JPH02168237A - 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置Info
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- JPH02168237A JPH02168237A JP63325206A JP32520688A JPH02168237A JP H02168237 A JPH02168237 A JP H02168237A JP 63325206 A JP63325206 A JP 63325206A JP 32520688 A JP32520688 A JP 32520688A JP H02168237 A JPH02168237 A JP H02168237A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N Iodofenphos Chemical compound COP(=S)(OC)OC1=CC(Cl)=C(I)C=C1Cl LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属−絶縁体−金属からなる薄膜二端子素子
を用いたアクティブマトリクス液晶表示装置に関する。
を用いたアクティブマトリクス液晶表示装置に関する。
近年ツィステッド・ネマチック型を中心とした液晶表示
装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電卓の分野で
大量に用いられている。それに加え、近年、画素をマト
リクス状に配置し、文字図形等の任意の表示が可能なマ
トリクス型ＬＣＤも使われ始めている。このマトリクス
型ＬＣＤの応用分野を広げるためには、表示容量の増大
が必要である。しかし、従来のＬＣＤの電圧−透過率変
化特性の立ち上がりはあまり急峻ではないので、表示容
量を増加させるためにマルチプレックス駆動の走査本数
を増加させると、選択画素と非選択画素との各々にかか
る実効電圧比は低下し、選択画素の透過率低下と非選択
画素の透過率増加というタロストークが生じる。その結
果、表示コントラストが著しく低下し、ある程度満足で
きるコントラストが得られる視野角も狭くなり、従来の
ＬＣＤでは、走査本数は６０本ぐらいが限界である。
装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電卓の分野で
大量に用いられている。それに加え、近年、画素をマト
リクス状に配置し、文字図形等の任意の表示が可能なマ
トリクス型ＬＣＤも使われ始めている。このマトリクス
型ＬＣＤの応用分野を広げるためには、表示容量の増大
が必要である。しかし、従来のＬＣＤの電圧−透過率変
化特性の立ち上がりはあまり急峻ではないので、表示容
量を増加させるためにマルチプレックス駆動の走査本数
を増加させると、選択画素と非選択画素との各々にかか
る実効電圧比は低下し、選択画素の透過率低下と非選択
画素の透過率増加というタロストークが生じる。その結
果、表示コントラストが著しく低下し、ある程度満足で
きるコントラストが得られる視野角も狭くなり、従来の
ＬＣＤでは、走査本数は６０本ぐらいが限界である。
このマトリクス型ＬＣＤの表示容量を大幅に増加させる
ために、ＬＣＤの各画素にスイ・ンチング素子を直列に
配置したアクティブマトリクスＬＣＤが考案されている
。これまでに発表されたアクティブマトリクスＬＣＤの
試作品のスイッチング素子には、アモルファスＳＬや多
結晶Ｓｔを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（Ｔ
ＰＴ）が多く用いられている。また一方では、製造及び
構造が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき、
高歩留まり、低コストかが期待される薄膜二端子素子（
以下ＴＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスＬＣ
Ｄも注目されている。
ために、ＬＣＤの各画素にスイ・ンチング素子を直列に
配置したアクティブマトリクスＬＣＤが考案されている
。これまでに発表されたアクティブマトリクスＬＣＤの
試作品のスイッチング素子には、アモルファスＳＬや多
結晶Ｓｔを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（Ｔ
ＰＴ）が多く用いられている。また一方では、製造及び
構造が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき、
高歩留まり、低コストかが期待される薄膜二端子素子（
以下ＴＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスＬＣ
Ｄも注目されている。
このような１膜二端子素子型アクテイブマトリクスＬＣ
Ｄ （以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において−香臭用化
に近いと考えられているＬＣＤはＴ Ｆ Ｄに金属−絶
縁体−金属構造の素子（以下ＭＩＭ素子またはＭＩＭと
略す）を用いたＬＣＤである。Ｍ Ｉ ＭのようなＴＦ
Ｄを各画素の液晶と直列に接続することにより、ＴＦＤ
の電圧−電流特性の高非線形性により、ＴＦＤ−液晶素
子の電圧−透過率変化特性の立ち上がりは急峻になり、
液晶表示装置の走査本数を大幅に増やすことが可能にな
る。
Ｄ （以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において−香臭用化
に近いと考えられているＬＣＤはＴ Ｆ Ｄに金属−絶
縁体−金属構造の素子（以下ＭＩＭ素子またはＭＩＭと
略す）を用いたＬＣＤである。Ｍ Ｉ ＭのようなＴＦ
Ｄを各画素の液晶と直列に接続することにより、ＴＦＤ
の電圧−電流特性の高非線形性により、ＴＦＤ−液晶素
子の電圧−透過率変化特性の立ち上がりは急峻になり、
液晶表示装置の走査本数を大幅に増やすことが可能にな
る。
このようなＭＩＭをもちいたＬＣＤの従来例は論文では
デイ・アールバラフ他著（ジ・オンチマイゼイション・
オフ・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリニア・
デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチプレクスド
・リキッド・クリスタル・デイスプレィズ）、アイ・イ
ー・イー・イー・トランザクション・オン・エレクトロ
ン・アバ４９１，２８巻、６号１頁７３６−７３９゜１
９８１年発行） （Ｄ、Ｒ，Ｂａｒａｆｆ、 ｅｔａ
ｌ、 、 ”ＴｈｅＯｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏ
ｆ Ｍｅｔａｌ −１ｎｓｕｆａｔｏｒ −Ｍｅｔａ
ｌＮｏｎ −１ｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏ
ｒ Ｕｓｅ ｉｎ Ｍｕｌｔｉｐｆｅｘｅｄ Ｌｉ
ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ” Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ。
デイ・アールバラフ他著（ジ・オンチマイゼイション・
オフ・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリニア・
デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチプレクスド
・リキッド・クリスタル・デイスプレィズ）、アイ・イ
ー・イー・イー・トランザクション・オン・エレクトロ
ン・アバ４９１，２８巻、６号１頁７３６−７３９゜１
９８１年発行） （Ｄ、Ｒ，Ｂａｒａｆｆ、 ｅｔａ
ｌ、 、 ”ＴｈｅＯｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏ
ｆ Ｍｅｔａｌ −１ｎｓｕｆａｔｏｒ −Ｍｅｔａ
ｌＮｏｎ −１ｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏ
ｒ Ｕｓｅ ｉｎ Ｍｕｌｔｉｐｆｅｘｅｄ Ｌｉ
ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ” Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ。
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ 、 ｖｏｌ Ｅ
Ｄ −２８，ｐｐ７３６−７３９ （１９８１） ）
に代表的に示される。
Ｄ −２８，ｐｐ７３６−７３９ （１９８１） ）
に代表的に示される。
ＭＩＭにおいて、最も重要な材料は絶縁体層の材料であ
る。最も知られている絶縁体材料とじては酸化タンタル
がある（例えば、両角仲治、他。
る。最も知られている絶縁体材料とじては酸化タンタル
がある（例えば、両角仲治、他。
著 ２５０ Ｘ２４０画素のラテラル、Ｍ Ｉ Ｍ −
Ｌ ＣＤテレビジョン学会技術報告（Ｉ ＰＤ８３−８
）ｐ３９−４４．１９８３年１２月発行）。このよう
なＭＩＭ素子を大容量のデイスプレィに適用するときに
要求される特性は、素子を流れる電流（Ｉ）と印加電圧
（Ｖ）をニーａＶ’ と表わしたときの非線形係数αが
大きいこと、電流−電圧特性が印加電圧の極性に無関係
に正負対称であること、及びＭＩＭ素子の容量が小さい
ことである。ところが、酸化タンタルを用いたＭＩＭ素
子は対称性はよいが非線形係数が５〜６とそれほど大き
くなく、また誘電率も大きいため素子容量が大きい等の
欠点を有している。そこで、誘電率の小さい窒化シリコ
ンがＭＩＭ素子用絶縁体材料として開発されているで例
えば エム スズキ 他（ア ニュー アクティブ ダ
イオード マトリクス エルシープイー ユージング
オフ ストイキオメトリツク５ＩＮｘ レイヤー、ブ
ロシーデインダス オフ ザ ニスアイデイ−２８巻
１０１−１０４頁。
Ｌ ＣＤテレビジョン学会技術報告（Ｉ ＰＤ８３−８
）ｐ３９−４４．１９８３年１２月発行）。このよう
なＭＩＭ素子を大容量のデイスプレィに適用するときに
要求される特性は、素子を流れる電流（Ｉ）と印加電圧
（Ｖ）をニーａＶ’ と表わしたときの非線形係数αが
大きいこと、電流−電圧特性が印加電圧の極性に無関係
に正負対称であること、及びＭＩＭ素子の容量が小さい
ことである。ところが、酸化タンタルを用いたＭＩＭ素
子は対称性はよいが非線形係数が５〜６とそれほど大き
くなく、また誘電率も大きいため素子容量が大きい等の
欠点を有している。そこで、誘電率の小さい窒化シリコ
ンがＭＩＭ素子用絶縁体材料として開発されているで例
えば エム スズキ 他（ア ニュー アクティブ ダ
イオード マトリクス エルシープイー ユージング
オフ ストイキオメトリツク５ＩＮｘ レイヤー、ブ
ロシーデインダス オフ ザ ニスアイデイ−２８巻
１０１−１０４頁。
１９８７年発行） （Ｍ、 ５ｕｚｕｋｉ ｅｔ ａ
ｔ ”Ａ Ｎｅｗ ＡｃｔｉｖｅＤｉｏｄｅ Ｍａ
ｔｒｉｘ ＬＣＤ ｕｓｉｎｇ Ｏｆｆ−ｓｔｏ
ｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃＳｉＮｘ Ｌａｙｅｒ Ｐ
ｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ、Ｖｏｌ
、２８ρ１０１−１０４．１９８７））。
ｔ ”Ａ Ｎｅｗ ＡｃｔｉｖｅＤｉｏｄｅ Ｍａ
ｔｒｉｘ ＬＣＤ ｕｓｉｎｇ Ｏｆｆ−ｓｔｏ
ｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃＳｉＮｘ Ｌａｙｅｒ Ｐ
ｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ、Ｖｏｌ
、２８ρ１０１−１０４．１９８７））。
この窒化シリコンを用いたＭＩＭ素子は非線形係数が７
〜９と酸化タンタルに比べて大きいものの、第２図の破
線で示されるように電圧−電流特性が印加電圧の極性に
より非対称になることが多い、このためこのＭＩＭ素子
を液晶表示装置に利用した場合にはフリッカ−が生じて
しまい、画像品質の低下をもたらしていた。
〜９と酸化タンタルに比べて大きいものの、第２図の破
線で示されるように電圧−電流特性が印加電圧の極性に
より非対称になることが多い、このためこのＭＩＭ素子
を液晶表示装置に利用した場合にはフリッカ−が生じて
しまい、画像品質の低下をもたらしていた。
本発明の目的は、このような画像品質の低下をもたらす
ＭＩＭ素子特性の電圧−電流特性の非対称性を改善し、
高画質の大容量液晶表示装置を提供することにある。
ＭＩＭ素子特性の電圧−電流特性の非対称性を改善し、
高画質の大容量液晶表示装置を提供することにある。
本発明は透明電極が形成されている基板と、窒化シリコ
ン膜を絶縁体として用いた金属−絶縁体−金属構造を有
する薄膜二端子素子が形成されている基板との間に液晶
を挾持した薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶
表示装置において、前記金属と絶縁体の間にほう素をド
ープした窒化シリコン層また炭化シリコン層をはさんだ
ことを特徴とする薄膜二端子素子型アクティブマトリク
ス液晶表示装置である。
ン膜を絶縁体として用いた金属−絶縁体−金属構造を有
する薄膜二端子素子が形成されている基板との間に液晶
を挾持した薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶
表示装置において、前記金属と絶縁体の間にほう素をド
ープした窒化シリコン層また炭化シリコン層をはさんだ
ことを特徴とする薄膜二端子素子型アクティブマトリク
ス液晶表示装置である。
し作用〕
本発明においては金属電極と窒化シリコン層との間にほ
う素を含んだ窒化シリコン層または炭化シリコン層をは
さむことにより正孔の電極からの注入を阻害する障壁を
小さくでき、正電圧および負電圧印加時のそれぞれの電
極からの正孔の注入に対する障壁の違いによる電流値の
非対称性がなくなる。この結果フリッカ−がない良画哲
の液晶表示装置が実現できる。
う素を含んだ窒化シリコン層または炭化シリコン層をは
さむことにより正孔の電極からの注入を阻害する障壁を
小さくでき、正電圧および負電圧印加時のそれぞれの電
極からの正孔の注入に対する障壁の違いによる電流値の
非対称性がなくなる。この結果フリッカ−がない良画哲
の液晶表示装置が実現できる。
以下に本発明の実施例を示す。
本実施例によりえられるＴＦＤ素子の代表例の断面図を
第１図に示す、まず下部ガラス基板１を５ｉ０２等のガ
ラス保護層２で被覆する。この保護層２は不可欠なもの
ではないので省略することもできる６次にこの上に金属
電極としてＣｒを１０００Ａ形成しフォトリングラフィ
法により島状にパターン化しリード電極３を形成する。
第１図に示す、まず下部ガラス基板１を５ｉ０２等のガ
ラス保護層２で被覆する。この保護層２は不可欠なもの
ではないので省略することもできる６次にこの上に金属
電極としてＣｒを１０００Ａ形成しフォトリングラフィ
法により島状にパターン化しリード電極３を形成する。
続いてＳｉＨ４ガスとＮ２ガスの混合ガスにＢ２Ｈ６ガ
スを１％混合したガスを用いてグロー放電分解法により
ガラス基板上にほう素をドープした第１の窒化シリコン
層４を５０ＯＡ形成したのち、ＳｉＨ４とＮ２の混合ガ
スから窒化シリコン層５を１２０ＯＡ 、ＳｉＨ４とＮ
２の混合ガスに８２１（６ガスを０．５％混合したガス
を用いてほう素をドープした第２の窒化シリコン層６を
２０ＯＡ形成することにより３層構造を形成する。この
ときの窒Ｃヒシリコン層を形成するときのガス混合比Ｓ
ｉＨ４／Ｎ２は０．０８．またほう素をドープした第１
及び第２の窒化シリコン層を形成するときのガス混合比
ＳｉＨ４／Ｎ２は０．２であった。その後上部電極７と
してＣｒを１００ＯＡ形成しフォトリソグラフィ法によ
りパターン化し、Ｍ Ｉ Ｍ素子アレイを形成する。そ
の後画素電極としてＩＴＯをパターン化して形成する。
スを１％混合したガスを用いてグロー放電分解法により
ガラス基板上にほう素をドープした第１の窒化シリコン
層４を５０ＯＡ形成したのち、ＳｉＨ４とＮ２の混合ガ
スから窒化シリコン層５を１２０ＯＡ 、ＳｉＨ４とＮ
２の混合ガスに８２１（６ガスを０．５％混合したガス
を用いてほう素をドープした第２の窒化シリコン層６を
２０ＯＡ形成することにより３層構造を形成する。この
ときの窒Ｃヒシリコン層を形成するときのガス混合比Ｓ
ｉＨ４／Ｎ２は０．０８．またほう素をドープした第１
及び第２の窒化シリコン層を形成するときのガス混合比
ＳｉＨ４／Ｎ２は０．２であった。その後上部電極７と
してＣｒを１００ＯＡ形成しフォトリソグラフィ法によ
りパターン化し、Ｍ Ｉ Ｍ素子アレイを形成する。そ
の後画素電極としてＩＴＯをパターン化して形成する。
上部ガラス基板上の保護Ｎ９．上部透明電極１０の膜形
成、パターン化は通常の単純マルチプレックスＬＣＤと
殆ど同一である。下部ガラス基板１と上部ガラス基板８
とは配向処理を施したのちガラスファイバ等のスペーサ
を介して張り合わせ、通常のエポキシ系接着剤によりシ
ールした。セル厚は５ミクロンとした。その後ＴＮ形液
晶１１であるＺＬＩ−１５６５（メルク社製）を基板間
に注入しＴＦＤ−ＬＣＤを完成した。
成、パターン化は通常の単純マルチプレックスＬＣＤと
殆ど同一である。下部ガラス基板１と上部ガラス基板８
とは配向処理を施したのちガラスファイバ等のスペーサ
を介して張り合わせ、通常のエポキシ系接着剤によりシ
ールした。セル厚は５ミクロンとした。その後ＴＮ形液
晶１１であるＺＬＩ−１５６５（メルク社製）を基板間
に注入しＴＦＤ−ＬＣＤを完成した。
本発明により形成した二端子素子の電圧−電流特性を測
定しなところ第２図の実線で示されるように電圧の極性
に対して対称であり、従来の窒化シリコンの単層構造よ
り得られた二端子素子の電圧−電流特性（破線）に比べ
て対称性が改善されていることがわかった。また、非線
形係数も８と太きく１０００本以上の高走査線を有する
ＴＦＤ−ＬＣＤへの適応も可能なことがわかった。
定しなところ第２図の実線で示されるように電圧の極性
に対して対称であり、従来の窒化シリコンの単層構造よ
り得られた二端子素子の電圧−電流特性（破線）に比べ
て対称性が改善されていることがわかった。また、非線
形係数も８と太きく１０００本以上の高走査線を有する
ＴＦＤ−ＬＣＤへの適応も可能なことがわかった。
この二端子素子の窒化シリコン層を形成するときのガス
混合比ＳｉＨ４／Ｎ２は０．０２以上０．６以下が非線
形性の大きい二端子素子をつくるなめに必要である。ま
たほう素をドープした第１及び第２の窒化シリコン層を
形成するときのガス混合比ＳｉＨ４／Ｎ２は０．０１以
−ヒであり、はう素の混合比は５０ρｐ ｒｎ以上であ
れば電圧−電流特性の対称性に効果があった。本実施例
においてはＳｉＨ４とＮ２の混合ガスを用いて窒化ジノ
コン層を成膜しているが、ＳｉＨ４とＮ Ｉ−１、の混
合ガスを用いても良好なダイオード特性が得られた。ま
た、本実施例においては、グロー放電分解法を用いて３
層構造を形成しているがスパッタ法、ＣＶＤ法等の他の
成膜方法においても本発明は有効である。
混合比ＳｉＨ４／Ｎ２は０．０２以上０．６以下が非線
形性の大きい二端子素子をつくるなめに必要である。ま
たほう素をドープした第１及び第２の窒化シリコン層を
形成するときのガス混合比ＳｉＨ４／Ｎ２は０．０１以
−ヒであり、はう素の混合比は５０ρｐ ｒｎ以上であ
れば電圧−電流特性の対称性に効果があった。本実施例
においてはＳｉＨ４とＮ２の混合ガスを用いて窒化ジノ
コン層を成膜しているが、ＳｉＨ４とＮ Ｉ−１、の混
合ガスを用いても良好なダイオード特性が得られた。ま
た、本実施例においては、グロー放電分解法を用いて３
層構造を形成しているがスパッタ法、ＣＶＤ法等の他の
成膜方法においても本発明は有効である。
本実施例においては、はう素をドープした窒化シリコン
層を用いているが同様な方法でほう素を含んだ炭化シリ
コン層を窒化シリコン層の両側にはさんだ３層構造でも
対称性のよいダイオード特性が得られた。この時、ガス
混合比ＳｉＨ４／ＣＨ４が０．１以上のガスをグロー放
電分解法により炭化シリコン層を成膜した。
層を用いているが同様な方法でほう素を含んだ炭化シリ
コン層を窒化シリコン層の両側にはさんだ３層構造でも
対称性のよいダイオード特性が得られた。この時、ガス
混合比ＳｉＨ４／ＣＨ４が０．１以上のガスをグロー放
電分解法により炭化シリコン層を成膜した。
本実施例においては電極としてクロム電極を用いている
が、ＡＩ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等他の金属及びシリサイドを
上部及びリード電極に用いても本発明は有効である。ま
た、画素電極として使用しているＩＴＯ等の透明電極を
二端子素子の上部及び下部電極と兼ねても本発明は有効
である。
が、ＡＩ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等他の金属及びシリサイドを
上部及びリード電極に用いても本発明は有効である。ま
た、画素電極として使用しているＩＴＯ等の透明電極を
二端子素子の上部及び下部電極と兼ねても本発明は有効
である。
本実施例を用いて形成された６４０ Ｘ４００素子のＴ
ＦＤ−ＬＣＤの画像評価を行なったところコン・トラス
ト２０：１以上、フリッカー−３７ｄＢと従来の窒化シ
リコンの単層構造のＴ Ｆ Ｄ −Ｌ ＣＤの一２５ｄ
Ｂに比べて大幅に改善されていることか明らかになった
。
ＦＤ−ＬＣＤの画像評価を行なったところコン・トラス
ト２０：１以上、フリッカー−３７ｄＢと従来の窒化シ
リコンの単層構造のＴ Ｆ Ｄ −Ｌ ＣＤの一２５ｄ
Ｂに比べて大幅に改善されていることか明らかになった
。
以上説明したように、本発明によれば対称性が良く、非
線形性の高い薄膜二端子素子特性が得られるので大容量
でフリッカ−の少ない液晶表示装置を提供することがで
きる。
線形性の高い薄膜二端子素子特性が得られるので大容量
でフリッカ−の少ない液晶表示装置を提供することがで
きる。
例の断面図、第２図は本発明による薄膜二端子素子と従
来例による薄膜二端子素子の電圧−電流特性を示した図
である。
来例による薄膜二端子素子の電圧−電流特性を示した図
である。
１・・・下部ガラス基板、２．９・・・ガラス保護膜、
３・・・リード電極、４・・・はう素がドープされた第
１の窒化シリコン層、５・・・窒化シリコン層、６・・
・はう素がドープされた第２の窒化シリコン層、７・・
・上部電極、８・・・上部ガラス電極、１０・・・上部
透明電極、１１・・・液晶。
３・・・リード電極、４・・・はう素がドープされた第
１の窒化シリコン層、５・・・窒化シリコン層、６・・
・はう素がドープされた第２の窒化シリコン層、７・・
・上部電極、８・・・上部ガラス電極、１０・・・上部
透明電極、１１・・・液晶。
Claims (1)
- 透明電極が形成されている基板と、窒化シリコン膜を絶
縁体として用いた金属−絶縁体−金属構造を有する薄膜
二端子素子がマトリクス状に形成されている基板との間
に液晶を挾持して成る薄膜二端子素子型アクティブマト
リクス液晶表示装置において、前記金属と絶縁体の間に
ほう素をドープした窒化シリコン層または炭化シリコン
層をはさんだことを特徴とする薄膜二端子素子型アクテ
ィブマトリクス液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325206A JPH02168237A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
| US07/455,259 US5122889A (en) | 1988-12-22 | 1989-12-22 | Active matrix liquid crystal display using mim diodes having symmetrical voltage-current characteristics as switching elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325206A JPH02168237A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168237A true JPH02168237A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=18174209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325206A Pending JPH02168237A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02168237A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8295123B2 (en) | 2007-07-18 | 2012-10-23 | Panasonic Corporation | Current rectifying element, memory device incorporating current rectifying element, and fabrication method thereof |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP63325206A patent/JPH02168237A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8295123B2 (en) | 2007-07-18 | 2012-10-23 | Panasonic Corporation | Current rectifying element, memory device incorporating current rectifying element, and fabrication method thereof |
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