JPH02276111A - 化合物超電導体および化合物超電導体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、化合物超電導体およびその製造方法に係わり
、特に化合物超電導体の構成元素の拡散による安定化材
の電気抵抗の低下を防止し、さらに安定化材の機械的強
度を向上させた化合物超電導体およびその製造方法に関
する。

（従来の技術） 従来、この種の化合物超電導体は、たとえば次のような
方法で製造されていた。

すなわち、超電導体としてＮｂ３　Ｓｎマルチ超電導線
を例にとると、Ｓｎ線上に、Ｃｕ管、Ｎｂ管、Ｃｕ管を
順に被覆し、これをスウェージングマシンなどにより一
体化加工して所定の外径まで減面加工を施しながら外形
が正六角形のロッドに成形する。次いで、この六角形の
ロッドの多数本をＣｕ管からなる安定化材内に挿入し、
スウエージングマシンなどにより一体化した後、減面加
工を施し、所定の外径となったところで熱処理工程を施
すことによってＳｎをその上のＣｕ層を拡散させてＮｂ
層と反応させ、Ｎｂ層の表面にＮｂ３　Ｓｎ超電導体を
形成する。

第１４図は、このようにして製造されたマルチ超電導体
を示すもので、Ｃｕ−８ｎ芯ｌ上にＮｂ３　Ｓｎ超電導
体２が配置され、その上にＮＬ＋からなる拡散防止層３
、Ｃｕからなる安定化材４が順に形成されている。なお
、安定化材４は、Ｎｂｘ　ＳｎＭｉ電導体２の常電導転
移時に電流が流され、焼損などを防止する作用をする。

（発明が解決しようとする課Ｊａｍ） ところで、このような化合物超電導線の安定化材として
用いられているＣｕは、通常、残留抵抗比（以下、ＲＲ
Ｒと記す。）が２００〜３００で、２０［Ｋ］における
比抵抗ρは〜　ｔｘｔｏ−’ｃΩ・ｃａｌと非常に低い
。しかし、熱処理時にＣｕ−３ｎ芯１中のＳｎが安定化
材４中に拡散すると、安定化材４はＳｎによって汚染さ
れてしまう。

拡散防止層３は、このような安定化材４中へのＳｎの拡
散を防止する機能を奏するが、熱処理時における安定化
材４へのＳｎの拡散を防ぐ効果は必ずしも十分なもので
はなく、シかも拡散防止層３の素材となるＮｂなどが安
定化材４中に拡散することも避けられない。また、ＴＩ
などを添加したＮｂ３　ＳｎではＴＩの安定化材４への
拡散もある。このように安定化材４中にＮｂ、　Ｔｌ、
Ｓｎなどが拡散すると、安定化材４のＲＲＩ？は１−１
０．２０［Ｋ］におけるρは′ｌＸｌ０−７〜ｌＸｌ０
−’　［Ω・Ｃ１１］となって、純Ｃｕに比べて１桁か
ら２桁も電気抵抗が増加し、これによって化合物超電導
線の安定性が損なわれるという問題があった。

また、安定化材４中への不純物元素の拡散を抑えるため
、熱処理温度を低くするとともに、熱処理時間を短くす
ることが行われているが、この場合、逆にＮｂ３　Ｓｎ
層の生成が抑えられ、臨界電流（密度）などの超電導特
性が低いものしか得られないという欠点があった。

一方、従来のＣｕを安定化材として用いる超電導線は引
張り強さが小さいため、一般にステンレス鋼などをテン
ションメンバーとして用いることが行われているが、こ
のような超電導線は製造工程が煩雑になり製品コストが
高くなるうえに、スペースファクターも悪くなるという
難点があった。

本発明は上記事情に対処してなされたもので、その第１
の目的は、安定化材の電気抵抗を低く維持することので
きる化合物超電導体の製造方法を提供することにある。

また本発明の第２の目的は、安定化材の電気抵抗を低く
維持するとともに、その機械的強度を向上させた化合物
超電導体の製造方法を提供することにある。

さらに、第３の目的は、安定化材の電気抵抗を低く維持
するとともに、その機械的強度を向上させた化合物超電
導体を提供することにある。

〔発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち第１の発明は、（ａ）熱処理により反応して化
合物超電導体を形成する化合物超電導体材料または化合
物超電導体と、（ｂ）この化合物超電導体材料または化
合物超電導体と直接、もしくは拡散防止層を介して一体
化されたＣｕを主成分とする安定化材とを有する構造体
を、熱処理する方法において、前記安定化材の表面にＣ
ｕの酸化物薄層を形成させ非酸化雰囲気中で、または前
記安定化材の表面にＣｕの酸化物薄層が形成する大気の
酸素分圧より低い酸素分圧下で、前記熱処理を行うこと
を特徴としており、 また第２の発明は、第１の発明において安定化材として
＾（，７１％　Ｚｒ、ｌａｇｓ　Ｌｒ％Ｎｂ５Ｎｌおよ
びＡＪ！ｚ０３からなる群から選ばれた少なくともＩＰ
Ｊを０．１〜２重量％含むＣｕ合金を使用し、前記安定
化材の表面にＣｕの酸化物薄層を形成させ非酸化雰囲気
中で、または前記安定化材の表面にＣｕの酸化物薄層が
形成する大気の酸素分圧より低い酸素分圧下で、前記熱
処理を行うことを特徴としており、 さらに第３の発明は、第１の発明における構造体に予備
熱処理を施して前記化合物超電導体材料または化合物超
電導体、あるいは拡散防止層の構成元素を０．１〜２重
量％の範囲で前記安定化材中に拡散させた後、前記安定
化材の表面にＣｕの酸化物薄層を形成させ非酸化雰囲気
中で、または前記安定化材の表面にＣｕの酸化物薄層が
形成する大気の酸素分圧より低い酸素分圧下で、前記熱
処理を行うことを特徴としており、 またさらに第４の発明は、第１の発明において安定化材
を高純度Ｃｕ層と酸化しやすい元素または化合物による
強化Ｃｕ合金層とによる　２層構造とし、かつ最外層側
に形成された前記高純度Ｃｕ層の表面にＣｕの酸化物薄
層を形成させ非酸化雰囲気中で、または前記高純度Ｃｕ
層の表面にＣｕの酸化物薄層が形成する大気の酸素分圧
より低い酸素分圧下で、前記熱処理を行うことを特徴と
している。

また、第５の発明は、化合物超電導体の外周に安定化材
を設けてなる化合物超電導体において、前記化合物超電
導体と前記安定化材間に少なくとも金属酸化物からなる
拡散防止層が設けられていることを特徴としており、 さらに第６の発明は、化合物超電導体の外周に安定化材
を設けてなる化合物超電導体において、前記安定化材が
分散強化安定化Ｃｕからなり、かつ前記化合物超電導体
と前記分散強化安定化Ｃｕ間に多層構造を有し少なくと
も最外層が金属酸化物層からなる拡散防止層が設けられ
ていることを特徴としており、 またさらに第７の発明は、化合物超電導体の外周に安定
化材を設けてなる化合物超電導体において、前記安定化
材が高純度Ｃｕ層と強化Ｃｕ合金層とによる２層構造を
有し、かつ前記高純度Ｃｕ層と強化Ｃｕ合金層間に少な
くとも金属酸化物からなる拡散防止層が設けられている
ことを特徴としている。

本発明の化合物超電導体に用いられる安定化材としては
、以下に示すものが例示される。

（ａ）　　導電性に優れた高純度Ｃｕで安定化材を構成
する。

（ｂ）　　　ＡＪ２、Ｔｌ５Ｚｒ、Ｈｇｓ　’ｗｒＳＮ
ｂｓ旧およびＡｌ２Ｏ２からなる群から選ばれた少なく
とも１種を０．１〜２重量％含むＣｕ合金で安定化材を
構成する。

（ｅ）　　導電性に優れた高純度Ｃｕ層と酸化しやすい
元素または化合物による強化Ｃｕ合金層との２層構造で
安定化材を構成する。

上記（ａ）の場合、本発明の製造方法における熱処理は
、安定化材のＣｕ中に固溶している不純物を、安定化材
の表面に形成されたＣｕの酸化物薄層から拡散した酸素
により酸化して酸化物として析出させるとともに、超電
導体外周またはその外周に形成された拡散防止層上に、
安定化材のＣｕ中に固溶している不純物の酸化物、超電
導体の構成元素の酸化物または拡散防止層の構成元素の
酸化物による強固な拡散防止層を形成するためのもので
ある。

また、安定化材中に化合物超電導体の構成元素や拡散防
止層の構成元素を予め０．１〜２重量％程度分散させた
後、本発明の熱処理を行うことによって、これら拡散さ
せた元素が安定化材中で酸化物として析出し、安定化材
が分散強化安定化Ｃｕとなり、引張り強さを向上させる
ことができる。

また、上記（ｂ）の場合、本発明の製造方法における熱
処理は、上記（ａ）と同様に安定化材中の不純物を析出
させ、超電導体外周またはその外周に形成された拡散防
止層上に超電導体の構成元素や拡散防止層の構成元素の
酸化物による強固な拡散防止層を形成するとともに、安
定化材中に含まれるＡＪなどの金属元素を酸化物として
析出させて分散強化安定化Ｃｕとし、安定化材を強化す
るものである。

さらに、上記（ｅ）の場合、本発明の製造方法における
熱処理は、安定化材の高純度Ｃｕ層中に固溶している不
純物を、高純度Ｃｕ層の表面に形成されたＣｕの酸化物
薄層から拡散した酸素により酸化して酸化物として析出
させるとともに、高純度Ｃｕ層と強化Ｃｕ合金層間に強
化Ｃｕ合金中の添加元素の酸化物、高純度Ｃｕ中に固溶
している不純物の酸化物、超電導体の構成元素の酸化物
または拡散防止層の構成元素の酸化物による強固な拡散
防止層を形成するためのものである。

この際に用いられる強化Ｃｕ合金としては、２「−Ｃｕ
、　Ｚｒ−Ｃｒ−Ｃｏ−Ｃｕ　ｓ　Ｎｉ−Ｃｕ　ｓ　Ｎ
１−Ｚｎ−Ｃｕ、　Ｎ１−９ｎ−Ｃｕ。

５ｎ−Ｃｕ　ｓ　５ｎ−Ｐ−Ｃｕ　Ｎ　Ｔｌ−Ｃｕ　５
Ｂｅ−Ｃｕなどの酸化しやすい元素を固溶させた固溶強
化型Ｃｕ合金やスピノーダル強化型Ｃｕ合金、さらには
アルミナなどによる粒子分散強化型Ｃｕ合金などが使用
される。

これら強化Ｃｕ合金のうち、特に酸化銅とアルミナの混
合物を還元焼結することによって得られる粒子分散強化
型Ｃｕ合金の使用が好適している。この還元法によるア
ルミナ含有Ｃｕ合金は、超電導層生成温度における熱処
理によっても引張り強度の低下が少なく、本発明の化合
物超電導体のテンションメンバーとして充分な効果をも
たらす。また、固溶強化型Ｃｕ合金のうちでは、１０〜
３０ｖＬ％Ｎ　ｌ　−Ｃｕ　ｓＯ，８ｗｔ％Ｃｒ−０，
２ｗｔ％Ｚｒ−Ｃｕ　、　　０．５ｖｔ％Ｔｉ−Ｃｕな
どが同様な理由から好適している。

なお、上記（ａ）〜（Ｃ）いずれの場合においても、本
発明の熱処理は超電導体形成のための熱処理とともに、
または必要に応じて超電導体が形成された後に行われる
。また、熱処理によって形成される金属酸化物層のみに
よっても、拡散防止層としての効果を充分に得ることが
できる。

本発明に用いられる熱処理により反応して化合物超電導
体を形成する化合物超電導体材料としては、たとえばＮ
ｂ３　Ｓｎの形成材料であるＮｂとＳｎ、およびＮｂ、
　　Ａβの形成材料であるＮｂとＡＪ２が例示される。

上記（ａ）と（ｂ）とを有する構造体としては、■　第
１図（ａ）に示すように、Ｓｎコア１１上にＣｕ層１２
、Ｎｂ層１３、安定化材層１４を順に設けたもの、 ■　同図（ｂ）に示すように、Ｎｂコア１５上に、Ｓｎ
を固溶させたＣｕ合金層１６を設けたもの、■　■、■
をそれぞれマルチ構造としたもの、■　■をマルチ構造
とし、その外周に拡散防止層と安定化材層を順に設けた
もの、 ■　同図（ｃ）に示すように、Ａ１合金の棒１７の外周
にＮｂ彼覆１８を設けたもの、■　■をマルチ・構造と
したもの、 ■　■の外周に安定化材層を設けたものなどが例示され
る。

なお、本発明における構造体は、これらのものに限定さ
れるものではなく、安定化Ｈの表面が酸素ガスと接する
形態であれば、どのような形状、構造のものであっても
よい。また、これらの構造体中の安定化材のＣｕと他の
拡散防止層、超電導体などの構成元素との比率は、０．
２〜ＩＯ程度が望ましい。なお、上記■のＣｕ合金を用
いるものは、たとえばＣｕ　−８１１合金ではＳｎａ度
が１４ｖｔ％以上になると中間焼鈍を加えても加工が困
難になる。

安定化材の表面に形成するＣｕの酸化物薄層は、ＣｕＯ
、Ｃｕ２０単独またはＣｕＯとＣｕ２０との混合物から
なる厚さが０．１μ−〜ｌＯμ饋程度のもので、たとえ
ば酸素濃度１０％以上の常圧処理雰囲気中においては【
００℃〜４００℃の温度で、ｌ−１２０時間熱処理する
ことにより形成され、また低真空中（ＬＸ　１Ｏ−１Ｔ
ｏｒｒ　〜ＬＸ　１Ｇ−’　Ｔｏｒｒ程度）においては
３〜１００時間熱処理することによって形成されるとと
もにＣｕ中に拡散する。

なお、この酸イ、ヒによって形成される酸化物薄層は、
銅と酸化銅との熱収縮の差によって熱処理炉内から取出
す際などに剥離しやすいため、予め熱処理を行う構造体
をステンレス管などの管状体内に収容したり、ガラスス
リーブなどによって構造体の外表面に保護被覆を設ける
などして、この状態で酸化処理を行うことが好ましい。

酸化物薄層が剥離すると、この後に行う熱処理の際に酸
素の供給源が断たれ、安定化材中への不純物の拡散防止
や分散強化のための酸化物の形成にばらつきが生じてし
まうが、管状体内に収容した状態や保護被覆を設けた状
態で酸化処理した後にこの状態を′維持して熱処理する
ことによって、多少酸化物薄層の剥離が生じても、系内
に酸素の供給源となる酸化物が存在しているため、充分
に本発明の効果を発揮できる。また、電気絶縁性のガラ
ススリーブなどを用いることによって、コイルなどの成
形体を形成した後でも安定して熱処理を施すことができ
る。さらに、ステンレス管などの管状体を用いる際には
、この管内に大気あるいは酸素ガスと不活性ガスとの混
合ガスを流通させつつ酸化処理することによって充分に
酸化物薄層を形成することができる。

また、ＣＶＤによりＣｕの酸化物薄層を形成させたり、
エボノールＣ（商品名）のような黒化剤を用いて化学的
に酸化させたり、Ｃｕの酸化物を含むベースト状の塗料
を塗布することによってもＣｕの酸化物薄層を形成させ
ることができる。

安定化材表面に形成する酸化物薄層の厚さが余り薄いと
、たとえば０．１μ−未満であると、Ｎｂ３Ｓｎ層のよ
うな化合物超電導体層を形成するための熱処理の際に、
高真空（ｌ　ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒ以上）または不活
性ガス雰囲気とする場合には、酸化物層の酸素量が少な
いので、低いＲＲＲ（たとえばＲＲＲン８）しか得られ
なくなり、逆に、線径（外径）１１１に対してＣｕの酸
化物薄層の厚さがｌＯμ−を越したり、酸素分圧の高い
雰囲気中で熱処理を行うと、安定化材中へ入り込む酸素
量が多くなりすぎて拡散防止層を厚くするとともに、酸
化のため安定化材の体積が減少（線が細くなる）し、ま
たＮｂも酸化されて強度やＲＲＲおよびＪｃの低下の原
因となる。

したがって、これらの兼合いを考慮しなからＣｕの酸化
物薄層の厚さを設定することが望ましい。

このようにして安定化材の外周にＣｕの酸化物の形成さ
れた構造体は、次いで大気減圧下、高真空下（ＩＸ　１
０−’　Ｔｏｒｒ以下）、不活性ガス雰囲気下などで、
Ｎｂ３Ｓｎの場合には６５０℃〜７７０℃で１０〜４０
０時間、Ｎｂ３　　Ａぶの場合には７５０℃〜９５０℃
で１〜゛１００時間熱処理して化合物超電導体材料を反
応させて化合物超７に導体を形成させるとともに、酸素
を安定化材中に拡散させて安定化材中の不純物元素、添
加元素、拡散防止層表面などと反応させて酸化物を形成
させる。

また、安定化材の分散強化を超電導体の構成元素よって
行う場合には、まず通常どおりに上記構造体を大気中で
化合物超電導体の生成温度で１時間〜ｌＯ時間程度予備
的に熱処理し、化合物超電導体の形成を一部行うととも
に、化合物超電導体や拡散防止層の構成元素、たとえば
Ｓｎを０．１〜２．０重量％の範囲で安定化材中に拡散
させる。この後、上記した酸化物薄層を安定化材表面に
形成し、次いで大気減圧下、不活性ガス雰囲気下、真空
下などでの熱処理を施し、超電導特性を得るのに充分な
化合物超電導体を形成させるとともに、酸素を安定化材
中に拡散させて安定化材中の不純物元素や拡散元素と反
応させて安定化材を強化し、かつ拡散防止層表面なぞと
反応させて酸化物を形成させ強固な拡散防止層を形成す
る。

また、必要に応じて上記のようにＣｕの酸化物薄層を形
成するための熱処理と拡散のための熱処理とを分離せず
に、大気の酸素分圧より低い酸素分圧下で、たとえばＩ
Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒ　〜ＬＸ　１０−”　Ｔｏｒｒ程
度の低真空下で、Ｃｕの酸化物薄層を形成しながら拡散
のための熱処理を行うようにしてもよい。また、安定化
材として酸素を０．３ｖｔ％程度含有する高純度Ｃｕを
用いることによって、酸化物薄層の形成を省き直接化合
物超電導体の生成温度における熱処理を行うことも可能
であり、すでに安定化材に入っている酸素は、たとえば
Ｎｂ３　Ｓｎ生成熱処理時（７００℃）に各Ｎｂフィラ
メント毎にＮｂＯを生成し、Ｓｎの安定化銅へのもれを
防ぐ役目をする。

さらに、公知の方法により製造された化合物超電導体の
安定化材の表面にＣｕの酸化物薄層を形成し、またはＣ
ｕの酸化物薄層が形成する雰囲気下で熱処理することに
より、安定化材のＣｕ中に固溶している不純物を酸化し
て酸化物として析出させ純度を向上させるとともに、超
電導体フィラメント群の外周、またはその最外周に形成
された拡散防止層上に酸化物による強固な拡散防止層を
形成することもできる。

これら熱処理によって形成される金属酸化物層からなる
拡散防止層は、必ずしも連続的に形成しなければならな
いものではなく、不連続的に形成してもよい。このよう
に金属酸化物層を不連続的に形成することによって、化
合物超電導体と安定化材との間での熱伝導を良好に維持
することが可能となる。

このように金属酸化物層を不連続的に形成するには、金
属酸化物層からなる拡散防止層の形成位置、たとえば上
記（ａ）および（ｂ）の場合には化合物超電導体と安定
化材との境界面、あるいは上記（ｃ）の場合には高純度
ＣＩＪ層と強化Ｃｕ合金層との境界面の形状を凹凸形状
とし、このような構造体に対して本発明の熱処理を施す
ことによって境界面とＣｕの酸化物薄層との距離の違い
により、よりＣｕの酸化物薄層に近い部分に選択的に金
属酸化物を析出させることが可能となる。この境界面の
凹凸形状は、安定化材もしくは化合物超電導体を形成す
る部材の少なくとも一方の境界面側を凹凸形状として一
体化することによって、容易に形成することができる。

なお、このように金属酸化物層を不連続的に形成しても
、化合物超電導体やＮｂからなる拡散防止層側から安定
化材方向に拡散する元素は、部分的に形成される金属酸
化物層によって充分に捕獲されるため、安定化材を汚染
することはない。

なお、本発明により得られる超電導体を熱処理可能な製
品へ適用する場合には、本発明の熱処理をその製品の組
立過程で行うようにしてもよい。

たとえば、本発明により製造された超電導線を用いて超
電導体コイルを形成するような場合には、コイル用の巻
枠へ熱処理前の索線を巻装し、この状態で化合物超電導
体および拡散防止層形成のための熱処理を行うようにし
てもよい。

（作　用） 本発明の熱処理工程においては、安定化材の表面に形成
されたＣｕの酸化物薄層中の酸素が安定化材中に拡散し
ていき、安定化材中に固溶している不純物、または超電
導体構成材料から拡散してきた不純物を酸化して析出さ
せ、安定化材と化合物超電導体間に強固な金属酸化物か
らなる拡散防止層を形成する。また、Ｎｂなどの拡散防
１Ｌ層がある場合には、その表面に金属酸化物層を形成
して拡散防止層自身からの安定化材中への不純物拡散を
防止することができる。これによって、安定化材の電気
抵抗の増加を抑制することができ、化合物超電導体の安
定性の向上をはかり得る。

また、安定化材中に八βなどの金属元素を固溶させた場
合には、あるいは予め安定化材中に超電導体や拡散防止
層の構成元素を拡散させた場合には、これらの添加元素
や拡散元素が酸化物として析出して安定化材を強化させ
、安定化材の電気抵抗の増加を抑制するとともに、その
機械的強度を向上させる。

また、安定化材を高純度Ｃｕ層と強化Ｃｕ合金層との２
層構造とすることによって、本発明の熱処理により高純
度Ｃｕ層と強化Ｃｕ合金層間に強化Ｃｕ合全中の添加元
素などの酸化物層が形成され、高純度Ｃｕ層は導電性が
保たれるとともに、強化Ｃｕ合金層によって強度が付与
される。

さらに超電導体は、それ自身は高い電気抵抗を持つ拡散
防止層で囲まれているため、交流損失（結合損失）を減
らす効果もある。

（実施例） 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

実施例１ 第２図は本発明の一実施例により製造されたＮｂｔ　Ｓ
ｎ［電導線の概略構造を示す断面図である。

このＮｂ５Ｓ口超電導線では、Ｃｕ−８ｎマトリツクス
２１内に、Ｎｂ線２２ａ上にＮｂ３　Ｓｎ層２２ｂを形
成させた複数本の芯線２３を分布埋設した構造体２０の
外周上に、Ｎｂなどからなる第１の拡散防止層２４およ
びＮｂの酸化物、Ｓｎの酸化物、ｌ’ｌの酸化物などか
らなる第２の拡散防止層２５およびＣｕからなる安定化
材２６が順に形成されている。すなわち、従来構造と異
なり、第１の拡散防止層２４と安定化材２６との間に、
新たにＮｂの酸化物、Ｓｎの酸化物、Ｔｌの酸化物のよ
うな超電導体および拡散防止層の構成元素の酸化物によ
る第２の拡散防止層２５が設けられている。

次に、上記構造の化合物超電導体の製造方法について説
明する。

まず、外径５０ｎφ、内径４０　ｍｍφ程度のＣｕから
なる円筒状の安定化材２６を用意し、この安定化材２６
の内部にＮｂからなる円筒状の第１の拡散防止層２４を
形成する。次いで、第１の拡散防止層２４の内部に、Ｎ
ｂからなる芯線２２ａを軸方向に沿って複数本分布配置
すると共に、線間にＴＩを０．３重量％添加したＣｕ−
９ｎ　１３ｆｆ（ｆｉ％マトリックス２１を充填する。

次いで、これらを一体化処理した後、線引きと中間焼鈍
を繰返、し所定の径まで細くし、この状態で大気中３０
０℃で４８時間熱処理して安定化材２６の表面にＣｕ酸
化物（ＣｕＯ＋　Ｃｕｚ　Ｏ）を形成させる。

しかる後、大気を減圧（ＩＸＩＯ°４〜ｌＸｌ０−’Ｔ
ｏｒｒ）　Ｌながら７００℃にて１２０時間熱処理する
。

この熱処理により、Ｎｂ線２２ａがＣｕ−９ｎマトリツ
クス２１中のＳｎと反応してＮｂ線２２ａの外周上にＮ
ｂ３　Ｓｎ層２２ｂが形成される。

このとき、安定化材２．６のＣｕ中を拡散してきた酸素
と化合して第１の拡散防止層２４と安定化材２６との間
にＮｂの酸化物などからなる第２の拡散防止層２５が形
成される。したがって、安定化材２６はＮ１１などで汚
染されない。

ちなみに、安定性の基準となるＲ　ｌ？　Ｒと臨界温度
直上の２０［Ｋ］におけるρ（以下同じ）を比較するた
めに、前述した従来の化合物超電導線（線径−０、８７
＋ｇｎφ、２６４本マルチ、Ｃｕ比１．０）と、第２図
に示すこの実施例の構造（寸法などは従来の超電導線と
同じ）の化合物超電導線をそれぞれ製作し、上記の特性
を測定したところ、従来構造のものではＲＲＲが３．３
、ρが６．３　Ｘｌ０−’　［Ω・Ｃｍ］であったのに
対して、この実施例の構造のものではＲｌ？　Ｒが１９
０、ρが１．２ＸｌＯ−’　［Ω・ｅｍｌであった。

また、これらの臨界電流密度（」Ｃ）を４−１定したと
ころ、従来構造のものでは１５テスラで３１１０Ａ／１
１２であったのに対して、この実施例の構造のものでは
１５テスラで４００＾ハ１２であるが、従来構造と実施
例の構造のものとでは、安定化材２６の電気抵抗値に明
らかな差が見られ、第２の拡散防止層２５により電気抵
抗の増大が抑制されることが判明した。

実施例２ 外径５０　ｍｌφ、内径４０１１φのＣｕからなる円筒
状の安定化材内部に、ＴＩを　ｌＪｎ％添加したＮｂチ
ューブを挿入し、この中に、Ｓ１濃度が３０％になるよ
うにＳｎ線上にＣｕ被覆を施した外径２０１１φの複合
線を挿入して一体化し所定の外径にまで線引きした。

この素線を、２０％の酸素を含むアルゴンガス（不活性
ガス）を０．２ｆｔ／分でフローさせながら、３００℃
で４８時間熱処理して安定化材の表面に厚さ５μ−のＣ
ｕの酸化物薄層を形成させた。次に高純度のアルゴンガ
スを０．２℃／分でフローさせながら７００℃で１２０
時間熱処理し、Ｎｂチューブと内部のＣｕ被覆を拡散し
てきたＳｎとを反応させてＮｂ３Ｓｎ層を形成するとと
へもに、Ｎｂ、　ＴＩおよびＮｂｌ　Ｓｎ層から拡散し
てきたＳｎと安定化材のＣｕ中を拡散してきた酸素とを
反応させて安定化材とＮｂの外表面間にＮｂｓ　Ｓｎ、
　Ｔｉなどの酸化物からなる拡散防止層を形成した。

こうして得られた超電導線のＲＲＲは５２０、ρはｏ、
ｇｘ　ｔｏ−ツ［Ω・Ｃｍ］であった。

実施例３ 実施例２において、表面にＣｕの酸化物薄層を形成した
素線を高真空（３Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒ）中で７００℃
で４８時間熱処理し、Ｎｌ）チューブと内部のＣｕ被覆
を拡散してきたＳｎとを反応させてＮｂ３Ｓｎ層を形成
するとともに、Ｎｂチューブ表面のＮｂ５ＴｉおよびＮ
ｂ３Ｓｎ層を拡散してきたＳｎなどと、安定化材中を拡
散してきた酸素とを反応させて安定化材とＮｂ外表面間
にＮｂ、　Ｓｎｓ　Ｔｌなどの酸化物からなる拡散防止
層を形成した。

この実施例で得られた超電導線の旧？１？は４４０１ρ
は０．９５　Ｘｌ０−９［Ω・Ｃ１１］であった。

実施例４ 実施例２における表面にＣｕの酸化物薄層を形成する前
の索線を大気中で減圧（１０’　−１０Ｔｏｒｒ）　シ
゛ながら　７００℃にて１２０時間熱処理し、内部のＣ
ｏ１田を拡散してきたＳｎとＮｂチューブとを反応させ
てＮｂ３　Ｓｎ層を形成するとともに、Ｎｂチューブ表
面のＮｂ、　ＴＩおよびＮｂ３　Ｓｎ層を拡散してきた
Ｓｎなどと、安定化材中を拡散してきた酸素と反応させ
て安定化材とＮｂチューブ外表面間にＮｂ、　５ｎＳＴ
ｌなどの酸化物からなる拡散防止層を形成した。

こうして得られた超電導線のＩ？　ＲＩ？は２１０、ρ
はｌＸｌ０−＋１［Ω・Ｃｌ１１〕であった。

実施例５ 実施例２における表面にＣｕの酸化物薄層を形成する前
の素線に、編組したガラススリーブを被せ、これを大気
中において３２０℃で４０時間熱処理し、安定化材の表
面に厚さ、６μｍの酸化物薄層を形成した。次に、これ
を高真空（３ＸｌＯ’Ｔｏｒｒ）中で７００°Ｃで１０
０時間熱処理し、内部のＣｕ被覆を拡散してきたＳｎと
Ｎｂチューブとを反応させてＮｂ３　Ｓｎ層を形成する
とともに、Ｎｂチューブ表面のＮｂ、　ＴＩおよびＮｂ
３Ｓｎ層から拡散してきたＳｎなどと、安定化＋（中を
拡散してきた酸素とを反応させて安定化材とＮｂチュー
ブ外表面間にＮｂｓ　Ｓｎ、’ｒ＋などの酸化物からな
る拡散防止層を形成した。

このように超電導体素線の表面にガラススリーブを被せ
た状態で酸化処理および熱処理を行うことによって、酸
化物薄層の剥離による脱落が防止でき、Ｎｂｓ　Ｓｎ、
ＴＩなどの酸化物からなる拡散防止層の形成か安定した
。また、このようにして得られた超電導線のＲＲＲは３
！口、ｐは１．４４ＸＩＯ−δ［Ω・ｃＩｆｌ］であっ
た。

実施例６ 実施例２における表面にＣｕの酸化物薄層を形成する前
のｔ、線をステンレス管内に収容し、このステンレス管
内に２０％の酸素を含むアルゴンガスを０．２℃／分で
フローさせながら、３２０℃で４８時間酸化処理を行い
、安定化材の表面に厚さ　７μｍのＣｕの酸化物薄層を
形成させた。次に、このステンレス管内に収容した状態
で、このステンレス管内に高純度のアルゴンガスをＩＪ
２／分でフローしつつ７００℃で１００時間熱処理し、
内部のＣｕｍｆｆ１を拡散してきたＳｎとＮｂチューブ
とを反応させてＮｂｌＳＩｌ層を形成するとともに、Ｎ
ｂチューブ表面のＮｂ５ＴｉおよびＮｂ３　Ｓｎ層を拡
散してきたＳｎなどと、安定化材中を拡散してきた酸素
と反応させて安定化材とＮｂチューブ外表面間にＮｂ５
Ｓｎ、　Ｔｉなとの酸化物からなる拡散防止層を形成し
た。

このように超電導体素線をステンレス管内に収容した状
態で酸化処理および熱処理を行うことによっても、酸化
物薄層の剥離による脱落が防止でき、Ｎｌ）、Ｓｎ、　
ＴＩなどの酸化物からなる拡散防止層の形成が安定した
。また、このようにして得られた超電導線の旧？１？は
２８０、ρは２０Ｋにおいて１．ＧＸＩＯ−８［Ω・ｃ
ｍ］であった。

実施例７ 実施例２における熱処理前の素線を外形正六角形に成形
し、この索線を多数Ｃｕ管からなる安定化月中に配置し
て常法により減面加工を施し、外径０．９４＋ｎｌφ、
Ｃｕ比０．９．８４フアインマルチＮｂ３　Ｓｎ超電導
線を製造した。次にこのファインマルチＮｂ３Ｓｎ超１
七導線を、大気中３００℃で４８時間熱処理して安定化
材の表面にＣｕ酸化物（ＣｕＯ十Ｃｕ２０）を形成させ
た。

しかる後、大気を２〜３Ｔｏｒ＋・に減圧しながら７０
０℃で　１２０時間熱処理し、Ｎｂチューブと内部のＣ
ｕ被覆を拡散してきたＳｎとを反応させてＮｂ３Ｓｎ層
層を形成するとともに、Ｎｂチューブ表面のＮｂ、　Ｔ
ＩおよびＮｂＨＳｎ層を拡散してきたＳｎなどと安定化
材中を拡散してきた酸素と反応させて、最外周のコアの
安定化材との境界面のうち、外側に向う部分に、Ｎｂ、
　Ｓｎ、Ｔ１などの酸化物からなる拡散防止層を形成し
た。

このようにして得られた超電導線のＪｃは１５テスラで
６０〇八／ｖｄであり、ＲＲＩ？は　１５０てあっｊこ
。また、断面を顕微鏡−〇みると、第３図（ａ）および
（ｂ）に示すように最外周のコアのＮｂ３Ｓｎ相３１と
Ｃｕの安定化材３４との境界面のうち、外側に而する部
分に、黒色層３２が認められた。

また、この断面について２次イオン質量分析を行ったと
ころ、黒色層３２は、Ｎ　ｂ　、　１’　ｌ　、　Ｓ　
ｎの酸化物からなっており、〜１〕チューブ自体による
第１の拡散防止層と上記酸化物による第２の拡散防止層
が混合した状態のものであることか判明した。図におい
て、３３はＳｎ、Ｔｉ、Ｎｂなどにより汚染された安定
化Ｃｕ、３４はＳｎ、Ｔｉ５Ｎｂなどの酸化物の形成に
よりＮｂ、　Ｓｎ、　ＴＩなどに汚染されなかった安定
化Ｃｕを示す。

なお、比較のために、安定化材表面への酸化物層を形成
するための熱処理をしなかった点を除いて実施例５と同
一条件で化合物超電導線を製造した。この超電導線のＪ
ｃは１５テスラで５７５Ａ／ｍ−であり、Ｒｌ？　ｌ？
は５であった。また、断面を顕微鏡でみると、第４図（
ａ）および（ｂ）に示すようにＮｂ３　Ｓｎ相３１の外
周の安定化Ｃｕとの境界部分には、Ｎｂ５Ｓｎ１Ｔｉな
どの酸化物による黒色層が全く形成されておらず、２次
イオン質量分析およびＣＭＡ分析を行ったところ、安定
化月中にＳｎが拡散して汚染されていることが確認され
た。実施例２のＳｎ線上にＣｕ披題を施した複合線の代
わりにへβ合金線を用いて、本実施例と同様の処理を行
っても特性の向上が認められた。

実施例８ 実施例７における表面酸化処理前の外径０　、９４１ｍ
φ、Ｃｕ比０．９．８４フアインマルチ線を、ステンレ
ス製巻わくに１８層にわたって巻き重ね、これを大気中
で４８時間、３００℃で酸化処理し、安定化材の表面に
Ｃｕの酸化物を形成させた。次に７００℃で１２０時間
、ＬＸ　１Ｏ−６Ｌｏｒｒの真空中で熱処理し、Ｎｂ３
　Ｓｎ層とＳｎ、　Ｔｌ５Ｎｂなどの酸化層である拡散
防止層を形成させた。各層のＲｌ？　Ｉ？を測定したと
ころ、第５図に示すように平均３３０を示し、各層によ
る相違はほとんど認められなかった。

実施例９ 実施例７における表面酸化処理前の外径０．９４ｍ１ｌ
φ、Ｃｕ比０．９．８４フアインマルチ線上にカップリ
ング剤で処理したガラスクロスを巻回し、このファイン
マルチ線を、ステンレス製巻わくに１８層にわたって巻
き重ねた。次に、これを大気中で１００〜４００℃に加
熱して、ガラスクロスのシランカップリング剤中の炭素
分を分解揮散させるとともに、安定化材の表面にＣｕの
酸化物を形成させた。この後、７００℃で１２０時間、
Ｉ　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空中または不活性ガス中
で熱処理して、Ｎｂ３Ｓｎ層とＳｎ。

ＴＩ％Ｎｂなどの酸化層である拡散防止層を形成させ、
放冷後ファインマルチ線間にエポキシ樹脂を含浸させて
コイルを構成した。各層のＲＲｌ？を７１１１定したと
ころ実施例８と同様の均一で高いＲ１？Ｉ？を有するコ
イルを構成することができた。

実施例１０ 第６図は本発明の他の実施例により製造されたＮｂ３！
１ｉｎＢ３電導線の概略構造を示す断面図である。

このＮｂ３　Ｓｎ超電導線では、テープ状のＴｉ添加Ｃ
ｕ−８ｎ　７トリツクス４１内に、Ｎｂ線４２ａ上にＮ
ｂ３Ｓｎ層４２ｂを形成させた庚数本の芯線４３を分布
、埋設した構造体４０の片面に、Ｎｂなどからなる第１
の拡散防止層４４およびＮｂの酸化物などからなる第２
の拡散防止層４５およびＣｕからなる安定化材４６が順
に形成されている。

次に、上記構造の化合物超電導体の製造方法について説
明する。

まずＴ１を０．３重量％添加した板状のＣｕ−１３ｖｔ
％Ｓｎマトリックス４１内にＮｂからなる芯線４２ａを
複数本分布させて長さ方向に沿って埋設する。芯１ｉＩ
４２　ａをＧｕ−３ｎマトリツクス４１内に分布埋設す
るには、たとえば平板状のＣｕ−８ｎ７トリツクス４１
の片面に平行に多数の溝を形成し、この中に芯線４２ａ
を埋設したものを多数積層し、これを圧着することによ
り得られる。

次いで、その片面にＮｂ板からなる第１の拡散防止層４
４およびＣｕ板からなる安定化材４６を順に重ねて圧着
する。しかる後、これらを圧延して所定の厚さまで薄く
し、この状態で人気中３００℃で４８時間熱処理して安
定化材の表面にＣｕ酸化物（ＣｕＯ＋Ｃｕ２０）を形成
させる。

しかる後、大気の減圧下（ＩＸＩＯ−２〜５Ｔｏｒｒ）
あるいは不活性雰囲気中（たとえばＡ「雰囲気中）で７
００℃にて１２０時間熱処理すると、Ｎｂ線４２ａがＣ
ｕ−３ｎマトリツクス４１中の８口と反応してＮｂ線４
２ａの外周上にＮｂ３　Ｓｎ層４２ｂが形成される。

このとき、第１の拡散防止層４４は、安定化月４６のＣ
ｕ中を拡散してきた酸素と化合し、第１の拡散防止層４
４と安定化材４６の間に第２の拡散防止層４５が形成さ
れる。

実施例１１ Ｃｕ−８ｎ合金テープの両面にＮｂテープとＣｕテープ
を順に積層したテープを用いて実施例１０と同じ条件で
、表面酸化処理および拡散のための熱処理を行った。こ
の実施例では、ＮＩＪテープの内面にＮｂ３　Ｓｎ層が
形成され、ＮｂテープとＣｕテープの境界面に、Ｎｂな
どの酸化物からなる拡散防止層が形成された。

実施例１２ 実施例７における安定化材として八で２０３を１．１重
量９６含有するものを用いた以外は実施例７と同じ条件
でＮｂ３　Ｓｎマルチ超電導線を製造した。

得られた超電導線の安定化材中には顕微鏡観察により　
八℃２０］が認められ、またその機械的特性は大喪に示
す通りであり向上していた。

表 実施例１３ 実施例２における表面にＣｕの酸化物薄層を形成する前
の索線に、まず大気中、７２５℃、８時間の条件で予備
熱処理を施し、内部のＣｕ肢覆を拡散してきたＳｎとＮ
ｂチューブとを反応させてＮｂ３　Ｓｎ層を一部形成す
るとともに、Ｎｂ３Ｓｎ柑から拡散してきたＳｎの一部
を安定化材内に拡散させた。なお、安定化材中へのＳ１
１の拡散量は　１重量％以下とし、また予備熱処理後の
超電導体のＩ？　ｌ？　Ｉ？は７８，５であった。

次に、この予備熱処理を施した超電導線の表面に編組し
たガラススリーブを被せ、これを大気中において３２０
℃で４８時間熱処理し、安定化材の表面に厚さ　９μｍ
の酸化物薄層を形成した。次いで、これを３Ｘ　１ｏ−
６Ｔｏｒｒの真空中で７０Ｏ℃で４８時間熱処理し、さ
らにＳｎとＮｂチューブとを反応させてＮｂ３　Ｓｎ層
を形成するとともに、Ｎｂチューブ表面のＮｂ５Ｔｉお
よびＮｂ３Ｓｎ層を拡散してきたＳｎなどと、安定化材
中を拡散してきた酸素とを反応させて安定化材とＮｂチ
ューブ外表面間にＮｂ、　Ｓｎ、ＴＩなどの酸化物から
なる拡散防止層を形成し、さらに安定化材中に拡散した
Ｓｎと酸素を反応させて、安定化材中に酸化スズを析出
させた。

得られた超電導線の安定化材中には、２次イオン質量分
析によりＳｎの酸化物が認められ、またその機械的特性
は向上していた。また、このようにして得られた超電導
線のｌ？ＲＲは１５１１ρは３．３×１０−８［Ω・ｃ
ｌｌ］てあった。

実施例１４ 第７図は本発明のさらに他の実施例により製造されたＮ
ｂ５ＡＪ２超電導線の概略構造を示す断面図である。

このＮｂ３　　＾℃超屯導線では、Ｎｂマ！・リックス
５１内に、Ａ２合金線５２ａ上にＮｂ３　　＾、ｅ層５
２ｂを形成させた複数本の芯線５３を分布埋設した構造
体５０の外周上に、Ｎｂの酸化物などからなる第２の拡
散防止層５４およびＡＪ２２０３５６を分散させて強化
した分散強化型のＣｕからなる安定化材５５が順に形成
されている。

すｔよオ〕ち、従来構造と異なり、Ｎｂマトリックスと
安定化材との境界に新たにＮｂの酸化物などの超電導体
（、＋４成元素の酸化物からなる拡散防止層が形成され
ている。

なお、この実施例においては、Ｎｂマトリックス５１が
第１の拡散防ＩＦ層としての機能を果す。

次に、上記構造の化合物超電導体の製造方法について説
明する。

まず、Ｍｇを添加したＡ１合金を丸棒に加工して芯材と
した。さらにＮｂ管と複合して単芯線に伸線加工し、こ
れを１２０本Ｎｂ管に挿入し、このＮｂ管を安定化材と
なるＣｕ答に挿入して１２０芯の多芯線に伸線加工する
。

その後、伸線加工をくり返し　１ｖｌφの線径をｂつ構
造体を形成して、この構造体を人気中３００°Ｃで４８
時間熱処理して安定化Ｃｕ材表面にＣｕ酸化物（ＣｕＯ
十Ｃｕ２０）を形成させる。

しかる後、非酸化雰囲気中、たとえばｔｘｔｏ−６１”
ｏｒｒの真空中や不活性ガス中で８００’Ｃ，３時間の
熱処理を行ってＡ２合金とマトリックスのＮｂを反応さ
せへβ合金芯外周にＮｂ５Ａβを形成させる。

このとき、Ｎｂは安定化Ｃｕ中へ拡散するが、安定化材
Ｃｕを拡散してきたＣｕの酸化物の酸素と反応してＮｂ
酸化物を析出し７て、Ｎｂなとの拡散は押えられ安定化
Ｃｕ中の純度は保たれる。

また、安定化Ｃｕには八（が添加しであるが拡散してき
た酸素と化合し八β２０３を形成し安定化材は分散強化
型のＣｕになる。

このようにして得られた超電導線のＲＲＲは１７０゜Ｊ
ｃは１５テスラで２５ＯＡ／ｌ１１２であった。

実施例１５ 実施例２における表面にＣｕの酸化物薄層を形成する前
の素線を、大気を減圧し低真空（ＩＸＩＧ−”１’ｏｒ
ｒ〜ＬＸ　１０−’　Ｔｏｒｒ程度）状態とした雰囲気
中において７２５℃で３〜１００時間の条件で熱処理し
、Ｎｂ３　Ｓｎ相を形成するとともに、炉内に残留する
酸素によって安定化材の表面に酸化物薄層を連続的に形
成し、この酸化物薄層からの酸素とＮｂチューブ表面の
ＮｂやＮｂ３　Ｓｎ層を拡散してきたＳｎなどと反応さ
せて、これらの酸化物による拡散防止層を形成した。

この実施例で得られた超電導線のＲＲＩ？と処理時間と
の関係を第８図に示す。ちなみに、熱処理時間を４７時
間に設定した超電導線のＩ？ＲＲは３９３で、ｐは　１
．ａ８　Ｘｌ０−８［Ω・Ｃｌ１ｌ］であった。

実施例１６ 第９図は、本発明のさらに他の実施例により製造された
Ｎｂ３　Ｓｎ超電導線の概略構造を示す断面図である。

このＮｂ３’Ｓｎ超電導線では、Ｌｕ−８ｎマトリツク
ス６１内に、Ｎｂ線６２ａ上にＮｂ３　！ｌｉｎ層６２
ｂを形成させた複数本の芯線６３を分布埋設した構造体
６０の外周上に、Ｓｎの酸化物などからなる拡散防止層
６４とＣｕからなる安定化材６５が順に形成されている
。

すなわち、従来構造のＮｂやＴａなどからなる拡散防止
層とは異なり、Ｃｕ−８ｎマトリツクス６１と安定化材
６５との境界に、Ｓｎの酸化物などの超電導体構成元素
の酸化物からなる拡散防止層６４が形成されている。

次に、上記構造の化合物超電導体の製造方法について説
明する。

まず、外径１０１１１１％内径５．７■の１３ｗＬ％５
ｎ−Ｃｕ　（ブロンズ）パイプ内にＮｂ棒を挿入し、所
定の六角形状に減面加工を施して芯線とする。次いで、
この芯線を多数本束ねて外径５０■−１内径４（ｉｎ＋
ｍのＳｎ１３ｗｔ％−Ｃｕ　　（ブロンズ）パイプ内に
挿入し、外径２．８ｍａ＋まで減面加工を施して構造体
を形成する。この後、この構造体の外周に無酸素銅を被
覆して一体化し、次いで外径１ｍ１１の線径まで中間焼
鈍と伸線加工を施して素線を作製する。

次に、この素線に対して大気中、２００℃で６０時間熱
処理してＣｕからなる安定化材表面にＣｕの酸化物（Ｃ
ｕＯ十Ｃｕ２０）を形成させる。

しかる後、たとえば５Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空中や
不活性ガス中で７００℃、８０時間の熱処理を行って、
Ｎｂ芯とＣｕ−８ｎマトリツクスのＳｎを反応させ、Ｎ
ｂ芯外周にＮｂ３Ｓｎ相を形成させる。このとき、Ｃｕ
−３ｎマトリックス中のＳｎは、安定化材中を拡散して
きたＣｕの酸化物の酸素と反応してＳｎ酸化物層からな
る拡散防止層が形成され、ＳｎやＮｂなどの拡散は押え
られ安定化Ｃｕ中の純度は保たれる。

また、安定化材中の不純物も酸化され、安定化材の純度
も向上する。

このようにして得られた超７ｈ導線の旧？１？は１６０
、Ｊｃは１５テスラで２５０＾／龍２であった。

実施例１７ 第１０図は、本発明のさらに他の実施例のＮｂ３Ｓｎ超
電導線の概略構造を示す断面図である。

このＮＬ）ＩＳ１１超電導線は、実施例１のＮｂ３　Ｓ
ｎ超電導線と同様に、Ｃｕ−８ｎマトリツクス７１内に
、Ｎｂ線７２ａ上にＮ１１３３１１層７２ｂが形成され
たｌＳｉ数本の芯線７３を分布埋設した（Ｉ■造鉢体７
０外周上に、Ｎｂなどからなる第１の拡散防止層７４と
安定化材７５とが順に形成されており、これら第１の拡
散防止層７４と安定化材７５との境界面７６形状が凹凸
形状を有している。そして、この境界面７６の安定化材
７４の外周により近い部分に、選択的にＮｂの酸化物、
Ｓｎの酸化物、１゛Ｉの酸化物などからなる第２の拡散
防止層７７が形成されている。

すなわち、実施例１のＮｂ３５ｎｒｉｉ電導線の構造と
異なり、Ｎｂの酸化物、Ｓｎの酸化物、Ｔ１の酸化物の
ような超電導体および拡散防止層の構成元素の酸化物に
よる第２の拡散防止層７７が不連続に形成されている。

このようにして得られた超電導線のｌ？　Ｒｌ？は１７
０、Ｊｃは１５テスラで２５０＾／１１２と、実施例１
で作製した超電導線と遜色なく、第２の拡散防止層７７
を不連続とすることによって、安定化材７５が汚染され
ることがないことを確認した。

このように、金属酸化物層からなる第２の拡散防止層７
７を不連続に形成することによって、Ｎｂ３　Ｓｎ層７
２ｂが埋設されているＣｕ−３ｎマトリツクス７１から
安定化材７５への熱伝導が極めて良好となり、より超電
導線の安定性を確保できる。

また、このように金属酸化物層からなる第２の拡散防止
層７７を不連続に形成するには、まず安定化材７５とな
る鋼管として内壁形状が凹凸形状をＨしているものや、
第１の拡散防止層７４となる旧）管として外壁形状が凹
凸形状をＨしているものを使用し、一体化することによ
って第１の拡散防止層７４と安定化材７５との境界面７
６の形状を凹凸状とする。次いで、実施例１と同様に安
定化材７５の外表面にＣｕの酸化物薄層を形成し、真空
下や不活性雰囲気中でＮｂ３Ｓｎ層生成温度における熱
処理を施すことによって、Ｃｕの酸化物薄層と境界面７
６の各部との距離の違いにより部分的に金属酸化物層か
らなる第２の拡散防止層７７を形成することができる。

実施例１８ 実施例２における熱処理前の索線を外形正六角形に成形
し、この索線を多数Ｃｕ管からなる安定化材中に配置し
た。なお、最外層に位置する素線には、予め安定化材に
接する側が四部を有する形状となるように加工を施し、
減面加工後に安定化材表面からの距離が２５〜３０μｍ
程度の差を牛しるように配置した。

次に、この構造体に実施例７と同様に減面加工を施して
同寸法の８４フアインマルチＮｂ３Ｓｎ超電導線を製造
した。次いで、このファインマルチＮＮｂ３５ｎ電導線
に対して、実施例７と同一条件でＣｕの酸化物薄層形成
のための熱処理と減圧下でのＮｂ３Ｓｎ層形成のための
熱処理とを行った。

このようにして得られた超電導線の断面を顕微鏡で観察
したところ、第１１図に示すように最外周のコアのＮｂ
３　Ｓｎ相８１外周のＮＬ＋チューブ８２とＣｕの安定
化材８３との境界面のうち、安定化材８３の外表面によ
り近い部分に、不連続なＮｂ５ＴＩ。

Ｓｎの酸化物などからなる金属酸化物層８４が認められ
た。

また、この超電導線のＪｃは１５テスラで３３ＯＡ／ｍ
ｊ、Ｉ？　ｌ？　Ｒは２１０と、実施例７で作製した超
電導線と遜色なく、金属酸化物層からなる拡散防止層を
不連続とすることによって、安定化材がｌす染されるこ
とがないことを確認した。

実施例１９ 実施例１２における安定化材として内壁形状が凹凸形状
を有するＡｌ２Ｏ３を１．１重量％含有する鋼管を用い
る以外は、実施例１２と同一条件でＮｂ３Ｓｎマルチ超
電導線を作製した。

このようにして得られた超電導線においても、不連続な
Ｎｂ、　Ｔｉ、Ｓｎの酸化物などからなる金属酸化物層
が認められた。また、この超電導線のＪｃは１５テスラ
で５８０＾／ｍｊ、ＲＲＲは１７０、また引張り強さは
４７ｋｇ／−と、実施例７で作製した超電導線と遜色な
（、金属酸化物層からなる拡散防止層を不連続とするこ
とによって、安定化材がｔダ染されたり、強度が低下す
ることがないことを確認した。

実施例２０ 第１２図に示すように、無酸素高純度Ｃｕ管でシースし
たＳｎ棒９１を外径９，９■まで加工し、これを外径１
８１１１％内径１０ｍａのＮｂチューブ９２に挿入した
。次いで、これを外径２０．６ＩｎＩＩｓ内径１Ｇ、１
ａ＋ｍのＡＪ２２・０３を１．１ｗＬ％添加した粒子シ
）散弾化型Ｃｕ合金管９３内に挿入し、さらにこれを外
径２４．７ｏ＋ｎ＋、内径２０．８ａｉ＋ｇの純度９９
．９９％の無酸素高純度Ｃｕ管９４に挿入して、外径１
ｏａｒａまで線引きした。なお、粒子分散強化型Ｃｕ合
金管９３は、酸化銅粉末に１．１νｔ％のアルミナ粉末
を添加した混合粉を水素雰囲気中で還元焼結したＣｕ合
金を用いて形成したものである。

次に、この素線に大気中において３００℃、４８時間の
条件で熱処理を施して素線表面にＣｕの酸化物薄層を形
成した後、高真空（３Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒ）中で７０
０℃で４８時間熱処理し、Ｎｂチューブ９２と内部のＣ
ｕ被覆を拡散してきた５ｎ９１とを反応させてＮｂ５Ｓ
Ｉ１層９５を形成するとともに、粒子分散強化型Ｃｕ合
金管９３と無酸素高純度Ｃｕ管９４との境界面に、粒子
分散強化型Ｃｕ合金から高純度Ｃｕ側に拡散する不純物
などと高純度Ｃｕ中を拡散してきた酸素とを反応させて
ＡＪ２やＮｂなとの酸化物からなる拡散防止層９６を形
成した。

この超電導線においては、無酸素高純度Ｃｕ管９４の部
分が安定化材として働き、粒子分散強化型Ｃｕ合金管９
３の部分がテンションメンバとして働く。そして、これ
らの境界面に形成した拡散防止層９６によって無酸素高
純度Ｃｕ管９４の部分の汚染が防止され、高導電率が保
たれる。

このようにして得られた超電導線のＲＲＲは３８ｏ１ρ
は　ｌＸｌ０−♂［Ω・ｃｌ］であった。また、引張り
強さは４７ｋｇ／−であった・ このように、この実施例の超電導線は導電性と機械的強
度の両方を満足するものであった。

実施例２１ 実施例２０における粒子分散強化型Ｃｕ合金管をＮ１を
３０ｖｔ％添加した固溶強化型Ｃｕ合金管とする以外は
実施例２０と同一条件で超電導線を作製した。

このようにして得た超電導線もＲＲＩ？−９０，ρ−ｅ
ｘｔｏ−ａ（Ω・ｃＩ〕、引張り強さ一４７ｋｇ／−と
導電性と機械的強度の両方を満足するものであった。

実施例２２ 第１３図は、実施例２０における索線の高純度Ｃｕ管に
よる被覆をはぷいたものを素線として用いた超電導マル
チ線を示すものである。

この超電導マルチ線は、ＡＪ２２０ｘを１．１ｗｔ％添
加した粒子分散強化型Ｃｕ合金マトリックス１０１内に
、Ｎｂチューブ１０２とその内部に配置されたＣｕ−８
ｎ層１０３間にＮｂ３　Ｓｎ層１０４を形成させた複数
本の芯線１０５を分布埋設した構造体１゜Ｏの外周上に
、Ａ１や１゛１の酸化物などからなる拡散防止層１０６
および高純度Ｃｕからなる安定化材１０７が順に形成さ
れている。

次に、上記構造の超電導マルチ線の製造方法について説
明する。

まず、実施例２０において作製した素線の高純度Ｃｕ管
による被覆をはふいた熱処理前のもの、すなわちＣｕ−
８ｎ層が配置されたＮｂチューブを１１２０３を　１．
１νｔ％添加した粒子分散強化型Ｃｕ管内に挿入し、外
径ｌａｍまで減面加工を施した多数の索線を、外径２４
．７ｍｍ、内径２０．８ｎｍの純度９９．９９％の無酸
素高純度Ｃｕ管内に外径２Ｑ、Ｑｍｍｓ内径１Ｂ、ｌｓ
ｍの’Ａｆｆ１２０．をｌ　、　１’νｔ％添加した粒
子分散強化型Ｃｕ合金管を挿入したものの内部に配置し
、外径１ｓｖまで減面加工を施す。次いで、この状態で
大気中３００℃で４８時間熱処理して無酸素高純度Ｃｕ
管の表面にＣｕの酸化物薄層を形成させる。

この後、３Ｘ　ｌＯ＝　Ｔｏｒｒの真空下で７００”Ｃ
にて５０時間熱処理することによって、実施例、２０と
同様にＮｂチューブの内周側にＮｂ５ｓｎ層を形成する
とともに、粒子分散強化型Ｃｕ合金７トリツクスと無酸
素高純度Ｃｕからなる安定化材との境界面に、Ａ℃やＮ
ｌ）などの酸化物からなる拡散防止層を形成する。

この超電導マルチ線においては、粒子分散強化型Ｃｕ合
金マトリックス１０１がテンションメンバとして作用し
、かつその外周に形成された安定化材１０７の汚染は八
βやｉなどの酸化物からなる拡散防止層１０６によって
防止される。

また、この実施例によって得られた超電導マルチ線のＲ
ｌ？　Ｒは１３０、ρは２Ｘ１０−８［Ω・ｃ１１］、
引張り強さは４７ｋｇ／ｍｊであった。

このように、この実施例の超電導マルチ線も導電性と機
械的強度の両方を満足するものであった。

実施例２３ 実施例１で作製した超電導線のＣｕ　ｌｌｉ独の安定化
材に代えて、実施例２０で使用した１２０３を含有する
粒子分散強化型Ｃｕ合金管と無酸素高純度Ｃｕ管とによ
る２層構造管を用い、実施例２０と同一条件でＣｕの酸
化物薄層形成のための熱処理とＮＪ　Ｓｎ層形成のため
の熱処理とを行った。

得られた超電導線の粒子分散強化型Ｃｕ合金層と無酸素
＾純度Ｃｕ層との間には、八βやＮｂなどの酸化物から
なる拡散防止層が形成されており、無酸素高純ＷＣｕ層
の導電性が維持されていた。

また、この実施例によって得られた超電導マルチ線のＲ
Ｒｌ？は１８０、ρはｌＸｌ０−８［Ω・Ｃｍ］、引張
り強さは４７ｋｇ／−であった。

実施例２４ 実施例２２で使用した最外層の安定化材となる無酸素高
純度Ｃｕ管に代えて、同一材質の内周側に凹凸形状を有
するＣｕ管を用いる以外は、実施例２２と同一条件で超
電導マルチ線を作製した。

得られた超電導マルチ線の粒子分散強化型Ｃｕ合金マト
リックスと無酸素高純度Ｃｕからなる安定化材との間に
は、Ａ℃やＮｂなどの酸化物からなる拡散防止層がこの
境界面の凹凸形状に応じて不連続に形成されており、安
定化材の導電性が維持されるとともに、熱伝導性も良好
に保たれていた。

また、この実施例によって得られた超電導マルチ線のｌ
？　Ｉ？　ｌ？は１３０、ρは２ＸＩＯ−８［Ω・Ｃｍ
］、引張り強さは４７ｋｇ／＋ｊであった。

実施例２ら 外径５０關、内径４０　ｍｍの０．１重量％の酸素を含
むＣｕ管内に、Ｔｉを　１重量％添加したＮｂチューブ
を挿入し、この中に、Ｓ旧農度が３０％になるようにＳ
口線上にＣｕ被覆を施した外径２０１１φの複合線を挿
入して一体化し所定の外径にまで線引きした。次いで、
この索線を外形正六角形に成形した後、その多数本を酸
素を０．３重量％含有するＣｕからなる安定化材内に配
置して常法により減面加工を施し、マルチＮｂ３Ｓｎ超
電導線を製造した。なお、安定化銅中に酸素を入れる方
法としては、予め溶解している銅に酸化銅粉を投入して
所定の酸素を含む銅とする方法、Ｃｕ管や製造工程を経
てマルチＮｂ３　Ｓｎ超電導線の形態とした構造体を大
気中で１００℃〜４００℃で１０分〜４８時間熱処理し
、銅表面に酸化銅を形成した後、５８０℃〜８００℃の
Ａｒ雰囲気のような不活性雰囲気中またはＩＸ　１０’
　〜ＬＸ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空中で１分〜９０分程
度の熱処理を施すことによって、酸化銅中の酸素をＣｕ
管やＣｕマトリックスへ拡散させる方法や、Ｃｕ管や製
造工程を経てマルチＮｂ３　Ｓｎ超電導線の形態とした
構造体をｔｘｔｏ−’〜ｌ　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒの低
真空中で５８０℃〜８００℃で５０時間〜１００時間程
度の条件で熱処理し、酸素を随時Ｃｕ管やＣｕマトリッ
クスへ拡散させる方法などが挙げられる。

次に、このマルチＮＪＳｎ超電導線に対して、３Ｘ　１
０’　Ｔｏｒｒの真空中において７００℃で７０時間の
条件で熱処理を施した。

この実施例のマルチＮｂ３　Ｓｎ超電導線は、安定化材
中に酸素が予め含まれているため、Ｎｂ３Ｓｎ生成温度
による熱処理によって、Ｎｂチューブと内部のＣｕ被覆
を拡散してきたＳｎとが反応してＮｂｌＳｎ層が形成さ
れるとともに、Ｎｂ、　ＴｉおよびＮｂ３　Ｓｎ層から
拡散してきたＳｎと安定化材のＣｕ中を拡散してきた酸
素とか反応して安定化材とＮｂの外表面間にＮｂ。

Ｓｎ、′１゛１などの酸化物からなる拡散防止層が形成
され、安定化Ｈの汚染が防止される。また、ＮｂＯや５
１１０の生成により、Ｓｎの７トリツクスへの拡散は止
まるため、拡散場所を失ったＳｎは残留Ｎｂと反応して
ＮＪＳｎ層を厚くし、その結果、臨界電流密度の向上が
図れた。

また、Ｎｂ３Ｓｎ層を囲むＮｂ５Ｓｎ１Ｔ＋などの酸化
物は、電気的に高抵抗であるため、Ｎｂ３Ｓｎ層とＣｕ
マトリックスやＣｕ安定化祠の間に介在する隔壁の電気
抵抗が増大することとなり、結合型ｆｔ（変動磁界が加
わるパルスマグネットに用いた際に、変動磁界によって
化合物系超電導フィラメント間が電気的に結合し流れる
電流）が減少して交流１員失を低減する効果も得られる
。

実施例２６ 次に、核融合炉用大電流超電導導体として用いられるＮ
ｂ３Ｓｎケーブル・イン・コンジット導体に本発明を適
用した例について説明する。

まず、外径５０’ｌｌｌ、内径４０ｍｍのＣｕ管内に、
Ｔｉをｔｉ＝％添加したＮｂチューブを挿入し、この中
にＳｎ濃度が３０％になるようにＳｎ線上にＣｕ被覆を
施した外径２０龍の複合線を挿入して一体化し所定の外
径にまで線引きした。次いで、この索線を外形正六角形
に成形した後、その多数本を酸素を０４３重ｆ２２６含
有するＣｕからなる安定化材内に配置して常法により減
面加工を施し、さらに所定のピンチで撚ってＮｂｘ　５
ｎｔｉｉ電導ストランドを多数製造した。

次に、各Ｎｂ３　Ｓｎ超電導ストランドの表面にクロム
処理を施した後、３Ｘ　ｌｏ＝　Ｔｏｒｒの真空中にお
いて７２５℃で２０時間Ｎｂ３　Ｓｎ生成のための熱処
理を行い、安定化材中を拡散してきた酸素とＴｉ、　Ｎ
ｂやＮｂ３　Ｓｎ層を拡散してきたＳｎなどとを反応さ
せて酸化物を形成し、安定化材の汚染を防止した。

この後、この酸化物による汚染防止処理を行ったＮｂ３
　Ｓｎ超電導ストランドを数１００本束ねてステンレス
管内に挿入し、Ｎｂ３　Ｓｎケーブル・イン・コンジッ
ト導体を作製した。

このように酸素の拡散処理を行った後にクロム波膜を形
成することによって、Ｎｂ３　Ｓｎ相生成熱処理による
安定化材の汚染を防止できるとともに、クロム処理によ
って形成される各Ｎｂ３Ｓｎ超電導ストランド表面の絶
縁被覆によってケーブルの結合損失も低減できる。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、化合物超電導体と
安定化材との間に、少なくとも超電導体構成元素などの
酸化物からなる強固な拡散防止層が形成され、安定化材
中に不純物元素が拡散して抵抗値が低下することが防Ｉ
Ｌされる。

また、上記酸化物や積極的に添加した八βなどの酸化物
の析出によって安定化材が強化されることや、別途配置
した強化Ｃｕ合金層によって、全体の機械的強度が向上
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に使用される構造体の構成例を示す断面
図、第２図は本発明の一実施例により製造された超電導
線の断面図、第３図（ａ）は本発明の他の実施例により
製造された超電導線の断面状態を示す図、同図（ｂ）は
その部分拡大断面を示す図、第４図（ａ）は従来の方法
により製造された超電導線の断面状態を示す図、同図（
ｂ）はその部分拡大断面を示す図、第５図は本発明の他
の実施例により得られた化合物超電導コイルの各層毎の
ｌ？ＲＲの７１１１定結果を示すグラフ、第６図は本発
明のさらに他の実施例により製造されたテープ状の超電
導線の断面図、第７図および第９図はさらに他の実施例
により得られた超電導線の断面をそれぞれ示す図、第８
図は本発明の一実施例における酸化物薄層と超電導体相
の形成を同時に行った際の熱処理時間とｌ？　ｌ？　ｌ
？との関係を示すグラフ、第１０図はさらに他の実施例
により得られた超電導線の断面を示す図、第１１図は本
発明の他の実施例により製造された超電導線の部分拡大
断面状態を示す図、第１２図および第１３図はさらに他
の実施例により得られた超電導線の断面をそれぞれ示す
図、第１４図は従来の方法により製造された化合物超電
導線の断面図である。 ２１．４１．６１．７１−　・・Ｃｕ−８ｎマトリツク
ス、２２　ａ　、　４２　ａ　ｓ　　６２　ａ　、　　
７２　ａ　・Ｎｂ線、２２ｂ、３１．４２ｂ、６２ｂ、
７２ｂ、８１．９５．１０４−　Ｎｂ３　Ｓｎ層、５２
　ｂ−Ｎｂｑ　　Ａ１層、２３．４３．５３．６３．７
３．１０５・・・芯線、２４．４４．７４・・・第１の
拡散防止層、２５．４５．５４．７７．９６．１０６・
・・第２の拡散防止層、６４・・・単一拡散防止層、２
６．４６．５５．６５．７５．９４．１０７・・・安定
化材、３２・・・・・・黒色層、５１・・・・・・Ｎｂ
マトリックス、５２ａ・・・・・・Ａ４合金線、９３・
・・・・・粒子分散強化型Ｃｕ合金管、１０１・・・・
・・粒子分散強化型Ｃｕマトリックス。

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. （１）（ａ）熱処理により反応して化合物超電導体を形
   成する化合物超電導体材料または化合物超電導体と、（
   ｂ）この化合物超電導体材料または化合物超電導体と直
   接、もしくは拡散防止層を介して一体化されたＣｕを主
   成分とする安定化材とを有する構造体を、熱処理する方
   法において、前記安定化材の表面にＣｕの酸化物薄層を
   形成させ非酸化雰囲気中で、または前記安定化材の表面
   にＣｕの酸化物薄層が形成する大気中の酸素分圧より低
   い酸素分圧下で、前記熱処理を行うことを特徴とする化
   合物超電導体の熱処理方法。
2. （２）前記構造体における化合物超電導体材料または化
   合物超電導体と安定化材との境界面形状、あるいは拡散
   防止層と安定化材との境界面形状を凹凸形状とし、前記
   熱処理を行うことを特徴とする請求項１記載の化合物超
   電導体の熱処理方法。
3. （３）（ａ）熱処理により反応して化合物超電導体を形
   成する化合物超電導体材料または化合物超電導体と、（
   ｂ）この化合物超電導体材料または化合物超電導体と直
   接、もしくは拡散防止層を介して一体化されたＣｕを主
   成分とする安定化材とを有する構造体を、熱処理する方
   法において、前記安定化材をＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、
   Ｃｒ、Ｎｂ、ＮｉおよびＡｌ＿２Ｏ＿３からなる群から
   選ばれた少なくとも１種を０．１〜２重量％含むＣｕ合
   金で構成し、かつ前記安定化材の表面にＣｕの酸化物薄
   層を形成させ非酸化雰囲気中で、または前記安定化材の
   表面にＣｕの酸化物薄層が形成する大気の酸素分圧より
   低い酸素分圧下で、前記熱処理を行うことを特徴とする
   化合物超電導体の熱処理方法。
4. （４）前記構造体における化合物超電導体材料または化
   合物超電導体と安定化材との境界面形状、あるいは拡散
   防止層と安定化材との境界面形状を凹凸形状とし、前記
   熱処理を行うことを特徴とする請求項３記載の化合物超
   電導体の熱処理方法。
5. （５）（ａ）熱処理により反応して化合物超電導体を形
   成する化合物超電導体材料または化合物超電導体と、（
   ｂ）この化合物超電導体材料または化合物超電導体と直
   接、もしくは拡散防止層を介して一体化されたＣｕを主
   成分とする安定化材とを有する構造体を、熱処理する方
   法において、前記構造体に予備熱処理を施して前記化合
   物超電導体材料または化合物超電導体、あるいは拡散防
   止層の構成元素を０．１〜２重量％の範囲で前記安定化
   材中に拡散させた後、前記安定化材の表面にＣｕの酸化
   物薄層を形成させ非酸化雰囲気中で、または前記安定化
   材の表面にＣｕの酸化物薄層が形成する大気の酸素分圧
   より低い酸素分圧下で、前記熱処理を行うことを特徴と
   する化合物超電導体の熱処理方法。
6. （６）前記構造体における化合物超電導体材料または化
   合物超電導体と安定化材との境界面形状、あるいは拡散
   防止層と安定化材との境界面形状を凹凸形状とし、前記
   熱処理を行うことを特徴とする請求項５記載の化合物超
   電導体の熱処理方法。
7. （７）（ａ）熱処理により反応して化合物超電導体を形
   成する化合物超電導体材料または化合物超電導体と、（
   ｂ）この化合物超電導体材料または化合物超電導体と直
   接、もしくは拡散防止層を介して一体化されたＣｕを主
   成分とする安定化材とを有する構造体を、熱処理する方
   法において、前記安定化材を高純度Ｃｕ層と酸化しやす
   い元素または化合物による強化Ｃｕ合金層とによる２層
   構造とし、かつ最外層側に形成された前記高純度Ｃｕ層
   の表面にＣｕの酸化物薄層を形成させ非酸化雰囲気中で
   、または前記高純度Ｃｕ層の表面にＣｕの酸化物薄層が
   形成する大気の酸素分圧より低い酸素分圧下で、前記熱
   処理を行うことを特徴とする化合物超電導体の熱処理方
   法。
8. （８）前記構造体における高純度Ｃｕ層と強化Ｃｕ合金
   層との境界面形状を凹凸形状とし、前記熱処理を行うこ
   とを特徴とする請求項７記載の化合物超電導体の熱処理
   方法。
9. （９）前記構造体を管状体内に収容し、あるいは前記構
   造体の外表面に保護被覆を設け、その状態で前記熱処理
   を行うことを特徴とする請求項１、３、５または７のい
   ずれか１項記載の化合物超電導体の熱処理方法。
10. （１０）化合物超電導体の外周に安定化材を設けてなる
    化合物超電導体において、 前記化合物超電導体と前記安定化材間に少なくとも金属
    酸化物からなる拡散防止層が設けられていることを特徴
    とする化合物超電導体。
11. （１１）前記安定化材が、分散強化安定化Ｃｕからなる
    ことを特徴とする請求項１０記載の化合物超電導体。
12. （１２）前記金属酸化物からなる拡散防止層が不連続的
    に形成されていることを特徴とする請求項１０記載の化
    合物超電導体。
13. （１３）化合物超電導体の外周に安定化材を設けてなる
    化合物超電導体において、 前記安定化材が分散強化安定化Ｃｕからなり、かつ前記
    化合物超電導体と前記分散強化安定化Ｃｕ間に多層構造
    を有し少なくとも最外層が金属酸化物層からなる拡散防
    止層が設けられていることを特徴とする化合物超電導体
    。
14. （１４）前記金属酸化物層からなる拡散防止層が不連続
    的に形成されていることを特徴とする請求項１３記載の
    化合物超電導体。
15. （１５）化合物超電導体の外周に安定化材を設けてなる
    化合物超電導体において、 前記安定化材が高純度Ｃｕ層と強化Ｃｕ合金層とによる
    ２層構造を有し、かつ前記高純度Ｃｕ層と強化Ｃｕ合金
    層間に少なくとも金属酸化物からなる拡散防止層が設け
    られていることを特徴とする化合物超電導体。
16. （１６）前記金属酸化物層からなる拡散防止層が不連続
    的に形成されていることを特徴とする請求項１５記載の
    化合物超電導体。