JPH0227358A - パターン形成方法及びパターン形成用コントラストエンハンスト材料 - Google Patents
パターン形成方法及びパターン形成用コントラストエンハンスト材料Info
- Publication number
- JPH0227358A JPH0227358A JP63177104A JP17710488A JPH0227358A JP H0227358 A JPH0227358 A JP H0227358A JP 63177104 A JP63177104 A JP 63177104A JP 17710488 A JP17710488 A JP 17710488A JP H0227358 A JPH0227358 A JP H0227358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- contrast
- pattern formation
- enhancing material
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体製造工程のうち、フォトリングラフィ
に用いるパターン形成方法及びパターン形成用コントラ
ストエンハンスト材料に関する。
に用いるパターン形成方法及びパターン形成用コントラ
ストエンハンスト材料に関する。
（従来の技術）
フォトリソグラフィの微細化を行なうＬで、短波長であ
るｊ線（３６５ｎ＋ｉ）ステッパ及びコントラスト・エ
ンハンスト・リソグラフィ（ＣＥＬ）（例えば、 Ｍ、
Ｓａｓａｇｏ ｅｔ ａｌ Ｐｒｏｃ ｏｆ ５ＰＩ
Ｅ、 ６３１，３２１（１９８６））を用いることは非
常に有用である。これらは、いずれも光学系のコントラ
ストを向上させ、レジストパターンの高コントラスト化
を実現する。
るｊ線（３６５ｎ＋ｉ）ステッパ及びコントラスト・エ
ンハンスト・リソグラフィ（ＣＥＬ）（例えば、 Ｍ、
Ｓａｓａｇｏ ｅｔ ａｌ Ｐｒｏｃ ｏｆ ５ＰＩ
Ｅ、 ６３１，３２１（１９８６））を用いることは非
常に有用である。これらは、いずれも光学系のコントラ
ストを向上させ、レジストパターンの高コントラスト化
を実現する。
ところが、従来、ｉ線光に適したプロセス的に簡易な水
溶性ＣＥＬ材料については満足すべきものが存在しない
（例えば＋ ｔ、、 Ｆ、 Ｈａｌｌｅ、 Ｊ、 Ｖａ
ｃ。
溶性ＣＥＬ材料については満足すべきものが存在しない
（例えば＋ ｔ、、 Ｆ、 Ｈａｌｌｅ、 Ｊ、 Ｖａ
ｃ。
Ｓｃｉ、、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、 ８３，３２３ （１９
８５））。このため、微細で形状の良いパターンは得］
）とｕｌう］問題、伝力１あった・ 第２図を用いて、従来の水溶性ＣＥＬ材料を用いたパタ
ーン形成方法につｌ、Ｎて説明する。従来のＣＥＬ材料
は、４−アニリノベンゼンジアゾニウムクロライド塩化
亜鉛４．０ｇ、ポリビニルピロ１ノドン６．０ｇ、水１
００ ｇという組成で調整し、コントラストを示すＡ値
（例えば、遠藤他、高分子学会予稿集、３４．２８９３
（１９８５））は３６５ｎｍ番こおり１て５．０であ
った・ 基板１上にポジレジスト（Ｍ Ｐ １４００） ２を１
、２μｍ厚形成しく第２図（ａ）Ｌ前記水溶性ＣＥＬ
材料を０．３μｍ厚となるように塗布した（第２図（ｂ
））。その後、マスク５を介してＮＡｏ、４０のｉ線ス
テツノ（により所望のパターンを露光６しく第２図（Ｃ
））、ＭＦ３１９なる現像液で６０秒のノくドル現像を
行な％Ｎ、パターン２Ｂを形成した（第２図（ｄ））。
８５））。このため、微細で形状の良いパターンは得］
）とｕｌう］問題、伝力１あった・ 第２図を用いて、従来の水溶性ＣＥＬ材料を用いたパタ
ーン形成方法につｌ、Ｎて説明する。従来のＣＥＬ材料
は、４−アニリノベンゼンジアゾニウムクロライド塩化
亜鉛４．０ｇ、ポリビニルピロ１ノドン６．０ｇ、水１
００ ｇという組成で調整し、コントラストを示すＡ値
（例えば、遠藤他、高分子学会予稿集、３４．２８９３
（１９８５））は３６５ｎｍ番こおり１て５．０であ
った・ 基板１上にポジレジスト（Ｍ Ｐ １４００） ２を１
、２μｍ厚形成しく第２図（ａ）Ｌ前記水溶性ＣＥＬ
材料を０．３μｍ厚となるように塗布した（第２図（ｂ
））。その後、マスク５を介してＮＡｏ、４０のｉ線ス
テツノ（により所望のパターンを露光６しく第２図（Ｃ
））、ＭＦ３１９なる現像液で６０秒のノくドル現像を
行な％Ｎ、パターン２Ｂを形成した（第２図（ｄ））。
パターン２Ｂは、０．５μ翼のライン・アンド・スペー
スパターンではあったが、膜減りが１０％と大きく、ア
スペクト比も７０″という不良パターンであった。
スパターンではあったが、膜減りが１０％と大きく、ア
スペクト比も７０″という不良パターンであった。
このような不良パターンは、後工程での歩留まり低下の
要因となるために、危惧すべき問題である。
要因となるために、危惧すべき問題である。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、従来のＣＥＬ材料が有していたコントラスト
効果の不良を解決し、形状の良いパターン形成を可能に
することを目的とする。
効果の不良を解決し、形状の良いパターン形成を可能に
することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、従来のＣＥＬ材料の課題を解決するために、
コントラストエンハンスト材料として、Ｘｌ、Ｘ２はハ
ロゲン原子）であられされる化合物またはその塩化合物
とポリマーと水より成ることを特徴とする材料を提供し
、これをパターン形成に用いる。
コントラストエンハンスト材料として、Ｘｌ、Ｘ２はハ
ロゲン原子）であられされる化合物またはその塩化合物
とポリマーと水より成ることを特徴とする材料を提供し
、これをパターン形成に用いる。
（作 用）
本発明に係るパターン形成用コントラストエンハンスト
材料中の感光成分である一般式Ｘ、、、Ｘ、はハロゲン
原子）であられされる化合物またはその塩化合物は、ｉ
線付近に強い吸収ピークを持ち、また、そのε（分子吸
光係数）も３６５ｎｍにおいて１万以上という大きい値
であることを発見した。このような感光体をｉ線用のＣ
ＥＬ材料として利用すれば、ＣＥＬ材料としてのコント
ラストエンハンスト効果は１０以上になることを見い出
した。
材料中の感光成分である一般式Ｘ、、、Ｘ、はハロゲン
原子）であられされる化合物またはその塩化合物は、ｉ
線付近に強い吸収ピークを持ち、また、そのε（分子吸
光係数）も３６５ｎｍにおいて１万以上という大きい値
であることを発見した。このような感光体をｉ線用のＣ
ＥＬ材料として利用すれば、ＣＥＬ材料としてのコント
ラストエンハンスト効果は１０以上になることを見い出
した。
Ａ値が１０以上となるような本発明のＣＥＬ材料をパタ
ーン形成に応用することにより、高コントラストの微細
パターンが得られることがわかった。
ーン形成に応用することにより、高コントラストの微細
パターンが得られることがわかった。
なお、ＣＥＬ材料中のポリマーとしては、ポリスチレン
スルフォン酸、ポリスチレンスルフォン酸アンモニウム
、ポリビニルピロリドンなどのｉ線付近に透明性の高い
、しかも水に易溶なものが選ばれる。もちろん、本発明
はこれらに限定されることはない。
スルフォン酸、ポリスチレンスルフォン酸アンモニウム
、ポリビニルピロリドンなどのｉ線付近に透明性の高い
、しかも水に易溶なものが選ばれる。もちろん、本発明
はこれらに限定されることはない。
（実施例）
第１図を用いて、本発明の一実施例を説明する。
半導体等の基板１上にポジレジスト（Ｍ Ｐ １４００
）２を１．２μｌ厚に形成した（第１図（ａ））。次に
１本発明の一実施例のパターン形成用コントラストエン
ハンスト材料を０．３μｍ厚形成した。なお、本発明の
ＣＥＬ材料の組成は、２−メトキシ−５−クロロジアゾ
ベンゼンクロライド塩化亜鉛４．０ｇ。
）２を１．２μｌ厚に形成した（第１図（ａ））。次に
１本発明の一実施例のパターン形成用コントラストエン
ハンスト材料を０．３μｍ厚形成した。なお、本発明の
ＣＥＬ材料の組成は、２−メトキシ−５−クロロジアゾ
ベンゼンクロライド塩化亜鉛４．０ｇ。
ポリスチレンスルフォン酸（分子量１万）６−７ｇ＋水
ｔｏｏ ｇであり、３６５ｎｍにおけるＡ値は１１．５
であった（第１図（ｂ））、Ｌかる後に、マスク５を介
してＮＡｏ、４０のｉｇステッパにより所望のパターン
を露光６しく第１図（Ｃ））、ＭＦ３１９なる現像液で
６０秒のパドル現像を行ない、パターン２Ａを形成した
（第１図（ｄ））。
ｔｏｏ ｇであり、３６５ｎｍにおけるＡ値は１１．５
であった（第１図（ｂ））、Ｌかる後に、マスク５を介
してＮＡｏ、４０のｉｇステッパにより所望のパターン
を露光６しく第１図（Ｃ））、ＭＦ３１９なる現像液で
６０秒のパドル現像を行ない、パターン２Ａを形成した
（第１図（ｄ））。
得られたパターン２Ａは、０．５μｍのライン・アンド
・スペースパターンであり、膜減りは１％程度であり、
形状はアスペクト比で８８″′という良好さであった。
・スペースパターンであり、膜減りは１％程度であり、
形状はアスペクト比で８８″′という良好さであった。
なお、本実施例に用いる本発明のパターン形成用コント
ラストエンハンスト材料の代わりに以下のごとき組成の
材料を用いた場合にも、同様の良好な結果が得られた。
ラストエンハンスト材料の代わりに以下のごとき組成の
材料を用いた場合にも、同様の良好な結果が得られた。
もちろん、本発明はこれらに限定されることはない。
（発明の効果）
本発明のコントラストエンハンスト材料は、１線光に対
して大きなコントラストエンハンスト効果を持ち、これ
をｉ線露光に用いることにより形状の良い微細パターン
が得られ、半導体素子製造の歩留まり向上につながり、
工業的価値が大きい。
して大きなコントラストエンハンスト効果を持ち、これ
をｉ線露光に用いることにより形状の良い微細パターン
が得られ、半導体素子製造の歩留まり向上につながり、
工業的価値が大きい。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例のコントラス
トエンハンスト材料（ＣＥＬ材料）を用いたパターン形
成方法の工程断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は従来のコ
ントラストエンハンスト材料を用いたパターン形成方法
の工程断面図である。 １・・・基板、 ２・・・ポジレジスト（Ｍ Ｐ １
４００）、３・・・本発明のＣＥＬ材料、 ５・・・マ
スク、６・・・ｊ線、 ２Ａ・・・パターン。 第 を 図 ２ボ一ジレジスト＋ＭＰ＋４００１
トエンハンスト材料（ＣＥＬ材料）を用いたパターン形
成方法の工程断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は従来のコ
ントラストエンハンスト材料を用いたパターン形成方法
の工程断面図である。 １・・・基板、 ２・・・ポジレジスト（Ｍ Ｐ １
４００）、３・・・本発明のＣＥＬ材料、 ５・・・マ
スク、６・・・ｊ線、 ２Ａ・・・パターン。 第 を 図 ２ボ一ジレジスト＋ＭＰ＋４００１
Claims (3)
- （１）基板上にレジストを塗布し、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒ＿１はアルキル
基またはフェニル基、Ｘ＿１、Ｘ＿２はハロゲン原子）
であらわされる化合物またはその塩化合物とポリマーと
水より成るパターン形成用コントラストエンハンスト材
料を塗布し、露光・現像を行なってパターンを形成する
パターン形成方法。 - （２）一般式▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒ＿
１はアルキル基またはフェニル基、Ｘ＿１、Ｘ＿２はハ
ロゲン原子）であらわされる化合物またはその塩化合物
とポリマーと水より成るパターン形成用コントラストエ
ンハンスト材料。 - （３）ポリマーが、ポリスチレンスルフォン酸またはポ
リスチレンスルフォン酸アンモニウムまたはポリビニル
ピロリドンである請求項（２）記載のパターン形成材料
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63177104A JPH0227358A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | パターン形成方法及びパターン形成用コントラストエンハンスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63177104A JPH0227358A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | パターン形成方法及びパターン形成用コントラストエンハンスト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227358A true JPH0227358A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16025218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63177104A Pending JPH0227358A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | パターン形成方法及びパターン形成用コントラストエンハンスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227358A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461591U (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-27 | ||
| US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
-
1988
- 1988-07-18 JP JP63177104A patent/JPH0227358A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461591U (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-27 | ||
| US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3963987B2 (ja) | フォトレジスト | |
| EP0161660B1 (en) | Pattern forming method and composition for pattern formation to be used therefor | |
| KR0150440B1 (ko) | 방사선 감수성 화합물, 이들로부터 제조된 방사선 감수성 혼합물 및 복사물질 | |
| JPH0262544A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JPS5968737A (ja) | ポジ型及びネガ型パタ−ンの同時形成方法 | |
| WO2001035167A1 (en) | Composition for antireflection coating | |
| JPH0227358A (ja) | パターン形成方法及びパターン形成用コントラストエンハンスト材料 | |
| US4292395A (en) | Photographic process of developing and etching an element containing a tin sulfide | |
| JPS62100751A (ja) | 自己整合パタ−ンの形成方法 | |
| JPH07117752B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPS61219038A (ja) | 感光剤及びそれを用いたパタ−ン形成方法 | |
| JPH0261640A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPH01241543A (ja) | ネガ型感光性組成物及びパタン形成方法 | |
| JP2626068B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP2626070B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| US5169741A (en) | Method for forming high sensitivity positive patterns employing a material containing a photosensitive compound having a diazo group, an alkaline-soluble polymer, a compound capable of adjusting the pH to 4 or less and a solvent | |
| KR100442571B1 (ko) | 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴형성 방법 | |
| JPH0299956A (ja) | パターン形成用コントラストエンハンスト材料 | |
| JPS61143744A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH03229255A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPS62215939A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2626067B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP2503211B2 (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS63298341A (ja) | パタ−ン形成材料 | |
| JPS61121053A (ja) | パタ−ン形成方法 |