JPH02273961A - リードフレームおよびそれを用いた混成集積回路 - Google Patents
リードフレームおよびそれを用いた混成集積回路Info
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- JPH02273961A JPH02273961A JP1095817A JP9581789A JPH02273961A JP H02273961 A JPH02273961 A JP H02273961A JP 1095817 A JP1095817 A JP 1095817A JP 9581789 A JP9581789 A JP 9581789A JP H02273961 A JPH02273961 A JP H02273961A
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- Japan
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- lead frame
- terminal
- terminals
- circuit chip
- connection
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07554—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
基板の両面に電極を設けた混成集積回路の電極接続構造
に関し、 回路チップの表裏両面の導体配線間をスルーホールを使
用しないで簡易に接続することを目的とし、 回路チップを搭載するリードフレームの相隣る２本の内
部リード端子が連結されてタイバーに接続した連結内端
子を、少なくとも１箇所に設けてリードフレームを構成
し、前記リードフレームのステージ上に両面配線回路チ
ップを搭載し、前記両面配線回路チップの表裏両面の導
体配線接続用端子と前記連結内端子の２本の内部リード
端子とを、それぞれボンディングワイヤで接続して前記
表裏両面の接続用端子間を短絡して混成集積回路を構成
する。
に関し、 回路チップの表裏両面の導体配線間をスルーホールを使
用しないで簡易に接続することを目的とし、 回路チップを搭載するリードフレームの相隣る２本の内
部リード端子が連結されてタイバーに接続した連結内端
子を、少なくとも１箇所に設けてリードフレームを構成
し、前記リードフレームのステージ上に両面配線回路チ
ップを搭載し、前記両面配線回路チップの表裏両面の導
体配線接続用端子と前記連結内端子の２本の内部リード
端子とを、それぞれボンディングワイヤで接続して前記
表裏両面の接続用端子間を短絡して混成集積回路を構成
する。
本発明は両面配線回路チップを用いた混成集積回路の端
子接続構造の改良に関する。
子接続構造の改良に関する。
近年、各種集積回路装置の集積度が増し、大規模化する
傾向がますます強くなってきた。これに伴い基板の両面
に導体配線を行い、さらに各種小形部品を搭載する、い
わゆる、両面実装方式が多く使用されるようになった。
傾向がますます強くなってきた。これに伴い基板の両面
に導体配線を行い、さらに各種小形部品を搭載する、い
わゆる、両面実装方式が多く使用されるようになった。
両面に配線された回路基板で重要な問題の一つは、表裏
両面に形成されている導体間を接続することであり、簡
易で、かつ、信頼性の高い両面の配線間の接続構造の開
発が求められていた。
両面に形成されている導体間を接続することであり、簡
易で、かつ、信頼性の高い両面の配線間の接続構造の開
発が求められていた。
第５図は従来の接続構造の一例を示す概観図である。図
中、１゛はアルミナ製セラミック板などを基板とした回
路チップで、２０は基板表面上に形成されている導体配
線の接続用端子、１０は図には示してない裏面配線との
導通を取るためのスルーホールであり、必要に応じて接
続用端子２０に隣接して所要数だけ配設されている。３
′はリードフレームで、中央部分に前記回路チップ１゛
をダイボンディングで搭載するステージ６が設けられて
いる。
中、１゛はアルミナ製セラミック板などを基板とした回
路チップで、２０は基板表面上に形成されている導体配
線の接続用端子、１０は図には示してない裏面配線との
導通を取るためのスルーホールであり、必要に応じて接
続用端子２０に隣接して所要数だけ配設されている。３
′はリードフレームで、中央部分に前記回路チップ１゛
をダイボンディングで搭載するステージ６が設けられて
いる。
４０は内部リード端子で、回路チップ１゛の接続用端子
２０とボンディングワイヤ７により接続される。５はリ
ードフレームを連結しておくためのタイバーで、モール
ド樹脂外装をしたあと切断・除去される。
２０とボンディングワイヤ７により接続される。５はリ
ードフレームを連結しておくためのタイバーで、モール
ド樹脂外装をしたあと切断・除去される。
第６図は従来のスルーホールによる両面配線基板の接続
構造図で、第５図の接続部分を拡大して理解しやすいよ
うに示したものである。
構造図で、第５図の接続部分を拡大して理解しやすいよ
うに示したものである。
同図（イ）は平面図、同図（ロ）はＡ−Ａ”断面図であ
る。
る。
接続用端子２０は、たとえば、Ａｇ／Ｐｄ系厚膜導体配
線８の末端の端子部に、＾Ｕ厚膜により形成されたポン
ディングパッドである。
線８の末端の端子部に、＾Ｕ厚膜により形成されたポン
ディングパッドである。
スルーホール１０は、たとえば、厚さ０．６５ｍｍのア
ルミナ基板に１１００ａφ程度の孔を穿ち、その内面を
金属導体で覆って表裏両面の導体配線８につながってい
るので、これによって、表裏両面の導体配線８は電気的
に接続されるのである。なお、スルーホール１０上の配
線接続部は直径２００μｍφ程度の大きさに広げて形成
されている。
ルミナ基板に１１００ａφ程度の孔を穿ち、その内面を
金属導体で覆って表裏両面の導体配線８につながってい
るので、これによって、表裏両面の導体配線８は電気的
に接続されるのである。なお、スルーホール１０上の配
線接続部は直径２００μｍφ程度の大きさに広げて形成
されている。
さらに、第５図と同様に両面配線されスルーホール１０
を設けた回路ちっプｌ゛をリードフレーム３′のステー
ジ６に搭載し、前記回路ちっプ１゜の接続用端子２０と
リードフレーム３゛の内部リード端子４０とをボンディ
ングワイヤ７で接続すると、スルーホール１０で接続さ
れた表裏両面の導体配線８をリードフレーム外端子９に
引き出すことができる。
を設けた回路ちっプｌ゛をリードフレーム３′のステー
ジ６に搭載し、前記回路ちっプ１゜の接続用端子２０と
リードフレーム３゛の内部リード端子４０とをボンディ
ングワイヤ７で接続すると、スルーホール１０で接続さ
れた表裏両面の導体配線８をリードフレーム外端子９に
引き出すことができる。
なお、最近は上記スルーホール以外に、孔の中を全て金
属で充填した、いわゆる、金属ビアも同様の目的で使用
される場合がある。
属で充填した、いわゆる、金属ビアも同様の目的で使用
される場合がある。
上記のスルーホールの形成には、たとえば、セラミック
基板にレーザなどで孔を明け、そこにＣｕペーストなど
により導体層を形成する方法、あるいは、焼成前のセラ
ミックシート、いわゆる、グリーンシートと呼ばれるも
のに孔を明け、同じくＣｕペーストなどの金属導体を埋
め込む等の方法が行なわれている。
基板にレーザなどで孔を明け、そこにＣｕペーストなど
により導体層を形成する方法、あるいは、焼成前のセラ
ミックシート、いわゆる、グリーンシートと呼ばれるも
のに孔を明け、同じくＣｕペーストなどの金属導体を埋
め込む等の方法が行なわれている。
しかし、前者の方法では、孔の中の導体層形成が不完全
で品質のバラツキが出やすい。
で品質のバラツキが出やすい。
また、後者の方法では、セラミック基板の焼成前に孔を
明けているので、高温焼成による基板の収縮があり、と
くに高密度、高精度の配線パターンのものに対しては、
基板の変形による孔の位置決めの困難さを生じるほか、
スルーホール部分の平坦性が悪くなるなど種々の問題が
あり、その解決が必要であった。
明けているので、高温焼成による基板の収縮があり、と
くに高密度、高精度の配線パターンのものに対しては、
基板の変形による孔の位置決めの困難さを生じるほか、
スルーホール部分の平坦性が悪くなるなど種々の問題が
あり、その解決が必要であった。
上記の課題は、回路チップ１を搭載するリードフレーム
の相隣る内部リード端子４ａおよび４ｂが連結されてタ
イバー５に接続した連結内端子４を、少なくとも１箇所
に設けたリードフレーム３を設け、前記リードフレーム
３のステージ６上に両面配線回路チップ１を搭載し、前
記両面配線回路チップ１の表裏両面の導体配線接続用端
子２ａおよび２ｂと前記連結内端子４の内部リード端子
４ａおよび４ｂとを、それぞれボンディングワイヤ７で
接続して前記表裏両面の接続用端子２ａと２ｂの間を短
絡して混成集積回路を構成することにより解決すること
ができる。
の相隣る内部リード端子４ａおよび４ｂが連結されてタ
イバー５に接続した連結内端子４を、少なくとも１箇所
に設けたリードフレーム３を設け、前記リードフレーム
３のステージ６上に両面配線回路チップ１を搭載し、前
記両面配線回路チップ１の表裏両面の導体配線接続用端
子２ａおよび２ｂと前記連結内端子４の内部リード端子
４ａおよび４ｂとを、それぞれボンディングワイヤ７で
接続して前記表裏両面の接続用端子２ａと２ｂの間を短
絡して混成集積回路を構成することにより解決すること
ができる。
本発明によれば、表裏両面の導体配線間の接続は、２本
のボンディングワイヤ７とリードフレーム３の連結内端
子４によって行なわれるので、回路チップ１にはスルー
ホールを形成する必要がないのである。
のボンディングワイヤ７とリードフレーム３の連結内端
子４によって行なわれるので、回路チップ１にはスルー
ホールを形成する必要がないのである。
第１図は本発明のリードフレームの実施例を説明する図
で、リードフレーム３には、たとえば、厚さ０．１ ｍ
ｍの調合金製の薄板を使用する。
で、リードフレーム３には、たとえば、厚さ０．１ ｍ
ｍの調合金製の薄板を使用する。
図中、４は連結内端子で、隣合った２本の内部リード端
子４ａと４ｂとがタイバー５とは別に図示のごとくショ
ートバーにより短絡されたＨ型の形状をなしている。６
は回路チップ１をグイボンディングするスデージで、本
発明では両面実装基板を対象としているので、裏面の実
装部の接触を避けるため、４分割ステージを用いている
。９はリードフレームの外端子である。
子４ａと４ｂとがタイバー５とは別に図示のごとくショ
ートバーにより短絡されたＨ型の形状をなしている。６
は回路チップ１をグイボンディングするスデージで、本
発明では両面実装基板を対象としているので、裏面の実
装部の接触を避けるため、４分割ステージを用いている
。９はリードフレームの外端子である。
図には連結内端子４が各辺に１つ一一形成されているも
のを示したが、必要に応じて２個以上、また、その位置
も任意に配置することができる。
のを示したが、必要に応じて２個以上、また、その位置
も任意に配置することができる。
また、本実施例は４辺からリードを出すリードフレーム
を示したが、その他、たとえば、対向する２辺からリー
ド端子を出す集積回路用リードフレームであっても適用
できることは言うまでもない。
を示したが、その他、たとえば、対向する２辺からリー
ド端子を出す集積回路用リードフレームであっても適用
できることは言うまでもない。
第２図は本発明の連結内端子の他の実施例を示す図であ
る。第１図ではＨ型の連結内端子を示したが、形状はそ
れに限定されるものではなく、多様な変形が考えられる
。たとえば、同図（イ）はフォーク型をなし、モールド
樹脂外装後のリード切断部のリード露出部を少なくする
ことができる。
る。第１図ではＨ型の連結内端子を示したが、形状はそ
れに限定されるものではなく、多様な変形が考えられる
。たとえば、同図（イ）はフォーク型をなし、モールド
樹脂外装後のリード切断部のリード露出部を少なくする
ことができる。
同図（ロ）は、第１図と同じくＨ型内端子であるが、外
端子が通常の端子ピッチで導出されており、モールド樹
脂外装後も遊び端子として、そのま−残しておけば外観
上も、また、デバイス支持の強度維持の点でも好ましい
ような場合に適している。
端子が通常の端子ピッチで導出されており、モールド樹
脂外装後も遊び端子として、そのま−残しておけば外観
上も、また、デバイス支持の強度維持の点でも好ましい
ような場合に適している。
その他、同図（ハ）〜（ホ）などの変形された連結内端
子を使用することができる。
子を使用することができる。
第３図は本発明のリードフレームを使用した接続構造の
実施例の詳細説明図で、同図（イ）は平面図、（ロ）は
Ａ−Ａ矢視図である。
実施例の詳細説明図で、同図（イ）は平面図、（ロ）は
Ａ−Ａ矢視図である。
図中、２ａは回路チップ１の表面の導体配線パターン８
の接続用端子で、ボンディングワイヤ７ａのポンディン
グパッドとして用いられる。２ｂは同じく回路チップ１
の裏面の導体配線パターン８の接続用端子で、ボンディ
ングワイヤ７ｂのポンディングパッドとして用いられる
。
の接続用端子で、ボンディングワイヤ７ａのポンディン
グパッドとして用いられる。２ｂは同じく回路チップ１
の裏面の導体配線パターン８の接続用端子で、ボンディ
ングワイヤ７ｂのポンディングパッドとして用いられる
。
同図（イ）の−点破線Ｂ−Ｂ’は、後で述べるモールド
樹脂外装の外縁部を示しており、その破線から左側は樹
脂に覆われる。また、そこから右側は外リードとなる部
分で、モールド樹脂外装の後タイバー５をカットしリー
ドの曲げ加工を行なう。
樹脂外装の外縁部を示しており、その破線から左側は樹
脂に覆われる。また、そこから右側は外リードとなる部
分で、モールド樹脂外装の後タイバー５をカットしリー
ドの曲げ加工を行なう。
回路チップ１の表面の接続用端子２ａと裏面の接続用端
子２ｂとは、ボンディングワイヤ７ａ。
子２ｂとは、ボンディングワイヤ７ａ。
７ｂ、およびフォーク型連結内端子４を通じて接続され
、上述のモールド樹脂外装後タイバー５をカットしても
、外装樹脂の内部において電気的に接続が保たれている
ことがわかる。
、上述のモールド樹脂外装後タイバー５をカットしても
、外装樹脂の内部において電気的に接続が保たれている
ことがわかる。
第４図は本発明による混成集積回路の実施例の外観図で
、１１はトランスファー成形によるモールド樹脂外装で
ある。Ｂ−Ｂ’の破線は前述のモールド樹脂外装の外縁
部である。連結内端子４は切断されて、切り口だけが外
装樹脂面に露出して見える。勿論、前記のごとく、これ
をカットせずに遊び端子として残しておいてもよいこと
は言うまでもない。
、１１はトランスファー成形によるモールド樹脂外装で
ある。Ｂ−Ｂ’の破線は前述のモールド樹脂外装の外縁
部である。連結内端子４は切断されて、切り口だけが外
装樹脂面に露出して見える。勿論、前記のごとく、これ
をカットせずに遊び端子として残しておいてもよいこと
は言うまでもない。
なお、本発明は混成集積回路だけでなく、半導体集積回
路にも適用できることは勿論である。
路にも適用できることは勿論である。
以上述べたように本発明によれば、基板にスルーホール
を設けることなく、両面配線回路チップの導体配線端子
間を、リードフレームの連結内端子により、極めて容易
に、かつ、確実に接続することができるので、混成集積
回路の高信頼度化と低価格化に寄与するところが極めて
大きい。
を設けることなく、両面配線回路チップの導体配線端子
間を、リードフレームの連結内端子により、極めて容易
に、かつ、確実に接続することができるので、混成集積
回路の高信頼度化と低価格化に寄与するところが極めて
大きい。
第１図は本発明のリードフレームの実施例を説明する図
、 第２図は本発明の連結内端子の他の実施例を示す図、 第３図は本発明のリードフレームを使用した接続構造の
実施例の詳細説明図、 第４図は本発明による混成集積回路の実施例の外観図、 第５図は従来の接続構造の一例を示す概観図、第６図は
従来のスルーホールによる両面配線基板の接続構造図で
ある。 図において、 １は回路チップ、 ２ （２ａ、２ｂ）は接続用端子、 ３はリードフレーム、 ４ａ、４ｂは相隣る内部リード端子、 ４は連結内端子、 ５はタイバー ６はステージ、 ７はボンディングワイヤ、 ８は導体配線、 ９はリードフレーム外端子、 １０はスルーホールである。 ４改、４ｂ：布Ｎ年ゴ円郭９−Ｆ拙翳子不實明のり一ド
フし一ムの突如例と説明１１国第 １ 図 男４１１ （＝） ＄そ８月の浬斧６内嶋子の泡の奥オ仁１便ｊ＆ホ■図男
２図 第 ５ｒ５！Ｊ
、 第２図は本発明の連結内端子の他の実施例を示す図、 第３図は本発明のリードフレームを使用した接続構造の
実施例の詳細説明図、 第４図は本発明による混成集積回路の実施例の外観図、 第５図は従来の接続構造の一例を示す概観図、第６図は
従来のスルーホールによる両面配線基板の接続構造図で
ある。 図において、 １は回路チップ、 ２ （２ａ、２ｂ）は接続用端子、 ３はリードフレーム、 ４ａ、４ｂは相隣る内部リード端子、 ４は連結内端子、 ５はタイバー ６はステージ、 ７はボンディングワイヤ、 ８は導体配線、 ９はリードフレーム外端子、 １０はスルーホールである。 ４改、４ｂ：布Ｎ年ゴ円郭９−Ｆ拙翳子不實明のり一ド
フし一ムの突如例と説明１１国第 １ 図 男４１１ （＝） ＄そ８月の浬斧６内嶋子の泡の奥オ仁１便ｊ＆ホ■図男
２図 第 ５ｒ５！Ｊ
Claims (2)
- （１）回路チップ（１）を搭載するリードフレームの相
隣る内部リード端子（４ａ、４ｂ）が連結されてタイバ
ー（５）に接続した連結内端子（４）を、少なくとも１
箇所に設けたことを特徴とするリードフレーム。 - （２）前記リードフレーム（３）のステージ（６）上に
両面配線回路チップ（１）を搭載し、前記両面配線回路
チップ（１）の表裏両面の導体配線接続用端子（２ａ、
２ｂ）と前記連結内端子（４）の内部リード端子（４ａ
、４ｂ）とを、それぞれボンディングワイヤ（７）で接
続して前記表裏両面の接続用端子（２ａ、２ｂ）間を短
絡したことを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1095817A JPH02273961A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | リードフレームおよびそれを用いた混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1095817A JPH02273961A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | リードフレームおよびそれを用いた混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02273961A true JPH02273961A (ja) | 1990-11-08 |
Family
ID=14147975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1095817A Pending JPH02273961A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | リードフレームおよびそれを用いた混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02273961A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5521428A (en) * | 1993-03-22 | 1996-05-28 | Motorola, Inc. | Flagless semiconductor device |
| DE19612392A1 (de) * | 1996-03-28 | 1997-10-02 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit Leiterrahmen |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP1095817A patent/JPH02273961A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5521428A (en) * | 1993-03-22 | 1996-05-28 | Motorola, Inc. | Flagless semiconductor device |
| DE19612392A1 (de) * | 1996-03-28 | 1997-10-02 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit Leiterrahmen |
| DE19612392B4 (de) * | 1996-03-28 | 2004-01-22 | Infineon Technologies Ag | Halbleiteranordnung mit Leiterrahmen |
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