は認めら
れなかった。
、塩化物又はフッ化物無添加の試料（白色）を除き、均
一な濃い緑色をしており、十分に透光性の低下が認めら
れた。又、これらを厚さ０．５１１１Ｑ＋にスライスし
たが、これも十分不透明であり、可視光の透過は認めら
れなかった。
又、熱伝導率は、Ｃｅの酸化物、炭化物、ホウ化物、塩
化物又はフッ化物無添加で、Ｙ２Ｏ。
化物又はフッ化物無添加で、Ｙ２Ｏ。
５重量％添加したものの熱伝導率を１００％とした場合
、第１表〜第３表に示すようになった。
、第１表〜第３表に示すようになった。
各表中、×、△、○、◎は着色効果を表わし、×は効果
無し、Δは着色はするが効果は乏しい、○は効果有り、
◎は効果大を示す。
無し、Δは着色はするが効果は乏しい、○は効果有り、
◎は効果大を示す。
従って、Ａｊ２ＮにＹ、０，１〜１０重量％とＣｅの酸
化物、炭化物、ホウ化物、塩化物又は、フッ化物のうち
の少なくともＩｆ！ＩＯ，ｔ〜５重量％添加することに
より、色むら、不均一な透光性等による外観不良が低減
して歩留まりが向上すると共に、メタライズの際におけ
る赤外線センサによる位置決め精度が向上し、かつ熱伝
導率が向上することがわかる。
化物、炭化物、ホウ化物、塩化物又は、フッ化物のうち
の少なくともＩｆ！ＩＯ，ｔ〜５重量％添加することに
より、色むら、不均一な透光性等による外観不良が低減
して歩留まりが向上すると共に、メタライズの際におけ
る赤外線センサによる位置決め精度が向上し、かつ熱伝
導率が向上することがわかる。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、焼結体が均一な濃い緑色
に着色され、かつ透光性が十分に低下するので、外観上
の歩留まりを向上できると共に、赤外線センサ等による
位置決めを容易かつ高精度に行うことができる。
に着色され、かつ透光性が十分に低下するので、外観上
の歩留まりを向上できると共に、赤外線センサ等による
位置決めを容易かつ高精度に行うことができる。
又、熱伝導率が、従来に比して向上するので、放熱特性
を一層向上することができる。
を一層向上することができる。
出願人 東芝セラミックス株式会社
Claims (1)
- （１）Ｙ＿２Ｏ＿３１〜１０重量％、Ｃｅの酸化物、炭
化物、ホウ化物、塩化物又はフッ化物のうちの少なくと
も１種０．１〜５重量％、残部ＡｌＮからなる混合物を
焼成してなることを特徴とするＡｌＮ質焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092316A JPH02271968A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | ＡｌＮ質焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092316A JPH02271968A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | ＡｌＮ質焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271968A true JPH02271968A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14050996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1092316A Pending JPH02271968A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | ＡｌＮ質焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02271968A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265979A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-25 | 電気化学工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結板の製法 |
| JPS62105962A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-05-16 | 電気化学工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体製造用原料 |
| JPS62105960A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-16 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS62132776A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-16 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム組成物 |
| JPS63277567A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS63303863A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-12-12 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-04-12 JP JP1092316A patent/JPH02271968A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105962A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-05-16 | 電気化学工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体製造用原料 |
| JPS6265979A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-25 | 電気化学工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結板の製法 |
| JPS62105960A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-16 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS62132776A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-16 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム組成物 |
| JPS63303863A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-12-12 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
| JPS63277567A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1283575C (zh) | 玻璃组合物及含有该组合物的玻璃形成材料 | |
| CN113087495A (zh) | 一种ntc热敏材料及其制备方法与应用 | |
| EP1306355B1 (en) | Formulation and method for achieving metallic effects in ceramic tiles and the applications thereof | |
| JPH02249203A (ja) | 抵抗材料、その製造方法およびそれを用いた抵抗ペースト | |
| EP4707259A1 (en) | Ceramic sintered body | |
| JPH02271969A (ja) | ＡｌＮ質焼結体 | |
| KR102377457B1 (ko) | 메밀 알갱이형 결정 유약 조성물 및 이를 이용한 도자기의 제조방법 | |
| JPS6312326B2 (ja) | ||
| JPH02271967A (ja) | ＡｌＮ質焼結体 | |
| US5494864A (en) | Resistive paste | |
| JP3130972B2 (ja) | セラミック基板およびその製造方法 | |
| KR0132688B1 (ko) | 착색 알루미나 세라믹 조성물 | |
| JPH0318089A (ja) | 抵抗体ペースト、厚膜抵抗体層、配線基板および配線基板の製造方法 | |
| KR930008458B1 (ko) | 착색 알루미나 세라믹 조성물 | |
| JP2658723B2 (ja) | ラスター釉 | |
| JPH09235154A (ja) | アルミナセラミックスおよびその製造方法 | |
| McCutchen | Strontia and its properties in glazes | |
| JP2775575B2 (ja) | ラスター釉 | |
| KR102208096B1 (ko) | 분청혼합소지 조성물 및 이의 제조방법 | |
| JP2002173366A (ja) | コーディエライト系セラミックス材料 | |
| JPH07192903A (ja) | 抵抗ペースト | |
| JP3141582B2 (ja) | 陶磁器およびその製造方法 | |
| KR950007088B1 (ko) | Bi-Sr-Ca-Cu-O계 초전도막형성용 타아겟재 | |
| JPH03261634A (ja) | ガラスセラミック基板 | |
| JPS5833188B2 (ja) | アルミナ系磁器組成物 |