JPH0227518A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0227518A JPH0227518A JP63177824A JP17782488A JPH0227518A JP H0227518 A JPH0227518 A JP H0227518A JP 63177824 A JP63177824 A JP 63177824A JP 17782488 A JP17782488 A JP 17782488A JP H0227518 A JPH0227518 A JP H0227518A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic recording
- lubricating
- recording medium
- carbon film
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体に関する。
記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
回転磁気ヘッドによるヘリカル走査方式による音声１画
像の記録、再生を行なう技術は、磁気記録の中でも、記
録密度が高くなってきている。そのため、今後更に短波
長化するには、新しい構成の磁気記録媒体が必要で、高
分子フィルム等の非磁性基板上に、Ｇｏ−Ｏｒのスパッ
タリング法で得られた垂直磁化膜や、Ｃｏ−Ｎｉ−０の
斜め蒸着膜を配した蒸着テープが有望視されている〔例
えば。
像の記録、再生を行なう技術は、磁気記録の中でも、記
録密度が高くなってきている。そのため、今後更に短波
長化するには、新しい構成の磁気記録媒体が必要で、高
分子フィルム等の非磁性基板上に、Ｇｏ−Ｏｒのスパッ
タリング法で得られた垂直磁化膜や、Ｃｏ−Ｎｉ−０の
斜め蒸着膜を配した蒸着テープが有望視されている〔例
えば。
外国論文誌、アイイーイーイー トランプクシ３ンズ
オン マグネティクス（１１［ＩＣＴＲＡＮＳＡＣＴＩ
ＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＫＴＩＣ５）７０１、
ＭＡＧ−２１，Ｎｏ−３，Ｐ、Ｐ、 １２１７〜１２
２０（１９８５））。
オン マグネティクス（１１［ＩＣＴＲＡＮＳＡＣＴＩ
ＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＫＴＩＣ５）７０１、
ＭＡＧ−２１，Ｎｏ−３，Ｐ、Ｐ、 １２１７〜１２
２０（１９８５））。
第２図は蒸着テープの一例の拡大断面図で、第２図で１
はポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フィ
ルムで必要に応じて凹凸を付与するための下塗り層を配
したものも用いられる。２は電子ビーム蒸着法、高周波
スパッタリング法等で形成される０、０５μｌから０．
３μｍ程度の強磁性金属薄膜からなる磁気記録層で、３
は保護潤滑層でアモルファスカーボン膜と、フッ素オイ
ルの積層環、数多くの提案がなされているものから適宜
選択して用いることができる。４はバックコート層で、
走行性を助けるためにフィラー、潤滑剤等を含む樹脂か
らなる塗布層である〔特公昭６６−２３２０８号公報、
特開昭５９−４１４１８号公報、特開昭６１−１５１８
３５号公報、特開昭６１−１８７１２２号公報〕。
はポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フィ
ルムで必要に応じて凹凸を付与するための下塗り層を配
したものも用いられる。２は電子ビーム蒸着法、高周波
スパッタリング法等で形成される０、０５μｌから０．
３μｍ程度の強磁性金属薄膜からなる磁気記録層で、３
は保護潤滑層でアモルファスカーボン膜と、フッ素オイ
ルの積層環、数多くの提案がなされているものから適宜
選択して用いることができる。４はバックコート層で、
走行性を助けるためにフィラー、潤滑剤等を含む樹脂か
らなる塗布層である〔特公昭６６−２３２０８号公報、
特開昭５９−４１４１８号公報、特開昭６１−１５１８
３５号公報、特開昭６１−１８７１２２号公報〕。
又、磁気テープは体積記録密度が大きくできることも特
徴であり、長時間記録の手段として、テープの薄型化の
動向も重要であり、その点からみても蒸着テープは、薄
型化に有利で開発が進められているのが現状である。
徴であり、長時間記録の手段として、テープの薄型化の
動向も重要であり、その点からみても蒸着テープは、薄
型化に有利で開発が進められているのが現状である。
確かに磁気記録層が従来の塗布型磁性層に比べて鴇ぐら
いに薄くなるのと、磁気記録層のヤング率が１０倍以上
大きいので、全厚を薄くできると考えられるが、広範囲
の温度範囲での実用化を１指した時、バイメタル構造と
なっている不利な面が目立ってくるので、両面に蒸着層
を配したテープ構成も提案されている〔特開昭６１−１
１０３４３号公報〕。
いに薄くなるのと、磁気記録層のヤング率が１０倍以上
大きいので、全厚を薄くできると考えられるが、広範囲
の温度範囲での実用化を１指した時、バイメタル構造と
なっている不利な面が目立ってくるので、両面に蒸着層
を配したテープ構成も提案されている〔特開昭６１−１
１０３４３号公報〕。
第３図は、両面蒸着型の磁気テープの拡大断面図の一例
で、第３図で、５は高分子フィルムで両面にミミズ状の
凹凸を配したポリエチレンテレフタレートフィルム等が
用いられる。６は垂直磁化膜、斜め蒸着膜等の強磁性金
属薄膜から成る磁気記録層で７は、両面アクセス型とす
る場合は、強磁性金属薄膜から構成し１片面アクセスの
場合は。
で、第３図で、５は高分子フィルムで両面にミミズ状の
凹凸を配したポリエチレンテレフタレートフィルム等が
用いられる。６は垂直磁化膜、斜め蒸着膜等の強磁性金
属薄膜から成る磁気記録層で７は、両面アクセス型とす
る場合は、強磁性金属薄膜から構成し１片面アクセスの
場合は。
ＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｇ２Ｏ３，ＭｇＦ２等の非磁性薄
膜で１反応性蒸着、高周波スパッタリング等の方法で形
成されるもので８は保護潤滑膜である。
膜で１反応性蒸着、高周波スパッタリング等の方法で形
成されるもので８は保護潤滑膜である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記した構成では、全厚が１０μ以下で、
業務用途に応用した場合、耐久性が不十分で特に高画質
化の進んだ最近の録画技術の要求からするとジッターに
よる画質劣化が課題であシ゛。
業務用途に応用した場合、耐久性が不十分で特に高画質
化の進んだ最近の録画技術の要求からするとジッターに
よる画質劣化が課題であシ゛。
改善が望まれていた。本発明は、上記した事情に鑑みな
されたもので、くり返し使用でも走行性の安定化が図ら
れジッターによる画質劣化のない薄型の磁気テープを提
供するものである。
されたもので、くり返し使用でも走行性の安定化が図ら
れジッターによる画質劣化のない薄型の磁気テープを提
供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
高分子フィルムの一方に強磁性金属薄膜とダイヤモンド
状炭素膜、潤滑剤層を積層し、もう一方に多孔質の炭素
膜を配するようにしたものである。
高分子フィルムの一方に強磁性金属薄膜とダイヤモンド
状炭素膜、潤滑剤層を積層し、もう一方に多孔質の炭素
膜を配するようにしたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により。
両面が炭素質であり２巻回した時に、潤滑剤が常に等量
表面に存在するように転写により移動することで、潤滑
作用の持続性が改良されるのと、裏面が多孔質の炭素よ
シなることで潤滑剤の吸着総量が増大し、従来以上に、
走行不能となるハリツキ現象をおこさずに、総量が多く
でき持続性は大幅に向上することになる。
表面に存在するように転写により移動することで、潤滑
作用の持続性が改良されるのと、裏面が多孔質の炭素よ
シなることで潤滑剤の吸着総量が増大し、従来以上に、
走行不能となるハリツキ現象をおこさずに、総量が多く
でき持続性は大幅に向上することになる。
実施例
以下図面を参照しながら本発明の一実施例について説明
する。第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大
断面図で、第１図で９は厚み９声以下のポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテ
ルエーテルケトン。
する。第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大
断面図で、第１図で９は厚み９声以下のポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテ
ルエーテルケトン。
ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルサルフォン
、ポリアミド、ポリイミド等の高分子フィルムで１０．
１１は水溶性高分子から成るミミズ状の下塗り層か、５
ｉｎ２．ＴｉＯ２，ＣａＣＯ３゜ＺｎＯ、ポリエチレン
球等の微粒子を配した下塗り層で、１２はＧｏ、 Ｇｏ
−Ｏｒ、 Ｇｏ−０，Ｇｏ−Ｎｉ。
、ポリアミド、ポリイミド等の高分子フィルムで１０．
１１は水溶性高分子から成るミミズ状の下塗り層か、５
ｉｎ２．ＴｉＯ２，ＣａＣＯ３゜ＺｎＯ、ポリエチレン
球等の微粒子を配した下塗り層で、１２はＧｏ、 Ｇｏ
−Ｏｒ、 Ｇｏ−０，Ｇｏ−Ｎｉ。
Ｇｏ−Ｆｅ 、Ｇｏ−Ｔａ 、Ｇｏ−Ｍｏ 、Ｃｏ−Ｗ
、Ｇｏ−Ｎｄ 。
、Ｇｏ−Ｎｄ 。
ｃｏ−ｃｒ−ｇｂ 、 Ｇｏ−Ｎｉ−０等の強磁性金属
薄膜で厚みはＳＯＯ人から３０００人の範囲が好ましく
。
薄膜で厚みはＳＯＯ人から３０００人の範囲が好ましく
。
多層構成としてもよく、電子ビーム蒸着法、イオンブレ
ーティング法、スパッタリング法等によシ形成すること
ができる。１３はダイヤモンド状の炭素薄膜で、スパッ
タリング法、イオンピームデボジシ百ン法１等公知の方
法〔エレクトロニク・セラミクス １９８７年９月号、
４６−５５頁〕で形成した６０人から２００人の薄膜で
、ダイヤモンド薄膜であってもよいが、工業的には成膜
速度が小さいことからダイヤモンド状硬質炭素膜が適当
である。１４は多孔質の炭素薄膜で、１０ 〜１ｏ−’
（丁ｏｒｒ ）の範囲で炭素をイオンデレーティングす
るか、低温で（−２０”Ｃ程度からＯ”Ｃ低い）０．１
〜０．４ （Ｔｏｒｒ ）の範囲でスパッタリングする
ことで得られるもので膜厚は１０ｏＯ〜２４ｏＯ人。
ーティング法、スパッタリング法等によシ形成すること
ができる。１３はダイヤモンド状の炭素薄膜で、スパッ
タリング法、イオンピームデボジシ百ン法１等公知の方
法〔エレクトロニク・セラミクス １９８７年９月号、
４６−５５頁〕で形成した６０人から２００人の薄膜で
、ダイヤモンド薄膜であってもよいが、工業的には成膜
速度が小さいことからダイヤモンド状硬質炭素膜が適当
である。１４は多孔質の炭素薄膜で、１０ 〜１ｏ−’
（丁ｏｒｒ ）の範囲で炭素をイオンデレーティングす
るか、低温で（−２０”Ｃ程度からＯ”Ｃ低い）０．１
〜０．４ （Ｔｏｒｒ ）の範囲でスパッタリングする
ことで得られるもので膜厚は１０ｏＯ〜２４ｏＯ人。
表面積はｏ、１３〜ｏ、７ Ｃｎｆ７ｆ／ ）が適当で
ある。１６は潤滑剤で１５ムと１５Ｂに分割され両面に
配され、製造後も、テープ状で利用されることにより転
写により平衡状態が保たれているもので、脂肪酸、ＩＩ
ｌ肪酸肪酸エルテルーフルオロカルボン酸。
ある。１６は潤滑剤で１５ムと１５Ｂに分割され両面に
配され、製造後も、テープ状で利用されることにより転
写により平衡状態が保たれているもので、脂肪酸、ＩＩ
ｌ肪酸肪酸エルテルーフルオロカルボン酸。
パーフルオロポリエーテル、等を溶液塗布法、真空蒸着
法等で配したものが用いられる。
法等で配したものが用いられる。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で詳しく説明する。
対比で詳しく説明する。
実施例−１
ＪＦ１８．８μｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ムの一方の面に直径９０へのＥｕ２Ｏ３微粒子を１６ケ
／（ア、ゾの密度の下塗り層、もう一方の面に直径４０
０人のムｅ２０３微粒子を３ケ／（μｍ）２配し、 Ｅ
ｕ２Ｏ，微粒子を配した面に、直径１ｍの円筒キャンに
沿わせて、最小入射角６５度、酸素分圧４ Ｘ １０
（Ｔｏｒｒ）でＣＯを電子ビーム蒸着し。
ムの一方の面に直径９０へのＥｕ２Ｏ３微粒子を１６ケ
／（ア、ゾの密度の下塗り層、もう一方の面に直径４０
０人のムｅ２０３微粒子を３ケ／（μｍ）２配し、 Ｅ
ｕ２Ｏ，微粒子を配した面に、直径１ｍの円筒キャンに
沿わせて、最小入射角６５度、酸素分圧４ Ｘ １０
（Ｔｏｒｒ）でＣＯを電子ビーム蒸着し。
Ｃ０−０膜を１２０ＯＡ形成し、その上にメタンガヌを
０．１ （Ｔｏｒｒ） １３．５６ （ＭＨｚ ） Ｂ
ｏｏ（ｗ）でプラズマ化し、３００（Ｖ）のバイアス
で加速する方法で、ダイヤモンド状硬質炭素膜８０人を
配し。
０．１ （Ｔｏｒｒ） １３．５６ （ＭＨｚ ） Ｂ
ｏｏ（ｗ）でプラズマ化し、３００（Ｖ）のバイアス
で加速する方法で、ダイヤモンド状硬質炭素膜８０人を
配し。
もう一方の面にカーボンをターゲットにしてアル：＋”
ｙｏ、２ （Ｔｏｒｒ） 、 ２０ （ＫＨｚ） 、
９００ （Ｗ） 。
ｙｏ、２ （Ｔｏｒｒ） 、 ２０ （ＫＨｚ） 、
９００ （Ｗ） 。
基板温度を一１６℃として、スパッタリング法により、
膜厚１４００Ａ 、表面積ｏ、４Ｃｒｒｌ／ｆ！ ）の
多孔質炭素膜を配し、真空蒸着法でパーフルオロステア
リン酸を５０人真空蒸着し、真空中で巻いた状態で巻取
り軸を昇温保持（６０’Ｑ、４時間）シ。
膜厚１４００Ａ 、表面積ｏ、４Ｃｒｒｌ／ｆ！ ）の
多孔質炭素膜を配し、真空蒸着法でパーフルオロステア
リン酸を５０人真空蒸着し、真空中で巻いた状態で巻取
り軸を昇温保持（６０’Ｑ、４時間）シ。
更に５０人の真空蒸着と昇温保持を３回くり返し。
計２００人分蒸着し８ミリ幅の磁気テープにし。
８ミリカセツトに１３０ｍ巻き込んだ。
実施例−２
実施例−１でＧＯ−〇膜の代シにＣｏ−ＴＬ （Ｇｏ：
８１ｗｔ％）垂直磁化膜１２００Ａを高周波スパッタリ
ング法で配し、多孔質炭素膜を１表面積ｏ、５６７７／
／ダ、膜厚１５００人の構成とし、パーフルオロステア
リン酸の代りにパーフルオロミリスチン酸とステアリン
酸アミドを交互に蒸着しく２００人分）８ミリ幅の磁気
テープにし、８ミリカセツトに１３０ｍ巻き込んだ。
８１ｗｔ％）垂直磁化膜１２００Ａを高周波スパッタリ
ング法で配し、多孔質炭素膜を１表面積ｏ、５６７７／
／ダ、膜厚１５００人の構成とし、パーフルオロステア
リン酸の代りにパーフルオロミリスチン酸とステアリン
酸アミドを交互に蒸着しく２００人分）８ミリ幅の磁気
テープにし、８ミリカセツトに１３０ｍ巻き込んだ。
比較例−１
実施例−１で、多孔質炭素膜を厚み１０００人のダイヤ
モンド薄膜で置きかえた８ミリテープを試作した。
モンド薄膜で置きかえた８ミリテープを試作した。
比較例−２
実施例−２で表面積０．８Ｂｄ／ｆの多孔質炭素膜を１
４００人を配した以外は同じ構成とした。
４００人を配した以外は同じ構成とした。
比較例−３
実施例−１と、多孔質炭素膜の表面積を０．１ｄ／ｆと
した以外は同じ構成の８ミリテープを試作した。
した以外は同じ構成の８ミリテープを試作した。
上記した各テープをハイバンド仕様に改造した８ミリビ
デ第４０’Ｃ８０％ＲＨ５℃８０％ＲＨで記録したテー
プを８時間毎に再生をくり返し性能比較した。再生を６
０回くり返し、出力低下の最大値、ジッターが画像目視
ではっきり認められたパス回数を比較した。
デ第４０’Ｃ８０％ＲＨ５℃８０％ＲＨで記録したテー
プを８時間毎に再生をくり返し性能比較した。再生を６
０回くり返し、出力低下の最大値、ジッターが画像目視
ではっきり認められたパス回数を比較した。
（以 下金 白）
上記した結果からもわかるように０，１３ｖｆ／’ｊ以
上好ましいのは、潤滑剤の総量を多くして、かつハリツ
キ現象やジッターの発生のない系を実現するのに、必要
な炭素膜の潤滑剤吸蔵能力から決まる量で０．７ｖｌ／
９以下が好ましいのは、それ以上にポーラスになると炭
素膜が欠落し易く々リヘッドを汚染させ出力が不安定に
なることから決まる臨界値である。
上好ましいのは、潤滑剤の総量を多くして、かつハリツ
キ現象やジッターの発生のない系を実現するのに、必要
な炭素膜の潤滑剤吸蔵能力から決まる量で０．７ｖｌ／
９以下が好ましいのは、それ以上にポーラスになると炭
素膜が欠落し易く々リヘッドを汚染させ出力が不安定に
なることから決まる臨界値である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、短波長記録で高湿度環境
下でも出力低下のない、走行性の良好な磁気記録媒体が
得られるというたすぐれた効果がある。
下でも出力低下のない、走行性の良好な磁気記録媒体が
得られるというたすぐれた効果がある。
第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図
、第２図、第３図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。 ９・・・・・・高分子フィルム、１０．１１・・・・・
・下塗り層、１２・・・・・強磁性金属薄膜、１３・・
・・・・ダイヤモンド状炭素膜、１４・・・・・・多孔
質炭素膜、１６ム。 １５Ｂ・・・・・・潤滑剤。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名？
− イルム Ｉ気１５＃−潤滑
、第２図、第３図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。 ９・・・・・・高分子フィルム、１０．１１・・・・・
・下塗り層、１２・・・・・強磁性金属薄膜、１３・・
・・・・ダイヤモンド状炭素膜、１４・・・・・・多孔
質炭素膜、１６ム。 １５Ｂ・・・・・・潤滑剤。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名？
− イルム Ｉ気１５＃−潤滑
Claims (1)
- 高分子フィルムの一方に強磁性金属薄膜とダイヤモンド
状炭素膜、油滑剤層を積層し、他に多孔質の炭素膜を配
したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63177824A JPH0227518A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63177824A JPH0227518A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227518A true JPH0227518A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16037744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63177824A Pending JPH0227518A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227518A (ja) |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP63177824A patent/JPH0227518A/ja active Pending
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