JPH0227346B2 - - Google Patents
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- JPH0227346B2 JPH0227346B2 JP56041069A JP4106981A JPH0227346B2 JP H0227346 B2 JPH0227346 B2 JP H0227346B2 JP 56041069 A JP56041069 A JP 56041069A JP 4106981 A JP4106981 A JP 4106981A JP H0227346 B2 JPH0227346 B2 JP H0227346B2
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- phenyl
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- lower alkyl
- alkyl group
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテトラゾール誘導体、さらに詳しくは
一般式 〔式中R′は低級アルキル基、シクロアルキル基、
シクロアルキル低級アルキル基、フエニル基また
はフエニル低級アルキル基を示し、該フエニル基
およびフエニル低級アルキル基のフエニル環は置
換基を有してもよい。Aは低級アルキレン基をX
はハロゲン原子を示す〕 で表わされるテトラゾール誘導体の新規な製造法
に関する。
一般式 〔式中R′は低級アルキル基、シクロアルキル基、
シクロアルキル低級アルキル基、フエニル基また
はフエニル低級アルキル基を示し、該フエニル基
およびフエニル低級アルキル基のフエニル環は置
換基を有してもよい。Aは低級アルキレン基をX
はハロゲン原子を示す〕 で表わされるテトラゾール誘導体の新規な製造法
に関する。
本発明によつて得られる上記一般式(1)の化合物
は、抗血栓症剤、脳循環改善剤、消炎剤、抗潰瘍
剤、降圧剤、抗喘息剤、さらにホスホジエステラ
ーゼ阻害剤などとして有用なテトラゾリルアルコ
キシカルボスチリル誘導体の合成中間体として有
用である(西ドイツ公開P2934747−5を参照)。
は、抗血栓症剤、脳循環改善剤、消炎剤、抗潰瘍
剤、降圧剤、抗喘息剤、さらにホスホジエステラ
ーゼ阻害剤などとして有用なテトラゾリルアルコ
キシカルボスチリル誘導体の合成中間体として有
用である(西ドイツ公開P2934747−5を参照)。
本発明の目的は、上記一般式(1)の化合物を多大
の労力および時間を必要とすることなく、高純
度、好収率で、しかも非常に安価な出発原料より
製造し得る新規、かつ工業的に有利な方法を提供
することにある。
の労力および時間を必要とすることなく、高純
度、好収率で、しかも非常に安価な出発原料より
製造し得る新規、かつ工業的に有利な方法を提供
することにある。
すなわち本発明は、一般式
[式中、Aは前記に同じ]で表されるラクトン誘
導体を一般式: R′NH2 (4) [式中、R′は前記に同じ]で表わされるアミン
と反応させて一般式 HO−A−CONHR′ (2) 〔式中R′およびAは前記に同じ〕 で表わされるヒドロキシアミド誘導体を得、該ヒ
ドロキシアミド誘導体をハロゲン化剤と反応さ
せ、次いでアジ化水素酸またはその金属アジ化物
と反応させることを特徴とする上記一般式(1)のテ
トラゾール誘導体の製造法を提供するものであ
る。
導体を一般式: R′NH2 (4) [式中、R′は前記に同じ]で表わされるアミン
と反応させて一般式 HO−A−CONHR′ (2) 〔式中R′およびAは前記に同じ〕 で表わされるヒドロキシアミド誘導体を得、該ヒ
ドロキシアミド誘導体をハロゲン化剤と反応さ
せ、次いでアジ化水素酸またはその金属アジ化物
と反応させることを特徴とする上記一般式(1)のテ
トラゾール誘導体の製造法を提供するものであ
る。
本明細書において、低級アルキル基としては直
鎖または分技状のアルキル基を含み、例えば、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、tert−ブチルなどが挙げられ
る。フエニル低級アルキル基としては、例えば、
ベンジル、α−フエネチル、β−フエネチル、3
−フエニルプロピル、4−フエニルブチル、1,
1−ジメチル−2−フエニルエチル、ジフエニル
メチル基などが挙げられる。シクロアルキル基と
しては、例えばシクロプロピル、シクロブチル、
シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル、シクロオクチルなどが挙げられる。
鎖または分技状のアルキル基を含み、例えば、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、tert−ブチルなどが挙げられ
る。フエニル低級アルキル基としては、例えば、
ベンジル、α−フエネチル、β−フエネチル、3
−フエニルプロピル、4−フエニルブチル、1,
1−ジメチル−2−フエニルエチル、ジフエニル
メチル基などが挙げられる。シクロアルキル基と
しては、例えばシクロプロピル、シクロブチル、
シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル、シクロオクチルなどが挙げられる。
シクロアルキル基低級アルキル基としては、例
えば、シクロプロピルメチル、シクロブチルメチ
ル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチ
ル、シクロオクチルメチル、2−シクロヘキシル
エチル、2−シクロオクチルエチル、1−メチル
−2−シクロヘキシルエチル、3−シクロヘプチ
ルプロピル、4−シクロヘキシルブチル、1,1
−ジメチル−2−シクロヘキシルエチル、ジシク
ロヘキシルメチル基などが挙げられる。低級アル
キレン基としては直鎖もしくは分技状のアルキレ
ン基を挙げることができ、例えばメチレン、エチ
レン、トリメチレン、プロピレン、テトラメチレ
ン、2−エチルエチレン、ペンタメチレン、ヘキ
サメチレン、2−メチルトリメチレン、2,2−
ジメチルトリメチレン、1−メチルトリメチレン
基など、好ましくは炭素数3〜6個の低級アルキ
レン基を例示できる。
えば、シクロプロピルメチル、シクロブチルメチ
ル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチ
ル、シクロオクチルメチル、2−シクロヘキシル
エチル、2−シクロオクチルエチル、1−メチル
−2−シクロヘキシルエチル、3−シクロヘプチ
ルプロピル、4−シクロヘキシルブチル、1,1
−ジメチル−2−シクロヘキシルエチル、ジシク
ロヘキシルメチル基などが挙げられる。低級アル
キレン基としては直鎖もしくは分技状のアルキレ
ン基を挙げることができ、例えばメチレン、エチ
レン、トリメチレン、プロピレン、テトラメチレ
ン、2−エチルエチレン、ペンタメチレン、ヘキ
サメチレン、2−メチルトリメチレン、2,2−
ジメチルトリメチレン、1−メチルトリメチレン
基など、好ましくは炭素数3〜6個の低級アルキ
レン基を例示できる。
上記のフエニル低級アルキル基およびフエニル
基のフエニル環は適当な置換基を有していてもよ
く、置換基としては、例えばメトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、
tert−ブトキシなどの低級アルコキシ基、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、
イソブチル、tert−ブチルなどの低級アルキル
基、塩素原子、フツ素原子、臭素原子などのハロ
ゲン原子、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ
プロピルアミノ、ジブチルアミノ、メチルエチル
アミノ基などのジ低級アルキルアミノ基、ニトロ
基、メチレンジオキシ、エチレンジオキシ、トリ
メチレンジオキシ基などの低級アルキレンジオキ
シ基などの低級アルキレンジオキシ基などを挙げ
ることができる。該置換基を有するものとして
は、例えば4−クロルフエニル、3,5−ジクロ
ルフエニル、2−ブロムフエニル、4−メトキシ
フエニル、3,4−ジメトキシフエニル、2−ニ
トロフエニル、3,4,5−トリメトキシフエニ
ル、2−メチルフエニル、4−エチルフエニル、
3,4−ジメチルフエニル、3,4−メチレンジ
オキシフエニル、2−クロル−4−ニトロフエニ
ル、4−ジメチルアミノフエニル基などの置換フ
エニル基、4−クロルベンジル、3,5−ジクロ
ベンジル、β−2−ブロムフエネチル、4−メト
キシベンジル、β−3,4−ジメトキシフエネチ
ル、2−ニトロベンジル、β−3,4,5−トリ
メトキシフエネチル、2−メチルベンジル、α−
4−エチルフエネチル、β−3,4−ジメチルフ
エネチル、β−3,4−メチレンジオキシフエネ
チル、2−クロル−4−ニトロベンジル、β−4
−ジメチルアミノフエネチル基などの置換フエニ
ル低級アルキル基を挙げることとができる。ま
た、ハロゲン原子としては、沃素、臭素、塩素、
弗素原子を挙げることができる。
基のフエニル環は適当な置換基を有していてもよ
く、置換基としては、例えばメトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、
tert−ブトキシなどの低級アルコキシ基、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、
イソブチル、tert−ブチルなどの低級アルキル
基、塩素原子、フツ素原子、臭素原子などのハロ
ゲン原子、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ
プロピルアミノ、ジブチルアミノ、メチルエチル
アミノ基などのジ低級アルキルアミノ基、ニトロ
基、メチレンジオキシ、エチレンジオキシ、トリ
メチレンジオキシ基などの低級アルキレンジオキ
シ基などの低級アルキレンジオキシ基などを挙げ
ることができる。該置換基を有するものとして
は、例えば4−クロルフエニル、3,5−ジクロ
ルフエニル、2−ブロムフエニル、4−メトキシ
フエニル、3,4−ジメトキシフエニル、2−ニ
トロフエニル、3,4,5−トリメトキシフエニ
ル、2−メチルフエニル、4−エチルフエニル、
3,4−ジメチルフエニル、3,4−メチレンジ
オキシフエニル、2−クロル−4−ニトロフエニ
ル、4−ジメチルアミノフエニル基などの置換フ
エニル基、4−クロルベンジル、3,5−ジクロ
ベンジル、β−2−ブロムフエネチル、4−メト
キシベンジル、β−3,4−ジメトキシフエネチ
ル、2−ニトロベンジル、β−3,4,5−トリ
メトキシフエネチル、2−メチルベンジル、α−
4−エチルフエネチル、β−3,4−ジメチルフ
エネチル、β−3,4−メチレンジオキシフエネ
チル、2−クロル−4−ニトロベンジル、β−4
−ジメチルアミノフエネチル基などの置換フエニ
ル低級アルキル基を挙げることとができる。ま
た、ハロゲン原子としては、沃素、臭素、塩素、
弗素原子を挙げることができる。
本発明においては、まず一般式(3)で表わされる
安価なラクトン類を一般式(4)で表わされるアミノ
誘導体と反応させて一般式(2)で表わされるヒドロ
キアミド誘導体を製造する。
安価なラクトン類を一般式(4)で表わされるアミノ
誘導体と反応させて一般式(2)で表わされるヒドロ
キアミド誘導体を製造する。
〔式中、R′およびAは前記に同じ〕
一般式(3)の化合物と一般式(4)の化合物との反応
は、無溶媒または適当な溶媒中で行なわれ、該溶
媒としては例えばメタノール、エタノールなどの
低級アルコール類、n−ヘキサン、n−ヘプタン
などの炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンぜどの芳香族炭化水素類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサンなどのエーテル類などの反応に不
活性な溶媒を挙げることができる。該反応は無触
媒または、必要に応じて、適当なアルカリ触媒の
存在下に行なわれ、該アルカリ触媒としては、例
えば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウムなどのアリカリ金属水酸化物、リチウム
アルコラート、ナトリウムアルコラート、カリウ
ムアルコラートなどのアルコラート類、トリメチ
ルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアニリ
ン、ピリジン、ピコリンなどの有機塩基などを挙
げることとができる。一般式(4)の化合物の使用量
は、一般式(3)の化合物に対して、通常、過剰量、
好ましくは等モル〜10倍モル量程度である。反応
温度は室温から300℃、好ましくは80〜150℃程度
までの広範囲な温度条件を彩用でき、反応時間
も、1時間から2日程度の範囲から選ばれる。
は、無溶媒または適当な溶媒中で行なわれ、該溶
媒としては例えばメタノール、エタノールなどの
低級アルコール類、n−ヘキサン、n−ヘプタン
などの炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンぜどの芳香族炭化水素類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサンなどのエーテル類などの反応に不
活性な溶媒を挙げることができる。該反応は無触
媒または、必要に応じて、適当なアルカリ触媒の
存在下に行なわれ、該アルカリ触媒としては、例
えば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウムなどのアリカリ金属水酸化物、リチウム
アルコラート、ナトリウムアルコラート、カリウ
ムアルコラートなどのアルコラート類、トリメチ
ルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアニリ
ン、ピリジン、ピコリンなどの有機塩基などを挙
げることとができる。一般式(4)の化合物の使用量
は、一般式(3)の化合物に対して、通常、過剰量、
好ましくは等モル〜10倍モル量程度である。反応
温度は室温から300℃、好ましくは80〜150℃程度
までの広範囲な温度条件を彩用でき、反応時間
も、1時間から2日程度の範囲から選ばれる。
本発明方法は、前記の如しくして得られる一般
式(2)の化合物をハロゲン化剤と反応させ、次いで
アジ化水素酸またはその金属アジ化物と反応させ
ることにより容易に実施され、目的とする一般式
(1)の化合物を高純度、好収率で得ることができ
る。
式(2)の化合物をハロゲン化剤と反応させ、次いで
アジ化水素酸またはその金属アジ化物と反応させ
ることにより容易に実施され、目的とする一般式
(1)の化合物を高純度、好収率で得ることができ
る。
本発明の一般式(2)の化合物とハロゲン化剤との
反応は、無溶媒または適当な溶媒中で行なわれ、
該溶媒としては反応に悪影響を与えない不活性の
ものをすべて使用でき、例えばベンゼン、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、クロルベ
ンゼン、ブロモベンゼンなどのハロゲン化芳香族
炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジオキシサンなどのエーテル類、塩化メチ
レン、クロロホルム、1,2−ジクロルエタンな
どのハロゲン化炭化水素類などを挙げることがで
きる。ハロゲン化剤としては、例えば、五塩化リ
ン、オキシ塩化リン、三塩化リン、塩化チオニル
などの塩素化剤、オキシ臭化リン、三臭化リン、
臭化チオニルなどの臭素化剤など、好ましくは、
オキシ塩化リン、五塩化リン、塩化チオニルなど
が挙げられる。ハロゲン化剤の使用量は、通常、
一般式(2)の化合物に対して等モル〜50倍モル、好
ましくは等モル〜2倍量程度である。反応温度
は、通常−20〜100℃、好ましくは0〜40℃程度
であり、また反応時間は30分〜6時間程度であ
る。
反応は、無溶媒または適当な溶媒中で行なわれ、
該溶媒としては反応に悪影響を与えない不活性の
ものをすべて使用でき、例えばベンゼン、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、クロルベ
ンゼン、ブロモベンゼンなどのハロゲン化芳香族
炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジオキシサンなどのエーテル類、塩化メチ
レン、クロロホルム、1,2−ジクロルエタンな
どのハロゲン化炭化水素類などを挙げることがで
きる。ハロゲン化剤としては、例えば、五塩化リ
ン、オキシ塩化リン、三塩化リン、塩化チオニル
などの塩素化剤、オキシ臭化リン、三臭化リン、
臭化チオニルなどの臭素化剤など、好ましくは、
オキシ塩化リン、五塩化リン、塩化チオニルなど
が挙げられる。ハロゲン化剤の使用量は、通常、
一般式(2)の化合物に対して等モル〜50倍モル、好
ましくは等モル〜2倍量程度である。反応温度
は、通常−20〜100℃、好ましくは0〜40℃程度
であり、また反応時間は30分〜6時間程度であ
る。
上記の反応溶液は、そのまま、アジ化水素酸ま
たは金属アジ化物との反応に供される。アジ化水
素酸またはその金属アジ化物はそのまま用いても
よく、あるいは、前記一般式(2)の化合物ととハロ
ゲン化剤との反応に用いられる不活性溶媒の溶液
として使用される。金属アジ化物としては、例え
ばアジ化リチウム、アジ化ナリウム、アジ化カリ
ウムなどの第族金属アジ化物、アジ化カルシウ
ム、アジ化バリウム、アジ化ストロンチウムなど
の第族金属アジ化物、アジ化アルミニウムなど
の第族金属アジ化物などが挙げられる。好まし
い化合物はアジ化水素酸、アジ化ナトリウム、ア
ジ化アルミニウムである。アジ化水素酸またはそ
の金属アジ化物の使用量は、通常、出発原料の一
般式(2)の化合物に対して等モル〜5倍モル、好ま
しくは等モル〜3倍モル量程度である。反応温度
は0〜150℃好ましくは0〜100℃程度であり、反
応時間は3時間〜2日間程度である。
たは金属アジ化物との反応に供される。アジ化水
素酸またはその金属アジ化物はそのまま用いても
よく、あるいは、前記一般式(2)の化合物ととハロ
ゲン化剤との反応に用いられる不活性溶媒の溶液
として使用される。金属アジ化物としては、例え
ばアジ化リチウム、アジ化ナリウム、アジ化カリ
ウムなどの第族金属アジ化物、アジ化カルシウ
ム、アジ化バリウム、アジ化ストロンチウムなど
の第族金属アジ化物、アジ化アルミニウムなど
の第族金属アジ化物などが挙げられる。好まし
い化合物はアジ化水素酸、アジ化ナトリウム、ア
ジ化アルミニウムである。アジ化水素酸またはそ
の金属アジ化物の使用量は、通常、出発原料の一
般式(2)の化合物に対して等モル〜5倍モル、好ま
しくは等モル〜3倍モル量程度である。反応温度
は0〜150℃好ましくは0〜100℃程度であり、反
応時間は3時間〜2日間程度である。
上記の方法で生成する一般式(1)で表わされるテ
トラゾール誘導体は、慣用の単離手段、例えは
過、再結晶、カラムクロマトグラフイ、プレパラ
テイブ薄層クロマトグラフイ、蒸留などにより反
応混合物から容易に単離精製される。
トラゾール誘導体は、慣用の単離手段、例えは
過、再結晶、カラムクロマトグラフイ、プレパラ
テイブ薄層クロマトグラフイ、蒸留などにより反
応混合物から容易に単離精製される。
以下に実施例を挙げて本発明の方法をさらに具
体的に説明する。
体的に説明する。
実施例 1
(1) δ−バレロラクトン1Kgとシクロヘキシルア
ミン1.05Kgを混和し、110〜120℃にて4時間加
熱する。反応液を30〜40℃に冷却し、酢酸エチ
ル4を加え、氷冷し、析出晶を取する。得
られた粗結晶を酢酸エチルより再結晶して無色
針状晶のN−シクロヘキシル−5−ヒドロキシ
吉草酸アミド1.63Kgを得る。
ミン1.05Kgを混和し、110〜120℃にて4時間加
熱する。反応液を30〜40℃に冷却し、酢酸エチ
ル4を加え、氷冷し、析出晶を取する。得
られた粗結晶を酢酸エチルより再結晶して無色
針状晶のN−シクロヘキシル−5−ヒドロキシ
吉草酸アミド1.63Kgを得る。
融点76〜78.5℃
(2) クロロホルム500mlにN−シクロヘキシル−
5−ヒドロキシ吉草酸アミド50gを溶解し、五
塩化リン100gを3分割投入する。冷却下に1
時間、次いで30℃にて3時間撹拌する。氷冷下
にアジ化ナトリウム40gを投入し、冷却下1時
間、20〜30℃にて3時間撹拌後、さらに2時間
加熱還流する。反応液を冷却し、2N水酸化ナ
トリウム水溶液700ml中に、氷と共に注ぐ。ク
ロロホルム層を2N水酸化ナトリウム水溶液、
水、2%塩酸、次いで水で洗浄後、硫酸マグネ
シウムで乾燥する。濃縮後、残渣にイソプロピ
ルエーテル500mlおよび活性炭2.5gを加えて、
2時間加熱還流後、不溶物を去する。液を
濃縮し、残渣にn−ヘキサンを加えて結晶化
し、取する。n−ヘキサンで洗浄、乾燥後、
イソプロパノール−水より再結晶して無色針状
晶の1−シクロヘキシル−5−(4−クロロブ
チル)テトラゾール54gを得る。融点84.5〜
86.5℃ 実施例 2 塩化メチレン500mlにN−シクロヘキシル−4
−ヒドロキシ酪酸アミド50gを溶解し、オキシ塩
化リン170gを冷却撹拌下に滴下する。滴下後、
冷却下に1時間、30℃にて3時間撹拌する。氷冷
下にアジ化水素酸の1N塩化メチレン溶液500mlを
滴下し、冷却下1時間、20〜30℃にて3時間撹拌
後、さらに4時間加熱還流する。反応液を前記実
施例1−(2)と同様に処理し、イソプロパノール−
水より再結晶して無色針状晶の1−シクロヘキシ
ル−5−(3−クロロプロピル)テラゾール55.6
gを得る。
5−ヒドロキシ吉草酸アミド50gを溶解し、五
塩化リン100gを3分割投入する。冷却下に1
時間、次いで30℃にて3時間撹拌する。氷冷下
にアジ化ナトリウム40gを投入し、冷却下1時
間、20〜30℃にて3時間撹拌後、さらに2時間
加熱還流する。反応液を冷却し、2N水酸化ナ
トリウム水溶液700ml中に、氷と共に注ぐ。ク
ロロホルム層を2N水酸化ナトリウム水溶液、
水、2%塩酸、次いで水で洗浄後、硫酸マグネ
シウムで乾燥する。濃縮後、残渣にイソプロピ
ルエーテル500mlおよび活性炭2.5gを加えて、
2時間加熱還流後、不溶物を去する。液を
濃縮し、残渣にn−ヘキサンを加えて結晶化
し、取する。n−ヘキサンで洗浄、乾燥後、
イソプロパノール−水より再結晶して無色針状
晶の1−シクロヘキシル−5−(4−クロロブ
チル)テトラゾール54gを得る。融点84.5〜
86.5℃ 実施例 2 塩化メチレン500mlにN−シクロヘキシル−4
−ヒドロキシ酪酸アミド50gを溶解し、オキシ塩
化リン170gを冷却撹拌下に滴下する。滴下後、
冷却下に1時間、30℃にて3時間撹拌する。氷冷
下にアジ化水素酸の1N塩化メチレン溶液500mlを
滴下し、冷却下1時間、20〜30℃にて3時間撹拌
後、さらに4時間加熱還流する。反応液を前記実
施例1−(2)と同様に処理し、イソプロパノール−
水より再結晶して無色針状晶の1−シクロヘキシ
ル−5−(3−クロロプロピル)テラゾール55.6
gを得る。
融点82〜85℃
実施例 3
ベンゼン500mlのN−ベンジル−4−ヒドロキ
シ酪酸アミド50gを溶解し、塩化チオニル135g
を冷却撹拌下に滴下する。冷却下に1時間、30℃
にて3時間撹拌後、再び冷却下にアジ化アルミニ
ウム96gを投入する。冷却下に1時間、30℃で3
時間撹拌後、さらに3時間加熱還流する。反応液
を冷却し、2N水酸化ナトリウム水溶液700ml中
に、氷と共に注ぐ。ベンゼン層を2N水酸化ナト
リウム水溶液、水、2%塩酸、次いで水で洗浄
後、硫酸マグネシウムで乾燥する。濃縮後、残渣
を減圧蒸留して、沸点171〜175℃(1.5mmHg)の
淡黄色オイル状の1−ベンジル−5−(3−クロ
ロプロピル)テトラゾール54gを得る。
シ酪酸アミド50gを溶解し、塩化チオニル135g
を冷却撹拌下に滴下する。冷却下に1時間、30℃
にて3時間撹拌後、再び冷却下にアジ化アルミニ
ウム96gを投入する。冷却下に1時間、30℃で3
時間撹拌後、さらに3時間加熱還流する。反応液
を冷却し、2N水酸化ナトリウム水溶液700ml中
に、氷と共に注ぐ。ベンゼン層を2N水酸化ナト
リウム水溶液、水、2%塩酸、次いで水で洗浄
後、硫酸マグネシウムで乾燥する。濃縮後、残渣
を減圧蒸留して、沸点171〜175℃(1.5mmHg)の
淡黄色オイル状の1−ベンジル−5−(3−クロ
ロプロピル)テトラゾール54gを得る。
実施例 4
実施例1と同様にして、下記の化合物を得る。
1−エチル−5−(3−クロロプロピル)テト
ラゾール、無色液体、沸点160〜163℃/20mmHg 1−フエニル−5−(3−クロロプロピル)テ
トラゾール、無色液体、沸点205〜210℃/9.0mm
Hg 1−イソプロピル−5−(3−クロロプロピル)
テトラゾール、無色液体、NMRδCDCl3 ppn1.55(d、
6H)、2.30(m、2H)、2.95(t、2H)、3.65(d、
2H)、4.7(m、1H) 1−シクロペンチル−5−(3−クロロプロピ
ル)テトラゾール、無色液体、NMRδCDCl3 ppn1.5〜
2.7(m、10H)、3.1(t、2H)、3.7(t、2H)、4.6
〜5.0(m、1H) 1−シクロヘキシルメチル−5−(3−クロロ
プロピル)テトラゾール、無色液体、NMRδCDCl3 ppn
0.3〜2.7(m、13H)、3.0(t、2H)、3.75(t、
2H)、4.5(d、2H) 1−シクロオクチル−5−(3−クロロプロピ
ル)テトラゾール、無色液体、NMRδCDCl3 ppn1.35〜
2.65(m、16H)、3.0(t、2H)、3.67(t、2H)、
4.2〜4.7(m、1H) 1−ベンジル−5−クロロメチルテトラゾー
ル、無色液体、NMRδCDCl3 ppn4.67(s、2H)、5.35
(s、2H)、7.1〜7.6(m、5H) 1−(2−クロロ−4−ニトロフエニル)−5−
クロロメチルテトラゾール、黄色液体、
NMRδCDCl3 ppn4.8(s、2H)、7.76(d、1H)、8.25〜
8.60(m、2H)、 1−(4−エチルフエニル)−5−クロロメチル
テトラゾール、無色液体、NMRδCDCl3 ppn1.3(t、
3H)、2.75(q、2H)、4.8(s、2H)7.43(s、
4H) 1−(β−3.4−ジメトキシフエネチル)−5−
(3−クロロプロピル)テトラゾール、黄色液体、
NMRδCDCl3 ppn1.80〜2.25(m、2H)、2.45(t、2H)
、
3.70(s、3H)、3.75(s、3H)、4.40(t、2H)、
6.30(d、1H)、6.45(dd、1H)、6.70(d、1H)。
ラゾール、無色液体、沸点160〜163℃/20mmHg 1−フエニル−5−(3−クロロプロピル)テ
トラゾール、無色液体、沸点205〜210℃/9.0mm
Hg 1−イソプロピル−5−(3−クロロプロピル)
テトラゾール、無色液体、NMRδCDCl3 ppn1.55(d、
6H)、2.30(m、2H)、2.95(t、2H)、3.65(d、
2H)、4.7(m、1H) 1−シクロペンチル−5−(3−クロロプロピ
ル)テトラゾール、無色液体、NMRδCDCl3 ppn1.5〜
2.7(m、10H)、3.1(t、2H)、3.7(t、2H)、4.6
〜5.0(m、1H) 1−シクロヘキシルメチル−5−(3−クロロ
プロピル)テトラゾール、無色液体、NMRδCDCl3 ppn
0.3〜2.7(m、13H)、3.0(t、2H)、3.75(t、
2H)、4.5(d、2H) 1−シクロオクチル−5−(3−クロロプロピ
ル)テトラゾール、無色液体、NMRδCDCl3 ppn1.35〜
2.65(m、16H)、3.0(t、2H)、3.67(t、2H)、
4.2〜4.7(m、1H) 1−ベンジル−5−クロロメチルテトラゾー
ル、無色液体、NMRδCDCl3 ppn4.67(s、2H)、5.35
(s、2H)、7.1〜7.6(m、5H) 1−(2−クロロ−4−ニトロフエニル)−5−
クロロメチルテトラゾール、黄色液体、
NMRδCDCl3 ppn4.8(s、2H)、7.76(d、1H)、8.25〜
8.60(m、2H)、 1−(4−エチルフエニル)−5−クロロメチル
テトラゾール、無色液体、NMRδCDCl3 ppn1.3(t、
3H)、2.75(q、2H)、4.8(s、2H)7.43(s、
4H) 1−(β−3.4−ジメトキシフエネチル)−5−
(3−クロロプロピル)テトラゾール、黄色液体、
NMRδCDCl3 ppn1.80〜2.25(m、2H)、2.45(t、2H)
、
3.70(s、3H)、3.75(s、3H)、4.40(t、2H)、
6.30(d、1H)、6.45(dd、1H)、6.70(d、1H)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 [式中、Aは低級アルキレン基を示す]で表され
るラクトン誘導体を一般式:R′NH2[式中、R′は
低級アルキル基、シクロアルキル基、シクロアル
キル低級アルキル基、フエニル基またはフエニル
低級アルキル基を示し、該フエニル基およびフエ
ニル低級アルキル基のフエニル環は置換基を有し
ていてもよい]で表わされるアミン誘導体と反応
させて一般式 HO−A−CONHR′ [式中、R′およびAは前記に同じ]で表わされ
るヒドロキアミド誘導体を得、該ヒドロキシアミ
ド誘導体をハロゲン化剤と反応させ、次いでアジ
化水素酸または金属アジ化物と反応させることを
特徴とする一般式 [式中R′およびAは前記に同じ。Xはハロゲン
原子を示す]で表わされるテトラゾール誘導体の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4106981A JPS57156469A (en) | 1981-03-19 | 1981-03-19 | Preparation of tetrazole derivative |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4106981A JPS57156469A (en) | 1981-03-19 | 1981-03-19 | Preparation of tetrazole derivative |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57156469A JPS57156469A (en) | 1982-09-27 |
| JPH0227346B2 true JPH0227346B2 (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=12598148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4106981A Granted JPS57156469A (en) | 1981-03-19 | 1981-03-19 | Preparation of tetrazole derivative |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57156469A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100935893B1 (ko) | 2007-09-11 | 2010-01-07 | 국방과학연구소 | 1,1'-다이메틸-5,5’-바이테트라졸의 합성방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535019A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-11 | Otsuka Pharmaceut Co Ltd | Carbostyryl derivative |
-
1981
- 1981-03-19 JP JP4106981A patent/JPS57156469A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57156469A (en) | 1982-09-27 |
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