JPH02277029A - アクティブマトリクス液晶表示素子 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示素子Info
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- JPH02277029A JPH02277029A JP1100455A JP10045589A JPH02277029A JP H02277029 A JPH02277029 A JP H02277029A JP 1100455 A JP1100455 A JP 1100455A JP 10045589 A JP10045589 A JP 10045589A JP H02277029 A JPH02277029 A JP H02277029A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100034523 Histone H4 Human genes 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非線形抵抗素子をもちいた薄膜二端子素子型
アクティブマトリクス液晶表示素子に関する。
アクティブマトリクス液晶表示素子に関する。
近年ツィステッド・ネマチック型（ＴＮ型）を中心とし
た液晶表示素子（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電
卓の分野で大量に用いられている。
た液晶表示素子（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電
卓の分野で大量に用いられている。
それに加え、近年、文字・図形等の任意の表示が可能な
マトリクス型も使われ始めている。画素をマトリクス状
に配したこのマトリクス型ＬＣＤの応用分野を広げるた
めには、表示容量の増大が必要である。しかし、従来の
ＬＣＤの電圧−透過率変化特性の立ち上がりはあまり急
峻ではないので、表示容量を増加させるためにマルチプ
レックス駆動の走査本数を増加させると、選択画素と非
選択画素との各々にかかる実効電圧比は低下し、選択画
素の透過率低下と非選択画素の透過率増加というクロス
トークが生じる（偏光板をパラレルに配置したノーマリ
ブラックの場合）。その結果、表示コントラストが著し
く低下し、ある程度のコントラストが得られる視野角も
狭くなり、従来のＬＣＤでは、走査本数は６０本ぐらい
が高画質の限界である。最近、スーパー・ツィステッド
・ネマチック型（ＳＴＮ型）といわれるものがあるが、
コントラストはＴＮ型よりも優れているものの応答が遅
いという大きな欠点がある。
マトリクス型も使われ始めている。画素をマトリクス状
に配したこのマトリクス型ＬＣＤの応用分野を広げるた
めには、表示容量の増大が必要である。しかし、従来の
ＬＣＤの電圧−透過率変化特性の立ち上がりはあまり急
峻ではないので、表示容量を増加させるためにマルチプ
レックス駆動の走査本数を増加させると、選択画素と非
選択画素との各々にかかる実効電圧比は低下し、選択画
素の透過率低下と非選択画素の透過率増加というクロス
トークが生じる（偏光板をパラレルに配置したノーマリ
ブラックの場合）。その結果、表示コントラストが著し
く低下し、ある程度のコントラストが得られる視野角も
狭くなり、従来のＬＣＤでは、走査本数は６０本ぐらい
が高画質の限界である。最近、スーパー・ツィステッド
・ネマチック型（ＳＴＮ型）といわれるものがあるが、
コントラストはＴＮ型よりも優れているものの応答が遅
いという大きな欠点がある。
このマトリクス型ＬＣＤの表示容量を大幅に増加させる
ために、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配
置したアクティブマトリクスＬＣＤが考案されている。
ために、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配
置したアクティブマトリクスＬＣＤが考案されている。
これまでに発表されたアクティブマトリクスＬＣＤの試
作品のスイッチング素子には、アモルファスＳｉやポリ
Ｓｉを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（Ｔ Ｐ
Ｔ）が多く用いられている。また一方では、製造及び
構造が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき、
高歩留まり、低コストかが期待される薄膜二端子素子（
以下ＴＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスＬＣ
Ｄも注目されている。このＴＦＤは回路的には非線形抵
抗素子である。
作品のスイッチング素子には、アモルファスＳｉやポリ
Ｓｉを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（Ｔ Ｐ
Ｔ）が多く用いられている。また一方では、製造及び
構造が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき、
高歩留まり、低コストかが期待される薄膜二端子素子（
以下ＴＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスＬＣ
Ｄも注目されている。このＴＦＤは回路的には非線形抵
抗素子である。
このような薄膜二端子素子型アクティブマトリクスＬＣ
Ｄ （以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において一番実用化
に近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金属−絶縁体
−金属構造を有する素子（以下ＭＩＭ素子またはＭＩＭ
と略す）を用いたＬＣＤ （以下Ｍ Ｉ Ｍ−Ｌ ＣＤ
と略す）である。
Ｄ （以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において一番実用化
に近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金属−絶縁体
−金属構造を有する素子（以下ＭＩＭ素子またはＭＩＭ
と略す）を用いたＬＣＤ （以下Ｍ Ｉ Ｍ−Ｌ ＣＤ
と略す）である。
ＭＩＭのようなＴＦＤを液晶と直列に接続することによ
り、ＴＦＤの電圧−電流特性の高非線形性により、ＴＦ
Ｄ−液晶の電圧−透過率変化特性の立ち上がりは急峻に
なり、液晶表示素子の走査本数を大幅に増やすことが可
能になる。等何回路を第３図に示す。
り、ＴＦＤの電圧−電流特性の高非線形性により、ＴＦ
Ｄ−液晶の電圧−透過率変化特性の立ち上がりは急峻に
なり、液晶表示素子の走査本数を大幅に増やすことが可
能になる。等何回路を第３図に示す。
このようにＭＩＭ素子の絶縁体層は、完全な絶縁体では
なく、非線形抵抗層とでも呼ぶべきものである。本明細
書中では「絶縁体」はこのような意味で用いる。
なく、非線形抵抗層とでも呼ぶべきものである。本明細
書中では「絶縁体」はこのような意味で用いる。
ＭＩＭ素子において、最も重要な材料は絶縁体層の材料
である。最も知られている絶縁体材料としては酸化タン
タルが知られている。このようなＭＩＭをもちいたＬＣ
Ｄの従来例は、論文では、例えば、デイ・アールバラフ
他著（ジ・オプチマイゼイション・オブ・メタル・イン
シュレータ・メタル・ノンリニア・デバイシズ・フォア
・ユース・イン・マルチプレクスド・リキッド・クリス
タル・デイスプレィズ）、アイ・イー・イー・イー・ト
ランザクション・オン・エレクトロン・デバイシズ、２
８巻、６号２頁７３６−７３９゜１９８１年発行） （
Ｄ、Ｒ，Ｂａｒａｆｆ、ｅｔ ａｌ、、ゴｈｅ Ｏｐｔ
ｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆ Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔ
ｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ−１ｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃ
ｅｓ ｆｏｒ Ｕｓｅｉｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｄ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ”Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、ＥＩｅ−ｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃ
ｅｓ、 ｖｏｌ、ＥＤ−２８，ｐｐ７３６−７３９（１
９８１））、及び、両角伸冶、他、著２５０ｘ２４０画
素のラテラルＭＩＭ−ＬＣＤ テレビジョン学会技術
報告（ＩＰＤ８３−８）、ｐ３９−４４．１９８３年１
２月発行）に代表的に示される。
である。最も知られている絶縁体材料としては酸化タン
タルが知られている。このようなＭＩＭをもちいたＬＣ
Ｄの従来例は、論文では、例えば、デイ・アールバラフ
他著（ジ・オプチマイゼイション・オブ・メタル・イン
シュレータ・メタル・ノンリニア・デバイシズ・フォア
・ユース・イン・マルチプレクスド・リキッド・クリス
タル・デイスプレィズ）、アイ・イー・イー・イー・ト
ランザクション・オン・エレクトロン・デバイシズ、２
８巻、６号２頁７３６−７３９゜１９８１年発行） （
Ｄ、Ｒ，Ｂａｒａｆｆ、ｅｔ ａｌ、、ゴｈｅ Ｏｐｔ
ｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆ Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔ
ｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ−１ｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃ
ｅｓ ｆｏｒ Ｕｓｅｉｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｄ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ”Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、ＥＩｅ−ｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃ
ｅｓ、 ｖｏｌ、ＥＤ−２８，ｐｐ７３６−７３９（１
９８１））、及び、両角伸冶、他、著２５０ｘ２４０画
素のラテラルＭＩＭ−ＬＣＤ テレビジョン学会技術
報告（ＩＰＤ８３−８）、ｐ３９−４４．１９８３年１
２月発行）に代表的に示される。
このようなＭＩＭ素子を大容量のデイスプレィに適用す
るときに要求される特性は、素子を流れる電流（１）と
印加電圧（Ｖ）を Ｉ ＝Ａ −Ｖ”と表わしたときの
非線形係数ａが大きいこと、電流電圧特性が印加電圧の
極性に無関係に正負対称であること及びＭＩＭ素子の容
量が小さいことである。
るときに要求される特性は、素子を流れる電流（１）と
印加電圧（Ｖ）を Ｉ ＝Ａ −Ｖ”と表わしたときの
非線形係数ａが大きいこと、電流電圧特性が印加電圧の
極性に無関係に正負対称であること及びＭＩＭ素子の容
量が小さいことである。
ところが、酸化タンタルを用いたＭＩＭ素子に対称性は
よいが非線形係数が５〜６とそれほど大きくなく、また
誘電率も大きいため素子容量が大きい等の欠点を有して
いる。
よいが非線形係数が５〜６とそれほど大きくなく、また
誘電率も大きいため素子容量が大きい等の欠点を有して
いる。
そこで、誘電率の小さく、窒化シリコンが、ＭＩＭ素子
用絶縁体材料として、開発されている。
用絶縁体材料として、開発されている。
例えば エム スズキ 他 （ア ニュー アクティブ
ダイオード マトリクス エルシープイー ユージン
グ オフ ストイキオメトリツク Ｓ ｉＮｘ レイ
ヤー、プロシーティングスオブ ザ ニスアイデイ−２
８巻 １０１−１０４頁、１９８７年発行） （Ｍ、５
ｕｚｕｋｉ ｅｔ ａｔ”Ａ ＮｅｗＡｃｔｉｖｅ Ｄ
ｉｏｄｅ Ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ ｕｓｉｎｇ Ｏｆｆ
−ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃＳｉＮｘ Ｌａｙｅｒ
” Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ、
Ｖｏｌ、２８ ｐ １０１−１０４．１９８７）） これらの文献に示された従来型のＭＩＭ−ＬＣＤの構造
を次に、示す。窒化シリコン系ＭＩＭ素子を用いた構造
の断面図を第４図に示し、酸化タンタル系ＭＩＭ素子を
用いた構造のうち、ＭＩＭ素子が形成されている基板の
平面図を第５図に示し、ＭＩＭ−ＬＣＤの一部の透視構
造平面図を第６図に示す。
ダイオード マトリクス エルシープイー ユージン
グ オフ ストイキオメトリツク Ｓ ｉＮｘ レイ
ヤー、プロシーティングスオブ ザ ニスアイデイ−２
８巻 １０１−１０４頁、１９８７年発行） （Ｍ、５
ｕｚｕｋｉ ｅｔ ａｔ”Ａ ＮｅｗＡｃｔｉｖｅ Ｄ
ｉｏｄｅ Ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ ｕｓｉｎｇ Ｏｆｆ
−ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃＳｉＮｘ Ｌａｙｅｒ
” Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ、
Ｖｏｌ、２８ ｐ １０１−１０４．１９８７）） これらの文献に示された従来型のＭＩＭ−ＬＣＤの構造
を次に、示す。窒化シリコン系ＭＩＭ素子を用いた構造
の断面図を第４図に示し、酸化タンタル系ＭＩＭ素子を
用いた構造のうち、ＭＩＭ素子が形成されている基板の
平面図を第５図に示し、ＭＩＭ−ＬＣＤの一部の透視構
造平面図を第６図に示す。
第４図は、非線形抵抗層７に窒化シリコンを用いた例で
あり、窒化シリコンは成膜後、エツチングにより所定の
形にパターン化しである。第５図に示すように、非線形
抵抗層に陽極酸化による酸化タンタルを用いた場合は非
線形抵抗層はリード電極３を覆う形になる。第６図に示
すように、リード電極３は液晶セルの外まで引き出され
、駆動回路に接続される。対向透明電極１１は、リード
電極３と直交し、画素電極にほぼ対応する幅でストライ
プ状にパターン化され、駆動回路に接続される。リード
電極３は第３図に示すデータ電極Ｉ４または走査電極１
７のいずれか一方に対応し、対向透明電極１１はデータ
電極または走査電極１７の残りに対応する。詳細は上記
の文献に記載されている。
あり、窒化シリコンは成膜後、エツチングにより所定の
形にパターン化しである。第５図に示すように、非線形
抵抗層に陽極酸化による酸化タンタルを用いた場合は非
線形抵抗層はリード電極３を覆う形になる。第６図に示
すように、リード電極３は液晶セルの外まで引き出され
、駆動回路に接続される。対向透明電極１１は、リード
電極３と直交し、画素電極にほぼ対応する幅でストライ
プ状にパターン化され、駆動回路に接続される。リード
電極３は第３図に示すデータ電極Ｉ４または走査電極１
７のいずれか一方に対応し、対向透明電極１１はデータ
電極または走査電極１７の残りに対応する。詳細は上記
の文献に記載されている。
本発明の分野である薄膜二端子素子（ＴＦＤ）、特にＭ
ＩＭ素子を用いたアクティブマトリクスＬＣＤは製造及
び構造が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき
、低コスト化が期待されるも注目されている。
ＩＭ素子を用いたアクティブマトリクスＬＣＤは製造及
び構造が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき
、低コスト化が期待されるも注目されている。
しかし、ＭＩＭ素子の１層が１１００ｎ前後と薄いので
、ショートしやすい。このため液晶表示素子にした場合
、点欠陥の発生を完全に防ぐことは困難である。
、ショートしやすい。このため液晶表示素子にした場合
、点欠陥の発生を完全に防ぐことは困難である。
本発明の目的は、ＭＩＭ素子を用いたＬＣＤ（ＭＩＭ−
ＬＣＤ）の点欠陥の発生を防ぎ、無欠陥の大容量の液晶
表示素子を低価格で提供することにある。
ＬＣＤ）の点欠陥の発生を防ぎ、無欠陥の大容量の液晶
表示素子を低価格で提供することにある。
本発明によれば、各画素が薄膜二端子素子と画素電極と
が同一基板上で直列に接続されている薄膜二端子素子型
アクティブマトリクス液晶素子において、１層目に下部
中継電極とが形成され、２層目に非線形抵抗層が形成さ
れ、３層目に上部中継電極が形成され、リード電極は１
層目または３層目に下部または上部中継電極と同時に形
成され、画素接続電極または画素電極は１層目または３
層目に下部または上部中継電極と同時に形成されること
により、リード電極と画素電極との間で中継電極を介し
て非線形抵抗層を３回以上電流が流れるようにした薄膜
二端子素子を用いたことを特徴とするアクティブマトリ
クス液晶表示素子が、得られる。
が同一基板上で直列に接続されている薄膜二端子素子型
アクティブマトリクス液晶素子において、１層目に下部
中継電極とが形成され、２層目に非線形抵抗層が形成さ
れ、３層目に上部中継電極が形成され、リード電極は１
層目または３層目に下部または上部中継電極と同時に形
成され、画素接続電極または画素電極は１層目または３
層目に下部または上部中継電極と同時に形成されること
により、リード電極と画素電極との間で中継電極を介し
て非線形抵抗層を３回以上電流が流れるようにした薄膜
二端子素子を用いたことを特徴とするアクティブマトリ
クス液晶表示素子が、得られる。
本発明における薄膜二端子素子、すなわちＭＩＭ素子の
ブリッジ構造の一例を第１図に示す。この例では、ＭＩ
Ｍ素子は実質的に４個直列に配置されている。
ブリッジ構造の一例を第１図に示す。この例では、ＭＩ
Ｍ素子は実質的に４個直列に配置されている。
ＭＩＭ素子の構造は、クロムの下部電極として、リード
電極３、第１下部中継電極４、及び画素接続電極５が同
時に形成され、次に非線形抵抗層７が形成される。次に
クロムの上部電極として、第１上部中継電極８と第２上
部中継電極９が形成される。ここで、第６図に示された
従来例と同じく、リード電極３は外部に引き出されて、
同時に形成された端子部６に接続される。画素接続電極
５は画素電極２に接続される形で形成さｈ１第１下部中
継電極は中継電極として形成される。第１上部中継電極
８と第２上部中継電極９も中継電極として形成される。
電極３、第１下部中継電極４、及び画素接続電極５が同
時に形成され、次に非線形抵抗層７が形成される。次に
クロムの上部電極として、第１上部中継電極８と第２上
部中継電極９が形成される。ここで、第６図に示された
従来例と同じく、リード電極３は外部に引き出されて、
同時に形成された端子部６に接続される。画素接続電極
５は画素電極２に接続される形で形成さｈ１第１下部中
継電極は中継電極として形成される。第１上部中継電極
８と第２上部中継電極９も中継電極として形成される。
この例の薄膜２端子素子は、非線形抵抗層７を４回電流
が流れることになり、従来型の薄膜２端子素子が４個直
列に接続されたのと実質的に同一になる。すなわち、電
流はリード電極−非線形抵抗層一第１上部中継電極−非
線形抵抗層一第１下部中継電極−非線形抵抗層一第２上
部中継電極−非線形抵抗層一画素接続電極の順序、また
は逆の順序で通る。
が流れることになり、従来型の薄膜２端子素子が４個直
列に接続されたのと実質的に同一になる。すなわち、電
流はリード電極−非線形抵抗層一第１上部中継電極−非
線形抵抗層一第１下部中継電極−非線形抵抗層一第２上
部中継電極−非線形抵抗層一画素接続電極の順序、また
は逆の順序で通る。
この例の等価回路を第７図に示す。これは、従来例の等
価回路である第３図に対応するものである。
価回路である第３図に対応するものである。
このように４個直列のブリッジ構造を用いたＭ Ｉ Ｍ
−Ｌ ＣＤでは、４個のＭＵＭ素子のうち、３個のＭＩ
Ｍ素子がショート・モードで破壊されても、残り１個が
生きていれば、スイッチング素子として動作し、その画
素は欠陥画素にならない。
−Ｌ ＣＤでは、４個のＭＵＭ素子のうち、３個のＭＩ
Ｍ素子がショート・モードで破壊されても、残り１個が
生きていれば、スイッチング素子として動作し、その画
素は欠陥画素にならない。
このように、本ブリッジ構造は、冗長度の高い構造にな
っている。従って、本構造により、無欠陥パネルが高歩
留りで製造することが可能になった。
っている。従って、本構造により、無欠陥パネルが高歩
留りで製造することが可能になった。
また、上部中継電極と下部中継電極の各々の数を調整す
ることにより、非線形抵抗層を何回電流が流れるかを容
易に決めることができる。何回が最適であるかは、種々
のプロセス条件、特性等により決まるが、現状段階では
、３から６回で適していると考えられる。
ることにより、非線形抵抗層を何回電流が流れるかを容
易に決めることができる。何回が最適であるかは、種々
のプロセス条件、特性等により決まるが、現状段階では
、３から６回で適していると考えられる。
〔実施例１〕
以下に本発明の実施例を示す。
本実施例によりえられる薄膜二端子素子（以下ＴＦＤ素
子と略す）を用いたアクティブマトリクスＬＣＤの１画
素の代表例の平面図を第１図に示し、断面図を第２図に
示す。下部ガラス基板１を５ｉＯｚ等のガラス保護層で
被覆することも多いが、不可欠なものではないので被覆
を省略することもでき、本実施例では省略している。そ
の後画素電極２として酸化インジウム−スズ（通常ＩＴ
Ｏとよばれている）をパターン化形成する。
子と略す）を用いたアクティブマトリクスＬＣＤの１画
素の代表例の平面図を第１図に示し、断面図を第２図に
示す。下部ガラス基板１を５ｉＯｚ等のガラス保護層で
被覆することも多いが、不可欠なものではないので被覆
を省略することもでき、本実施例では省略している。そ
の後画素電極２として酸化インジウム−スズ（通常ＩＴ
Ｏとよばれている）をパターン化形成する。
次に下部電極としてクロム（Ｏｒ）を１１００ｎ形成し
、通常のフォトリソグラフィ法により、リード電極３、
第１下部中継電極４、及び画素接続電極５になる。ここ
で、第６図に示された従来例と同じく、リード電極は外
部に引き出されて、同時に形成された端子部６に接続さ
れる。画素接続電極５は画素電極２に接続される形で形
成され、第１下部中継電極４は中継電極として形成され
る。
、通常のフォトリソグラフィ法により、リード電極３、
第１下部中継電極４、及び画素接続電極５になる。ここ
で、第６図に示された従来例と同じく、リード電極は外
部に引き出されて、同時に形成された端子部６に接続さ
れる。画素接続電極５は画素電極２に接続される形で形
成され、第１下部中継電極４は中継電極として形成され
る。
つづいて非線形抵抗層７として、Ｓ ｉＨ４ガスとＮ２
ガス用いてグロー放電分解法によりガラス基板上に窒化
シリコン層を１５０ｎｍ形成した。
ガス用いてグロー放電分解法によりガラス基板上に窒化
シリコン層を１５０ｎｍ形成した。
このときの窒化シリコン層を形成するときのガス混合比
Ｓ ｉ Ｈ４／ Ｎ ２は０．０８であった。その後上
部電極としてＣｒを１１００ｎ形成しフォトリングラフ
ィ法によりパターン化し、第１上部中継電極８と第２上
部中継電極９になる。
Ｓ ｉ Ｈ４／ Ｎ ２は０．０８であった。その後上
部電極としてＣｒを１１００ｎ形成しフォトリングラフ
ィ法によりパターン化し、第１上部中継電極８と第２上
部中継電極９になる。
このようにして作成された薄膜２端子素子は、非線形抵
抗層を４回電流が横切ることになり、従来型の薄膜２端
子素子が４個直列に接続されたのと同一になる。
抗層を４回電流が横切ることになり、従来型の薄膜２端
子素子が４個直列に接続されたのと同一になる。
上部ガラス基板１０上にＩＴＯ膜を形成、パターン化し
、対向透明電極１１とした。これは第６図に示した従来
例のＭ Ｉ Ｍ−Ｌ ＣＤ＋と同様であり、また通常の
単純マ、ルチプレックスＬＣＤとも殆んど同一である。
、対向透明電極１１とした。これは第６図に示した従来
例のＭ Ｉ Ｍ−Ｌ ＣＤ＋と同様であり、また通常の
単純マ、ルチプレックスＬＣＤとも殆んど同一である。
下部ガラス基板と上部ガラス基板とは配向処理を施した
のちガラスファイバ等のスペーサを介して張り合わされ
、通常のエポキシ系接着剤によりシールした。セル厚は
５μｍとした。その後ＴＮ形液晶を注入し液晶層１２と
した。これを封止してＴＦＤ−ＬＣＤを完成した。
のちガラスファイバ等のスペーサを介して張り合わされ
、通常のエポキシ系接着剤によりシールした。セル厚は
５μｍとした。その後ＴＮ形液晶を注入し液晶層１２と
した。これを封止してＴＦＤ−ＬＣＤを完成した。
本発明により形成した二端子素子の電圧−電流特性を測
定したところ、非線形係数ａも８と太きく１０００本以
上の多数の走査線を有するＴＦＤ−ＬＣＤへの適応も可
能なことがわかった。
定したところ、非線形係数ａも８と太きく１０００本以
上の多数の走査線を有するＴＦＤ−ＬＣＤへの適応も可
能なことがわかった。
本実施例を用いて形成された６４０Ｘ４００素子のＭＩ
Ｍ−ＬＣＤの画像評価を行なったところコントラス）３
０ ： １以上あったが、駆動電圧は３２Ｖと若干高め
であった。
Ｍ−ＬＣＤの画像評価を行なったところコントラス）３
０ ： １以上あったが、駆動電圧は３２Ｖと若干高め
であった。
欠陥画素の評価では、試作した１００パネル中、１個以
上の点欠陥を有するパネルは５枚であった。
上の点欠陥を有するパネルは５枚であった。
本実施例と同一表示規模の従来型のＭＩＭ−ＬＣＤは、
１００個試作中、１個以上の点欠陥を有するＭＩＭ−Ｌ
ＣＤは５６個あった。ここで従来型と呼ぶ構造は、前述
のもので、第４図、第５図に示しである。
１００個試作中、１個以上の点欠陥を有するＭＩＭ−Ｌ
ＣＤは５６個あった。ここで従来型と呼ぶ構造は、前述
のもので、第４図、第５図に示しである。
このように、本発明により、パネルの欠陥率は１桁以上
改善された。
改善された。
〔実施例２〕
非線形抵抗層７を次のように２層にした以外は実施例１
とまったく同じにした。
とまったく同じにした。
ＳｉＨ４ガスとＮ２の混合ガスからグロー放電分解法に
より窒化シリコン層を１２０ｎｍ、ＳｉＨ４ガスにＰＨ
を１層混合したガスを用いてグロー放電分解法により１
０〜３０ｎｍのリンをドープしたシリコン非晶質層を順
次形成する。このときの窒化シリコン層を形成するとき
のガス混合比５ＩＨ４／Ｎ２は０．０８であった。この
ような構造にすることにより、高非線形性を保ったまま
電流は流れ易くなる。
より窒化シリコン層を１２０ｎｍ、ＳｉＨ４ガスにＰＨ
を１層混合したガスを用いてグロー放電分解法により１
０〜３０ｎｍのリンをドープしたシリコン非晶質層を順
次形成する。このときの窒化シリコン層を形成するとき
のガス混合比５ＩＨ４／Ｎ２は０．０８であった。この
ような構造にすることにより、高非線形性を保ったまま
電流は流れ易くなる。
本実施例で得られたパネルと特性は、駆動電圧が２５Ｖ
と低いことに特徴があり、他の特性は実施例１と同じで
ある。
と低いことに特徴があり、他の特性は実施例１と同じで
ある。
〔実施例３〕
非線形抵抗層７を次のように２層にした以外は実施例１
とまったく同じにした。
とまったく同じにした。
Ｓ Ｉ Ｈ４ガスとＮ２の混合ガスを用い、ガス混合弁
Ｓ ｉＨ４／Ｎ２＝０．０４の条件でグロー放電分解法
により窒化シリコン層を１０〜３０ｎｍ成膜した後、ガ
ス混合比Ｓ ｉ Ｈ，／Ｎ、＝ ０．０８の条件でグロ
ー放電分解法により窒化シリコン層を１２０ｎｍ成膜し
た。このような構造にすることにより、高非線形性係数
ａは１１と高くなり、電流は流れ易くなる。
Ｓ ｉＨ４／Ｎ２＝０．０４の条件でグロー放電分解法
により窒化シリコン層を１０〜３０ｎｍ成膜した後、ガ
ス混合比Ｓ ｉ Ｈ，／Ｎ、＝ ０．０８の条件でグロ
ー放電分解法により窒化シリコン層を１２０ｎｍ成膜し
た。このような構造にすることにより、高非線形性係数
ａは１１と高くなり、電流は流れ易くなる。
本実施例で得られたパネルの特性は、階調再現性に優れ
、駆動電圧が２２Ｖと低いことに特徴があり、他の特性
は実施例１と同じである。
、駆動電圧が２２Ｖと低いことに特徴があり、他の特性
は実施例１と同じである。
〔実施例４〕
第８図の平面図に示したように、はじめに第１下部中継
電極４と第２下部中継電極１８を形成し、非線形抵抗層
７を形成後、第１上部中継電極８を形成すると同時に、
リード電極３と画素接続電極５とを形成すること以外は
、実施例１と同様に試作した。表示性能、欠陥の評価で
も実施例１とほぼ同様の値を得た。
電極４と第２下部中継電極１８を形成し、非線形抵抗層
７を形成後、第１上部中継電極８を形成すると同時に、
リード電極３と画素接続電極５とを形成すること以外は
、実施例１と同様に試作した。表示性能、欠陥の評価で
も実施例１とほぼ同様の値を得た。
〔実施例５〕
第９図の平面図に示したように、中継用の下部電極を１
個増やし、第２下部電極１８とした以外は実施例１とま
ったく同じにした。これにより、本実施例では、薄膜２
端子素子は６個直列に配列されることになる。
個増やし、第２下部電極１８とした以外は実施例１とま
ったく同じにした。これにより、本実施例では、薄膜２
端子素子は６個直列に配列されることになる。
欠陥画素の評価では、試作した１００個のＭＩＭ−ＬＣ
Ｄ中、１個以上の点欠陥を有するＭＩＭ−ＬＣＤは３枚
であった。このように、薄膜２端子素子を６個直列に配
列することにより、４個配列した実施例２よりも更に欠
陥率を低くすることができた。
Ｄ中、１個以上の点欠陥を有するＭＩＭ−ＬＣＤは３枚
であった。このように、薄膜２端子素子を６個直列に配
列することにより、４個配列した実施例２よりも更に欠
陥率を低くすることができた。
〔実施例６〕
第１０図の平面図に示したように、上部中継電極を１個
にし、第１上部中継電極８とした以外は、実施例１とま
ったく同じにした。これにより、本実施例では、薄膜２
端子素子は３個直列に配列されることになる。
にし、第１上部中継電極８とした以外は、実施例１とま
ったく同じにした。これにより、本実施例では、薄膜２
端子素子は３個直列に配列されることになる。
欠陥画素の評価では、試作した１００個のＭＩＭ−ＬＣ
Ｄ中、１個以上の点欠陥を有するＭＩＭ−ＬＣＤは８枚
であった。実施例１に比べてわずかに歩留りは低下した
が、開口率は若干増加し、ＭＩＭ＝ＬＣＤは明るくなっ
た。
Ｄ中、１個以上の点欠陥を有するＭＩＭ−ＬＣＤは８枚
であった。実施例１に比べてわずかに歩留りは低下した
が、開口率は若干増加し、ＭＩＭ＝ＬＣＤは明るくなっ
た。
〔実施例７〕
第１１図の平面図に示したように、下部電極材料をタン
タルとし、非線形抵抗層７を陽極酸化による酸化タンタ
ルとした以外は、実施例１と同じにした。酸化タンタル
は、リード電極３、第１下部中継電極４と画素接続電極
５を各々覆うかたちで形成された。陽極酸化は通常どう
り０．１ ｗ ｔ％のクエン酸で行い、７５ｎｍの酸化
タンタルを成長させた。
タルとし、非線形抵抗層７を陽極酸化による酸化タンタ
ルとした以外は、実施例１と同じにした。酸化タンタル
は、リード電極３、第１下部中継電極４と画素接続電極
５を各々覆うかたちで形成された。陽極酸化は通常どう
り０．１ ｗ ｔ％のクエン酸で行い、７５ｎｍの酸化
タンタルを成長させた。
〔実施例８〕
第１２図に本実施例の構造平面図を示す。実施例１にお
いて、ＩＴＯの画素電極２を形成し、次に下部電極とし
てクロム（Ｏｒ）のリード電極３、第１下部中継電極４
と画素接続電極を形成する代わりに、本実施例では下部
電極としてＩＴＯを５０ｎｍ形成し、通常のフォトリソ
グラフィ法により、画素電極２、リード電極３、第１下
部中継電極４を形成した。
いて、ＩＴＯの画素電極２を形成し、次に下部電極とし
てクロム（Ｏｒ）のリード電極３、第１下部中継電極４
と画素接続電極を形成する代わりに、本実施例では下部
電極としてＩＴＯを５０ｎｍ形成し、通常のフォトリソ
グラフィ法により、画素電極２、リード電極３、第１下
部中継電極４を形成した。
以上の実施例においてはＳｉＨ４とＮ２の混合ガスを用
いて窒化シリコンを成膜しているが、ＳｉＨ４とＮ Ｈ
ｓの混合ガス、Ｓ １２Ｈ６とＮ２の混合ガス等を用い
ても良好なダイオード特性が得られた。
いて窒化シリコンを成膜しているが、ＳｉＨ４とＮ Ｈ
ｓの混合ガス、Ｓ １２Ｈ６とＮ２の混合ガス等を用い
ても良好なダイオード特性が得られた。
また、本実施例においては、グロー放電分解法を用いて
いるが、スパッタ法、ＣＶＤ法等の他の成膜方法におい
ても本発明は有効である。
いるが、スパッタ法、ＣＶＤ法等の他の成膜方法におい
ても本発明は有効である。
本実施例においては電極としてクロム電極を用いている
が、Ａｌ１．Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等他の金属及びシリサイド
を上部及びリード電極に用いても本発明は有効である。
が、Ａｌ１．Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等他の金属及びシリサイド
を上部及びリード電極に用いても本発明は有効である。
また、画素電極として使用しているＩＴＯ等の透明電極
な二端子素子の上部及び下部電極と兼ねても本発明は有
効である。
な二端子素子の上部及び下部電極と兼ねても本発明は有
効である。
以上説明したように、本発明によれば、ＭＩＭ−ＬＣＤ
、すなわちＴＦＤ−ＬＣＤの画素欠陥の発生が非常に少
なくなり、ＭＩＭ−ＬＣＤの欠陥率が著しく低下する。
、すなわちＴＦＤ−ＬＣＤの画素欠陥の発生が非常に少
なくなり、ＭＩＭ−ＬＣＤの欠陥率が著しく低下する。
従って、ＭＩＭ−ＬＣＤの低コスト化が容易になる。
第１図は本発明によるＭＩＭ−ＬＣＤの第１の実施例の
断面図、第２図は本発明によるＭＩＭ基板の断面図、第
３図はＴＦＤ−ＬＣＤの一般的な等価回路である。第４
図、第５図、第６図は従来のＴＦＤ−ＬＣＤの例、特に
ＭＩＭ−ＬＣＤの例を示したものであり、窒化シリコン
系ＭＩＭ素子を用いた構造の断面図を第４図に示し、酸
化タンタル系ＭＩＭ素子を用いた構造のうち、ＭＩＭ素
子が形成されている基板の平面図を第５図に示し、ＭＩ
Ｍ−ＬＣＤパネルの一部の透視構造平面図を第６図に示
す。第７図は本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤの等価回路の
一例である。 第８図、第９図、第１０図、第１１図、第１２図は、各
々本発明による実施前■Ｍ素子基板の平面図の例である
。 １・・・・・・下部ガラス基板、２・・・・・・画素電
極、３・・・・・・リード電極、４・・・・・・第１下
部中継電極、５・・・・・・画素接続電極、６・・・・
・・端子部、７・・・・・・非線形抵抗層、８・・・・
・・第１上部中継電極、９・・・・・・第２上部中継電
極、１０・・・・・・上部ガラス基板、１１・・・・・
対向透明電極、１２・・・・・・液晶層、１３・・・・
・・上部電極、１４・・・・・・データ信号線、１５・
・・・・・非線形抵抗素子、１６・・・・・・液晶素子
、１７・・・・・・走査信号線、１８・・・・・・第２
下部中継電極。 代理人 弁理士 内 原 晋 ７１目線云″／奄Ｖｔ、房 第 ３ 図 第 １ 図 タ 尤 図 党 図 タ フ 圓 ７荊旅形抵顎１ 声 図 万 図 刀 図 男 図 尤 ｊ？ 図
断面図、第２図は本発明によるＭＩＭ基板の断面図、第
３図はＴＦＤ−ＬＣＤの一般的な等価回路である。第４
図、第５図、第６図は従来のＴＦＤ−ＬＣＤの例、特に
ＭＩＭ−ＬＣＤの例を示したものであり、窒化シリコン
系ＭＩＭ素子を用いた構造の断面図を第４図に示し、酸
化タンタル系ＭＩＭ素子を用いた構造のうち、ＭＩＭ素
子が形成されている基板の平面図を第５図に示し、ＭＩ
Ｍ−ＬＣＤパネルの一部の透視構造平面図を第６図に示
す。第７図は本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤの等価回路の
一例である。 第８図、第９図、第１０図、第１１図、第１２図は、各
々本発明による実施前■Ｍ素子基板の平面図の例である
。 １・・・・・・下部ガラス基板、２・・・・・・画素電
極、３・・・・・・リード電極、４・・・・・・第１下
部中継電極、５・・・・・・画素接続電極、６・・・・
・・端子部、７・・・・・・非線形抵抗層、８・・・・
・・第１上部中継電極、９・・・・・・第２上部中継電
極、１０・・・・・・上部ガラス基板、１１・・・・・
対向透明電極、１２・・・・・・液晶層、１３・・・・
・・上部電極、１４・・・・・・データ信号線、１５・
・・・・・非線形抵抗素子、１６・・・・・・液晶素子
、１７・・・・・・走査信号線、１８・・・・・・第２
下部中継電極。 代理人 弁理士 内 原 晋 ７１目線云″／奄Ｖｔ、房 第 ３ 図 第 １ 図 タ 尤 図 党 図 タ フ 圓 ７荊旅形抵顎１ 声 図 万 図 刀 図 男 図 尤 ｊ？ 図
Claims (1)
- マトリクス状に配置された各画素が薄膜二端子素子と画
素電極とが同一基板上で直列に接続されている薄膜二端
子素子型アクティブマトリクス液晶素子において、１層
目に下部中継電極が形成され、２層目に非線形抵抗層が
形成され、３層目に上部中継電極が形成され、リード電
極は１層目または３層目に下部または上部中継電極と同
時に形成され、画素接続電極または画素電極は１層目ま
たは３層目に下部または上部中継電極と同時に形成され
ることにより、リード電極と画素電極との間で中継電極
を介して非線形抵抗層を３回以上電流が横切るようにし
た薄膜二端子素子を用いたことを特徴とするアクティブ
マトリクス液晶表示素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10045589A JP2518388B2 (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | アクティブマトリクス液晶表示素子 |
| US07/511,137 US5069534A (en) | 1989-04-19 | 1990-04-19 | Active matrix liquid crystal display with series-connected MIM structures as a switching element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10045589A JP2518388B2 (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | アクティブマトリクス液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02277029A true JPH02277029A (ja) | 1990-11-13 |
| JP2518388B2 JP2518388B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=14274389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10045589A Expired - Lifetime JP2518388B2 (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | アクティブマトリクス液晶表示素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5069534A (ja) |
| JP (1) | JP2518388B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5206749A (en) | 1990-12-31 | 1993-04-27 | Kopin Corporation | Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits |
| US5362671A (en) * | 1990-12-31 | 1994-11-08 | Kopin Corporation | Method of fabricating single crystal silicon arrayed devices for display panels |
| US5258325A (en) * | 1990-12-31 | 1993-11-02 | Kopin Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film |
| US5528397A (en) * | 1991-12-03 | 1996-06-18 | Kopin Corporation | Single crystal silicon transistors for display panels |
| US5302987A (en) * | 1991-05-15 | 1994-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate including connecting electrode with extended portion |
| JPH05273595A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| GB9316101D0 (en) * | 1993-08-03 | 1993-09-15 | Philips Electronics Uk Ltd | Active matrix display devices |
| US5656526A (en) * | 1993-12-07 | 1997-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating a display device |
| GB2306747B (en) * | 1994-07-14 | 1998-07-01 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US5680182A (en) * | 1994-11-11 | 1997-10-21 | Hitachi, Ltd. | Nonlinear resistance films suitable for an active matrix LCD |
| KR100534573B1 (ko) | 2000-11-29 | 2005-12-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 트라이오드 정류 스위치 |
| KR100388272B1 (ko) | 2000-12-26 | 2003-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 티알에스 소자 |
| US6849935B2 (en) | 2002-05-10 | 2005-02-01 | Sarnoff Corporation | Low-cost circuit board materials and processes for area array electrical interconnections over a large area between a device and the circuit board |
| USRE41914E1 (en) | 2002-05-10 | 2010-11-09 | Ponnusamy Palanisamy | Thermal management in electronic displays |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250627A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 電気光学装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2505070B1 (fr) * | 1981-01-16 | 1986-04-04 | Suwa Seikosha Kk | Dispositif non lineaire pour un panneau d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication d'un tel panneau d'affichage |
| JPS5831321A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-24 | Seiko Epson Corp | 液晶表示パネル |
| JPS60149025A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-06 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPS60164724A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| JPS6145222A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-05 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| US4828370A (en) * | 1985-10-04 | 1989-05-09 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | Switching element with nonlinear resistive, nonstoichiometric material |
| JP2816549B2 (ja) * | 1986-10-22 | 1998-10-27 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 電気光学装置 |
| EP0296662B1 (en) * | 1987-06-18 | 1992-06-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device and method of driving such a device |
| JPS6459217A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-06 | Toshiba Corp | Active matrix array substrate and its manufacture |
| NL8802997A (nl) * | 1988-12-07 | 1990-07-02 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
-
1989
- 1989-04-19 JP JP10045589A patent/JP2518388B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-04-19 US US07/511,137 patent/US5069534A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250627A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 電気光学装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5069534A (en) | 1991-12-03 |
| JP2518388B2 (ja) | 1996-07-24 |
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