JPH02274728A - 固体電解質 - Google Patents
固体電解質Info
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- JPH02274728A JPH02274728A JP1097872A JP9787289A JPH02274728A JP H02274728 A JPH02274728 A JP H02274728A JP 1097872 A JP1097872 A JP 1097872A JP 9787289 A JP9787289 A JP 9787289A JP H02274728 A JPH02274728 A JP H02274728A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Polyethers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体電解質に係り、帯電防止用材料や電池およ
び他の電気化学デバイス用材料として好適な固体電解質
に関するものである。
び他の電気化学デバイス用材料として好適な固体電解質
に関するものである。
固体電解質を帯電防止用材料や電池や電気化学的デバイ
スに応用していくためには良好なイオン伝導性を持つの
みならず、製膜性に優れていること、保存安定性が良好
であること、材料の製造が容易であることも必要である
。しかしながらこのような必要性能を総合的に満足する
固体電解質はこれまで全く開発されていなかった。たと
えば、Na−β−A It 20 ’sやl’J a
++xZ r 2P3−XS i X 012(0≦X
≦3)のような無機固体電解質は良好なイオン伝導性を
有することが知られている(エム・ニス・ウィッチイン
ガム(M、S、Whittingham)らジャーナル
オブ ケミカル フィジツクス(Journalof
Chemical Physics) 54巻414
頁(1971年)、エイ・クリアフィールド (八、C
1earf 1eld)らソリッド ステート イオニ
クス(Solid 5tateIonics) 9 /
10巻 895頁(1983年))が、機械的強度が
著しく弱く、可撓性膜への加工性に劣るという致命的欠
点をもっている。
スに応用していくためには良好なイオン伝導性を持つの
みならず、製膜性に優れていること、保存安定性が良好
であること、材料の製造が容易であることも必要である
。しかしながらこのような必要性能を総合的に満足する
固体電解質はこれまで全く開発されていなかった。たと
えば、Na−β−A It 20 ’sやl’J a
++xZ r 2P3−XS i X 012(0≦X
≦3)のような無機固体電解質は良好なイオン伝導性を
有することが知られている(エム・ニス・ウィッチイン
ガム(M、S、Whittingham)らジャーナル
オブ ケミカル フィジツクス(Journalof
Chemical Physics) 54巻414
頁(1971年)、エイ・クリアフィールド (八、C
1earf 1eld)らソリッド ステート イオニ
クス(Solid 5tateIonics) 9 /
10巻 895頁(1983年))が、機械的強度が
著しく弱く、可撓性膜への加工性に劣るという致命的欠
点をもっている。
ポリエチレンオキサイド(以下PEOと略す)は種々の
周期律表1a族又はla族に属する金属イオンの塩、た
とえばL i CF35O:l 、I−i I、L i
Coos 、Na I% Na CF*SOz、KC
F3803などと固体電解質として機能する錯体を形成
し、比較的良好なイオン伝導性を示しくたとえば、ピー
・ハーシスタ(+’、Vashista) らによっ
て、ファスト・イオン・トランスボー1〜イン・ソリッ
ド(Fast Ion Trarsport in 5
olid)、131頁(1979年)に報告されている
)、また高分子特有の粘弾性、柔軟性を具備しており、
加工性も良好であるとともに保存安定性も良好である。
周期律表1a族又はla族に属する金属イオンの塩、た
とえばL i CF35O:l 、I−i I、L i
Coos 、Na I% Na CF*SOz、KC
F3803などと固体電解質として機能する錯体を形成
し、比較的良好なイオン伝導性を示しくたとえば、ピー
・ハーシスタ(+’、Vashista) らによっ
て、ファスト・イオン・トランスボー1〜イン・ソリッ
ド(Fast Ion Trarsport in 5
olid)、131頁(1979年)に報告されている
)、また高分子特有の粘弾性、柔軟性を具備しており、
加工性も良好であるとともに保存安定性も良好である。
しかしながらPEOのイオン伝導性は温度依存性が大き
く、60℃以上では良好なイオン伝導性を示すものの2
0°C以下になるとイオン伝導性が著しく悪化してしま
い、広い温度領域でも使用できるような汎用性のある商
品に組込むことは困難であった。このようなPEO系固
体電解質の持つイオン伝導性が20℃以下で著しく悪化
するという問題を克服する方法として特開昭62−13
9266号に通常の分子量のPEOに分子量1000以
下の低分子量のPEOを混合して用いる方法が提案され
ている。しかしながら、この方法では従来の問題に対し
、木質的な解決手段を提供するに至っていない。すなわ
ち多量の低分子量PEOを混合すれば、20°C(−1
近のイオン伝導性は良化するものの製膜性の低下が著し
く、フィルム化が回動となってしまうものであった。低
分子量PEOを用いてイオン伝導性を向上させる方法と
して、ビニル系ポリマーの側鎖に低分子1PEOを導入
するという方法がデイ−・ジェイ・ハニスター(D、J
、Ban1ster) らによって、ポリマ(Pol
ymer)、25巻、1600頁(1984年)に、ま
たポリフォスフアゼンの側鎖に低分子IPE○を導入す
る方法がデイ−・エフ・シュライハ(D、F、5bri
ver)らによってジャーナJl/ ・オブアメリカン
・ケミカル・ソザエテイ (Journal ofAm
erican ChemicalSociety) 、
106巻、6852頁(1984年)に報告されている
。しかしながらこのような高分子材料はL i塩と錯体
を形成し、良好な製膜性を持つが、20℃以下でのイオ
ン伝導性が不充分であった。さらに、ポリシロキサンの
一部に低分子量PEOを導入した材料が渡辺らによって
ジャーナル・オブ・パワー・ソース(Journal
of PowerSources)、20巻、327頁
(1987年)に報告されているが、この材料は低分子
量PEOの導入率が低く、このため大量の高分子材料を
使用しなければ応用できないものであった。さらに、低
分子量PEOとシリコン化合物を交互に組合せた高分子
材料が長岡らによってジャーナル・オブ・ポリマー・サ
イエンス・ポリマー・レター・エデイジョン(Jour
nal of Polymer 5cience、、P
olymer Letter Edition) 、2
2巻、752頁(1982年)に、さらに特開昭602
164、62号ならびに60−216463号に報告さ
れており、又聞しくシリコン系の材料として、ピー・シ
ー・ホール(p、G、)fall) らによってポリ
マー・コミュニケーション(PolymerCommu
nication)、27巻、98頁(1986年)に
報告されている。これらの高分子材料は20°C以下の
低温から60°C以上の高温まで幅広い温度域にわたっ
て高イオン伝導性を与えている。しかし、これらの高分
子材料においては高分子材料の保存時や電子機器中で長
器にわたって使用する場合に分解による劣化を免れるこ
とができず、実用化していく上で著しく不利な材料であ
った。また仏画特許第2,568,574号に疎水基を
1本官する低分子量PROが示されている。しかじなが
ら、この材料は成膜性が不十分であり、固体フィルムと
して実用に供することは困難である。
く、60℃以上では良好なイオン伝導性を示すものの2
0°C以下になるとイオン伝導性が著しく悪化してしま
い、広い温度領域でも使用できるような汎用性のある商
品に組込むことは困難であった。このようなPEO系固
体電解質の持つイオン伝導性が20℃以下で著しく悪化
するという問題を克服する方法として特開昭62−13
9266号に通常の分子量のPEOに分子量1000以
下の低分子量のPEOを混合して用いる方法が提案され
ている。しかしながら、この方法では従来の問題に対し
、木質的な解決手段を提供するに至っていない。すなわ
ち多量の低分子量PEOを混合すれば、20°C(−1
近のイオン伝導性は良化するものの製膜性の低下が著し
く、フィルム化が回動となってしまうものであった。低
分子量PEOを用いてイオン伝導性を向上させる方法と
して、ビニル系ポリマーの側鎖に低分子1PEOを導入
するという方法がデイ−・ジェイ・ハニスター(D、J
、Ban1ster) らによって、ポリマ(Pol
ymer)、25巻、1600頁(1984年)に、ま
たポリフォスフアゼンの側鎖に低分子IPE○を導入す
る方法がデイ−・エフ・シュライハ(D、F、5bri
ver)らによってジャーナJl/ ・オブアメリカン
・ケミカル・ソザエテイ (Journal ofAm
erican ChemicalSociety) 、
106巻、6852頁(1984年)に報告されている
。しかしながらこのような高分子材料はL i塩と錯体
を形成し、良好な製膜性を持つが、20℃以下でのイオ
ン伝導性が不充分であった。さらに、ポリシロキサンの
一部に低分子量PEOを導入した材料が渡辺らによって
ジャーナル・オブ・パワー・ソース(Journal
of PowerSources)、20巻、327頁
(1987年)に報告されているが、この材料は低分子
量PEOの導入率が低く、このため大量の高分子材料を
使用しなければ応用できないものであった。さらに、低
分子量PEOとシリコン化合物を交互に組合せた高分子
材料が長岡らによってジャーナル・オブ・ポリマー・サ
イエンス・ポリマー・レター・エデイジョン(Jour
nal of Polymer 5cience、、P
olymer Letter Edition) 、2
2巻、752頁(1982年)に、さらに特開昭602
164、62号ならびに60−216463号に報告さ
れており、又聞しくシリコン系の材料として、ピー・シ
ー・ホール(p、G、)fall) らによってポリ
マー・コミュニケーション(PolymerCommu
nication)、27巻、98頁(1986年)に
報告されている。これらの高分子材料は20°C以下の
低温から60°C以上の高温まで幅広い温度域にわたっ
て高イオン伝導性を与えている。しかし、これらの高分
子材料においては高分子材料の保存時や電子機器中で長
器にわたって使用する場合に分解による劣化を免れるこ
とができず、実用化していく上で著しく不利な材料であ
った。また仏画特許第2,568,574号に疎水基を
1本官する低分子量PROが示されている。しかじなが
ら、この材料は成膜性が不十分であり、固体フィルムと
して実用に供することは困難である。
以上のように従来のPEOとアルカリ金属塩からなる固
体電解質では室温以下のイオン伝導度が著しく低いか又
は成膜性に著しく劣ってしまうか又は保存安定性が著し
く低いという3つの問題点を共に解決し満足せしめるこ
とができず、共に解決した固体電解質の提供が望まれて
いた。
体電解質では室温以下のイオン伝導度が著しく低いか又
は成膜性に著しく劣ってしまうか又は保存安定性が著し
く低いという3つの問題点を共に解決し満足せしめるこ
とができず、共に解決した固体電解質の提供が望まれて
いた。
(発明が解決しようとする課題)
本発明の第1の目的は室温以下でも高いイオン伝導性を
示す固体電解質を提供することにある。
示す固体電解質を提供することにある。
本発明の第2の目的は、室温以下でも高いイオン伝導性
を示し、かつ成膜性に優れた新規な、固体電解質を提供
することにある。
を示し、かつ成膜性に優れた新規な、固体電解質を提供
することにある。
前記の目的は、−分子中に少なくともポリアルキレンオ
キザイド(以下PAOとする)基、イオン性恭および疎
水基とを共に含有する両親媒性化合物と周期律表1a又
はII a族に属する金属イオンの塩を含有することを
特徴とする固体電解質により達成された。
キザイド(以下PAOとする)基、イオン性恭および疎
水基とを共に含有する両親媒性化合物と周期律表1a又
はII a族に属する金属イオンの塩を含有することを
特徴とする固体電解質により達成された。
本発明の一分子中にPAO基、イオン性および疎水基と
を併せもつ両親媒性化合物は低分子1pAO基を有する
ことから誘電率が高く、支持電解質を溶解、解離する能
力に優れている。また本発明の両親媒性化合物は親水基
としてPAO基の他にイオン性基を有することにより、
驚くべきことに低温でのイオン伝導度が大幅に向上した
。これは本発明の両親媒性化合物がイオン伝導に適した
PA○の局在部分を形成していることによると考えられ
る。
を併せもつ両親媒性化合物は低分子1pAO基を有する
ことから誘電率が高く、支持電解質を溶解、解離する能
力に優れている。また本発明の両親媒性化合物は親水基
としてPAO基の他にイオン性基を有することにより、
驚くべきことに低温でのイオン伝導度が大幅に向上した
。これは本発明の両親媒性化合物がイオン伝導に適した
PA○の局在部分を形成していることによると考えられ
る。
さらに本発明の化合物において一分子中に2本以上の疎
水基を有する両親媒性化合物は疎水基を1木だけ有する
両親媒性化合物と比べると、後者が水中でミセル会合体
を形成するのに対して前者は水中で安定な二分子膜会合
体を形成し、さらに前者の水溶液あるいはテトラヒドロ
フラン、アセトニトリル等の有機溶液からは、安定なキ
ャスト膜を形成しうる。これは本発明の化合物の中でも
非常に緻密で均一な薄膜の形成に2木以上の疎水基が大
きく寄与しており、すなわち−分子中に2本以上の疎水
基を有する化合物は、疎水基を一木だけ有する化合物と
は化学構造上は疎水基の数が異なっているだけだが、水
中での会合形状や安定性、またキャストフィルムの性質
(成膜のしやすさ、フィルム強度)などが改善されてい
るのは、生体膜を構成しているリン脂質(−分子中に2
氷量」−の疎水基を有する)と同様に特異な機能を持っ
ていると考えられる。
水基を有する両親媒性化合物は疎水基を1木だけ有する
両親媒性化合物と比べると、後者が水中でミセル会合体
を形成するのに対して前者は水中で安定な二分子膜会合
体を形成し、さらに前者の水溶液あるいはテトラヒドロ
フラン、アセトニトリル等の有機溶液からは、安定なキ
ャスト膜を形成しうる。これは本発明の化合物の中でも
非常に緻密で均一な薄膜の形成に2木以上の疎水基が大
きく寄与しており、すなわち−分子中に2本以上の疎水
基を有する化合物は、疎水基を一木だけ有する化合物と
は化学構造上は疎水基の数が異なっているだけだが、水
中での会合形状や安定性、またキャストフィルムの性質
(成膜のしやすさ、フィルム強度)などが改善されてい
るのは、生体膜を構成しているリン脂質(−分子中に2
氷量」−の疎水基を有する)と同様に特異な機能を持っ
ていると考えられる。
すなわち、本発明の化合物の中でも一分子中にPAOJ
J、イオン性基および2本以上の疎水基を有する両親媒
性化合物が低温でのイオン伝導性を悪化させることなく
成膜性を著しく向上させることができたことば、驚くべ
きことであるといえよつ。
J、イオン性基および2本以上の疎水基を有する両親媒
性化合物が低温でのイオン伝導性を悪化させることなく
成膜性を著しく向上させることができたことば、驚くべ
きことであるといえよつ。
本発明の両親媒性化合物について詳細に説明する。
PAO基としては、ポリエチレンオキザイド基又はポリ
プロビレンオキザイド基があげられる。
プロビレンオキザイド基があげられる。
疎水基としては、無極性の原子団を有する基が好ましく
、さらに好ましくは、炭素数1〜30の鎖状炭化水素基
、芳香族炭化水素基である。イオン性基としては、カチ
オン性、アニオン性又は双性イオン性基があげられる。
、さらに好ましくは、炭素数1〜30の鎖状炭化水素基
、芳香族炭化水素基である。イオン性基としては、カチ
オン性、アニオン性又は双性イオン性基があげられる。
本発明に用いることのできる一分子中にPAO基とイオ
ン性基および疎水基とを共に含有する両親媒性化合物の
好ましい両親媒性化合物は下記の一般式(T)又は(T
I)で表わすことができる。
ン性基および疎水基とを共に含有する両親媒性化合物の
好ましい両親媒性化合物は下記の一般式(T)又は(T
I)で表わすことができる。
ここでRは水素原子又はメチル基を表わず。
R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は同じで
あっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又は疎
水基を表す。ただしR,、R2、R3のうち1つ以上、
R,、R,、、R6、R7のうち1つ以上は疎水基であ
る。好ましくは、RR2、R:lのうち2つ以上、R4
、R5、R6、R7のうち2つ以上が疎水基である。
あっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又は疎
水基を表す。ただしR,、R2、R3のうち1つ以上、
R,、R,、、R6、R7のうち1つ以上は疎水基であ
る。好ましくは、RR2、R:lのうち2つ以上、R4
、R5、R6、R7のうち2つ以上が疎水基である。
疎水基としては、無極性の原子団を有する基であること
が好ましく、更に好ましくは、鎖状炭化水素基、芳香族
炭化水素基である。疎水基としては、炭素数1〜30の
疎水基が好ましい。
が好ましく、更に好ましくは、鎖状炭化水素基、芳香族
炭化水素基である。疎水基としては、炭素数1〜30の
疎水基が好ましい。
R1、R2、R3の炭素数の合計は6以上が好ましい。
R1、R2、R3の疎水基として更に好ましくは、炭素
数6〜30である。
数6〜30である。
R4、R5、R6、R7の炭素数の合羽は6以上が好ま
しく、更に好ましくは12以上である。
しく、更に好ましくは12以上である。
疎水基は具体的には、分枝があってもよいアルキル基(
エチル基、ヘキシル基、t−オクチル基、デシル基、ド
デシル基、ヘキサデシル基等)、アルケニル基(ドデセ
ニル基、ヘキサデセニル基等)、アルキニル基、アリー
ル基、アラルギル基及び、2価の連結基を介したアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラ
ルキル基があげられ葛。この2価の連結基としては ○−−NH−−CO−−CONH 3O2S O2N HC00 などがあげられる。
エチル基、ヘキシル基、t−オクチル基、デシル基、ド
デシル基、ヘキサデシル基等)、アルケニル基(ドデセ
ニル基、ヘキサデセニル基等)、アルキニル基、アリー
ル基、アラルギル基及び、2価の連結基を介したアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラ
ルキル基があげられ葛。この2価の連結基としては ○−−NH−−CO−−CONH 3O2S O2N HC00 などがあげられる。
疎水基はいずれも置換基を有していてもよい。
代表的な置換基としてはハロゲン原子(塩素、臭素、フ
ッ素など)、アルコキシ基等があげられ、またアリール
基やアラルキル基中のフェニル基の置換基としてはアル
キル基、アルケニル基、ヒドロキシ基、シアン基、アル
コキシ基、ニトロ基、アルキルスルホンアミド基、アル
ケニルスルホンアミド基、アルキルスルファモイル基、
アルケニルスルファモイル基、アルキルカルボニル基、
アルケニルカルボニル基、アルキルカルボンアミド基、
アルケニルカルボンアミド基、アルキルカルCO ハモイル基、アルケニルカルバモイル基、アルキルオキ
シカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基等があ
げられる。
ッ素など)、アルコキシ基等があげられ、またアリール
基やアラルキル基中のフェニル基の置換基としてはアル
キル基、アルケニル基、ヒドロキシ基、シアン基、アル
コキシ基、ニトロ基、アルキルスルホンアミド基、アル
ケニルスルホンアミド基、アルキルスルファモイル基、
アルケニルスルファモイル基、アルキルカルボニル基、
アルケニルカルボニル基、アルキルカルボンアミド基、
アルケニルカルボンアミド基、アルキルカルCO ハモイル基、アルケニルカルバモイル基、アルキルオキ
シカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基等があ
げられる。
L、は2価の連結基を表す。
L、の例としては、置換されてもよい炭素数1〜25(
好ましくは1〜6)のアルキレン基、アラルキレン基、
アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、−0
−−N H−−C0CONH−−3o□−S O2N
H COO−−0CO−−−L5CO L 5CON HL s S O2L s S 08N
HLSCOO−−L、0CO−2などが挙げられる。L
、は炭素数1〜25 (好ましくは1〜6)のアルキレ
ン基、アラルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン
基、アリーレン基であり、置換されてもよい。代表的置
換基としては、炭素数1〜8のアルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基である。
好ましくは1〜6)のアルキレン基、アラルキレン基、
アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、−0
−−N H−−C0CONH−−3o□−S O2N
H COO−−0CO−−−L5CO L 5CON HL s S O2L s S 08N
HLSCOO−−L、0CO−2などが挙げられる。L
、は炭素数1〜25 (好ましくは1〜6)のアルキレ
ン基、アラルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン
基、アリーレン基であり、置換されてもよい。代表的置
換基としては、炭素数1〜8のアルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基である。
L3は、L5と同義である。
R1]は炭素数1〜3のアルキル基を表わす。
Mは疎水基と連結する二価〜四価の連結基を表わし、好
ましくは、 あげられる。
ましくは、 あげられる。
(L z−)−ii−+L 、)−、Mとして好ましく
はCH□−−O−−SO□NH−−−OCOCOO−な
どがあげられる。
はCH□−−O−−SO□NH−−−OCOCOO−な
どがあげられる。
L2はn個の(X−L、+○CHCH2→韻基と連結す
るfi+1価の連結基を表わし、好ましくHI は、−N H−1−N−1−o−−co。
るfi+1価の連結基を表わし、好ましくHI は、−N H−1−N−1−o−−co。
0CO−1−CO−−CON )I
NHC’0
ZΦ000−8双性イオン性基としては2H5
C−CH2−−〇−−0CO−などがあCH2
げられる。
mは3〜30の整数を示し、nは1〜3の整数を示ず。
P、lは0又は1である。
Xはカチオン性、アニオン性又は双性イオン性のイオン
性基を表わし、カチオン性基としてはアニオン性基とし
ては、z@o、s H 等があげられる。ここでYoはアニオンを表わしハロゲ
ンイオン(例えば、臭素イオン、塩素イオン、ヨウ素イ
オン)、Cl104゜、R1−C0o0Rq S (
):+” 、B Fa”が好ましい。
性基を表わし、カチオン性基としてはアニオン性基とし
ては、z@o、s H 等があげられる。ここでYoはアニオンを表わしハロゲ
ンイオン(例えば、臭素イオン、塩素イオン、ヨウ素イ
オン)、Cl104゜、R1−C0o0Rq S (
):+” 、B Fa”が好ましい。
R9、R,。、R1+はそれぞれ同じでも異なっていて
もよく、水素原子、炭素数1〜15のアルキル基、アル
ケニル基、アリール基、アラルキル基等を表わし、好ま
しくは炭素数1〜10のアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基である。またこれらの基は縮環していてもよい
。またこれらの基は置換基を有してもよく、置換基の例
としてはR+ 、R2、R3、Raで述べたものがあげ
られる。Z@はカチオンを表わしNaΦ、KΦ、LiΦ
が好ましく、L、は炭素数1〜6でアルキレン基を表わ
す。
もよく、水素原子、炭素数1〜15のアルキル基、アル
ケニル基、アリール基、アラルキル基等を表わし、好ま
しくは炭素数1〜10のアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基である。またこれらの基は縮環していてもよい
。またこれらの基は置換基を有してもよく、置換基の例
としてはR+ 、R2、R3、Raで述べたものがあげ
られる。Z@はカチオンを表わしNaΦ、KΦ、LiΦ
が好ましく、L、は炭素数1〜6でアルキレン基を表わ
す。
次に、両親媒性化合物の代表例を示すが、もちろんこれ
らに限定されるものではない。
らに限定されるものではない。
化合物例1 (C−1)
C11□0−C+al13:+
化合物例2
(C
化合物例3
(C
r
化合物例4 (C−4)
化合物例5 (C−5)
CH,−0−C,□I(25
NaOC−CIIzCIIzC(0CII2CH2+
zoo−CHz−C1l−0−C+ 2H25]111 化合物例6 (C−6) C113C11゜−COO−CI411□。
zoo−CHz−C1l−0−C+ 2H25]111 化合物例6 (C−6) C113C11゜−COO−CI411□。
eOC−Cl1zC1l 2−N−C112C82G(
−QC)I 2C1+ 2 *πN11−CH−COO
−C+ J 2 ql 1 II OC1h 0 化合物例7 (C−7) I0 化合物例9 (C 化合物例13 (C C1(3 化合物例10 (C 化合物例1 ■ (C 化合物例14 (C CIe CH2−Nll + CIl2 + 110−CI 0
112(Clhll 3N−CIIZC(0CII□C
I□+]10 CI10 C1h−
N11+Cl1zす5o−CIoL。
−QC)I 2C1+ 2 *πN11−CH−COO
−C+ J 2 ql 1 II OC1h 0 化合物例7 (C−7) I0 化合物例9 (C 化合物例13 (C C1(3 化合物例10 (C 化合物例1 ■ (C 化合物例14 (C CIe CH2−Nll + CIl2 + 110−CI 0
112(Clhll 3N−CIIZC(0CII□C
I□+]10 CI10 C1h−
N11+Cl1zす5o−CIoL。
化合物例12
(C
化合物例1
(C
Cβ0
CH2−0−CI61133
(Clh) 3N−C11゜C(−OC11□C11□
±110−C−0−C+6113z0 、
、 C)+2−O−CI61133化合物例
16 (C 化合物例21 (C C1ls ClI
2−0−CI al13i。l Br0110cIIzcIIz−N−(−CIl2−)
3CO+oc112co、→]T倶CII1lz C1l□−0−CIJh3 化合物例17(C−17) Br” (C11:+)+N−C11zC11□−CO
(OCII□C)lz+eo−C+Jla*CI+3 化合物例18 (C BreHO−CHzCIh−N+c11z→−3CO(
−OCII2CI12→]了OCO−C+ s I+
31C,l+9(t) 化合物例23 (C 化合物例19(C−19) C11□0−CI61133 Bre (CIl3) 5N−CHzCIIzCII
zC+ 0CIIzCIlz 鞘0CI1OC1I□O
−C+61h3 lh 化合物例20 (c−20) 。
±110−C−0−C+6113z0 、
、 C)+2−O−CI61133化合物例
16 (C 化合物例21 (C C1ls ClI
2−0−CI al13i。l Br0110cIIzcIIz−N−(−CIl2−)
3CO+oc112co、→]T倶CII1lz C1l□−0−CIJh3 化合物例17(C−17) Br” (C11:+)+N−C11zC11□−CO
(OCII□C)lz+eo−C+Jla*CI+3 化合物例18 (C BreHO−CHzCIh−N+c11z→−3CO(
−OCII2CI12→]了OCO−C+ s I+
31C,l+9(t) 化合物例23 (C 化合物例19(C−19) C11□0−CI61133 Bre (CIl3) 5N−CHzCIIzCII
zC+ 0CIIzCIlz 鞘0CI1OC1I□O
−C+61h3 lh 化合物例20 (c−20) 。
■
CIl:l CI+20CC171135
CβO,。(CH3)1NC112C112(−OC1
1CII□→−1□0−CI+CIl□0CC1711
35 化合物例25 (C−25) ceθ (C1131hNCH2C112C+0C11
2CH2−)−BOC−CII2CI12 CI+2
0CI6+1JJ酊 OCR−0−CH Ce e(CH3) JC112CII2C+ 0CI
IzCIlz + 80C−CII2CII2 CH
zOC+bH3z化合物例26 (C−26) II CA e(CH3) 3NC11□C112C−(−O
CII2CII2−)−eOcCj! e(CIL+)
3NC1lzC1hC+0CtlzCIlz+ 1l
OcCIl□C82C1120CI6)+33C11−
0−C−OC16H33 C1I□C112CH□OC+61h3化合物例27
(C−27) 周期律表のIa族又はIla族に属する金属イオンとし
てはリチウム、ナトリウム、カリウムのイオンが好まし
く、代表的な金属イオンの塩としてはL i CF 3
S O:l 、L i P F 6 、L I CII
O4、L i TXL 1BF4、L i CF3C
O□、Li5CN。
CβO,。(CH3)1NC112C112(−OC1
1CII□→−1□0−CI+CIl□0CC1711
35 化合物例25 (C−25) ceθ (C1131hNCH2C112C+0C11
2CH2−)−BOC−CII2CI12 CI+2
0CI6+1JJ酊 OCR−0−CH Ce e(CH3) JC112CII2C+ 0CI
IzCIlz + 80C−CII2CII2 CH
zOC+bH3z化合物例26 (C−26) II CA e(CH3) 3NC11□C112C−(−O
CII2CII2−)−eOcCj! e(CIL+)
3NC1lzC1hC+0CtlzCIlz+ 1l
OcCIl□C82C1120CI6)+33C11−
0−C−OC16H33 C1I□C112CH□OC+61h3化合物例27
(C−27) 周期律表のIa族又はIla族に属する金属イオンとし
てはリチウム、ナトリウム、カリウムのイオンが好まし
く、代表的な金属イオンの塩としてはL i CF 3
S O:l 、L i P F 6 、L I CII
O4、L i TXL 1BF4、L i CF3C
O□、Li5CN。
Na CF3SO3、Na Iz Na CIt04
、Na BF4、NaAS F6 、KCF3SO3、
KSCN、、KPFb、I<Cp○a 、KA s F
bなどが挙げられる。更に好ましくは上記のLi塩であ
る。これらは1種又は2種以上を混合してもよく、また
NBu4BFaなどのような他の電解質と混合して使用
してもよい。
、Na BF4、NaAS F6 、KCF3SO3、
KSCN、、KPFb、I<Cp○a 、KA s F
bなどが挙げられる。更に好ましくは上記のLi塩であ
る。これらは1種又は2種以上を混合してもよく、また
NBu4BFaなどのような他の電解質と混合して使用
してもよい。
一分子中にPAO基とイオン性基および少なくとも2木
の疎水性基とを共に含有する両親媒性化合物と周期律表
Ia族又はNa族に属する金属イオンの塩の比率はPE
O単位が金属イオンの塩の2〜50倍の比率で含有され
るのが好ましい。さらに好ましくは6〜30倍である。
の疎水性基とを共に含有する両親媒性化合物と周期律表
Ia族又はNa族に属する金属イオンの塩の比率はPE
O単位が金属イオンの塩の2〜50倍の比率で含有され
るのが好ましい。さらに好ましくは6〜30倍である。
本発明の固体電解質は一分子中にPAO基とイオン性基
および疎水基とを共に含有する両親媒性化合物とアルカ
リ金属イオンの塩以外にさらに別の成分を添加して用い
ることもできる。添加できる成分としては、高分子化合
物、他の両親媒性化合物が代表的なものである。
および疎水基とを共に含有する両親媒性化合物とアルカ
リ金属イオンの塩以外にさらに別の成分を添加して用い
ることもできる。添加できる成分としては、高分子化合
物、他の両親媒性化合物が代表的なものである。
高分子化合物としては以下に代表例を示すものが用いら
れるが、これらに限定されるわけではなく、本発明の両
親媒性化合物と相溶しうるちのを好ましく用いることが
できる。
れるが、これらに限定されるわけではなく、本発明の両
親媒性化合物と相溶しうるちのを好ましく用いることが
できる。
化合物例(P−1)
(−CHz −CH→−0
0COCHx
化合物例(P−2)
(−CH2−CH−)。
Cβ
化合物例(P −4)
CI(+
(−CH2−C−)−。
C00CI(3
また、本発明の両親媒性化合物の他に以下に示す両親媒
性化合物を本発明の効果を奏する程度に併用することが
できるが、もらろん以下のものに限定されるわけではな
い。
性化合物を本発明の効果を奏する程度に併用することが
できるが、もらろん以下のものに限定されるわけではな
い。
化合物例(M−1)
CIbHz30+CHzCIlz O−>+sCH:
+化合物例(M−2) CI2H2S O+ CH2CH□0→−3゜CI
2 H2S化合物例(M−3) 化合物例(P −(−c H2 化合物例(P (−CH H3 CHzOす1 CH20+− 溶媒としては、−船釣に非水溶媒系電池に用いうる溶媒
が用いられるが、代表例としてはアセトニトリル、ヘン
ジニトリル等のニトリル類、プロピレンカーボネート、
エチレンカーボネーI・等のカーボネ−1・類:テトラ
ヒドロフラン、3−メチル−テトラヒドロフラン、2−
メチル−テトラヒドロフラン、テトラハイドロピラン、
■、3−ジオキサン、■、4−ジオキソラン、1,2−
ジメトキシエタン等のエーテル頚;γ−ブチロラクトン
、δ−ブチロラクトン等のラクトン類ニジメチルスルホ
キシド、テ1−ラメチレンザルフォン、ジメチルホルム
アミド等があげられるが、必ずしもこれらに限定される
ものではない。これらの溶媒は、1種または2種以上を
混合して使用してもよい。
+化合物例(M−2) CI2H2S O+ CH2CH□0→−3゜CI
2 H2S化合物例(M−3) 化合物例(P −(−c H2 化合物例(P (−CH H3 CHzOす1 CH20+− 溶媒としては、−船釣に非水溶媒系電池に用いうる溶媒
が用いられるが、代表例としてはアセトニトリル、ヘン
ジニトリル等のニトリル類、プロピレンカーボネート、
エチレンカーボネーI・等のカーボネ−1・類:テトラ
ヒドロフラン、3−メチル−テトラヒドロフラン、2−
メチル−テトラヒドロフラン、テトラハイドロピラン、
■、3−ジオキサン、■、4−ジオキソラン、1,2−
ジメトキシエタン等のエーテル頚;γ−ブチロラクトン
、δ−ブチロラクトン等のラクトン類ニジメチルスルホ
キシド、テ1−ラメチレンザルフォン、ジメチルホルム
アミド等があげられるが、必ずしもこれらに限定される
ものではない。これらの溶媒は、1種または2種以上を
混合して使用してもよい。
本発明の固体電解質は室温で動作する電池をはじめ、エ
レクトロクロミック表示装置、コンデンサーなど各種電
気化学デバイス用の固体電解質材料として、あるいは種
々の静電気防止剤として利用できる。
レクトロクロミック表示装置、コンデンサーなど各種電
気化学デバイス用の固体電解質材料として、あるいは種
々の静電気防止剤として利用できる。
本発明の代表的な合成例を次に示す。
合成例 化合物例1 (C−1)の合成(1) グ
リセロール−1,3−ジヘキサデシルエテルの合成 エピクロルヒドリン4.6g (0,05mol)、
ヘキサデシルアルコール121 g (0,5mol)
、50%油性水素化ナトリウム2.9g (0,OGm
ol)を混合し、60℃にて5時間撹拌反応した。
リセロール−1,3−ジヘキサデシルエテルの合成 エピクロルヒドリン4.6g (0,05mol)、
ヘキサデシルアルコール121 g (0,5mol)
、50%油性水素化ナトリウム2.9g (0,OGm
ol)を混合し、60℃にて5時間撹拌反応した。
反応後、濃塩酸l mlを加えて中和し、水500mf
fを加えた後エーテル800m1で目的物を抽出した。
fを加えた後エーテル800m1で目的物を抽出した。
水洗、乾燥後エーテルおよび過剰のヘキサデシルアルコ
ールを留去し、残差をエタノールから再結晶した。
ールを留去し、残差をエタノールから再結晶した。
収量 8.2g(収率54.9%)
m、p、 44.5〜46°C
化学構造はNMR8IR1元素分析、TLcにて確認し
た。
た。
(2) ω+1.3−ジヘキサデシルオギシ)グリセ
リルオキシポリエチレンオキシドの合成グリセロール−
1,3−ジヘキザデシルエーテル8 g (0,027
mol)、水酸化ナトリウム0゜1gを反応容器に入れ
、約100°Cにて激しく撹拌しながらエチレンオキシ
ドを吹き込んだ。系の重量変化を追跡し、目的の付加モ
ル数になった時点で吹き込みを終了した。反応終了後、
冷却してトルエン50m1を加えて溶解し、水洗(食塩
水30m1!x2)した後、トルエン層を乾燥、トルエ
ン留去して白色ワックス状固体を得た。
リルオキシポリエチレンオキシドの合成グリセロール−
1,3−ジヘキザデシルエーテル8 g (0,027
mol)、水酸化ナトリウム0゜1gを反応容器に入れ
、約100°Cにて激しく撹拌しながらエチレンオキシ
ドを吹き込んだ。系の重量変化を追跡し、目的の付加モ
ル数になった時点で吹き込みを終了した。反応終了後、
冷却してトルエン50m1を加えて溶解し、水洗(食塩
水30m1!x2)した後、トルエン層を乾燥、トルエ
ン留去して白色ワックス状固体を得た。
収量 19.8g(収率75%)
化学構造はNMR1■R1元素分析にて確認した。
(3) ω+1,3−ジヘキザデシルオキシ)グリセ
リルオキシ=ω′+4−ブロモブチリル)ポリエチレン
オキシドの合成 ω(−1,3−ジヘキザデシルオキシ)グリセリルオキ
シポリエチレンオキシド5g (5,1mmol)、ト
リエチルアミン0. 6g (6mmol>を酢酸エチ
ル40m1に’t6 Mし、0〜5℃にて、4−)゛ロ
モフ゛チリルクロリF 1. 2 g (6,5mmo
l)を滴下した。滴下後2時間室温撹拌した。反応後、
不溶物を濾過し濾液を濃縮して白色固体を得た。ヘキシ
ン2QmRを加えて目的物を抽出し、揮発分を完全留去
して目的物を得た。
リルオキシ=ω′+4−ブロモブチリル)ポリエチレン
オキシドの合成 ω(−1,3−ジヘキザデシルオキシ)グリセリルオキ
シポリエチレンオキシド5g (5,1mmol)、ト
リエチルアミン0. 6g (6mmol>を酢酸エチ
ル40m1に’t6 Mし、0〜5℃にて、4−)゛ロ
モフ゛チリルクロリF 1. 2 g (6,5mmo
l)を滴下した。滴下後2時間室温撹拌した。反応後、
不溶物を濾過し濾液を濃縮して白色固体を得た。ヘキシ
ン2QmRを加えて目的物を抽出し、揮発分を完全留去
して目的物を得た。
収量 4.2g (収率73%)
化学構造は、NMR1IR1元素分析にて確認した。
(4)化合物例1 (C−1)の合成ω+13−ジヘ
キサデシルオキシ)グリセリルオキシ−ω′+4−ブロ
モブチリル)ポリエチレンオキシド4 g (3,6m
mol)をアセトニトリル液35mmolを加えて48
時間室温撹拌した。反応後、溶媒を減圧留去して淡かっ
色粘稠固体を得た。
キサデシルオキシ)グリセリルオキシ−ω′+4−ブロ
モブチリル)ポリエチレンオキシド4 g (3,6m
mol)をアセトニトリル液35mmolを加えて48
時間室温撹拌した。反応後、溶媒を減圧留去して淡かっ
色粘稠固体を得た。
収fi4.1g(収率95%)
化学増感は、NMR,IR、元素分析にて確認した。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
実施例1
化合物例1 (C−1)とLiCβ04を表1に示した
組成比になるよ・うにアセトニトリルに室温で溶解させ
た。このときC−1の濃度は54%であった。次にこの
溶液をステンレス板上にキャスティングし、その後溶媒
を乾燥窒素ガスフロー中でゆっくりと蒸発させ、さらに
真空下(10−3〜10−’torr)で100°C1
24時間処理し、溶媒を完全に除去して均一な薄膜■、
010(厚さ10100−2001)を得た。
組成比になるよ・うにアセトニトリルに室温で溶解させ
た。このときC−1の濃度は54%であった。次にこの
溶液をステンレス板上にキャスティングし、その後溶媒
を乾燥窒素ガスフロー中でゆっくりと蒸発させ、さらに
真空下(10−3〜10−’torr)で100°C1
24時間処理し、溶媒を完全に除去して均一な薄膜■、
010(厚さ10100−2001)を得た。
更に、化合物例1 ((、−1)のかわりに化合物例
3 (C−3)に、L ICe Oa (7)かわりに
I、iCF、、SO3におきかえた以外は同一である薄
膜O,o、[F]を作成した。
3 (C−3)に、L ICe Oa (7)かわりに
I、iCF、、SO3におきかえた以外は同一である薄
膜O,o、[F]を作成した。
比較として、実施例1の化合物例1 (C−1)のか
わりに特開昭62−47713号に記載された下記の化
合物(D−1)におきかえた以外は実施例1と同一であ
る薄膜■、O,oを作成した。
わりに特開昭62−47713号に記載された下記の化
合物(D−1)におきかえた以外は実施例1と同一であ
る薄膜■、O,oを作成した。
(D−1)
PEO”’ (Mw=60,000) / P EO”
(Mw=600)=2/1混合物 *1 日本油脂製 このようにして得た薄膜についてステンレス/薄膜/ス
テンレスからなる試料を作成し、0.1Hz〜10万H
zでインピーダンスを測定(測定温度25°C)シ、C
o11e−Coleプロットからイオン伝導度を求めた
。
(Mw=600)=2/1混合物 *1 日本油脂製 このようにして得た薄膜についてステンレス/薄膜/ス
テンレスからなる試料を作成し、0.1Hz〜10万H
zでインピーダンスを測定(測定温度25°C)シ、C
o11e−Coleプロットからイオン伝導度を求めた
。
また成膜性は以下の方法で評価した。25℃に72 c
m X 2 cmの石英基板の間にキャストフィルムを
挟み、1 kgの荷重をかけて24時間放置した。
m X 2 cmの石英基板の間にキャストフィルムを
挟み、1 kgの荷重をかけて24時間放置した。
次に荷重を取り除いて石英基板をはがし、石英基板に接
着した部分の面積を計算した。成膜性の評価は次の基準
に従って行なった。
着した部分の面積を計算した。成膜性の評価は次の基準
に従って行なった。
ランクA 接着部分の面積割合が 0〜10%B
11〜25%C26〜50% D 51〜75%B
76%以上接着部分の面積割合の少な
いランクAやBの方が成膜性に優れている。
11〜25%C26〜50% D 51〜75%B
76%以上接着部分の面積割合の少な
いランクAやBの方が成膜性に優れている。
上記の評価結果を表1に示した。
表1
■ CI LiCao4’ 8 1.lX10
−’(e 16 8.9
x 10−’O327,8xlO−5 Q C−3LiCF35Oa 8 6.1
xlO−’[F] // 16
5.5XIO−5(E)
32 4.0X10−5■ D I Li
clo< 8 2.8X10−’◎
16 2.5 X 10−’@
l/ 32 1.2X10
−’表1かられかるように本発明の実施例■〜[F]は
室温付近でのイオン伝導度も高く、比較例■〜0に比べ
て成膜性に優れている。
−’(e 16 8.9
x 10−’O327,8xlO−5 Q C−3LiCF35Oa 8 6.1
xlO−’[F] // 16
5.5XIO−5(E)
32 4.0X10−5■ D I Li
clo< 8 2.8X10−’◎
16 2.5 X 10−’@
l/ 32 1.2X10
−’表1かられかるように本発明の実施例■〜[F]は
室温付近でのイオン伝導度も高く、比較例■〜0に比べ
て成膜性に優れている。
実施例2
化合物例4 (C−4)とL i Cj! Oaとを表
2の組成比になるようにテトラヒドロフランに室温で溶
解させた。このときC−4の濃度は54%であった。次
にごの?容7夜をステンレス牟反」二にキャスティング
し、その後溶媒を乾燥窒素ガスフロー中でゆっくりと蒸
発させ、さらに真空下(10−’〜10−’torr)
で100°C24時間処理じ、溶媒を完全に除去して均
一な薄膜(厚さ100〜20−0μm)O20、■を作
成した。
2の組成比になるようにテトラヒドロフランに室温で溶
解させた。このときC−4の濃度は54%であった。次
にごの?容7夜をステンレス牟反」二にキャスティング
し、その後溶媒を乾燥窒素ガスフロー中でゆっくりと蒸
発させ、さらに真空下(10−’〜10−’torr)
で100°C24時間処理じ、溶媒を完全に除去して均
一な薄膜(厚さ100〜20−0μm)O20、■を作
成した。
更に化合物例4 (C−4)のかわりに化合物例17(
C−17)におきかえた以外は同一である薄膜■、■を
作成した。
C−17)におきかえた以外は同一である薄膜■、■を
作成した。
比較として化合物例4 (C−4)のかわりに仏間特許
第2,568,574号に記載された下記の化合物(D
−2)におきかえた以外は同一である薄膜■、■を作成
した。
第2,568,574号に記載された下記の化合物(D
−2)におきかえた以外は同一である薄膜■、■を作成
した。
(D−2)
H’−(−OCR2CH2−)SoCH2CH20−C
,8H,7各薄膜について実施例1と同様にイオン伝導
度と成膜性について評価し、その結果を表2に示した。
,8H,7各薄膜について実施例1と同様にイオン伝導
度と成膜性について評価し、その結果を表2に示した。
表2
/Li (37cm、25°C)
QC−4LiCβOa 8 1.9X1
0−’e // 16
9.lX10−’■
32 9.OX 10−5■ (、−
1782,5X10−’ ■ 16 2.0
xlO−’■ D −283,2xlO−5 @ 16 1
.7 X 10−5表2かられかるように実施例O10
、■は室温付近でのイオン伝導度も高く、かつ比較例@
、■に比べて成膜性に著しく優れている。また実施例■
、■は比較例■、■に比べて室温付近でのイオン伝導度
が優れている。
0−’e // 16
9.lX10−’■
32 9.OX 10−5■ (、−
1782,5X10−’ ■ 16 2.0
xlO−’■ D −283,2xlO−5 @ 16 1
.7 X 10−5表2かられかるように実施例O10
、■は室温付近でのイオン伝導度も高く、かつ比較例@
、■に比べて成膜性に著しく優れている。また実施例■
、■は比較例■、■に比べて室温付近でのイオン伝導度
が優れている。
本発明によると、室温付近でのイオン伝導度が高い固体
電解質を得ることができる。さらには、室温付近でのイ
オン伝導度が高く、かつ成膜性にも優れた固体電解質を
得ることができる。
電解質を得ることができる。さらには、室温付近でのイ
オン伝導度が高く、かつ成膜性にも優れた固体電解質を
得ることができる。
Claims (2)
- (1)1分子中に少なくとも、ポリアルキレンオキサイ
ド基、イオン性基及び疎水基とを共に含有する両親媒性
化合物と周期律表Ia又はIIa族に属する金属イオンの
塩を含有することを特徴とする固体電解質。 - (2)両親媒性化合物が疎水基を少なくとも2本以上含
有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の固
体電解質。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1097872A JPH02274728A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 固体電解質 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1097872A JPH02274728A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 固体電解質 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02274728A true JPH02274728A (ja) | 1990-11-08 |
Family
ID=14203840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1097872A Pending JPH02274728A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 固体電解質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02274728A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0728737A1 (en) * | 1995-02-24 | 1996-08-28 | Kao Corporation | Quaternary ammonium salt, method for production thereof, and softener composition using salt |
| WO1997008215A1 (en) * | 1995-08-23 | 1997-03-06 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Novel acrylates, novel allyl ethers, novel allyl carbonates, acrylate polymers, allyl ether polymers, allyl carbonate polymers, and solid polyelectrolytes |
| WO2004102692A3 (en) * | 2003-05-13 | 2005-02-03 | Univ Sheffield | Polymer electrolyte complex |
| JP2008103145A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 電池材料の製造方法及び全固体電池 |
| JP2012048873A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Hitachi Ltd | リチウムイオン二次電池 |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP1097872A patent/JPH02274728A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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