JPH0354719A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0354719A JPH0354719A JP1190971A JP19097189A JPH0354719A JP H0354719 A JPH0354719 A JP H0354719A JP 1190971 A JP1190971 A JP 1190971A JP 19097189 A JP19097189 A JP 19097189A JP H0354719 A JPH0354719 A JP H0354719A
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- magnetic recording
- film
- recording medium
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体に関する
。
。
従来の技術
高密度磁気記録の要求から近年、強磁性金属薄膜を磁気
記録層として用いることが検討され、磁気ディスクとし
てはメッキ法によるＣｏ−Ｎｉ−Ｐ薄膜媒体、スバッタ
法によるＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ薄膜媒体が一部実用化され、
最近ではＣｏ−Ｎｉ−０斜め蒸着膜がビデオ用途に実用
化され今後の高密度化に一層期待が強まってきている［
日本応用磁気学会誌Ｖｏｌ．１３，磁３，４９３頁（１
９８９）コ。
記録層として用いることが検討され、磁気ディスクとし
てはメッキ法によるＣｏ−Ｎｉ−Ｐ薄膜媒体、スバッタ
法によるＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ薄膜媒体が一部実用化され、
最近ではＣｏ−Ｎｉ−０斜め蒸着膜がビデオ用途に実用
化され今後の高密度化に一層期待が強まってきている［
日本応用磁気学会誌Ｖｏｌ．１３，磁３，４９３頁（１
９８９）コ。
一方、原理的に高密度記録に有利と考えられるＣＯＣｒ
垂直磁化膜も出力からＣ／Ｎとより実用化を意識した見
方での検討も開始され、光記録を越える密度での実用化
を目ざした解析も進んできている［同誌、４９９頁］。
垂直磁化膜も出力からＣ／Ｎとより実用化を意識した見
方での検討も開始され、光記録を越える密度での実用化
を目ざした解析も進んできている［同誌、４９９頁］。
発明が解決しようとする課題
しかしながら現状では、優れたＣ／Ｎを得るには、飽和
磁束密度を高くできないため、広帯域での利用が今後期
待される状況下では、不十分で改善が望まれている。本
発明は上記した事情に鑑みなされたもので、広帯域Ｃ／
Ｎと耐久性に優れた磁気記録媒体を提供するものである
。
磁束密度を高くできないため、広帯域での利用が今後期
待される状況下では、不十分で改善が望まれている。本
発明は上記した事情に鑑みなされたもので、広帯域Ｃ／
Ｎと耐久性に優れた磁気記録媒体を提供するものである
。
ＲＨを解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
磁化容易軸の方向が膜面に対し４５度以上７０度以下の
傾斜を有し、かつ２層の各層の容易軸がほぼ垂直軸に対
して対称であるようにしたものである。
磁化容易軸の方向が膜面に対し４５度以上７０度以下の
傾斜を有し、かつ２層の各層の容易軸がほぼ垂直軸に対
して対称であるようにしたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は上記した構或により、強磁性金
属薄膜の稠密性が増し、機械的に強化され耐久性が向上
すると共に、ヘッド磁界で磁化し易くかつ磁性ノイズが
層間分離が増した効果で改善され短波長、高密度域での
Ｃ／Ｎと共に長波長での、改善もはかることができるの
で広帯域Ｃ／Ｎが改善される。
属薄膜の稠密性が増し、機械的に強化され耐久性が向上
すると共に、ヘッド磁界で磁化し易くかつ磁性ノイズが
層間分離が増した効果で改善され短波長、高密度域での
Ｃ／Ｎと共に長波長での、改善もはかることができるの
で広帯域Ｃ／Ｎが改善される。
実施例
以下図面を参照しながら本発明の実施例について詳しく
説明する。
説明する。
［実施例１］
第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図である。第
１図で１は、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレ
ンナフタレート，ボリフエニレンサルファイド ポリエ
ーテルエーテルケトン，ポリアミドイミド等の高分子フ
ィルムで、２はＴｉＯ２，Ｚ ｒ Ｏ２， Ｃ ｒ２０
３， Ｆ ｅ：＋ｏ＜． Ｓ ｉ ０２，ボリアミド，
ポリウレタン等の微粒子を配した微粒子塗布層で、３．
４は強磁性金属薄膜で各層は柱状構造から威りかつ夫々
の磁化容易軸（Ｍ＋，Ｍ２）が膜面に対して軸ｇを基準
にθ１，θ２が４５度以上７０度以下の傾斜をもちかつ
、膜面に垂直な軸に関し対称な関係となるようにしたも
のである。強磁性金属薄膜はＣｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｔｉ，
Ｃｏ−Ｗ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−０，Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｎｉ一〇等で同じ材質又は２種から
構成する。かかる強磁性金属薄膜を得るには、円筒キャ
ンに沿わせて微粒子塗布層を配した高分子フィルムを移
動させながら第１層目を限定した入射角範囲内で蒸着し
た後、第２層目を磁化容易軸方向が第１層と対称になる
よう蒸着すればよい。
１図で１は、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレ
ンナフタレート，ボリフエニレンサルファイド ポリエ
ーテルエーテルケトン，ポリアミドイミド等の高分子フ
ィルムで、２はＴｉＯ２，Ｚ ｒ Ｏ２， Ｃ ｒ２０
３， Ｆ ｅ：＋ｏ＜． Ｓ ｉ ０２，ボリアミド，
ポリウレタン等の微粒子を配した微粒子塗布層で、３．
４は強磁性金属薄膜で各層は柱状構造から威りかつ夫々
の磁化容易軸（Ｍ＋，Ｍ２）が膜面に対して軸ｇを基準
にθ１，θ２が４５度以上７０度以下の傾斜をもちかつ
、膜面に垂直な軸に関し対称な関係となるようにしたも
のである。強磁性金属薄膜はＣｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｔｉ，
Ｃｏ−Ｗ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−０，Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｎｉ一〇等で同じ材質又は２種から
構成する。かかる強磁性金属薄膜を得るには、円筒キャ
ンに沿わせて微粒子塗布層を配した高分子フィルムを移
動させながら第１層目を限定した入射角範囲内で蒸着し
た後、第２層目を磁化容易軸方向が第１層と対称になる
よう蒸着すればよい。
５は保護潤滑層で、プラズマ重合層，Ｓｉｎ２膜、炭素
膜，脂肪酸，バーフルオ口ポリエーテルバーフルオロカ
ルボン酸等をスベーシング損失と耐久性の要求度合いと
の兼ね合いで組み合わせればよい。
膜，脂肪酸，バーフルオ口ポリエーテルバーフルオロカ
ルボン酸等をスベーシング損失と耐久性の要求度合いと
の兼ね合いで組み合わせればよい。
４５度から７０度の範囲に最適範囲があることの理由は
、リングヘッド磁界による記録での記録損失が小さい範
囲であるのと４５度以下では耐久性が斜め蒸着を９０度
から行った膜に近くなることを相乗したものである。
、リングヘッド磁界による記録での記録損失が小さい範
囲であるのと４５度以下では耐久性が斜め蒸着を９０度
から行った膜に近くなることを相乗したものである。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１００Ａの（：ｒ２０３微粒子を２０ケ／（μｍ
） ２配し、その上に入射角を変えて、電子ビーム蒸
着し、２層構或の強磁性金属薄膜を配しその上にパープ
ルオロボリエーテルとして市販されているモンテジソン
社製のフオンブリンＺ−２５を１．５（■／耐）塗布１
− ８ミリ幅の磁気テープにした。
に直径１００Ａの（：ｒ２０３微粒子を２０ケ／（μｍ
） ２配し、その上に入射角を変えて、電子ビーム蒸
着し、２層構或の強磁性金属薄膜を配しその上にパープ
ルオロボリエーテルとして市販されているモンテジソン
社製のフオンブリンＺ−２５を１．５（■／耐）塗布１
− ８ミリ幅の磁気テープにした。
一方比較例はスパッタリング法でＣｏ−Ｃｒ（Ｃｏ ：
７７ｗｔ％）をターゲットとし、Ａｒ＋Ｈ２＝０．０
０７ （Ｔｏｒｒ）Ａｒ ：Ｈ２＝３ ： １．１ ３
．５ ６ （ＭＨｚ） １．９ （ｋｗ）で垂直磁化膜
を０．２μｍ形威したものと、直径１ｍの円筒キャンに
沿わせて、５ Ｘ １ ０−” （Ｔ．ｏ ｒ ｒ）の
酸素中でＣｏ−Ｎ ｉ （Ｃｏ ： ８０ｗｔ％）を
最小入射角３８度で０．２μｍ蒸着したものとを準備し
、他の条件は実施例と同じとし比較した。
７７ｗｔ％）をターゲットとし、Ａｒ＋Ｈ２＝０．０
０７ （Ｔｏｒｒ）Ａｒ ：Ｈ２＝３ ： １．１ ３
．５ ６ （ＭＨｚ） １．９ （ｋｗ）で垂直磁化膜
を０．２μｍ形威したものと、直径１ｍの円筒キャンに
沿わせて、５ Ｘ １ ０−” （Ｔ．ｏ ｒ ｒ）の
酸素中でＣｏ−Ｎ ｉ （Ｃｏ ： ８０ｗｔ％）を
最小入射角３８度で０．２μｍ蒸着したものとを準備し
、他の条件は実施例と同じとし比較した。
夫々のテープを８ミリビデオを改造して、最短波長０．
３ ８ μｍ，周波数帯域１ ８ （ＭＨｚ） （７
）広帯域Ｃ／Ｎを比較した。用いた磁気ヘッドは、積層
合金型ヘッドでギャップ長は０．１８μｍである。又酎
久性の比較は、ある一定の環境に保存後の４０°８０％
ＲＨでのスチル特性で比較した。
３ ８ μｍ，周波数帯域１ ８ （ＭＨｚ） （７
）広帯域Ｃ／Ｎを比較した。用いた磁気ヘッドは、積層
合金型ヘッドでギャップ長は０．１８μｍである。又酎
久性の比較は、ある一定の環境に保存後の４０°８０％
ＲＨでのスチル特性で比較した。
スチル寿命は出力低下が３（ｄＢ）に達した時間で定義
した。テープ条件と結果を第１表に示した。
した。テープ条件と結果を第１表に示した。
（以 下 余 白）
［実施例２］
課題を解決する別の手段は、Ｃｏ−０又はＣｏ一Ｎｉ−
０垂直蒸着膜がＴｉ又はＣｒで層間分離され構戊された
磁気記録層から成るものである。
０垂直蒸着膜がＴｉ又はＣｒで層間分離され構戊された
磁気記録層から成るものである。
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、Ｔｉ又
はＣｒの結晶性にょりＣｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０膜の
結晶性が改善され、磁気特性が向上し、広帯域Ｃ／Ｎ改
善がはかられ、酎食性．耐久性共に、垂直蒸着膜で充て
ん率が大きくなることと、層間のＴｉ又はＣｒも耐食性
が良好であることで、トータルとしても耐食性，耐久性
共に良好となる。
はＣｒの結晶性にょりＣｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０膜の
結晶性が改善され、磁気特性が向上し、広帯域Ｃ／Ｎ改
善がはかられ、酎食性．耐久性共に、垂直蒸着膜で充て
ん率が大きくなることと、層間のＴｉ又はＣｒも耐食性
が良好であることで、トータルとしても耐食性，耐久性
共に良好となる。
第２図は、本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図
である。第２図で、１は高分子フィルムで、この場合は
必要に応じて微粒子塗布層を配したものを含んでいる。
である。第２図で、１は高分子フィルムで、この場合は
必要に応じて微粒子塗布層を配したものを含んでいる。
６，８はＴｉ又はＣｒの薄膜で膜厚はエビタキシー効果
によりＣｏ−ＯＣｏ−Ｎ ｉ−０の磁気特性を改善する
ために３００人以上の膜厚が必要であるが、膜厚が大き
くなると、特に８の層は、強磁性金属薄膜第Ｉ層７にと
りてはスペーシング損失を大きくする方向に作用するの
で、高々５００人までで構成するのが好ましい。６．８
の薄膜を形威する方法はスパッタリング法，イオンブレ
ーティング法，電子ビーム蒸着法等いずれでもよい。７
，９はＣｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直蒸着膜で、磁化
容易軸については限定は特にないが、耐久性，耐食性か
ら入射角は４５度以内が望ましい。電子ビーム蒸着法，
スパッタリング法いずれでもよいがマスキングを工夫し
て、入射角４５度以内とする必要がある。
によりＣｏ−ＯＣｏ−Ｎ ｉ−０の磁気特性を改善する
ために３００人以上の膜厚が必要であるが、膜厚が大き
くなると、特に８の層は、強磁性金属薄膜第Ｉ層７にと
りてはスペーシング損失を大きくする方向に作用するの
で、高々５００人までで構成するのが好ましい。６．８
の薄膜を形威する方法はスパッタリング法，イオンブレ
ーティング法，電子ビーム蒸着法等いずれでもよい。７
，９はＣｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直蒸着膜で、磁化
容易軸については限定は特にないが、耐久性，耐食性か
ら入射角は４５度以内が望ましい。電子ビーム蒸着法，
スパッタリング法いずれでもよいがマスキングを工夫し
て、入射角４５度以内とする必要がある。
Ｃｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０膜の飽和磁束密度としては５
０ ０ ０（Ｇ）〜９０００（Ｇ）、膜厚は５００人
から１４００人の範囲で構成するのが好ましい。
０ ０ ０（Ｇ）〜９０００（Ｇ）、膜厚は５００人
から１４００人の範囲で構成するのが好ましい。
７，９は特にＣｏ−０とＣｏ−Ｎｉ−０を組み合わせる
ことを阻むものではないし、３層．４層としてもよいが
、実施の面と効果から２層が好ましく、かつ同じ条件で
の２層でよい。
ことを阻むものではないし、３層．４層としてもよいが
、実施の面と効果から２層が好ましく、かつ同じ条件で
の２層でよい。
本実施例は、テープ状に限らず、ディスク状でもよい。
以下更に具体的に実施例と比較例の対比で説明する。厚
み１０μｍのポリエチレンナフタレートフィルム上に直
径２５０人のポリメチルメタアクリレート球を１０ケ／
（μｍ）２塗布し突起高さを１００〜１２０人とし、そ
の上に、Ｔｉ又はＣｒ層を、直径５０ｃｍの円筒キャン
に沿わせて、キャン温度９５度、Ａｒ＋Ｈ２＝０．００
５（Ｔｏ ｒ ｒ）Ａｒ ：Ｈ２ ＝４ ： １，
１３．５６ ＣＭＨｚ）０．６〜１．３ （ｋｗ） 、
入射角は３０度以内となるようにしてスパッタリング法
で形成し、その上に電子ビーム蒸着法でＣｏ−０又はＣ
ｏ−Ｎｉ−０を形成し、同様にＣｒ又はＴｉをスパッタ
リング蒸着し、引き続きＣｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０膜
を配し、その上にデュポン社製のＫＲＹＴＯＸ１４３Ａ
Ｃを１．０［■／ｉｆ］塗布し、８ミリ幅の磁気テープ
とした。
み１０μｍのポリエチレンナフタレートフィルム上に直
径２５０人のポリメチルメタアクリレート球を１０ケ／
（μｍ）２塗布し突起高さを１００〜１２０人とし、そ
の上に、Ｔｉ又はＣｒ層を、直径５０ｃｍの円筒キャン
に沿わせて、キャン温度９５度、Ａｒ＋Ｈ２＝０．００
５（Ｔｏ ｒ ｒ）Ａｒ ：Ｈ２ ＝４ ： １，
１３．５６ ＣＭＨｚ）０．６〜１．３ （ｋｗ） 、
入射角は３０度以内となるようにしてスパッタリング法
で形成し、その上に電子ビーム蒸着法でＣｏ−０又はＣ
ｏ−Ｎｉ−０を形成し、同様にＣｒ又はＴｉをスパッタ
リング蒸着し、引き続きＣｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０膜
を配し、その上にデュポン社製のＫＲＹＴＯＸ１４３Ａ
Ｃを１．０［■／ｉｆ］塗布し、８ミリ幅の磁気テープ
とした。
比較例は、斜め蒸着法にょりＣｏ−０又はＣｏ一Ｎ ｉ
−Ｑ膜を形成したものを用いた。
−Ｑ膜を形成したものを用いた。
夫々を８ミリビデオを改造し、ギャップ長０．２μｍの
１１合金型アモルファスヘッドにより、１ ５ （ＭＨ
ｚ） 、最短波長０．３５μｍでの広帯域Ｃ／Ｎ，及び
スチル特性を２０°７５％ＲＨで比較した。尚スチル特
性は、あらかじめ高温高温で長時間放置後、記録し再生
出力が３（ｄＢ）低下するまでの時間を測定して評価し
た。構成条件と得られた特性を第２表に示した。
１１合金型アモルファスヘッドにより、１ ５ （ＭＨ
ｚ） 、最短波長０．３５μｍでの広帯域Ｃ／Ｎ，及び
スチル特性を２０°７５％ＲＨで比較した。尚スチル特
性は、あらかじめ高温高温で長時間放置後、記録し再生
出力が３（ｄＢ）低下するまでの時間を測定して評価し
た。構成条件と得られた特性を第２表に示した。
第２表より、本発明によれば、Ｃ／Ｎも優れかつ、耐食
性、耐久性に於でも十分満足できるものであることがわ
かる。
性、耐久性に於でも十分満足できるものであることがわ
かる。
（以 下 余 白）
発明の効果
以Ｌのように本発明によれば、耐久性，酎食性も良好で
かつ広帯域のＣ／Ｎ特性に於でも良好な特性をもつ磁気
記録媒体が得られるといったすぐれた効果がある。
かつ広帯域のＣ／Ｎ特性に於でも良好な特性をもつ磁気
記録媒体が得られるといったすぐれた効果がある。
第１図，第２図はそれぞれ本発明の実施例の磁気記録媒
体の拡大断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、３、４・・・・・・強
磁性金属薄膜、５・・・・・・保護潤滑層、６．８・・
・・・・Ｔ１又はＣｒ膜、７，９・・・・・・Ｃｏ−０
又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直蒸着膜。
体の拡大断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、３、４・・・・・・強
磁性金属薄膜、５・・・・・・保護潤滑層、６．８・・
・・・・Ｔ１又はＣｒ膜、７，９・・・・・・Ｃｏ−０
又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直蒸着膜。
Claims (2)
- （１）磁化容易軸の方向が膜面に対し、４５度以上７０
度以下の傾斜を有しかつ、２層の各層の磁化容易軸がほ
ぼ垂直軸に対称である強磁性金属薄膜を磁気記録層とす
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - （２）Ｃｏ−Ｏ又はＣｏ−Ｎｉ−Ｏ垂直蒸着膜がＴｉ又
はＣｒで層間分離されたことを特徴とする磁気記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1190971A JPH0354719A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1190971A JPH0354719A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354719A true JPH0354719A (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16266721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1190971A Pending JPH0354719A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0354719A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5569523A (en) * | 1994-02-28 | 1996-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium having a ferromagnetic thin film in which 70% to 90% of the total magnetic particles have residual magnetization vectors within ±10° of the easy axis direction |
| US7468214B2 (en) | 2005-07-05 | 2008-12-23 | Seagate Technology Llc | Tilted magnetic recording media |
| US11491424B2 (en) | 2011-03-02 | 2022-11-08 | Nordson Holdings S.a.r.l. & Co. KG | Filter element for filtering a fluid and a filter unit formed therefrom |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP1190971A patent/JPH0354719A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5569523A (en) * | 1994-02-28 | 1996-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium having a ferromagnetic thin film in which 70% to 90% of the total magnetic particles have residual magnetization vectors within ±10° of the easy axis direction |
| US5679166A (en) * | 1994-02-28 | 1997-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording media, magnetic recording media fabrication method, and fabrication equipment |
| US5691008A (en) * | 1994-02-28 | 1997-11-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording media fabrication method |
| US7468214B2 (en) | 2005-07-05 | 2008-12-23 | Seagate Technology Llc | Tilted magnetic recording media |
| US11491424B2 (en) | 2011-03-02 | 2022-11-08 | Nordson Holdings S.a.r.l. & Co. KG | Filter element for filtering a fluid and a filter unit formed therefrom |
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