JPH02272339A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH02272339A JPH02272339A JP9582889A JP9582889A JPH02272339A JP H02272339 A JPH02272339 A JP H02272339A JP 9582889 A JP9582889 A JP 9582889A JP 9582889 A JP9582889 A JP 9582889A JP H02272339 A JPH02272339 A JP H02272339A
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- JP
- Japan
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- pedestal
- pressure
- film
- stem
- sensitive chip
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- Pending
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- Pressure Sensors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明は半導体ピエゾ抵抗効果を利用した半導体圧力
センサに関し、さらに詳しくは、ステムの上に感圧チッ
プ用台座が固着され、かつ該台座上面に感圧チップが接
合されている電子式の圧力センサに関する。
センサに関し、さらに詳しくは、ステムの上に感圧チッ
プ用台座が固着され、かつ該台座上面に感圧チップが接
合されている電子式の圧力センサに関する。
(ロ)従来の技術
空気のような流体圧を感知する半導体圧力センサは、第
3図イ、口、ハのようにステム31の上に台座32を固
着し、かつ該台座の上に感圧チップ33をマウントし、
該感圧チップ33に抵抗によるブリッジ回路が形成され
ているダイヤフラム34を金ワイヤ35.35によりリ
ードピン36゜36に結線して構成されている。
3図イ、口、ハのようにステム31の上に台座32を固
着し、かつ該台座の上に感圧チップ33をマウントし、
該感圧チップ33に抵抗によるブリッジ回路が形成され
ているダイヤフラム34を金ワイヤ35.35によりリ
ードピン36゜36に結線して構成されている。
また、感圧チップ33は圧力室37を有し、これに対応
してステム31には圧力導入口38が設けられている。
してステム31には圧力導入口38が設けられている。
この場合従来では、第3図イのようにガラス製の台座3
2とステム31とを接着剤39で接合したり、第3図口
のように台座32とステム31との間をOリング40で
シールしたり、また第3図ハのように台座32に感圧チ
ップ33をハンダ付け41して接合する方法が採用され
ていた。
2とステム31とを接着剤39で接合したり、第3図口
のように台座32とステム31との間をOリング40で
シールしたり、また第3図ハのように台座32に感圧チ
ップ33をハンダ付け41して接合する方法が採用され
ていた。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
しかるに、台座32とステム31とを接着固定するもの
、およびOリングシールするものは気密性に劣る欠点が
あり、特に接着剤39は浦、溶剤等の薬品に弱く、膨潤
して接合力が低下することになった。
、およびOリングシールするものは気密性に劣る欠点が
あり、特に接着剤39は浦、溶剤等の薬品に弱く、膨潤
して接合力が低下することになった。
また、台座32と感圧チップ33とをハンダ付は接合す
るものでは、該ハンダ接合を感圧チップ33のチップ単
位で1個ずつ行なわねばならず、量産性および歩留まり
が悪い欠点があった。
るものでは、該ハンダ接合を感圧チップ33のチップ単
位で1個ずつ行なわねばならず、量産性および歩留まり
が悪い欠点があった。
この発明は上記問題点に鑑み、高い気密性と接合力でス
テムに台座を固着できると共に、台座と感圧チップとの
接合をウェハー単位で行なえ、従って量産性および歩留
まりを高めることができる半導体圧力センサの提供を目
的とする。
テムに台座を固着できると共に、台座と感圧チップとの
接合をウェハー単位で行なえ、従って量産性および歩留
まりを高めることができる半導体圧力センサの提供を目
的とする。
(ニ)問題点を解決するための手段
この発明は、パイレックスガラス製の感圧チップ用台座
が、その下面に形成されたクロム、白金、金の積層膜を
ステムの上にハンダ付けして固着されると共に、上記台
座の上面に感圧チップが陽極接合された半導体圧力セン
サを特徴とする。
が、その下面に形成されたクロム、白金、金の積層膜を
ステムの上にハンダ付けして固着されると共に、上記台
座の上面に感圧チップが陽極接合された半導体圧力セン
サを特徴とする。
(ホ)作用
この発明によれば、台座がこれの下面に形成されたクロ
ム、白金、金の積層膜をステムにハンダ付けされている
ので、Oリングや接着剤のシール構造に比べ耐圧力性能
が向上し、かつ油や溶剤のような薬品によってもシール
破壊されない。
ム、白金、金の積層膜をステムにハンダ付けされている
ので、Oリングや接着剤のシール構造に比べ耐圧力性能
が向上し、かつ油や溶剤のような薬品によってもシール
破壊されない。
また、台座に感圧チップを陽極接合して固定するから、
該接合が半導体のウェハー単位で行なえ、このウェハー
単位での接合後にチップ単位に切断することで多数の圧
力センサチップが一挙に得られる。
該接合が半導体のウェハー単位で行なえ、このウェハー
単位での接合後にチップ単位に切断することで多数の圧
力センサチップが一挙に得られる。
(へ)発明の効果
従って、気密性が良好で、油や溶剤等の薬品に強く、し
かも量産性および歩留まりが向上することによってコス
トダウンが図れる半導体圧力センサが得られる。
かも量産性および歩留まりが向上することによってコス
トダウンが図れる半導体圧力センサが得られる。
(ト)実施例
以下、この発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第1図はこの発明にかかる半導体圧力センサ1の正面図
で、パイレックスガラス製の台座2の下面にクロム膜3
、白金膜4、金膜5がスパッタリングされて積層膜6が
形成され、この積層膜6によって台座2がステム7にハ
ンダ付け8され、台座2の上面に陽極接合によって感圧
チップ9が接合され、この感圧チップ9に抵抗によるブ
リッジ回路が形成されたダイヤフラム1oが金ワイヤ1
1.11にてリードピン12.12に結線されている。
で、パイレックスガラス製の台座2の下面にクロム膜3
、白金膜4、金膜5がスパッタリングされて積層膜6が
形成され、この積層膜6によって台座2がステム7にハ
ンダ付け8され、台座2の上面に陽極接合によって感圧
チップ9が接合され、この感圧チップ9に抵抗によるブ
リッジ回路が形成されたダイヤフラム1oが金ワイヤ1
1.11にてリードピン12.12に結線されている。
また、台座2には感圧チップ9の圧力室13に連なる貫
通孔14が中心部に形成され、この貫通孔14に対応し
て圧力導入口15がステム7に設けられている。
通孔14が中心部に形成され、この貫通孔14に対応し
て圧力導入口15がステム7に設けられている。
かかる構成の圧力センサ1は次の工程を経て製作される
。即ち、 パイレックスガラス製台座2の一方の面に上記したクロ
ム膜3、白金膜4、金膜5を順次形成する第1の工程と
、 第1の工程終了後に、台座2の他面に、多数のダイヤフ
ラム10が形成された半導体ウェハー9八を陽極接合に
よって接着して第2図のような接合体16を製作する第
2の工程と、 第2の工程で得られた接合体16を切断してチップ化す
る第3の工程と、 このチップ化された接合体(圧力センサチップ)をハン
ダ付け8によってステム7に固着する第4の工程とによ
って製作される。
。即ち、 パイレックスガラス製台座2の一方の面に上記したクロ
ム膜3、白金膜4、金膜5を順次形成する第1の工程と
、 第1の工程終了後に、台座2の他面に、多数のダイヤフ
ラム10が形成された半導体ウェハー9八を陽極接合に
よって接着して第2図のような接合体16を製作する第
2の工程と、 第2の工程で得られた接合体16を切断してチップ化す
る第3の工程と、 このチップ化された接合体(圧力センサチップ)をハン
ダ付け8によってステム7に固着する第4の工程とによ
って製作される。
また、上記工程は一例を述べると、ガラス板、たとえば
コーニング社製パイレックス#7740゜#7070に
クロム膜500A’、白金膜2000八〇、金6000
A’の厚さで順次積層する。
コーニング社製パイレックス#7740゜#7070に
クロム膜500A’、白金膜2000八〇、金6000
A’の厚さで順次積層する。
この積層には蒸着、スパッタあるいはメツキ等が用いら
れ、もしくは併用される。
れ、もしくは併用される。
尚、クロムCrはAI、5i02との接着強度がチタン
Tiの600 g / m rdに比べ、750g/
m rdと高く、スパッタリングもしやすい。従ってク
ロム膜3の採用により積層膜6と台座2との接着強度が
増大し、エツチングレートが早くて工程が短くて済むよ
うになる。しかもクロムは原材料が安いのでコストを下
げることができる。
Tiの600 g / m rdに比べ、750g/
m rdと高く、スパッタリングもしやすい。従ってク
ロム膜3の採用により積層膜6と台座2との接着強度が
増大し、エツチングレートが早くて工程が短くて済むよ
うになる。しかもクロムは原材料が安いのでコストを下
げることができる。
さらに、上記半導体圧力センサは周知のようにダイヤフ
ラム10の湾曲に基づく抵抗値の変化によって圧力を検
出するものであるが、圧力媒体による圧力を除く種々の
原因でダイヤフラム10に働く応力変化を少なくするた
め、前記したパイレックスガラス製の台座2が用いられ
ている。従って台座2はダイヤフラム10と同一の熱膨
張係数を有するシリコン半導体またはホウケイ酸ガラス
である。
ラム10の湾曲に基づく抵抗値の変化によって圧力を検
出するものであるが、圧力媒体による圧力を除く種々の
原因でダイヤフラム10に働く応力変化を少なくするた
め、前記したパイレックスガラス製の台座2が用いられ
ている。従って台座2はダイヤフラム10と同一の熱膨
張係数を有するシリコン半導体またはホウケイ酸ガラス
である。
以上の記載から明らかなようにこの実施例によれば、台
座がクロム膜3、白金膜4、金膜5の積層膜6によって
ステム7にハンダ付け8されたから気密性が向上し、か
つ油や溶剤等の薬品の影響を排除できる。
座がクロム膜3、白金膜4、金膜5の積層膜6によって
ステム7にハンダ付け8されたから気密性が向上し、か
つ油や溶剤等の薬品の影響を排除できる。
また、第2図のように半導体ウェハ−9A単位で台座2
に陽極接合し、その後に接合体16を切断して一度に多
数の圧力センサチップを製作できるから大量生産が可能
になる。
に陽極接合し、その後に接合体16を切断して一度に多
数の圧力センサチップを製作できるから大量生産が可能
になる。
尚、この発明は上述の実施例の構成のみに限定されるも
のではない。
のではない。
図面はこの発明の一実施例を示し、
第1図は半導体圧力センサの正面図、
第2図は圧力センサの製作過程を示す接合体の断面図で
ある。 第3図イ、口、ハはそれぞれ従来圧力センサの断面図で
ある。 1・・・半導体圧力センサ 2・・・台 座3・・・ク
ロム膜 4・・・白金膜5・・・金 膜
6・・・積層膜7・・・ステム 8・
・・ハンダ9・・・感圧チップ 第1図 圧77tンワの正面口 第3図 従来圧77亡ノブのでれグ鵡所面図 (イ) (ロ) 張合体の断面図 (ハ)
ある。 第3図イ、口、ハはそれぞれ従来圧力センサの断面図で
ある。 1・・・半導体圧力センサ 2・・・台 座3・・・ク
ロム膜 4・・・白金膜5・・・金 膜
6・・・積層膜7・・・ステム 8・
・・ハンダ9・・・感圧チップ 第1図 圧77tンワの正面口 第3図 従来圧77亡ノブのでれグ鵡所面図 (イ) (ロ) 張合体の断面図 (ハ)
Claims (1)
- (1)パイレックスガラス製の感圧チップ用台座が、そ
の下面に形成されたクロム、白金、 金の積層膜をステムの上にハンダ付けして 固着されると共に、上記台座の上面に感圧 チップが陽極接合された 半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9582889A JPH02272339A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9582889A JPH02272339A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272339A true JPH02272339A (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=14148261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9582889A Pending JPH02272339A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02272339A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9035401B2 (en) | 2013-04-25 | 2015-05-19 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Physical quantity detection device and physical quantity detector |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6272178A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体圧力検出装置およびその製造方法 |
| JPS63148136A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-21 | Fujikura Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JPH01206228A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-18 | Hitachi Ltd | 半導体歪ゲージ式圧力センサの製造方法 |
| JPH01259569A (ja) * | 1988-04-09 | 1989-10-17 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP9582889A patent/JPH02272339A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6272178A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体圧力検出装置およびその製造方法 |
| JPS63148136A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-21 | Fujikura Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JPH01206228A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-18 | Hitachi Ltd | 半導体歪ゲージ式圧力センサの製造方法 |
| JPH01259569A (ja) * | 1988-04-09 | 1989-10-17 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9035401B2 (en) | 2013-04-25 | 2015-05-19 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Physical quantity detection device and physical quantity detector |
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