JPH02272743A - 半導体のライフタイム測定装置 - Google Patents
半導体のライフタイム測定装置Info
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- JPH02272743A JPH02272743A JP9489289A JP9489289A JPH02272743A JP H02272743 A JPH02272743 A JP H02272743A JP 9489289 A JP9489289 A JP 9489289A JP 9489289 A JP9489289 A JP 9489289A JP H02272743 A JPH02272743 A JP H02272743A
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- Japan
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- semiconductor
- light
- coil
- core
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
に産業上の利用分野】
本発明は半導体のライフタイム測定装置に係り、とくに
半導体内に光を入射して光励起キャリヤを発生させ、予
め半導体中に導入された磁束に伴って発生する。うず電
流による電圧の変化からキャリヤのライフタイムを測定
するようにした半導体のライフタイム測定装置に関する
。
半導体内に光を入射して光励起キャリヤを発生させ、予
め半導体中に導入された磁束に伴って発生する。うず電
流による電圧の変化からキャリヤのライフタイムを測定
するようにした半導体のライフタイム測定装置に関する
。
Ｋ発明の概要】
フェライト等の強磁性材料を用いて作られたコアの磁路
の一部に空隙を設け、このコアに巻装されたコイルを流
れる電流によって誘導されかつコアの磁極を通して漏洩
する磁束を半導体内に導くようにし、この磁束によって
半導体内にうず電流を発生させるとともに、このうず電
流によって生ずる電圧を半導体の表面に設けられた電極
を通して取出すようにするとともに、ＬＥＤからの光を
半導体内に入射して光励起キャリヤを発生させ、このと
きの電圧の変化から半導体のライフタイムを測定するよ
うにした装置において、上記半導体内に光を入射するし
ＥＯを半導体に対してコイルが巻装されたコアと同じ側
に配置するようにし、しかも互いに波長の異なる光を発
生する複数のしＥＤからの光を光フアイバケーブルを用
いて半導体の表面であって上記コアの磁極間に入射させ
るようにしたものである。
の一部に空隙を設け、このコアに巻装されたコイルを流
れる電流によって誘導されかつコアの磁極を通して漏洩
する磁束を半導体内に導くようにし、この磁束によって
半導体内にうず電流を発生させるとともに、このうず電
流によって生ずる電圧を半導体の表面に設けられた電極
を通して取出すようにするとともに、ＬＥＤからの光を
半導体内に入射して光励起キャリヤを発生させ、このと
きの電圧の変化から半導体のライフタイムを測定するよ
うにした装置において、上記半導体内に光を入射するし
ＥＯを半導体に対してコイルが巻装されたコアと同じ側
に配置するようにし、しかも互いに波長の異なる光を発
生する複数のしＥＤからの光を光フアイバケーブルを用
いて半導体の表面であって上記コアの磁極間に入射させ
るようにしたものである。
Ｋ従来の技術】
従来から行なわれているうず電流を利用した半導体のラ
イフタイム測定装置は、第８図および第９図に示すよう
に構成されていた。Ｕ字状に形成されたコア１に巻装さ
れているコイル２には高周波電源回路３から２０ Ｍ
８２程度の周波数の高周波電流を流し、これによってコ
ア１の空隙から漏洩した磁束を半導体ウェハ４中に導き
、これによって半導体４内にうず電流を流すようにして
いる。
イフタイム測定装置は、第８図および第９図に示すよう
に構成されていた。Ｕ字状に形成されたコア１に巻装さ
れているコイル２には高周波電源回路３から２０ Ｍ
８２程度の周波数の高周波電流を流し、これによってコ
ア１の空隙から漏洩した磁束を半導体ウェハ４中に導き
、これによって半導体４内にうず電流を流すようにして
いる。
半導体４内でのうず電流によって生ずる電圧は電極５を
通して検出されるようになっており、この検出信号を増
幅検波回路６で増幅検波した後にオシロスコープ７のよ
うな波形指示装置によって電圧の変化を観察するように
している。
通して検出されるようになっており、この検出信号を増
幅検波回路６で増幅検波した後にオシロスコープ７のよ
うな波形指示装置によって電圧の変化を観察するように
している。
そして被測定対象である半導体ウェハ４に対してコイル
２が巻装されたコア１とは反対側にＬＥＤ８を配するよ
うにしており、このＬＥＤ８からの光をスリット９を通
して半導体４に入射させるようにしている。なおＬＥＤ
８はＬＥＤ駆動回路１０によって駆動されるようにして
いる。ＬＥＤ８からの光によって半導体４中に光励起に
よってキャリヤが発生し、局部的に抵抗が減少する。こ
の抵抗の変化が電極５を通して電圧変化として取出され
る。そしてこの電圧の変化から半導体のライフタイムを
測定するようにしている。
２が巻装されたコア１とは反対側にＬＥＤ８を配するよ
うにしており、このＬＥＤ８からの光をスリット９を通
して半導体４に入射させるようにしている。なおＬＥＤ
８はＬＥＤ駆動回路１０によって駆動されるようにして
いる。ＬＥＤ８からの光によって半導体４中に光励起に
よってキャリヤが発生し、局部的に抵抗が減少する。こ
の抵抗の変化が電極５を通して電圧変化として取出され
る。そしてこの電圧の変化から半導体のライフタイムを
測定するようにしている。
Ｋ発明が解決しようとする問題点メ
従来のこのような半導体のライフタイム測定装置によれ
ば、ＬＥＤ８が半導体ウェハ４に対してコイル２を巻装
したコア１とは反対側にあるために、半導体ウェハ４の
厚さが厚いと光励起によるコンダクタンスの増加がコア
１の電極の空隙の部分よりも遠いところで生ずることに
なるために、出力電圧が減少し、測定精度が下がるばか
りでなく、場合によっては測定不能になることがあった
。
ば、ＬＥＤ８が半導体ウェハ４に対してコイル２を巻装
したコア１とは反対側にあるために、半導体ウェハ４の
厚さが厚いと光励起によるコンダクタンスの増加がコア
１の電極の空隙の部分よりも遠いところで生ずることに
なるために、出力電圧が減少し、測定精度が下がるばか
りでなく、場合によっては測定不能になることがあった
。
またこのような装置によれば、単一のＬＥＤ８を使用し
ているために、１種類の波長の光しか入射させることが
できず、これによって表面近くに発生するキャリヤのラ
イフタイムと内部に発生するキャリＡ７のライフタイム
とを分離することが困難であるという問題があった。
ているために、１種類の波長の光しか入射させることが
できず、これによって表面近くに発生するキャリヤのラ
イフタイムと内部に発生するキャリＡ７のライフタイム
とを分離することが困難であるという問題があった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであっ
て、光励起によるコンダクタンスの増加をコイルを巻装
したコアの磁極に近接する部分で起るようにして出力電
圧を増大し、測定精度を向上させ、あるいはまた表面近
くに発生するキャリヤのライフタイムと内部に発生する
キャリヤのライフタイムとを分離して測定することが可
能な半導体のライフタイム測定装置を提供することを目
的とするものである。
て、光励起によるコンダクタンスの増加をコイルを巻装
したコアの磁極に近接する部分で起るようにして出力電
圧を増大し、測定精度を向上させ、あるいはまた表面近
くに発生するキャリヤのライフタイムと内部に発生する
キャリヤのライフタイムとを分離して測定することが可
能な半導体のライフタイム測定装置を提供することを目
的とするものである。
Ｋ問題点を解決するための手段】
第１の発明は、コイルに電流を通するとともに、前記コ
イルが巻装されているコアの磁極を通して半導体内に磁
束を導き、該磁束によって半導体内にうず電流を発生さ
せるとともに、前記半導体内に光を入射して光励起キャ
リヤを発生させ、前記半導体中に生ずる電圧の変化を電
極を通して取出すことによって前記キャリヤのライフタ
イムを測定するようにした装置において、前記半導体に
対して前記コイルが巻装されたコアと同じ側から前記半
導体内に光を入射させるようにしたものである。
イルが巻装されているコアの磁極を通して半導体内に磁
束を導き、該磁束によって半導体内にうず電流を発生さ
せるとともに、前記半導体内に光を入射して光励起キャ
リヤを発生させ、前記半導体中に生ずる電圧の変化を電
極を通して取出すことによって前記キャリヤのライフタ
イムを測定するようにした装置において、前記半導体に
対して前記コイルが巻装されたコアと同じ側から前記半
導体内に光を入射させるようにしたものである。
また第２の発明は、コイルに電流を通するとともに、前
記コイルが巻装されているコアの磁極を通して半導体内
に磁束を導き、該磁束によって半導体内にうず電流を流
を発生させるとともに、前記半導体内に光を入射して光
励起キャリヤを発生させ、前記半導体中に生ずる電圧の
変化をＭ極を通して取出すことによって前記キャリヤの
ライフタイムを測定するようにした装置において、互い
に波長の異なる複数種類の光を入射させるようにしたも
のである。
記コイルが巻装されているコアの磁極を通して半導体内
に磁束を導き、該磁束によって半導体内にうず電流を流
を発生させるとともに、前記半導体内に光を入射して光
励起キャリヤを発生させ、前記半導体中に生ずる電圧の
変化をＭ極を通して取出すことによって前記キャリヤの
ライフタイムを測定するようにした装置において、互い
に波長の異なる複数種類の光を入射させるようにしたも
のである。
「作用χ
従って第１の発明によれば、半導体に対してコアと同じ
側から光が入射されることになり、これによってコアの
磁極の近傍で光励起を起させることが可能になり、出力
電圧を向上させて測定精度を高めることが可能になる。
側から光が入射されることになり、これによってコアの
磁極の近傍で光励起を起させることが可能になり、出力
電圧を向上させて測定精度を高めることが可能になる。
また第２の発明によれば、半導体内に互いに波長の異な
る複数種類の光を入射させることが可能になり、これに
よって波長に対応する浸透深さの部分で発生したキャリ
ヤのライフタイムを測定できるようになる。
る複数種類の光を入射させることが可能になり、これに
よって波長に対応する浸透深さの部分で発生したキャリ
ヤのライフタイムを測定できるようになる。
Ｋ実施例】
第１図〜第３図は本発明の一実施例に係る半導体のライ
フタイム測定装置を示すものであって、この測定装置は
、例えばシリコンウェハから成る半導体１６を測定する
ようにしている。そして被測定対象であるウェハ１６上
にはＵ字状コア１７が配されるようになっている。コア
１７はその一対の先端部が磁極１８を構成しており、磁
極１８が微小なギャップを介して上記シリコンウェハ１
６に対向するようになっている。またＵ字状コア１７に
はコイル１９が巻装されるようになっており、このコイ
ル１９が高周波電源回路２０と接続されるようになって
いる。
フタイム測定装置を示すものであって、この測定装置は
、例えばシリコンウェハから成る半導体１６を測定する
ようにしている。そして被測定対象であるウェハ１６上
にはＵ字状コア１７が配されるようになっている。コア
１７はその一対の先端部が磁極１８を構成しており、磁
極１８が微小なギャップを介して上記シリコンウェハ１
６に対向するようになっている。またＵ字状コア１７に
はコイル１９が巻装されるようになっており、このコイ
ル１９が高周波電源回路２０と接続されるようになって
いる。
またこの測定装置は一対の光フアイバケーブル２１．２
２を用いるようにしており、それらの出射端は上記半導
体ウェハ１６の表面に臨むとともに、一対の磁極１８間
に位置している。また光フアイバケーブル２１．２２の
入射端は集光レンズ２３．２４を介してＬＥＤ２５．２
６とそれぞれ対向するようになっている。これらのしＥ
Ｄ２５．２６は第２図に示すＬＥＤ駆動回路２７．２８
と接続されている。また半導体ウェハ１６上には一対の
電極２９が設けられており、これらのＮ極２９が増幅検
波回路３０に接続されている。そして検波回路３０はオ
シロスコープ３１に接続されている。しかもオシロスコ
ープ３１は上記ＬＥＤ駆動回路２７．２８と接続される
ようになっている。
２を用いるようにしており、それらの出射端は上記半導
体ウェハ１６の表面に臨むとともに、一対の磁極１８間
に位置している。また光フアイバケーブル２１．２２の
入射端は集光レンズ２３．２４を介してＬＥＤ２５．２
６とそれぞれ対向するようになっている。これらのしＥ
Ｄ２５．２６は第２図に示すＬＥＤ駆動回路２７．２８
と接続されている。また半導体ウェハ１６上には一対の
電極２９が設けられており、これらのＮ極２９が増幅検
波回路３０に接続されている。そして検波回路３０はオ
シロスコープ３１に接続されている。しかもオシロスコ
ープ３１は上記ＬＥＤ駆動回路２７．２８と接続される
ようになっている。
以上のような構成において、コア１７に巻装されたコイ
ル１９に高周波電源回路２０から例えば２０ Ｍ Ｈ２
の周波数の高周波電流を供給する。これによってコア１
７内に交番磁界が発生し、この磁界が一対のｆ！１極１
極間８間洩するとともに、半導体ウェハ１６内に導かれ
ることになる（第５図参照）。そして半導体ウェハ１６
内には、上記磁束によってうず電流が流れる。このうず
電流によって半導体１６内には電圧を生ずることになり
、この電圧を一対の電８ｉ２９によって取出すことが可
能になる。検出された電圧は増幅検波回路３０によって
増幅検波されるとともに、オシロスコープ３１によって
電圧の変化が観測される。
ル１９に高周波電源回路２０から例えば２０ Ｍ Ｈ２
の周波数の高周波電流を供給する。これによってコア１
７内に交番磁界が発生し、この磁界が一対のｆ！１極１
極間８間洩するとともに、半導体ウェハ１６内に導かれ
ることになる（第５図参照）。そして半導体ウェハ１６
内には、上記磁束によってうず電流が流れる。このうず
電流によって半導体１６内には電圧を生ずることになり
、この電圧を一対の電８ｉ２９によって取出すことが可
能になる。検出された電圧は増幅検波回路３０によって
増幅検波されるとともに、オシロスコープ３１によって
電圧の変化が観測される。
しかもＬＥＤ２５．２６はそれぞれ駆動回路２７．２８
によって駆動されて発光する。そしてこれらのＬＥＤ２
５．２６からの光は集光レンズ２３．２４によって集光
されて光フアイバケーブル２１１．２２に入射される。
によって駆動されて発光する。そしてこれらのＬＥＤ２
５．２６からの光は集光レンズ２３．２４によって集光
されて光フアイバケーブル２１１．２２に入射される。
光フアイバケーブル２１．２２を通った光はそれぞれ１
［ｉ１８間において半導体ウェハ１６の表面からウェハ
１６内に入射される。すると光励起によって半導体中に
キャリヤが発生する。このキャリヤによって局部的に抵
抗が減少する。従って抵抗の変化が電極２９を通して取
出される電圧の変化として検出される。
［ｉ１８間において半導体ウェハ１６の表面からウェハ
１６内に入射される。すると光励起によって半導体中に
キャリヤが発生する。このキャリヤによって局部的に抵
抗が減少する。従って抵抗の変化が電極２９を通して取
出される電圧の変化として検出される。
第４図はこの測定装置の等価回路を示している。
コイル１つによる磁束の変化は半導体１６内にうず電流
を流す起電力Ｅを生じさせる。ＧｏおよびＧＯはそれぞ
れ光を照射した部分の半導体の光を当てなかったときの
コンダクタンスと光を当てたときに増加したコンダクタ
ンスとを表わしている。
を流す起電力Ｅを生じさせる。ＧｏおよびＧＯはそれぞ
れ光を照射した部分の半導体の光を当てなかったときの
コンダクタンスと光を当てたときに増加したコンダクタ
ンスとを表わしている。
Ｒｅは光が当った部分以外のうず電流の流れる経路に沿
った半導体の抵抗である。うず電流がコア１７の磁極１
８間の狭い空隙の部分に集中して流れるから、この部分
の抵抗１／Ｇｏに比べてＲｅが小さいとすると、検出電
極２９に現われる電圧ＶＯは、 Ｖｏ＝Ｒｅ （Ｇｏ＋Ｇｐ）Ｅ・・−（１）となり、
出力電圧はコンダクタンスの増加に比例する。従ってこ
の出力電圧から半導体のライフタイムが測定されること
になる。
った半導体の抵抗である。うず電流がコア１７の磁極１
８間の狭い空隙の部分に集中して流れるから、この部分
の抵抗１／Ｇｏに比べてＲｅが小さいとすると、検出電
極２９に現われる電圧ＶＯは、 Ｖｏ＝Ｒｅ （Ｇｏ＋Ｇｐ）Ｅ・・−（１）となり、
出力電圧はコンダクタンスの増加に比例する。従ってこ
の出力電圧から半導体のライフタイムが測定されること
になる。
しかも本実施例に係る装置は、半導体ウェハ１６に対し
てコイル１９が巻装されたコア１７と同じ側から光を入
射することを特徴としている。Ｕ字状のコア１７の一対
のｆ１１極１８間の空隙部分に光フアイバケーブル２１
．２２を通して半導体ウェハ１６の表面に直角に光が入
射するようにしている。光フアイバケーブル２１．２２
の直径はそれぞれ１１１１以下の細いものであるから、
２本あるいは３本以上を任意に取付けることが可能にな
る。
てコイル１９が巻装されたコア１７と同じ側から光を入
射することを特徴としている。Ｕ字状のコア１７の一対
のｆ１１極１８間の空隙部分に光フアイバケーブル２１
．２２を通して半導体ウェハ１６の表面に直角に光が入
射するようにしている。光フアイバケーブル２１．２２
の直径はそれぞれ１１１１以下の細いものであるから、
２本あるいは３本以上を任意に取付けることが可能にな
る。
そして光の入射方向をコア１７が設けられている側と同
じくしているために、つぎのような利点を生ずる。
じくしているために、つぎのような利点を生ずる。
第５図に示すようにコア１７の磁極１８から半導体ウェ
ハ１６中に入込む磁力線は空隙に近い部分で最も強く、
これよりも遠ざかるほど弱くなる。
ハ１６中に入込む磁力線は空隙に近い部分で最も強く、
これよりも遠ざかるほど弱くなる。
従って磁束の変化はコア１７の磁極１８間の空隙に近い
ところで大きく、遠くなるにつれて小さくなる。光を空
隙の直下に入射すると、光励起による抵抗変化を起電力
の最も大きなところに起させるために、光照射の効率が
最も高くなる。従って出力電圧が増大し、測定精度が向
上する。また半導体ウェハ１６の厚さが厚くても光励起
によるコンダクタンスの増加が磁極１８間の空隙に近い
ところで起るために、測定ができなくなる不都合を解消
できるようになる。
ところで大きく、遠くなるにつれて小さくなる。光を空
隙の直下に入射すると、光励起による抵抗変化を起電力
の最も大きなところに起させるために、光照射の効率が
最も高くなる。従って出力電圧が増大し、測定精度が向
上する。また半導体ウェハ１６の厚さが厚くても光励起
によるコンダクタンスの増加が磁極１８間の空隙に近い
ところで起るために、測定ができなくなる不都合を解消
できるようになる。
さらにこの装置においては、２個のＬＥＤ２５．２６を
用いて互いに波長の異なる光を入射させるようにしてお
り、ＬＥＤ２５によって波長が４０Ｑｎｍの光を、また
ＬＥＤ２６によって１０００ｎｌｌｌの光を半導体１６
に照射するようにしている。シリコンの場合には第５図
に示すように、光の強さが１／２．７になる厚さは、波
長が４００ ｎｉの場合には０．２μｌである。これに
対して波長が１０００ ｎｌ１１の場合には２００μｍ
の深さで１／２．７になり、両者の深さの差は１０００
倍である。従って光励磁法によって生じたキャリヤは入
射光の波長が４００ｎｍの波長の場合には表面に集中す
る。これに対して波長が１０００ｎａ＋の光の場合には
キャリヤが奥の方まで広がる。キャリヤのライフタイム
は半導体の表面での再結合によるものと、半導体内部で
の再結合によるものとの２つの成分から成っている。従
って波長の短い光を使えば、表面再結合が支配的なライ
フタイムを測定することになるし、反対に波長の長い光
を使えば、内部での再結合の支配的なライフタイムを測
定することになる。
用いて互いに波長の異なる光を入射させるようにしてお
り、ＬＥＤ２５によって波長が４０Ｑｎｍの光を、また
ＬＥＤ２６によって１０００ｎｌｌｌの光を半導体１６
に照射するようにしている。シリコンの場合には第５図
に示すように、光の強さが１／２．７になる厚さは、波
長が４００ ｎｉの場合には０．２μｌである。これに
対して波長が１０００ ｎｌ１１の場合には２００μｍ
の深さで１／２．７になり、両者の深さの差は１０００
倍である。従って光励磁法によって生じたキャリヤは入
射光の波長が４００ｎｍの波長の場合には表面に集中す
る。これに対して波長が１０００ｎａ＋の光の場合には
キャリヤが奥の方まで広がる。キャリヤのライフタイム
は半導体の表面での再結合によるものと、半導体内部で
の再結合によるものとの２つの成分から成っている。従
って波長の短い光を使えば、表面再結合が支配的なライ
フタイムを測定することになるし、反対に波長の長い光
を使えば、内部での再結合の支配的なライフタイムを測
定することになる。
検出電極２つに現われる電圧Ｖｏは（１）式に示される
ように、半導体に光を入射しないときのコンダクタンス
ＧＯと光を入射したときのコンダクタンスの増加分Ｇｐ
の和に比例する。光をインパルス状に加えたときのこの
コンダクタンスの変化分Ｇｐのみを娠幅の最大値を１に
規格化して示したものが第７図である。この図のグラフ
において、縦軸はコンダクタンスの対数値であり、横軸
は時間を示している。図のようにコンダクタンスの変化
は単純な指数関数減衰では表わされない。
ように、半導体に光を入射しないときのコンダクタンス
ＧＯと光を入射したときのコンダクタンスの増加分Ｇｐ
の和に比例する。光をインパルス状に加えたときのこの
コンダクタンスの変化分Ｇｐのみを娠幅の最大値を１に
規格化して示したものが第７図である。この図のグラフ
において、縦軸はコンダクタンスの対数値であり、横軸
は時間を示している。図のようにコンダクタンスの変化
は単純な指数関数減衰では表わされない。
表面再結合は光で励起されたキャリヤの内、拡散長の範
囲内にあるものが表面に拡散しながら、半導体の表面に
ある再結合センタで再結合して消滅する現象である。拡
散長より深いところにあるキャリヤは半導体の内部にあ
る再結合センタで再結合して消滅する。半導体の内部に
ある再結合センタは表面にある再結合センタよりはるか
に少ないのが普通であるから、コンダクタンスＧｌ）の
変化は、 Ｇｌ） ＝ＡｅＸｌ） （−ｔ ／τ １ ）＋
Ｂｅｘｐ （−４／ｒ ２ ） ・ −・ ・
（２）のように表わされる。上式の第１項は表面再結
合によるもので、τ１はそのライフタイムであり、第２
項は内部再結合によるもので、τ２はそのライフタイム
である。τ１はτ２に比べて小さい値を有する。ＡとＢ
とは入射する光の波長によって変化する定数である。光
が半導体の中に深く届く場合にはＡ／Ｂは小さく、浅く
しか届かないときにはＡ／Ｂは大きくなる。第６図に示
すように４００ｎｍあるいはそれ以下の短い波長の光と
１１００Ｑｎあるいはそれ以上の長い波長の光を用いて
２回測定を行なえば、Ａと８とを分離することができる
。
囲内にあるものが表面に拡散しながら、半導体の表面に
ある再結合センタで再結合して消滅する現象である。拡
散長より深いところにあるキャリヤは半導体の内部にあ
る再結合センタで再結合して消滅する。半導体の内部に
ある再結合センタは表面にある再結合センタよりはるか
に少ないのが普通であるから、コンダクタンスＧｌ）の
変化は、 Ｇｌ） ＝ＡｅＸｌ） （−ｔ ／τ １ ）＋
Ｂｅｘｐ （−４／ｒ ２ ） ・ −・ ・
（２）のように表わされる。上式の第１項は表面再結
合によるもので、τ１はそのライフタイムであり、第２
項は内部再結合によるもので、τ２はそのライフタイム
である。τ１はτ２に比べて小さい値を有する。ＡとＢ
とは入射する光の波長によって変化する定数である。光
が半導体の中に深く届く場合にはＡ／Ｂは小さく、浅く
しか届かないときにはＡ／Ｂは大きくなる。第６図に示
すように４００ｎｍあるいはそれ以下の短い波長の光と
１１００Ｑｎあるいはそれ以上の長い波長の光を用いて
２回測定を行なえば、Ａと８とを分離することができる
。
Ｋ発明の効果】
第１の発明は、半導体に対してコイルが巻装されたコア
と同じ側から半導体内に光を入射させるようにしたもの
である。従って光励起によるコンダクタンスの増加がコ
アの磁極の空隙の部分に近い位置で起るために、出力電
圧が増大し、測定精度が向上することになる。
と同じ側から半導体内に光を入射させるようにしたもの
である。従って光励起によるコンダクタンスの増加がコ
アの磁極の空隙の部分に近い位置で起るために、出力電
圧が増大し、測定精度が向上することになる。
また第２の発明は、互いに波長の異なる複数種類の光を
入射させるようにしたものである。従って表面近くで発
生するキャリヤのライフタイムと内部で発生するキャリ
ヤのライフタイムとを分離して測定することが可能にな
る。
入射させるようにしたものである。従って表面近くで発
生するキャリヤのライフタイムと内部で発生するキャリ
ヤのライフタイムとを分離して測定することが可能にな
る。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体のライフタイム
の測定装置を示す要部斜視図、第２図は同縦断面図、第
３図は同平面図、第４図は測定装置の等何回路の回路図
、第５図は半導体内における磁力線の挙動を示す要部断
面図、第６図は波長による浸透深さを示すグラフ、第７
図はコンダクタンスの変化を示すグラフ、第８図は従来
の測定装置の縦断面図、第９図は同底面図である。 また図面中の主要な部分の名称はつぎの通りである。 １６・・・・ １７・・・・ １８・・・・ １９・・・・ ２０・・・・ ２１．２２・ ２５．２６・ ・シリコンウェハ（半導体） ・Ｕ字状コア ・磁極 ・コイル ・高周波電源回路 ・光フアイバケーブル ・ＬＥＤ ２９・・・・・電極 ３０・・・・・増幅検波回路 ３１・・・・・オシロスコープ
の測定装置を示す要部斜視図、第２図は同縦断面図、第
３図は同平面図、第４図は測定装置の等何回路の回路図
、第５図は半導体内における磁力線の挙動を示す要部断
面図、第６図は波長による浸透深さを示すグラフ、第７
図はコンダクタンスの変化を示すグラフ、第８図は従来
の測定装置の縦断面図、第９図は同底面図である。 また図面中の主要な部分の名称はつぎの通りである。 １６・・・・ １７・・・・ １８・・・・ １９・・・・ ２０・・・・ ２１．２２・ ２５．２６・ ・シリコンウェハ（半導体） ・Ｕ字状コア ・磁極 ・コイル ・高周波電源回路 ・光フアイバケーブル ・ＬＥＤ ２９・・・・・電極 ３０・・・・・増幅検波回路 ３１・・・・・オシロスコープ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、コイルに電流を通するとともに、前記コイルが巻装
されているコアの磁極を通して半導体内に磁束を導き、
該磁束によつて半導体内にうず電流を発生させるととも
に、前記半導体内に光を入射して光励起キャリヤを発生
させ、前記半導体中に生ずる電圧の変化を電極を通して
取出すことによって前記キャリヤのライフタイムを測定
するようにした装置において、前記半導体に対して前記
コイルが巻装されたコアと同じ側から前記半導体内に光
を入射させるようにしたことを特徴とする半導体のライ
フタイム測定装置。 ２、コイルに電流を通するとともに、前記コイルが巻装
されているコアの磁極を通して半導体内に磁束を導き、
該磁束によつて半導体内にうず電流を発生させるととも
に、前記半導体内に光を入射して光励起キャリヤを発生
させ、前記半導体中に生ずる電圧の変化を電極を通して
取出すことによつて前記キャリヤのライフタイムを測定
するようにした装置において、互いに波長の異なる複数
種類の光を入射させるようにしたことを特徴とする半導
体のライフタイム測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9489289A JPH02272743A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体のライフタイム測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9489289A JPH02272743A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体のライフタイム測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272743A true JPH02272743A (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=14122692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9489289A Pending JPH02272743A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体のライフタイム測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02272743A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013516796A (ja) * | 2010-01-14 | 2013-05-13 | エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイティド | 少数担体の寿命を測定する装置およびその装置を用いる方法 |
| PL447058A1 (pl) * | 2023-12-11 | 2025-06-16 | Uniwersytet Morski W Gdyni | Sposób pomiaru rezystancji termicznej rdzenia ferromagnetycznego induktora i układ do pomiaru rezystancji termicznej rdzenia ferromagnetycznego induktora |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP9489289A patent/JPH02272743A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013516796A (ja) * | 2010-01-14 | 2013-05-13 | エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイティド | 少数担体の寿命を測定する装置およびその装置を用いる方法 |
| PL447058A1 (pl) * | 2023-12-11 | 2025-06-16 | Uniwersytet Morski W Gdyni | Sposób pomiaru rezystancji termicznej rdzenia ferromagnetycznego induktora i układ do pomiaru rezystancji termicznej rdzenia ferromagnetycznego induktora |
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