JPH02276144A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
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- JPH02276144A JPH02276144A JP1098105A JP9810589A JPH02276144A JP H02276144 A JPH02276144 A JP H02276144A JP 1098105 A JP1098105 A JP 1098105A JP 9810589 A JP9810589 A JP 9810589A JP H02276144 A JPH02276144 A JP H02276144A
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- Japan
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- electron beam
- coordinate
- control current
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電子ビーム装置に関し、
ビーム照射時（例えば、測定時）に迅速かつ簡単に電子
ビームの偏向量を設定して実際の位置に正確に電子ビー
ムを偏向することのできる電子ビ−ム装置を提供するこ
とを目的とし、 電子ビームを偏向コイルを含む偏向手段によって偏向さ
せ、試料上の任意の位置に照射する電子ビーム装置にお
いて、前記試料上の照射すべき位置に対応する位置番号
を座標データとして設定する座標データ設定手段と、該
座標データで指定される試料上の位置に電子ビームを照
射したときの偏向座標と、正規の照射位置に対応する偏
向座標との変位に応じて電子ビームの偏向量を補正する
補正データを設定する補正データ設定手段と、前記座標
データに基づいて電子ビームを偏向させる偏向制御電流
を生成するとともに、これを前記補正データに応じて補
正する偏向制御電流生成手段と、を設け、前記偏向手段
は、試料上の位置番号を入力することにより、偏向制御
電流生成手段の出力に基づいて対応する位置に電子ビー
ムを偏向させるように構成する。
ビームの偏向量を設定して実際の位置に正確に電子ビー
ムを偏向することのできる電子ビ−ム装置を提供するこ
とを目的とし、 電子ビームを偏向コイルを含む偏向手段によって偏向さ
せ、試料上の任意の位置に照射する電子ビーム装置にお
いて、前記試料上の照射すべき位置に対応する位置番号
を座標データとして設定する座標データ設定手段と、該
座標データで指定される試料上の位置に電子ビームを照
射したときの偏向座標と、正規の照射位置に対応する偏
向座標との変位に応じて電子ビームの偏向量を補正する
補正データを設定する補正データ設定手段と、前記座標
データに基づいて電子ビームを偏向させる偏向制御電流
を生成するとともに、これを前記補正データに応じて補
正する偏向制御電流生成手段と、を設け、前記偏向手段
は、試料上の位置番号を入力することにより、偏向制御
電流生成手段の出力に基づいて対応する位置に電子ビー
ムを偏向させるように構成する。
本発明は、電子ビーム装置に係り、詳しくは、電子ビー
ムテスタなどに適用され、電子ビーム偏向量の設定を改
良した電子ビーム装置に関する。
ムテスタなどに適用され、電子ビーム偏向量の設定を改
良した電子ビーム装置に関する。
ＬＳＩの高密度化に伴って、外部端子１本当たりの内部
素子数が５０００個（＝１００万素子／２００端子）に
も達する状況となった。そのため、通常のＬＳＩ試験装
置による入出力試験だけでは故障箇所の特定やその原因
の把握は困難になり、ＬＳＩ内部の動作状態を直接測定
する手段が必要になった。しかるに、配線幅が数μ−以
下となった現在では、金属探針（プローブ）を内部配線
に接触させて電圧を測定する触針力はもはや適用できな
い。
素子数が５０００個（＝１００万素子／２００端子）に
も達する状況となった。そのため、通常のＬＳＩ試験装
置による入出力試験だけでは故障箇所の特定やその原因
の把握は困難になり、ＬＳＩ内部の動作状態を直接測定
する手段が必要になった。しかるに、配線幅が数μ−以
下となった現在では、金属探針（プローブ）を内部配線
に接触させて電圧を測定する触針力はもはや適用できな
い。
このような背景から、電子ビーム（ｔ！１１ ： ｅｌ
ｅｃｔｒ−ｏｎ ｂｅａｍ）をプローブとして使用する
電子ビーム応用試験技術が用いられるようになった。こ
れは、走査形電子顕微鏡（ＳＢＭ ： ｓｃａｎｎｉｎ
ｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｌ−ｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観
測される電位コントラストを利用し、ＬＳＩ内部の配線
電位を直接測定することにより試験を行う技術である。
ｅｃｔｒ−ｏｎ ｂｅａｍ）をプローブとして使用する
電子ビーム応用試験技術が用いられるようになった。こ
れは、走査形電子顕微鏡（ＳＢＭ ： ｓｃａｎｎｉｎ
ｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｌ−ｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観
測される電位コントラストを利用し、ＬＳＩ内部の配線
電位を直接測定することにより試験を行う技術である。
本技術は非接触、非破壊、測定系に容量負荷を導入せず
生の測定ができるという特長がある。
生の測定ができるという特長がある。
このような電子ビーム装置でＬＳＩの信号を測定する場
合など測定したい点が多数に及ぶ場合に、１つづつの偏
向量を教えるのは大変な手間と時間を要するため、迅速
な偏向量設定が要求されている。
合など測定したい点が多数に及ぶ場合に、１つづつの偏
向量を教えるのは大変な手間と時間を要するため、迅速
な偏向量設定が要求されている。
従来の電子ビーム装置でＬＳＩの信号を測定する場合に
は、例えば第４図に示すようにＬＳＩ（図示路）につな
がる多くの配線ｌを端子（パッド）２で受け、これを測
定端子として四角形状に多数配置し、これらの端子２に
対して電子ビームの偏向量を変えながら順次当ててＬＳ
Ｉの動作の様子を測定している。なお、第４図の測定端
子は各配線１が各端子２の下方から抜けて内側の端子に
接続されるような立体構造となっている。この場合、測
定点、すなわち端子２への電子ビームの偏向量は操作者
が測定の度に設定するか、あるいは測定前に予め登録し
ている。
は、例えば第４図に示すようにＬＳＩ（図示路）につな
がる多くの配線ｌを端子（パッド）２で受け、これを測
定端子として四角形状に多数配置し、これらの端子２に
対して電子ビームの偏向量を変えながら順次当ててＬＳ
Ｉの動作の様子を測定している。なお、第４図の測定端
子は各配線１が各端子２の下方から抜けて内側の端子に
接続されるような立体構造となっている。この場合、測
定点、すなわち端子２への電子ビームの偏向量は操作者
が測定の度に設定するか、あるいは測定前に予め登録し
ている。
しかしながら、このような従来の電子ビーム装置にあっ
ては、測定点への偏向量を操作者が測定の度に設定した
り、あるいは測定前に予め登録する必要があるため、手
間がかかって面倒であり、測定時に迅速に偏向量を設定
することができないという問題点があった。
ては、測定点への偏向量を操作者が測定の度に設定した
り、あるいは測定前に予め登録する必要があるため、手
間がかかって面倒であり、測定時に迅速に偏向量を設定
することができないという問題点があった。
特に、ＬＳＩの信号を測定する場合など測定したい点が
多数に及ぶ場合、光学系の安定度によっては、測定直前
に１つづつ偏向量を教えなければならないが、上記従来
の方法は量産ラインなどでは時間がかかり非現実的であ
る。
多数に及ぶ場合、光学系の安定度によっては、測定直前
に１つづつ偏向量を教えなければならないが、上記従来
の方法は量産ラインなどでは時間がかかり非現実的であ
る。
一方、ＬＳＩの製造ラインで用いる電子ビーム露光装置
では、代表点を教えることでデータ座標と偏向座標の対
応をとる手法があるが、レンズ収差偏向収差などによる
偏向面の歪みも考慮しなければならない場合には高次の
方程式を解かなくてはならず、多くの点を教える必要が
ある。したがって、この手法を用いても手間がかかるこ
とに変わりはなく、迅速とはいえない。また、幾つかの
領域に分割して対応をとる手法もあるが、この場合でも
多くの点を教える必要があり、有効な解決策とはなって
いない。
では、代表点を教えることでデータ座標と偏向座標の対
応をとる手法があるが、レンズ収差偏向収差などによる
偏向面の歪みも考慮しなければならない場合には高次の
方程式を解かなくてはならず、多くの点を教える必要が
ある。したがって、この手法を用いても手間がかかるこ
とに変わりはなく、迅速とはいえない。また、幾つかの
領域に分割して対応をとる手法もあるが、この場合でも
多くの点を教える必要があり、有効な解決策とはなって
いない。
そこで本発明は、ビーム照射時（例えば、測定時）に迅
速かつ簡単に電子ビームの偏向量を設定して実際の位置
に正確に電子ビームを偏向することのできる電子ビーム
装置を提供することを目的としている。
速かつ簡単に電子ビームの偏向量を設定して実際の位置
に正確に電子ビームを偏向することのできる電子ビーム
装置を提供することを目的としている。
本発明による電子ビーム装置は上記目的達成のため、電
子ビームを偏向コイルを含む偏向手段によって偏向させ
、試料上の任意の位置に照射する電子ビーム装置におい
て、前記試料上の照射すべき位置に対応する位置番号を
座標データとして設定する座標データ設定手段と、該座
標データで指定される試料上の位置に電子ビームを照射
したときの偏向座標と、正規の照射位置に対応する偏向
座標との変位に応じて電子ビームの偏向量を補正する補
正データを設定する補正データ設定手段と、前記座標デ
ータに基づいて電子ビームを偏向させる偏向制御電流を
生成するとともに、これを前記補正データに応じて補正
する偏向制御電流生成手段と、を設け、記偏向手段は、
試料上の位置番号を入力することにより偏向制御Ｉｌ電
流生成手段の出力に基づいて対応する位置に電子ビーム
を偏向させるように構成している。
子ビームを偏向コイルを含む偏向手段によって偏向させ
、試料上の任意の位置に照射する電子ビーム装置におい
て、前記試料上の照射すべき位置に対応する位置番号を
座標データとして設定する座標データ設定手段と、該座
標データで指定される試料上の位置に電子ビームを照射
したときの偏向座標と、正規の照射位置に対応する偏向
座標との変位に応じて電子ビームの偏向量を補正する補
正データを設定する補正データ設定手段と、前記座標デ
ータに基づいて電子ビームを偏向させる偏向制御電流を
生成するとともに、これを前記補正データに応じて補正
する偏向制御電流生成手段と、を設け、記偏向手段は、
試料上の位置番号を入力することにより偏向制御Ｉｌ電
流生成手段の出力に基づいて対応する位置に電子ビーム
を偏向させるように構成している。
本発明では、試料上の照射すべき位置に対応する位置番
号を座標データとして入力すると、該座標データに基づ
いて偏向制御電流が生成され、これが補正データに応じ
て補正され、対応する位置に電子ビームが偏向して照射
される。
号を座標データとして入力すると、該座標データに基づ
いて偏向制御電流が生成され、これが補正データに応じ
て補正され、対応する位置に電子ビームが偏向して照射
される。
したがって、ビーム照射時に偏向点を指定するといった
操作者の関与が少なく、位置番号を与えるだけで、迅速
かつ正確に電子ビームの偏向が行われる。
操作者の関与が少なく、位置番号を与えるだけで、迅速
かつ正確に電子ビームの偏向が行われる。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１〜第３図は本発明に係る電子ビーム装置の一実施例
を示す図であり、本発明をＬＳＩの信号を測定する装置
に適用した例である。第１図は電子ビーム装置における
偏向座標設定部分の構成を示す図であり、この図におい
て、１１は座標データ格納メモリ （座標データ設定手
段）、１２は補正データ格納メモリ （補正データ設定
手段）である。
を示す図であり、本発明をＬＳＩの信号を測定する装置
に適用した例である。第１図は電子ビーム装置における
偏向座標設定部分の構成を示す図であり、この図におい
て、１１は座標データ格納メモリ （座標データ設定手
段）、１２は補正データ格納メモリ （補正データ設定
手段）である。
座標データ格納メモリ１１は測定試料（例えば被測定対
象たるＬＳＩ）の設計図などから各測定端子の座標（ｘ
、ｙ）を格納しており、これは操作者が予め第４図に示
したような測定端子について各端子毎にその座標データ
を順次格納していくことで行われる。座標は（Ｘ＋、ｙ
＋）から（ｘ７゜ｙｎ）まであり、それぞれが各端子の
位置に対応し、測定端子の端子番号ｉを入力すると、こ
れに対応する座標データ（ｘ＝ ｒ Ｙ＋ ）が出力
される。
象たるＬＳＩ）の設計図などから各測定端子の座標（ｘ
、ｙ）を格納しており、これは操作者が予め第４図に示
したような測定端子について各端子毎にその座標データ
を順次格納していくことで行われる。座標は（Ｘ＋、ｙ
＋）から（ｘ７゜ｙｎ）まであり、それぞれが各端子の
位置に対応し、測定端子の端子番号ｉを入力すると、こ
れに対応する座標データ（ｘ＝ ｒ Ｙ＋ ）が出力
される。
補正データ格納メモリ１２は測定端子の座標計算値をも
とに各測定端子に対して実測された偏向座標と計算値と
の変位である補正データ（ΔＸＩ＋ Δｙ＋ ）〜（
Δｘ１．Δｙイ）を格納しており、これは後の第３図で
示すプログラムにより登録することで行われる。補正デ
ータ格納メモ１月２においても測定端子の端子番号ｉを
入力すると、これに対応する補正データ（ΔＸｉ、
Δｙ＝）が出力される。
とに各測定端子に対して実測された偏向座標と計算値と
の変位である補正データ（ΔＸＩ＋ Δｙ＋ ）〜（
Δｘ１．Δｙイ）を格納しており、これは後の第３図で
示すプログラムにより登録することで行われる。補正デ
ータ格納メモ１月２においても測定端子の端子番号ｉを
入力すると、これに対応する補正データ（ΔＸｉ、
Δｙ＝）が出力される。
座標データおよび補正データは偏向電流制御回路（偏向
制御電流生成手段）１３に入力されており、偏向電流制
御回路１３は８つのアンプ１４ａ〜１４ｄ、１５ａ〜１
５ｄ、乗算回路１６．１７および加算回路１８．１９に
より構成される。アンプ１４ａ〜１４ｄ、１５ａ〜１５
ｄは後述の０式に基づいて演算される実際の偏向座標（
Ｘ、Ｙ）を与えるために各係数を決定するもので、アン
プ１４ａ＝１４ｄの出力は加算回路１８に送られ、補正
データ格納メモ１Ｊ１２がらの補正データΔＸと加算さ
れてＸ方向の偏向コイル制御電流としてバッファ２０を
介してＸ方向偏向コイル２１に出力される。一方、アン
プ１５３〜１５ｄの出力は加算回路１９に送られ、補正
データ格納メモリ１２からの補正データΔｙと加算され
てＹ方向の偏向コイル制御電流としてバッファ２２を介
してＹ方向偏向コイル２３に出力される。なお、乗算回
路１６．１７はともにｘｙというデータを生成するため
のものである。Ｘ方向偏向コイル２１およびＹ方向偏向
コイル２３は電子銃から発射され集束された電子ビーム
をそれぞれＸ方向、Ｙ方向に電磁偏向して所定の測定端
子に電子ビームを当てるもので、偏向手段２４を構成し
ている。
制御電流生成手段）１３に入力されており、偏向電流制
御回路１３は８つのアンプ１４ａ〜１４ｄ、１５ａ〜１
５ｄ、乗算回路１６．１７および加算回路１８．１９に
より構成される。アンプ１４ａ〜１４ｄ、１５ａ〜１５
ｄは後述の０式に基づいて演算される実際の偏向座標（
Ｘ、Ｙ）を与えるために各係数を決定するもので、アン
プ１４ａ＝１４ｄの出力は加算回路１８に送られ、補正
データ格納メモ１Ｊ１２がらの補正データΔＸと加算さ
れてＸ方向の偏向コイル制御電流としてバッファ２０を
介してＸ方向偏向コイル２１に出力される。一方、アン
プ１５３〜１５ｄの出力は加算回路１９に送られ、補正
データ格納メモリ１２からの補正データΔｙと加算され
てＹ方向の偏向コイル制御電流としてバッファ２２を介
してＹ方向偏向コイル２３に出力される。なお、乗算回
路１６．１７はともにｘｙというデータを生成するため
のものである。Ｘ方向偏向コイル２１およびＹ方向偏向
コイル２３は電子銃から発射され集束された電子ビーム
をそれぞれＸ方向、Ｙ方向に電磁偏向して所定の測定端
子に電子ビームを当てるもので、偏向手段２４を構成し
ている。
以上の構成において、測定試料としてＬＳＩにつながる
第４図に示すような測定端子を用いてＬＳＩの信号を測
定しようとする場合、第２図に示すように測定試料の設
計図などのデータ座標系（ｘ、 ｙ）に対し、実際の
偏向座標系（Ｘ、Ｙ）が対応しており、２５はＳＥＭ像
を表している。なお、図中ではｐ （ｘｐ、ｙｐ）がＰ
（Ｘｐ、 Ｙｐ）に偏向される例を示している。
第４図に示すような測定端子を用いてＬＳＩの信号を測
定しようとする場合、第２図に示すように測定試料の設
計図などのデータ座標系（ｘ、 ｙ）に対し、実際の
偏向座標系（Ｘ、Ｙ）が対応しており、２５はＳＥＭ像
を表している。なお、図中ではｐ （ｘｐ、ｙｐ）がＰ
（Ｘｐ、 Ｙｐ）に偏向される例を示している。
このデータ座標から偏向座標系への変換は、次式■によ
って計算され、偏向電流制御回路１３によって行われる
。
って計算され、偏向電流制御回路１３によって行われる
。
０式中の各係数Ｃｏｌｌｆｌ〜Ｃｏｍｆ４、Ｃｏａｆｌ
ｌ ｔ＋ｗｃＯ＠ｆ１４はデータ座標系の４点（ａｓ
ｂｓ Ｃ％ ｄ）と、偏向座標系の４点（Ａ、Ｂ、Ｃ，
Ｄ）との対応から求められるが、この４点（ａ、ｂ、ｃ
、ｄ）は予め決められており、これに対応する（Ａ、Ｂ
、Ｃ，Ｄ）は操作者が数えておくものである。０式は偏
向座標系を台形で近似するものであるが、実際にはレン
ズ収差等により台形では近似しきれないため、第２図に
示すように偏向座標に誤差が生じる。
ｌ ｔ＋ｗｃＯ＠ｆ１４はデータ座標系の４点（ａｓ
ｂｓ Ｃ％ ｄ）と、偏向座標系の４点（Ａ、Ｂ、Ｃ，
Ｄ）との対応から求められるが、この４点（ａ、ｂ、ｃ
、ｄ）は予め決められており、これに対応する（Ａ、Ｂ
、Ｃ，Ｄ）は操作者が数えておくものである。０式は偏
向座標系を台形で近似するものであるが、実際にはレン
ズ収差等により台形では近似しきれないため、第２図に
示すように偏向座標に誤差が生じる。
そこで本実施例では、座標計算値をもと、に各測定端子
に対して偏向座標を実測し、計算値との変位を求めて補
正データとして保存しておく。そして、測定時には指定
端子の座標計算値を加味することにより、正確な偏向を
行っている。
に対して偏向座標を実測し、計算値との変位を求めて補
正データとして保存しておく。そして、測定時には指定
端子の座標計算値を加味することにより、正確な偏向を
行っている。
具体的には、電子ビームを照射しようとする端子に対応
する端子番号ｉを座標データ格納メモリ１１および補正
データ格納メモリ１２に人力すると、座標データ格納メ
モ１月１から座標データ（Ｘえ。
する端子番号ｉを座標データ格納メモリ１１および補正
データ格納メモリ１２に人力すると、座標データ格納メ
モ１月１から座標データ（Ｘえ。
ｙｌが読み出され、偏向電流制御回路１３により前記０
式に従って偏向座標＜Ｘ、 Ｙ）が計算された後、補正
データ格納メモリ１２から補正データ（ΔＸｉ＋ Δ
ｙ＝＞が読み出されて偏向座標（Ｘ。
式に従って偏向座標＜Ｘ、 Ｙ）が計算された後、補正
データ格納メモリ１２から補正データ（ΔＸｉ＋ Δ
ｙ＝＞が読み出されて偏向座標（Ｘ。
Ｙ）が補正されて偏向コイル制御電流がＸ方向偏向コイ
ル２１およびＹ方向偏向コイル２３に出力される。これ
により、電子ビームの偏向が行われ、端子番号ｉに対応
する測定端子に向けて電子ビームが照射されＬＳＩの信
号の測定が行われる。
ル２１およびＹ方向偏向コイル２３に出力される。これ
により、電子ビームの偏向が行われ、端子番号ｉに対応
する測定端子に向けて電子ビームが照射されＬＳＩの信
号の測定が行われる。
ここで、座標データ、補正データ、偏向電流制御回路１
３中におけるアンプ１４ａ −１４ｄ 、 １５ａ 〜
１５ｄのゲインは予め設定されており、座標データは前
述の如く設計図等により得られるが、アンプゲインと補
正データは第３図に示す手順により登録される。
３中におけるアンプ１４ａ −１４ｄ 、 １５ａ 〜
１５ｄのゲインは予め設定されており、座標データは前
述の如く設計図等により得られるが、アンプゲインと補
正データは第３図に示す手順により登録される。
すなわち、第３図において、まず初期状態として補正デ
ータ格納メモリ１２の内容は全て“０”にリセットされ
ている。最初にＰｌ （プログラムのステップを指す。
ータ格納メモリ１２の内容は全て“０”にリセットされ
ている。最初にＰｌ （プログラムのステップを指す。
以下、同様））でデータ座標上の（ａ、ｂ、ｃ−、ｄｉ
に対応する偏向座標（Ａ、Ｂ、Ｃ５Ｄ）をＳＥＭ像２５
上で指定する。これは、（ａｓ ｂｓ Ｃ５ｄ）を代表
点として予め決めてその偏向位置を指定する処理に相当
する。次いで、Ｐ２で代表点のデータ座標および対応す
る偏向座標から偏向、電流制御回路１３１９のアンプ１
４ａ−１４ｄ、１５ａ−１５ｄのゲインを計算し、設定
する。ゲインを偏向電流制御回路１３に設定したら、Ｐ
、で端子番号ｉに１を入れ、Ｐ４で端子ｉの座標データ
（Ｘ＝ ＋ ｙｉ ）を座標データ格納メモ１月１か
ら読み出して偏向電流制御回路１３に送る。これにより
、偏向電流制御回路１３でＸ、Ｙ方向の偏向コイル制御
電流が生成されてＸ方向偏向コイル２１およびＹ方向偏
向コイル２３に送られ、電子ビームが偏向されて偏向位
置に照射される。次いで、Ｐ、で座標データ（ｘ！ ＋
’／＝ ）に対応する偏向位置を中心にラインスキ
ャンを行い、Ｐ、でスキャンデータから今回の端子ｉの
重心を求め、この重心と端子ｉの正しい座標（正規の照
射位置）に対応する偏向座標（Ｘｉ、Ｙｉ）との差（変
位）（Δｘｉ＋Δｙ１）を演算し、これを補正データと
して補正データ格納メモ１月２に格納する。すなわち、
座標データ格納メモリ１■に端子番号ｉを入力して得ら
れる偏向座標を中心にｘ、ｙ方向それぞれに対し、ライ
ンスキャンを行いながら重心が中心になるように補正デ
ータを変化させていくことで変位を求め、これが（ΔＸ
ｉ、 Δｙｌとなる。
に対応する偏向座標（Ａ、Ｂ、Ｃ５Ｄ）をＳＥＭ像２５
上で指定する。これは、（ａｓ ｂｓ Ｃ５ｄ）を代表
点として予め決めてその偏向位置を指定する処理に相当
する。次いで、Ｐ２で代表点のデータ座標および対応す
る偏向座標から偏向、電流制御回路１３１９のアンプ１
４ａ−１４ｄ、１５ａ−１５ｄのゲインを計算し、設定
する。ゲインを偏向電流制御回路１３に設定したら、Ｐ
、で端子番号ｉに１を入れ、Ｐ４で端子ｉの座標データ
（Ｘ＝ ＋ ｙｉ ）を座標データ格納メモ１月１か
ら読み出して偏向電流制御回路１３に送る。これにより
、偏向電流制御回路１３でＸ、Ｙ方向の偏向コイル制御
電流が生成されてＸ方向偏向コイル２１およびＹ方向偏
向コイル２３に送られ、電子ビームが偏向されて偏向位
置に照射される。次いで、Ｐ、で座標データ（ｘ！ ＋
’／＝ ）に対応する偏向位置を中心にラインスキ
ャンを行い、Ｐ、でスキャンデータから今回の端子ｉの
重心を求め、この重心と端子ｉの正しい座標（正規の照
射位置）に対応する偏向座標（Ｘｉ、Ｙｉ）との差（変
位）（Δｘｉ＋Δｙ１）を演算し、これを補正データと
して補正データ格納メモ１月２に格納する。すなわち、
座標データ格納メモリ１■に端子番号ｉを入力して得ら
れる偏向座標を中心にｘ、ｙ方向それぞれに対し、ライ
ンスキャンを行いながら重心が中心になるように補正デ
ータを変化させていくことで変位を求め、これが（ΔＸ
ｉ、 Δｙｌとなる。
次いで、Ｐ、で端子番号ｉをインクメントし、Ｐ８でｉ
が所定数ｎ（端子の総数）になったか否かを判断し、Ｎ
ｏのときはＰ３に戻って上記処理を繰り返す。一方、ｉ
＞ｎになると、登録処理を終了する。
が所定数ｎ（端子の総数）になったか否かを判断し、Ｎ
ｏのときはＰ３に戻って上記処理を繰り返す。一方、ｉ
＞ｎになると、登録処理を終了する。
このように、本実施例では代表点として数点を登録する
と、あとは端子番号ｉを与えるだけで測定時には指定端
子の座標計算値に補正データ（Δｘ８．Δｙｌが適切に
加味されて偏向量が決定され、実際の端子に正確に電子
ビームを偏向させることができる。したがって、偏向点
を指定するといった操作者の関与が極めて少なくなり、
測定時に迅速かつ節単に偏向を行ってＬＳＩの信号測定
を速やかに行うことができる。
と、あとは端子番号ｉを与えるだけで測定時には指定端
子の座標計算値に補正データ（Δｘ８．Δｙｌが適切に
加味されて偏向量が決定され、実際の端子に正確に電子
ビームを偏向させることができる。したがって、偏向点
を指定するといった操作者の関与が極めて少なくなり、
測定時に迅速かつ節単に偏向を行ってＬＳＩの信号測定
を速やかに行うことができる。
なお、本発明の適用は上記実施例のようなＬＳＩの信号
ｉ１＋１定に限られず、他の分野であってもよく、要は
電子ビームを所定の多数の位置に偏向させるものであれ
ば適用が可能である。
ｉ１＋１定に限られず、他の分野であってもよく、要は
電子ビームを所定の多数の位置に偏向させるものであれ
ば適用が可能である。
また、代表点は上記実施例のように４点に限らず、他の
適当数であってもよい。
適当数であってもよい。
本発明によれば、電子ビーム照射時に操作者の関与が少
なく、位置番号を与えるだけで迅速かつ簡単に電子ビー
ムの偏向量を設定することができ、実際の位置に正確に
電子ビームを偏向することができる。
なく、位置番号を与えるだけで迅速かつ簡単に電子ビー
ムの偏向量を設定することができ、実際の位置に正確に
電子ビームを偏向することができる。
第１図〜３図は本発明に係る電子ビーム装置の一実施例
を示す図であり、 第１図はその偏向座標設定部分の構成を示す図、第２図
はその座標の対応を示す図、 第３図はそのデータの登録手順を示すフローチャート、 第４図は電子ビームを照射する測定端子の一例を示す図
である。 ２５・・・・・・ＳＥＭ像。 １１・・・・・・座標データ格納メモリ （座標データ
設定手段）、 １２・・・・・・補正データ格納メモリ （補正データ
設定手段）、 １３・・・・・・偏向電流制御回路（偏向制御電流生成
手段）、 １４ａ 〜１４ｄ 、 １５ａ 〜１５ｄ−・・・アン
プ、１６．１７・・・・・・乗算回路、 １８．１９・・・・・・加算回路、 ２０．２２・・・・・・バッファ、 ２１・・・・・・Ｘ方向偏向コイル、 ２３・・・・・・Ｙ方向偏向コイル、 ２４・・・・・・偏向手段、 （ａ）データ座標系 （ｂ）スキャン座標系 一実施例の座標の対応を示す図 第２１ 一実施例のデータの登録手順を示すフローチャート第 図
を示す図であり、 第１図はその偏向座標設定部分の構成を示す図、第２図
はその座標の対応を示す図、 第３図はそのデータの登録手順を示すフローチャート、 第４図は電子ビームを照射する測定端子の一例を示す図
である。 ２５・・・・・・ＳＥＭ像。 １１・・・・・・座標データ格納メモリ （座標データ
設定手段）、 １２・・・・・・補正データ格納メモリ （補正データ
設定手段）、 １３・・・・・・偏向電流制御回路（偏向制御電流生成
手段）、 １４ａ 〜１４ｄ 、 １５ａ 〜１５ｄ−・・・アン
プ、１６．１７・・・・・・乗算回路、 １８．１９・・・・・・加算回路、 ２０．２２・・・・・・バッファ、 ２１・・・・・・Ｘ方向偏向コイル、 ２３・・・・・・Ｙ方向偏向コイル、 ２４・・・・・・偏向手段、 （ａ）データ座標系 （ｂ）スキャン座標系 一実施例の座標の対応を示す図 第２１ 一実施例のデータの登録手順を示すフローチャート第 図
Claims (2)
- （１）電子ビームを偏向コイルを含む偏向手段によって
偏向させ、 試料上の任意の位置に照射する電子ビーム装置において
、 前記試料上の照射すべき位置に対応する位置番号を座標
データとして設定する座標データ設定手段と、 該座標データで指定される試料上の位置に電子ビームを
照射したときの偏向座標と、正規の照射位置に対応する
偏向座標との変位に応じて電子ビームの偏向量を補正す
る補正データを設定する補正データ設定手段と、 前記座標データに基づいて電子ビームを偏向させる偏向
制御電流を生成するとともに、これを前記補正データに
応じて補正する偏向制御電流生成手段と、を設け、 前記偏向手段は、試料上の位置番号を入力することによ
り、偏向制御電流生成手段の出力に基づいて対応する位
置に電子ビームを偏向させることを特徴とする電子ビー
ム装置。 - （２）前記偏向制御電流生成手段は、前記位置番号とし
て定められた代表点数点の偏向位置を指定することによ
り、位置番号に対応する座標と電子ビーム偏向座標との
対応をとり、これから偏向制御電流を生成することを特
徴とする請求項１記載の電子ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098105A JPH02276144A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 電子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098105A JPH02276144A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 電子ビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276144A true JPH02276144A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14211049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1098105A Pending JPH02276144A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 電子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02276144A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095456A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-28 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | カラ−画像記録方法 |
| JPS62115172A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−電子写真方法 |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP1098105A patent/JPH02276144A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095456A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-28 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | カラ−画像記録方法 |
| JPS62115172A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−電子写真方法 |
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