JPH08241634A - 化合物系超電導線 - Google Patents
化合物系超電導線Info
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- JPH08241634A JPH08241634A JP7045283A JP4528395A JPH08241634A JP H08241634 A JPH08241634 A JP H08241634A JP 7045283 A JP7045283 A JP 7045283A JP 4528395 A JP4528395 A JP 4528395A JP H08241634 A JPH08241634 A JP H08241634A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 十分な臨界電流を有しかつ交流損失の小さな
交流用超電導線を提供する。 【構成】 超電導線の断面構造において、常電導の母相
を含む第１領域（２，３，４；１２）とその母相に埋込
まれた複数のフィラメントを含む第２領域（１；１１）
とを含み、母相は１×１０-7Ωｍ以上の抵抗率の高抵抗
領域（３；１２）を含み、フィラメントの各々は０．５
μｍ以下の直径を有し少なくとも一部が超電導性のＡ１
５型化合物にされており、フィラメントの各々の間には
少なくとも高抵抗領域（３；１２）が介在していること
を特徴としている。
交流用超電導線を提供する。 【構成】 超電導線の断面構造において、常電導の母相
を含む第１領域（２，３，４；１２）とその母相に埋込
まれた複数のフィラメントを含む第２領域（１；１１）
とを含み、母相は１×１０-7Ωｍ以上の抵抗率の高抵抗
領域（３；１２）を含み、フィラメントの各々は０．５
μｍ以下の直径を有し少なくとも一部が超電導性のＡ１
５型化合物にされており、フィラメントの各々の間には
少なくとも高抵抗領域（３；１２）が介在していること
を特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導トランス，超電
導発電機，超電導限流器などの電力応用分野で使用され
る超電導線材に関し、特に、化合物系超電導線の改善に
関するものである。
導発電機，超電導限流器などの電力応用分野で使用され
る超電導線材に関し、特に、化合物系超電導線の改善に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】超電導分路リアクトルや超電導変圧器な
どに用いられる超電導線として、交流損失の低減のため
に、１μｍ以下の直径のＮｂＴｉ超電導フィラメントを
複数本含む超電導線が実用されつつある。ＮｂＴｉ超電
導線の具体例として、常電導の母相中に約０．１〜０．
２μｍの直径のＮｂＴｉ超電導フィラメントを複数本含
みかつ０．２ｍｍの線径を有する超電導素線の７本を１
次撚りし、その１次撚り線の７本を２次撚りした２次撚
り線が開発されており、このような２次撚り線は１ｋＡ
級の交流臨界電流値を有し得る。
どに用いられる超電導線として、交流損失の低減のため
に、１μｍ以下の直径のＮｂＴｉ超電導フィラメントを
複数本含む超電導線が実用されつつある。ＮｂＴｉ超電
導線の具体例として、常電導の母相中に約０．１〜０．
２μｍの直径のＮｂＴｉ超電導フィラメントを複数本含
みかつ０．２ｍｍの線径を有する超電導素線の７本を１
次撚りし、その１次撚り線の７本を２次撚りした２次撚
り線が開発されており、このような２次撚り線は１ｋＡ
級の交流臨界電流値を有し得る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＮｂＴｉ系
の超電導線材の場合には、フィラメント径の低減ととも
に、交流損失は０．５Ｔの磁界と５０Ｈｚの交流の条件
の下において数１０ｋＷ／ｍ3 のレベルまで低減できる
が、臨界磁界や臨界温度が低下するので、線材の交流臨
界電流値は交流通電時の発熱や素線間の相対的な動きに
起因して直流の臨界電流値と比べて約５０％程度低下す
るという問題があり、この問題は１ｋＡを超える交流臨
界電流値を有する実用的な交流用線材の開発のネックと
なっている。
の超電導線材の場合には、フィラメント径の低減ととも
に、交流損失は０．５Ｔの磁界と５０Ｈｚの交流の条件
の下において数１０ｋＷ／ｍ3 のレベルまで低減できる
が、臨界磁界や臨界温度が低下するので、線材の交流臨
界電流値は交流通電時の発熱や素線間の相対的な動きに
起因して直流の臨界電流値と比べて約５０％程度低下す
るという問題があり、この問題は１ｋＡを超える交流臨
界電流値を有する実用的な交流用線材の開発のネックと
なっている。
【０００４】この問題を解決するために、Ｎｂ3 Ｓｎ化
合物系超電導線材の開発が進められており、たとえば、
常電導の母相中に約０．５μｍの直径のＮｂ3 Ｓｎ超電
導フィラメントを複数本含む超電導素線が開発されてい
る。０．２ｍｍの直径を有するこの超電導素線の７本を
１次撚りし、その１次撚り線の７本を２次撚りした２次
撚り線は２ｋＡ級の交流臨界電流を有し得る。しかし、
そのようなＮｂ3 Ｓｎ系２次撚り線の交流損失は０．５
Ｔの磁界と５０Ｈｚの交流の条件の下で２００〜４００
ｋＷ／ｍ3 であり、２００ｋＷ／ｍ3 以下の交流損失を
有する実用的な超電導線材は未だ開発されていない。限
流器や交流発電機などへ超電導線材を用いるためには、
交流損失が１００ｋＷ／ｍ3 以下であることが望まれ、
さらには数１０ｋＷ／ｍ3 以下であることが好ましい。
合物系超電導線材の開発が進められており、たとえば、
常電導の母相中に約０．５μｍの直径のＮｂ3 Ｓｎ超電
導フィラメントを複数本含む超電導素線が開発されてい
る。０．２ｍｍの直径を有するこの超電導素線の７本を
１次撚りし、その１次撚り線の７本を２次撚りした２次
撚り線は２ｋＡ級の交流臨界電流を有し得る。しかし、
そのようなＮｂ3 Ｓｎ系２次撚り線の交流損失は０．５
Ｔの磁界と５０Ｈｚの交流の条件の下で２００〜４００
ｋＷ／ｍ3 であり、２００ｋＷ／ｍ3 以下の交流損失を
有する実用的な超電導線材は未だ開発されていない。限
流器や交流発電機などへ超電導線材を用いるためには、
交流損失が１００ｋＷ／ｍ3 以下であることが望まれ、
さらには数１０ｋＷ／ｍ3 以下であることが好ましい。
【０００５】以上のような先行技術の課題に鑑み、本発
明は、ＮｂＴｉ系超電導線材で達成できないようなコン
パクトな構成で高い電流密度を有し、かつＮｂＴｉ系線
材で達成されているのと同等な低い交流損失を有する超
電導線材であって、ｋＡ級の臨界電流を有する実用規模
の化合物系交流用超電導線材を提供することを目的とし
ている。
明は、ＮｂＴｉ系超電導線材で達成できないようなコン
パクトな構成で高い電流密度を有し、かつＮｂＴｉ系線
材で達成されているのと同等な低い交流損失を有する超
電導線材であって、ｋＡ級の臨界電流を有する実用規模
の化合物系交流用超電導線材を提供することを目的とし
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による化合物系超
電導線は、超電導線の横断面構造において、常電導の母
相を含む第１領域とその母相に埋込まれた複数のフィラ
メントを含む第２領域とを含み、母相は１×１０-7Ωｍ
以上の抵抗率を有する高抵抗領域を含み、フィラメント
の各々は０．５μｍ以下の直径を有し少なくとも一部が
超電導性のＡ１５型化合物にされており、フィラメント
の各々の間には少なくとも高抵抗領域が介在しているこ
とを特徴としている。
電導線は、超電導線の横断面構造において、常電導の母
相を含む第１領域とその母相に埋込まれた複数のフィラ
メントを含む第２領域とを含み、母相は１×１０-7Ωｍ
以上の抵抗率を有する高抵抗領域を含み、フィラメント
の各々は０．５μｍ以下の直径を有し少なくとも一部が
超電導性のＡ１５型化合物にされており、フィラメント
の各々の間には少なくとも高抵抗領域が介在しているこ
とを特徴としている。
【０００７】超電導線は、Ａ１５型化合物を構成する少
なくとも１つのＡ１５型化合元素を含む第３領域をさら
に含み、その第３領域に含まれるＡ１５型化合元素は母
相を介してフィラメントと拡散反応を起こし得る。
なくとも１つのＡ１５型化合元素を含む第３領域をさら
に含み、その第３領域に含まれるＡ１５型化合元素は母
相を介してフィラメントと拡散反応を起こし得る。
【０００８】フィラメントはＮｂとＮｂ合金とのいずれ
かを含み、高抵抗領域はＣｕ合金であることが好まし
い。
かを含み、高抵抗領域はＣｕ合金であることが好まし
い。
【０００９】Ｎｂ合金は、Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，およびＨ
ｆから選択された少なくとも１つを含み得る。
ｆから選択された少なくとも１つを含み得る。
【００１０】高抵抗領域のＣｕ合金は、Ｎｉ，Ｍｎ，Ｓ
ｉ，Ｖ，およびＳｎから選択された少なくとも１つを含
み得る。
ｉ，Ｖ，およびＳｎから選択された少なくとも１つを含
み得る。
【００１１】第３領域に含まれるＡ１５型化合元素とし
て、Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｉ，およびＧｅから少なくとも１つ
を選択し得る。
て、Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｉ，およびＧｅから少なくとも１つ
を選択し得る。
【００１２】母相内において、高抵抗領域とフィラメン
トとの間にＣｕの領域をさらに含んでもよい。
トとの間にＣｕの領域をさらに含んでもよい。
【００１３】母相は、フィラメントの外周上に順次積層
された第１，第２，および第３の被覆層を含んでもよ
く、第１と第３の被覆層はＣｕであり、第２の被覆層は
高抵抗領域であり得る。
された第１，第２，および第３の被覆層を含んでもよ
く、第１と第３の被覆層はＣｕであり、第２の被覆層は
高抵抗領域であり得る。
【００１４】フィラメントの各々は、その直径の１〜５
倍の範囲内の距離で互いに隔てられていることが望まし
い。
倍の範囲内の距離で互いに隔てられていることが望まし
い。
【００１５】また、フィラメントの各々は、０．２〜
２．０μｍの範囲内の距離で互いに隔てられていること
も望ましい。
２．０μｍの範囲内の距離で互いに隔てられていること
も望ましい。
【００１６】第３領域のＡ１５型化合元素としてＳｎを
含む場合は、超電導線は５００〜７００℃の範囲内の温
度で熱処理されたものであることが好ましい。
含む場合は、超電導線は５００〜７００℃の範囲内の温
度で熱処理されたものであることが好ましい。
【００１７】第３領域に含まれるＡ１５型化合元素がＡ
ｌの場合、超電導線は７００〜９００℃の範囲内の温度
で熱処理されたものであることが好ましい。
ｌの場合、超電導線は７００〜９００℃の範囲内の温度
で熱処理されたものであることが好ましい。
【００１８】
【作用】本発明による化合物系超電導線においては、
０．５μｍ以下の直径を有し少なくとも一部が超電導性
のＡ１５型化合物にされたフィラメントが１×１０-7Ω
ｍ以上の抵抗率の高抵抗層によって仕切られているの
で、交流損失が小さくなるという最も重要な特徴を生じ
得る。このＡ１５型化合物超電導フィラメントは、Ａ１
５型化合物の主要元素を含む金属フィラメントとその金
属フィラメントと化合してＡ１５型化合物を形成するた
めのＡ１５型化合元素が高抵抗層を含む母相を介して拡
散反応することによって形成され得る。
０．５μｍ以下の直径を有し少なくとも一部が超電導性
のＡ１５型化合物にされたフィラメントが１×１０-7Ω
ｍ以上の抵抗率の高抵抗層によって仕切られているの
で、交流損失が小さくなるという最も重要な特徴を生じ
得る。このＡ１５型化合物超電導フィラメントは、Ａ１
５型化合物の主要元素を含む金属フィラメントとその金
属フィラメントと化合してＡ１５型化合物を形成するた
めのＡ１５型化合元素が高抵抗層を含む母相を介して拡
散反応することによって形成され得る。
【００１９】従来では、Ａ１５型化合物超電導フィラメ
ントは、いわゆる内部拡散法またはブロンズ法などによ
って形成されている。すなわち、従来の内部拡散法にお
いては、低抵抗率（３．４×１０-10 Ωｍ）のＣｕ母相
を介して、たとえばＮｂフィラメントとＡ１５型化合元
素のＳｎとを拡散反応させることによってＡ１５型超電
導フィラメントが形成される。また、ブロンズ法におい
ては、Ｎｂフィラメントと５ｗｔ％以下のＳｎを含むＣ
ｕ−Ｓｎ合金の母相（８．６×１０-8Ωｍ以下の抵抗
率）とを反応させることによってＡ１５型超電導フィラ
メントが形成される。したがって、ＣｕまたはＣｕ−Ｓ
ｎの母相の比抵抗が低いので、交流損失の原因となる特
にヒステリシス損失は、拡散反応によるフィラメント径
の増大の割合に比べて非常に大きくなるという問題があ
る。
ントは、いわゆる内部拡散法またはブロンズ法などによ
って形成されている。すなわち、従来の内部拡散法にお
いては、低抵抗率（３．４×１０-10 Ωｍ）のＣｕ母相
を介して、たとえばＮｂフィラメントとＡ１５型化合元
素のＳｎとを拡散反応させることによってＡ１５型超電
導フィラメントが形成される。また、ブロンズ法におい
ては、Ｎｂフィラメントと５ｗｔ％以下のＳｎを含むＣ
ｕ−Ｓｎ合金の母相（８．６×１０-8Ωｍ以下の抵抗
率）とを反応させることによってＡ１５型超電導フィラ
メントが形成される。したがって、ＣｕまたはＣｕ−Ｓ
ｎの母相の比抵抗が低いので、交流損失の原因となる特
にヒステリシス損失は、拡散反応によるフィラメント径
の増大の割合に比べて非常に大きくなるという問題があ
る。
【００２０】しかし、本発明においては、フィラメント
径が０．５μｍ以下に低減されれば、母相がたとえば高
濃度のＮｉを含む高抵抗層を含んでも、その母相を介し
て金属フィラメントとＡ１５型化合元素とを拡散反応さ
せてＡ１５型化合物超電導フィラメントが形成され得る
ことが見出された。このように、超電導フィラメントが
細いことと母相が１×１０-7Ωｍ以上の高抵抗層を含む
ことによって、超電導フィラメント間の電磁的な結合
（近接効果）が抑制されて交流損失の低い交流用超電導
線を得ることが可能となる。
径が０．５μｍ以下に低減されれば、母相がたとえば高
濃度のＮｉを含む高抵抗層を含んでも、その母相を介し
て金属フィラメントとＡ１５型化合元素とを拡散反応さ
せてＡ１５型化合物超電導フィラメントが形成され得る
ことが見出された。このように、超電導フィラメントが
細いことと母相が１×１０-7Ωｍ以上の高抵抗層を含む
ことによって、超電導フィラメント間の電磁的な結合
（近接効果）が抑制されて交流損失の低い交流用超電導
線を得ることが可能となる。
【００２１】より具体的には、金属フィラメントとし
て、ＮｂまたはＮｂ合金を用いることができ、母相はＣ
ｕ合金層またはＣｕ／Ｃｕ合金の複合層，またはＣｕ／
Ｃｕ合金／Ｃｕの複合層を含むことができる。たとえ
ば、金属フィラメントとしてＮｂを用い、母相としてＣ
ｕ−Ｎｉ合金を用い、そしてＡ１５型化合元素としてＳ
ｎを用いることによって本発明による超電導線を得るこ
とができる。
て、ＮｂまたはＮｂ合金を用いることができ、母相はＣ
ｕ合金層またはＣｕ／Ｃｕ合金の複合層，またはＣｕ／
Ｃｕ合金／Ｃｕの複合層を含むことができる。たとえ
ば、金属フィラメントとしてＮｂを用い、母相としてＣ
ｕ−Ｎｉ合金を用い、そしてＡ１５型化合元素としてＳ
ｎを用いることによって本発明による超電導線を得るこ
とができる。
【００２２】上述の先行技術による内部拡散法は本発明
による超電導線を得る方法に類似しているが、従来の内
部拡散法では本発明で用いられ得るＣｕ−Ｎｉ合金のよ
うな１×１０-7Ωｍ以上の高抵抗層を母相が含んでいな
いので、フィラメント間の電磁的結合が生じて、フィラ
メント径を小さくしても交流損失を低減することができ
ない。従来の内部拡散法においてＣｕ−Ｎｉ合金を含む
母相が用いられなかったのは、ＮｂとＮｉはＮｂ3 Ｓｎ
が形成される約６００〜７００℃の温度範囲でＮｂ3 Ｓ
ｎの生成より優先して反応してしまうというのが理由で
あった。
による超電導線を得る方法に類似しているが、従来の内
部拡散法では本発明で用いられ得るＣｕ−Ｎｉ合金のよ
うな１×１０-7Ωｍ以上の高抵抗層を母相が含んでいな
いので、フィラメント間の電磁的結合が生じて、フィラ
メント径を小さくしても交流損失を低減することができ
ない。従来の内部拡散法においてＣｕ−Ｎｉ合金を含む
母相が用いられなかったのは、ＮｂとＮｉはＮｂ3 Ｓｎ
が形成される約６００〜７００℃の温度範囲でＮｂ3 Ｓ
ｎの生成より優先して反応してしまうというのが理由で
あった。
【００２３】本発明においては、フィラメント径とフィ
ラメント間隔（フィラメント間の隙間）との双方を０．
５μｍ以下にすることによって、Ｎｂ3 Ｓｎの生成反応
がＮｂとＮｉとの反応より優先され得ることが見出され
た。このとき、熱処理温度が高くなれば、Ｎｂフィラメ
ントの界面にＣｕ層を配置し、そのＣｕ層の周囲をＣｕ
−Ｎｉ合金層で囲むことが好ましい。また、Ｓｎの拡散
媒体にはＣｕが適しているので、ＮｂフィラメントはＣ
ｕ／Ｃｕ−Ｎｉ／Ｃｕ複合層で囲まれることが最も好ま
しい。すなわち、Ｃｕをベースとする合金の高抵抗層を
含む母相を介してＮｂフィラメントとＳｎとを拡散反応
させる熱処理条件を最適化することにより、臨界電流が
高くかつ交流損失が低い超電導線材を得ることが可能と
なる。
ラメント間隔（フィラメント間の隙間）との双方を０．
５μｍ以下にすることによって、Ｎｂ3 Ｓｎの生成反応
がＮｂとＮｉとの反応より優先され得ることが見出され
た。このとき、熱処理温度が高くなれば、Ｎｂフィラメ
ントの界面にＣｕ層を配置し、そのＣｕ層の周囲をＣｕ
−Ｎｉ合金層で囲むことが好ましい。また、Ｓｎの拡散
媒体にはＣｕが適しているので、ＮｂフィラメントはＣ
ｕ／Ｃｕ−Ｎｉ／Ｃｕ複合層で囲まれることが最も好ま
しい。すなわち、Ｃｕをベースとする合金の高抵抗層を
含む母相を介してＮｂフィラメントとＳｎとを拡散反応
させる熱処理条件を最適化することにより、臨界電流が
高くかつ交流損失が低い超電導線材を得ることが可能と
なる。
【００２４】また、超電導線における近接効果は、フィ
ラメントの相互間隔をそれらのフィラメント径の１倍以
上にするか、または０．２μｍ以上にすることによって
抑制することができる。
ラメントの相互間隔をそれらのフィラメント径の１倍以
上にするか、または０．２μｍ以上にすることによって
抑制することができる。
【００２５】さらに、超電導線における交流損失は、フ
ィラメントの相互間隔がフィラメント径の５倍以下また
は２μｍ以下にすることによって、十分な臨界電流値を
確保しつつ交流損失を低減することができる。しかし、
フィラメント間隔が５倍を超えるかまたは２ミクロンを
超えて大きくなれば、超電導線における電流密度の大幅
な低下を招くので好ましくない。
ィラメントの相互間隔がフィラメント径の５倍以下また
は２μｍ以下にすることによって、十分な臨界電流値を
確保しつつ交流損失を低減することができる。しかし、
フィラメント間隔が５倍を超えるかまたは２ミクロンを
超えて大きくなれば、超電導線における電流密度の大幅
な低下を招くので好ましくない。
【００２６】なお、本発明は、Ｎｂ3 Ｓｎ系超電導線の
みならず、Ｎｂ3 Ａｌ系のように他のＡ１５型化合物系
超電導線にも適用し得ることは言うまでもない。
みならず、Ｎｂ3 Ａｌ系のように他のＡ１５型化合物系
超電導線にも適用し得ることは言うまでもない。
【００２７】
【００２８】
【表１】
【００２９】表１は、Ｎｂ3 Ｓｎ系の種々の超電導線に
おける臨界電流Ｉｃ（Ａ）と交流損失（ｋＷ／ｍ3 ）を
示している。なお、本明細書において、臨界電流と交流
損失は、いずれの場合にも４．２Ｋの温度，０．５Ｔの
磁界，および５０Ｈｚの交流の条件の下で測定されてい
る。
おける臨界電流Ｉｃ（Ａ）と交流損失（ｋＷ／ｍ3 ）を
示している。なお、本明細書において、臨界電流と交流
損失は、いずれの場合にも４．２Ｋの温度，０．５Ｔの
磁界，および５０Ｈｚの交流の条件の下で測定されてい
る。
【００３０】まず、図１を参照しつつ、表１中の試料１
の製造方法を説明する。フィラメント用の素材として、
１０ｍｍの直径を有するＮｂ−１ａｔ％Ｔａのロッド１
が、１５ｍｍの外径と１２ｍｍの内径を有するＣｕパイ
プ２内に挿入され、そのＣｕパイプ２の外径が１３ｍｍ
になるまでダイスによって引抜き加工された。引抜き加
工されたＮｂ−１ａｔ％Ｔａロッド１とＣｕパイプ２
は、１８ｍｍの外径と１４ｍｍの内径を有する高抵抗の
Ｃｕ−３０ｗｔ％Ｎｉパイプ３に挿入されて、Ｃｕ−３
０ｗｔ％Ｎｉパイプ３の外径が１６ｍｍになるまで引抜
き加工された。引抜き加工されたＮｂ−１ａｔ％Ｔａロ
ッド１，Ｃｕパイプ２，およびＣｕ−３０ｗｔ％Ｎｉパ
イプ３はさらに、１９ｍｍの外径と１７ｍｍの内径を有
するＣｕパイプ４に挿入され、Ｃｕパイプ４の外径が１
８ｍｍになるまで引抜き加工された。この単一のフィラ
メント用素材を含む複合ロッドは、対辺の距離が４ｍｍ
である六角形の断面のロッドになるようにさらに引抜き
加工された。
の製造方法を説明する。フィラメント用の素材として、
１０ｍｍの直径を有するＮｂ−１ａｔ％Ｔａのロッド１
が、１５ｍｍの外径と１２ｍｍの内径を有するＣｕパイ
プ２内に挿入され、そのＣｕパイプ２の外径が１３ｍｍ
になるまでダイスによって引抜き加工された。引抜き加
工されたＮｂ−１ａｔ％Ｔａロッド１とＣｕパイプ２
は、１８ｍｍの外径と１４ｍｍの内径を有する高抵抗の
Ｃｕ−３０ｗｔ％Ｎｉパイプ３に挿入されて、Ｃｕ−３
０ｗｔ％Ｎｉパイプ３の外径が１６ｍｍになるまで引抜
き加工された。引抜き加工されたＮｂ−１ａｔ％Ｔａロ
ッド１，Ｃｕパイプ２，およびＣｕ−３０ｗｔ％Ｎｉパ
イプ３はさらに、１９ｍｍの外径と１７ｍｍの内径を有
するＣｕパイプ４に挿入され、Ｃｕパイプ４の外径が１
８ｍｍになるまで引抜き加工された。この単一のフィラ
メント用素材を含む複合ロッドは、対辺の距離が４ｍｍ
である六角形の断面のロッドになるようにさらに引抜き
加工された。
【００３１】その後、この六角形の断面を有する３２０
本のロッドが、１１０ｍｍの外径と８０ｍｍの内径を有
する円筒状のＣｕビレット５内に挿入されて１次スタッ
クＡ１にされ、この１次スタックＡ１は一昼夜の間真空
排気された後に両端部を封止するために電子ビーム溶接
された。電子ビーム溶接によって封止された１次スタッ
クＡ１は外径が５０ｍｍになるまで熱間押出しされ、そ
の後に外径が４．６ｍｍになるまで引抜き加工された。
この段階の１次スタックの状態において、フィラメント
１の直径とフィラメント間の間隔（隙間）は１：１．６
であった。
本のロッドが、１１０ｍｍの外径と８０ｍｍの内径を有
する円筒状のＣｕビレット５内に挿入されて１次スタッ
クＡ１にされ、この１次スタックＡ１は一昼夜の間真空
排気された後に両端部を封止するために電子ビーム溶接
された。電子ビーム溶接によって封止された１次スタッ
クＡ１は外径が５０ｍｍになるまで熱間押出しされ、そ
の後に外径が４．６ｍｍになるまで引抜き加工された。
この段階の１次スタックの状態において、フィラメント
１の直径とフィラメント間の間隔（隙間）は１：１．６
であった。
【００３２】１次スタックＡ１とは別に、Ｓｎの中央部
６とＣｕの外周部７とを含むＳｎ−Ｃｕ複合ロッドが用
意された。このＳｎ−Ｃｕ複合ロッドは４．６ｍｍの外
径を有し、ＳｎとＣｕとの断面積比は９：１であった。
６とＣｕの外周部７とを含むＳｎ−Ｃｕ複合ロッドが用
意された。このＳｎ−Ｃｕ複合ロッドは４．６ｍｍの外
径を有し、ＳｎとＣｕとの断面積比は９：１であった。
【００３３】１７ｍｍの外径と１４ｍｍの内径を有する
Ｃｕパイプ８内において、芯材としてのＳｎ−Ｃｕ複合
ロッドとその周囲に配置された６本の１次スタックＡ１
とが挿入されて２次スタックＢ１にされ、この２次スタ
ックＢ１は外径が２．３ｍｍになるまで引抜き加工され
た。
Ｃｕパイプ８内において、芯材としてのＳｎ−Ｃｕ複合
ロッドとその周囲に配置された６本の１次スタックＡ１
とが挿入されて２次スタックＢ１にされ、この２次スタ
ックＢ１は外径が２．３ｍｍになるまで引抜き加工され
た。
【００３４】引抜き加工された１９本の２次スタックＢ
１を含む束が、０．２ｍｍの厚さを有するＴａシートの
２層によって巻かれた後に、１９ｍｍの外径と１６ｍｍ
の内径を有するＣｕ−３０ｗｔ％Ｎｉパイプ１０内に挿
入されて３次スタックＣ１が形成された。この３次スタ
ックＣ１は、０．３〜０．１ｍｍの外径（試料１（Ａ）
〜１（Ｃ）に対応する外径）になるまで伸線加工され
た。
１を含む束が、０．２ｍｍの厚さを有するＴａシートの
２層によって巻かれた後に、１９ｍｍの外径と１６ｍｍ
の内径を有するＣｕ−３０ｗｔ％Ｎｉパイプ１０内に挿
入されて３次スタックＣ１が形成された。この３次スタ
ックＣ１は、０．３〜０．１ｍｍの外径（試料１（Ａ）
〜１（Ｃ）に対応する外径）になるまで伸線加工され
た。
【００３５】Ｔａシートは、３次スタックのＣｕ−３０
ｗｔ％Ｎｉ外皮１０へＳｎが拡散して内部のＳｎ濃度が
低下することを防止するためのＳｎ拡散防止バリアであ
る。３．５×１０-7Ωｍの高い抵抗率を有するＣｕ−３
０ｗｔ％Ｎｉの外皮１０は、通電容量の増大のための撚
り線における素線間の電磁結合損失の防止を目的として
いる。
ｗｔ％Ｎｉ外皮１０へＳｎが拡散して内部のＳｎ濃度が
低下することを防止するためのＳｎ拡散防止バリアであ
る。３．５×１０-7Ωｍの高い抵抗率を有するＣｕ−３
０ｗｔ％Ｎｉの外皮１０は、通電容量の増大のための撚
り線における素線間の電磁結合損失の防止を目的として
いる。
【００３６】試料２〜４は、試料１と同様な方法で作製
されているが、フィラメント周囲の常電導層が変えられ
ている。なお、試料４は本発明による試料１〜３に対す
る比較のための試料であり、フィラメント周囲の常電導
層がＣｕ−３０ｗｔ％Ｎｉの高抵抗層（３．５×１０-7
Ωｍの抵抗率）を含んでいない。
されているが、フィラメント周囲の常電導層が変えられ
ている。なお、試料４は本発明による試料１〜３に対す
る比較のための試料であり、フィラメント周囲の常電導
層がＣｕ−３０ｗｔ％Ｎｉの高抵抗層（３．５×１０-7
Ωｍの抵抗率）を含んでいない。
【００３７】０．３〜０．１μｍの外径まで線引きされ
た超電導素線は、６００℃において５０時間熱処理され
た。そのように熱処理された超電導素線は、４．２ｋの
温度で０．５Ｔの磁界と５０Ｈｚの交流の下において臨
界電流と交流損失が測定された。
た超電導素線は、６００℃において５０時間熱処理され
た。そのように熱処理された超電導素線は、４．２ｋの
温度で０．５Ｔの磁界と５０Ｈｚの交流の下において臨
界電流と交流損失が測定された。
【００３８】表１からわかるように、同一の素線径の条
件の下に比較すれば、本発明による試料１〜３において
は、比較試料４と比べれば臨界電流はほぼ同等である
が、交流損失は１桁小さくなっている。
件の下に比較すれば、本発明による試料１〜３において
は、比較試料４と比べれば臨界電流はほぼ同等である
が、交流損失は１桁小さくなっている。
【００３９】比較試料４においては、フィラメント間隔
が０．３４μｍの場合に既に大きな交流損失が認めら
る。さらに、フィラメント間隔が０．１１μｍになれば
交流損失が急激に増大しており、電磁的結合（近接効
果）が発生していることが明らかである。
が０．３４μｍの場合に既に大きな交流損失が認めら
る。さらに、フィラメント間隔が０．１１μｍになれば
交流損失が急激に増大しており、電磁的結合（近接効
果）が発生していることが明らかである。
【００４０】これに対して、本発明による試料１〜３に
おいては、交流損失はフィラメント径の低減とともに減
少し、近接効果が顕在化していないことがわかる。しか
し、フィラメント間隔が０．２２μｍから０．１１μｍ
に減少した場合の交流損失の減少割合は、フィラメント
間隔が０．３４μｍから０．２２μｍに減少した場合の
交流損失の減少割合に比べてかなり小さくなっている。
すなわち、フィラメント間隔が０．２μｍより小さくな
れば若干の近接効果の発生が推定されるので、フィラメ
ント間隔を０．２μｍ未満にしても交流損失の効率的な
改善が得られず、したがって０．２μｍ以上のフィラメ
ント間隔が好ましいことがわかる。
おいては、交流損失はフィラメント径の低減とともに減
少し、近接効果が顕在化していないことがわかる。しか
し、フィラメント間隔が０．２２μｍから０．１１μｍ
に減少した場合の交流損失の減少割合は、フィラメント
間隔が０．３４μｍから０．２２μｍに減少した場合の
交流損失の減少割合に比べてかなり小さくなっている。
すなわち、フィラメント間隔が０．２μｍより小さくな
れば若干の近接効果の発生が推定されるので、フィラメ
ント間隔を０．２μｍ未満にしても交流損失の効率的な
改善が得られず、したがって０．２μｍ以上のフィラメ
ント間隔が好ましいことがわかる。
【００４１】
【表２】
【００４２】表２は、Ｎｂ3 Ａｌ系の種々の超電導線に
おける臨界電流と交流損失を示している。
おける臨界電流と交流損失を示している。
【００４３】まず、図２を参照しつつ試料５の作製方法
を説明する。フィラメント用の素材として１０ｍｍの直
径を有する９９．９％純度のＮｂロッド１１が、１８ｍ
ｍの外径と１２ｍｍの内径を有する高抵抗のＣｕ−０．
７ｗｔ％Ｍｎパイプ１２内に挿入され、そのＣｕ−０．
７ｗｔ％Ｍｎパイプ１２の外径が１６ｍｍになるまで引
抜き加工された。なお、Ｃｕ−０．７ｗｔ％Ｍｎは１．
５×１０-7Ωｍの抵抗率を有している。このＮｂ／Ｃｕ
−Ｍｎ単芯複合線はさらに、対辺の距離が４ｍｍの六角
形断面のロッドになるように引抜き加工された。六角形
断面のロッドの３２０本が、１１０ｍｍの外径と８０ｍ
ｍの内径を有する円筒状のＣｕビレット１３内に挿入さ
れて１次スタックＡ２にされ、その１次スタックＡ２は
一昼夜の間真空排気された後に両端部を封止するために
電子ビーム溶接された。封止された１次スタックＡ２は
外径が５０ｍｍになるまで熱間押出しされ、その後に外
径が４．６ｍｍになるまで引抜き加工された。この段階
で、フィラメント１１の断面直径とフィラメント間隔と
の比率は１：１．２であった。
を説明する。フィラメント用の素材として１０ｍｍの直
径を有する９９．９％純度のＮｂロッド１１が、１８ｍ
ｍの外径と１２ｍｍの内径を有する高抵抗のＣｕ−０．
７ｗｔ％Ｍｎパイプ１２内に挿入され、そのＣｕ−０．
７ｗｔ％Ｍｎパイプ１２の外径が１６ｍｍになるまで引
抜き加工された。なお、Ｃｕ−０．７ｗｔ％Ｍｎは１．
５×１０-7Ωｍの抵抗率を有している。このＮｂ／Ｃｕ
−Ｍｎ単芯複合線はさらに、対辺の距離が４ｍｍの六角
形断面のロッドになるように引抜き加工された。六角形
断面のロッドの３２０本が、１１０ｍｍの外径と８０ｍ
ｍの内径を有する円筒状のＣｕビレット１３内に挿入さ
れて１次スタックＡ２にされ、その１次スタックＡ２は
一昼夜の間真空排気された後に両端部を封止するために
電子ビーム溶接された。封止された１次スタックＡ２は
外径が５０ｍｍになるまで熱間押出しされ、その後に外
径が４．６ｍｍになるまで引抜き加工された。この段階
で、フィラメント１１の断面直径とフィラメント間隔と
の比率は１：１．２であった。
【００４４】１次スタックＡ２とは別に、４．６ｍｍの
外径を有する９９．９９％純度のＡｌロッド１４が用意
された。１６ｍｍの外径と１４ｍｍの内径を有するＴａ
パイプ１５内においてＡｌロッド１４を芯材としてその
周囲に６本の１次スタックＡ２が配置され、そのＴａパ
イプ１５はさらに、１９ｍｍの外径と１７ｍｍの内径を
有するＣｕパイプ１６内に挿入されて、２次スタックＢ
２が形成された。２次スタックＢ２は、外径が２．３ｍ
ｍになるまで引抜き加工された。
外径を有する９９．９９％純度のＡｌロッド１４が用意
された。１６ｍｍの外径と１４ｍｍの内径を有するＴａ
パイプ１５内においてＡｌロッド１４を芯材としてその
周囲に６本の１次スタックＡ２が配置され、そのＴａパ
イプ１５はさらに、１９ｍｍの外径と１７ｍｍの内径を
有するＣｕパイプ１６内に挿入されて、２次スタックＢ
２が形成された。２次スタックＢ２は、外径が２．３ｍ
ｍになるまで引抜き加工された。
【００４５】引抜き加工された１９本の２次スタックＢ
２が、１９ｍｍの外径と１６ｍｍの内径を有するＣｕパ
イプ１７内に挿入されて、３次スタックＣ２が形成され
た。この３次スタックＣ２は、外径が０．５〜０．１ｍ
ｍ（試料５（Ａ）〜５（Ｅ）に対応する外径）になるま
で伸線加工された。
２が、１９ｍｍの外径と１６ｍｍの内径を有するＣｕパ
イプ１７内に挿入されて、３次スタックＣ２が形成され
た。この３次スタックＣ２は、外径が０．５〜０．１ｍ
ｍ（試料５（Ａ）〜５（Ｅ）に対応する外径）になるま
で伸線加工された。
【００４６】２次スタックにおいて用いられたＴａパイ
プ１５は、安定化材としての役目を果たす２次スタック
のＣｕ外皮１６と３次スタックのＣｕ外皮１７がＡｌの
拡散によって汚染されることを防止するとともに、内部
のＡｌ濃度が減少してフィラメント１１中のＮｂ3 Ａｌ
の生成度合いが低下することを防止するための拡散防止
バリア材としての役目を果たす。
プ１５は、安定化材としての役目を果たす２次スタック
のＣｕ外皮１６と３次スタックのＣｕ外皮１７がＡｌの
拡散によって汚染されることを防止するとともに、内部
のＡｌ濃度が減少してフィラメント１１中のＮｂ3 Ａｌ
の生成度合いが低下することを防止するための拡散防止
バリア材としての役目を果たす。
【００４７】試料６と試料７は、試料５と同様な方法で
作製されているが、フィラメント１１の材質がＮｂ−１
ａｔ％Ｔｉに変更されている。さらに、試料７において
は、フィラメント１１の間隔がフィラメント径に対して
１．０未満の０．８の割合にされている。
作製されているが、フィラメント１１の材質がＮｂ−１
ａｔ％Ｔｉに変更されている。さらに、試料７において
は、フィラメント１１の間隔がフィラメント径に対して
１．０未満の０．８の割合にされている。
【００４８】伸線加工された３次スタックは、８００℃
において１０時間熱処理された後に、表１の場合と同様
に臨界電流と交流損失が測定された。
において１０時間熱処理された後に、表１の場合と同様
に臨界電流と交流損失が測定された。
【００４９】表２から明らかなように、試料５と試料６
は優れた臨界電流値と小さな交流損失を示している。交
流損失はＮｂ3 Ｓｎ系線材の場合と同様にフィラメント
径の低減とともに減少しており、フィラメント相互間の
電磁的結合（近接効果）が顕在化されていないことがわ
かる。一方、フィラメント間隔が狭くてフィラメント径
の０．８倍である試料７（Ｂ）と７（Ｃ）における交流
損失は、それぞれ試料５（Ｄ）と５（Ｅ）および試料６
（Ｂ）と６（Ｃ）に比べて約２倍の値を示している。こ
のことから、フィラメント間隔はフィラメント径の１倍
以上であることが望まれる。しかし、フィラメント間隔
が０．２４μｍである試料７（Ａ）においては、交流損
失が試料５（Ｃ）および６（Ａ）とほぼ同等である。す
なわち、フィラメント間隔が０．２μｍ以上であれば、
その間隔がフィラメント径の１倍以下であっても、交流
損失が好ましく小さくなり得ることがわかる。
は優れた臨界電流値と小さな交流損失を示している。交
流損失はＮｂ3 Ｓｎ系線材の場合と同様にフィラメント
径の低減とともに減少しており、フィラメント相互間の
電磁的結合（近接効果）が顕在化されていないことがわ
かる。一方、フィラメント間隔が狭くてフィラメント径
の０．８倍である試料７（Ｂ）と７（Ｃ）における交流
損失は、それぞれ試料５（Ｄ）と５（Ｅ）および試料６
（Ｂ）と６（Ｃ）に比べて約２倍の値を示している。こ
のことから、フィラメント間隔はフィラメント径の１倍
以上であることが望まれる。しかし、フィラメント間隔
が０．２４μｍである試料７（Ａ）においては、交流損
失が試料５（Ｃ）および６（Ａ）とほぼ同等である。す
なわち、フィラメント間隔が０．２μｍ以上であれば、
その間隔がフィラメント径の１倍以下であっても、交流
損失が好ましく小さくなり得ることがわかる。
【００５０】試料５（Ａ）は比較的大きな０．５μｍの
フィラメント径を有しており、交流損失が比較的大きな
１００ｋＷ／ｍ3 になっている。したがって、フィラメ
ント径が０．５μｍを超えることは好ましくないことが
わかる。
フィラメント径を有しており、交流損失が比較的大きな
１００ｋＷ／ｍ3 になっている。したがって、フィラメ
ント径が０．５μｍを超えることは好ましくないことが
わかる。
【００５１】
【表３】
【００５２】表３は、表１中の試料１（Ｂ）と表２中の
試料５（Ｄ）において熱処理条件が臨界電流と交流損失
に及ぼす影響を示している。
試料５（Ｄ）において熱処理条件が臨界電流と交流損失
に及ぼす影響を示している。
【００５３】表３から明らかなように、Ｎｂ3 Ｓｎ系の
超電導線では、十分な臨界電流を得るためには熱処理温
度が５００℃以上であることが望まれ、交流損失を十分
小さくするためには熱処理温度が７００℃以下であるこ
とが望まれることがわかる。５００℃未満の熱処理温度
では十分な臨界電流が得られない理由としては、フィラ
メント１内にＮｂ3 Ｓｎが十分に形成されないためであ
ると考えられる。他方、熱処理温度が７００℃を超えれ
ば交流損失が大きくなる理由としては、近接効果が発生
するためであると考えられる。
超電導線では、十分な臨界電流を得るためには熱処理温
度が５００℃以上であることが望まれ、交流損失を十分
小さくするためには熱処理温度が７００℃以下であるこ
とが望まれることがわかる。５００℃未満の熱処理温度
では十分な臨界電流が得られない理由としては、フィラ
メント１内にＮｂ3 Ｓｎが十分に形成されないためであ
ると考えられる。他方、熱処理温度が７００℃を超えれ
ば交流損失が大きくなる理由としては、近接効果が発生
するためであると考えられる。
【００５４】Ｎｂ3 Ａｌ系の線材である試料５（Ｄ）に
おいては、十分な臨界電流を得るためには熱処理温度が
７００〜９００℃であることが望ましく、交流損失を十
分に小さくするためには熱処理温度が９００℃以下であ
ることが望ましい。これは、熱処理温度が７００℃未満
ではフィラメント１１中のＮｂ3 Ａｌの生成が不十分と
なり、熱処理温度が９００℃を超えればＡ１５型化合物
の結晶粒の肥大化によって臨界電流が減少するからであ
る。このＡ１５型結晶粒の肥大化に伴って、交流損失も
急激に増大する。
おいては、十分な臨界電流を得るためには熱処理温度が
７００〜９００℃であることが望ましく、交流損失を十
分に小さくするためには熱処理温度が９００℃以下であ
ることが望ましい。これは、熱処理温度が７００℃未満
ではフィラメント１１中のＮｂ3 Ａｌの生成が不十分と
なり、熱処理温度が９００℃を超えればＡ１５型化合物
の結晶粒の肥大化によって臨界電流が減少するからであ
る。このＡ１５型結晶粒の肥大化に伴って、交流損失も
急激に増大する。
【００５５】なお、以上の実施例において、金属フィラ
メントの材質として純Ｎｂ，Ｎｂ−Ｔａ合金，およびＮ
ｂ−Ｔｉ合金が例示されたが、ＺｒまたはＨｆを含むＮ
ｂ合金をも同様に用いることができる。
メントの材質として純Ｎｂ，Ｎｂ−Ｔａ合金，およびＮ
ｂ−Ｔｉ合金が例示されたが、ＺｒまたはＨｆを含むＮ
ｂ合金をも同様に用いることができる。
【００５６】また、Ｎｂと化合してＡ１５型化合物を生
成するＡ１５型化合元素としてＳｎとＡｌが例示した
が、ＳｉまたはＧｅをも同様に用いることができる。
成するＡ１５型化合元素としてＳｎとＡｌが例示した
が、ＳｉまたはＧｅをも同様に用いることができる。
【００５７】さらに、母相中の高抵抗層の材質としてＣ
ｕ−Ｎｉ合金およびＣｕ−Ｍｎ合金が例示されたが、Ｓ
ｉ，Ｖ，またはＳｎを含むＣｕ合金をも同様に用いるこ
とができる。ここで、従来のブロンズ法では、母相のブ
ロンズを引抜き加工する必要があったので５ｗｔ％以下
のＳｎを含むＣｕ−Ｓｎ合金（８．６×１０-8Ωｍ以下
の抵抗率を有する）を用いる必要があったが、本発明に
おいては、引抜加工後の熱処理によってＣｕ−Ｓｎ合金
の濃度を８ｗｔ％以上（１．１×１０-7Ωｍ以上の抵抗
率を有する）に高めることが可能である。
ｕ−Ｎｉ合金およびＣｕ−Ｍｎ合金が例示されたが、Ｓ
ｉ，Ｖ，またはＳｎを含むＣｕ合金をも同様に用いるこ
とができる。ここで、従来のブロンズ法では、母相のブ
ロンズを引抜き加工する必要があったので５ｗｔ％以下
のＳｎを含むＣｕ−Ｓｎ合金（８．６×１０-8Ωｍ以下
の抵抗率を有する）を用いる必要があったが、本発明に
おいては、引抜加工後の熱処理によってＣｕ−Ｓｎ合金
の濃度を８ｗｔ％以上（１．１×１０-7Ωｍ以上の抵抗
率を有する）に高めることが可能である。
【００５８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、超電導
線は直径０．５μｍ以下のＡ１５型化合物系超電導フィ
ラメントが１×１０-7Ωｍの抵抗率の高抵抗層で仕切ら
れた構造を有しているので、十分な臨界電流を有しかつ
交流損失の小さな超電導線を提供することができる。
線は直径０．５μｍ以下のＡ１５型化合物系超電導フィ
ラメントが１×１０-7Ωｍの抵抗率の高抵抗層で仕切ら
れた構造を有しているので、十分な臨界電流を有しかつ
交流損失の小さな超電導線を提供することができる。
【図１】本発明による超電導線の製造方法の一例を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図２】本発明による超電導線の製造方法のもう１つの
例を説明するための断面図である。
例を説明するための断面図である。
Ａ１，Ａ２ １次スタック Ｂ１，Ｂ２ ２次スタック Ｃ１，Ｃ２ ３次スタック １ 超電導用フィラメント ２，４ Ｃｕパイプ ３ Ｃｕ−３０ｗｔ％Ｎｉパイプ ５ １次スタックＡｌのＣｕ外皮 ６ Ｓｎロッド ７ Ｃｕ外皮 ８ ２次スタックＢ１のＣｕ外皮 ９ Ｔａ層 １０ ３次スタックＣ１のＣｕ−３０ｗｔ％Ｎｉ外皮 １１ 超電導用フィラメント １２ Ｃｕパイプ １３ １次スタックＡ２のＣｕ外皮 １４ Ａｌロッド １５ Ｔａパイプ １６ ２次スタックＢ２のＣｕ外皮 １７ ３次スタックＣ２のＣｕ外皮
Claims (12)
- 【請求項１】 超電導線の横断面構造において、超電導
線の母相を含む第１領域と前記母相に埋込まれた複数の
フィラメントを含む第２領域とを含み、 前記母相は１×１０-7Ωｍ以上の抵抗率を有する高抵抗
領域を含み、 前記フィラメントの各々は０．５μｍ以下の直径を有し
少なくとも一部が超電導性のＡ１５型化合物にされてお
り、 前記フィラメントの各々の間には少なくとも前記高抵抗
領域が介在していることを特徴とする化合物系超電導
線。 - 【請求項２】 前記横断面構造において、前記Ａ１５型
化合物を構成する少なくとも１つのＡ１５型化合元素を
含む第３領域をさらに含み、前記第３領域に含まれるＡ
１５型化合元素は前記母相を介して前記フィラメントと
拡散反応を起こし得ることを特徴とする請求項１に記載
の化合物系超電導線。 - 【請求項３】 前記フィラメントはＮｂとＮｂ合金との
いずれかを含み、前記高抵抗領域はＣｕ合金であること
を特徴とする請求項１または２に記載の化合物系超電導
線。 - 【請求項４】 前記Ｎｂ合金は、Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，お
よびＨｆから選択された少なくとも１つを含むことを特
徴とする請求項３に記載の化合物系超電導線。 - 【請求項５】 前記Ｃｕ合金は、Ｎｉ，Ｍｎ，Ｓｉ，
Ｖ，およびＳｎから選択された少なくとも１つを含むこ
とを特徴とする請求項３または４に記載の化合物系超電
導線。 - 【請求項６】 前記第３領域は、Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｉ，お
よびＧｅから選択された少なくとも１つのＡ１５型化合
元素を含むことを特徴とする請求項２ないし５のいずれ
かの項に記載された化合物系超電導線。 - 【請求項７】 前記母相内において、前記高抵抗領域と
前記フィラメントとの間にＣｕの領域をさらに含むこと
を特徴とする請求項１ないし５のいずれかの項に記載さ
れた化合物系超電導線。 - 【請求項８】 前記母相は前記フィラメントの外周上に
順次積層された第１，第２および第３の被覆層を含み、
前記第１と第３の被覆層はＣｕであり、前記第２の被覆
層は前記高抵抗領域であることを特徴とする請求項１な
いし６のいずれかの項に記載された化合物系超電導線。 - 【請求項９】 前記フィラメントの各々は、その直径の
１〜５倍の範囲内の距離で互いに隔てられていることを
特徴とする請求項１ないし８のいずれかの項に記載され
た化合物系超電導線。 - 【請求項１０】 前記フィラメントの各々は、０．２〜
２．０μｍの範囲内の距離で互いに隔てられていること
を特徴とする請求項１ないし９のいずれかの項に記載さ
れた化合物系超電導線。 - 【請求項１１】 前記第３領域はＡ１５型化合元素とし
てＳｎを含み、前記超電導線は５００〜７００℃の範囲
内の温度で熱処理されたものであることを特徴とする請
求項２ないし１０のいずれかの項に記載された化合物系
超電導線。 - 【請求項１２】 前記第３領域は前記Ａ１５型化合元素
としてＡｌを含み、前記超電導線は７００〜９００℃の
範囲内の温度で熱処理されたものであることを特徴とす
る請求項２ないし１０のいずれかの項に記載された化合
物系超電導線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7045283A JPH08241634A (ja) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | 化合物系超電導線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7045283A JPH08241634A (ja) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | 化合物系超電導線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08241634A true JPH08241634A (ja) | 1996-09-17 |
Family
ID=12714990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7045283A Withdrawn JPH08241634A (ja) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | 化合物系超電導線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08241634A (ja) |
-
1995
- 1995-03-06 JP JP7045283A patent/JPH08241634A/ja not_active Withdrawn
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