JPH02277205A

JPH02277205A - 積層セラミックコンデンサ

Info

Publication number: JPH02277205A
Application number: JP9971589A
Authority: JP
Inventors: Harunobu Sano; 晴信佐野; Shunsuke Nakatani; 中谷　俊介; Yoshiaki Kono; 芳明河野; Yukio Sakabe; 行雄坂部
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1989-04-18
Filing date: 1989-04-18
Publication date: 1990-11-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】り果上ム■月今里本発明は、内部電極が層状に埋設された積層誘電体セラ
ミックの両端に外部電極として機能する導電層が形成さ
れた積層セラミックコンデンサに関する。

差米ム鼓重積層セラミックコンデンサは誘電体セラミックの間に内
部電極を層状に埋設して積層誘１体セラミックを形成し
、さらに、この積層誘電体セラミツクの両端の内部電極
露出面に銀ペーストを塗布、焼成することにより、外部
電極を形成したものが一般的である。

ところで、この種の積層セラミックコンデンサは、配線
用基板に半田付は接続した際、半田中に銀が溶融して取
り込まれる所謂銀くわれが生じていた。これがため、積
層セラミックコンデンサの劣化が著しいことから、従来
、積層セラミックコンデンサの製作工程において、外部
電極の上に被膜を形成している。即ち、前記積層誘電体
セラミックが形成された段階で、その両端面に銀等の貴
金属を含む導電層を形成した後、この上にニッケル、銅
等の如き耐熱性を有し、半田に溶融しがたい金属材料を
メッキし、銀くわれを防止する様にしていた。さらに、
近時は、このメッキ被膜の上に半田の付着を良好にする
ことを目的として、半田をメッキする試みもなされてい
る。

明が　　しようとする課しかしながら、積層誘電体セラミック上に多層の被膜を
形成することで、銀くわれ、半田付は性は改善されるが
、電気的特性が低下するという問題点があった。つまり
、前記積層誘電体セラミックの両端に形成された銀等の
導電層には、通常、＃１細な空隙（ポーラス細孔）が生
じるが、その上にメッキ被膜を形成するために、メッキ
槽の液中に前記積層誘電体セラミックを浸漬すると、導
電層の空隙にメッキ液が侵入し、これが拡散されて内部
電極と積層誘電体セラミックの接合界面にまで及び、接
合界面の密着強度を低下させるばかりか、誘電率や絶縁
抵抗等が変化し、コンデンサとしての電気的特性の劣化
を招来していた。

また、従来の積層セラミックコンデンサは、外部電極を
形成する前の素体の状態において、誘電容量を取り出す
ために、内部電極と積層誘電体セラミックの接合界面が
外部に露出する状態となっており、この接合界面の機械
的強度が低いのでそこに亀裂が発生しやすく、積層セラ
ミックコンデンサ自体の寿命が短くなる現象があった。

即ち、積層誘電体セラミックと内部電極の接合界面が外
部に露出している端面に外部電極を形成する過程におい
で、曲げ等の応力に対する機械的強度が劣る前記接合界
面に応力が集中すると、接合界面で亀裂が発生したり、
最悪の場合には内部電極が剥離することになる。

そこで、本発明の課題は、外部電極上に施されるメッキ
液が、内部電極側に侵入することを防止し、コンデンサ
としての電気的特性の劣化を抑制し、信頼性の高い積層
セラミックコンデンサを提供することにある。

を　　するための手段以上の課題を解決するために、本発明に係る積層セラミ
ックコンデンサは、複数の誘電体セラミック層と、該誘
電体セラミック層を介して互いに積層された状態で配置
されて静電容量を形成するための複数の内部電極層とか
らなる積層誘電体セラミックの端面に、前記内部電極層
の所定のものに接続される半導体層が形成きれ、さらに
該半導体層の上に導電層が形成されていることを特徴と
する。

前記半導体層は、例えば、誘電体セラミック層を半導体
化させる半導体化剤により形成され、好ましくは、誘電
体セラミック届に含まれるセラミック粉末に半導体化剤
を含有させたものから形成される。また、前記導電層は
、例えば、導電性金属粉末を主成分とする導電性ペース
トの焼付は層又は導電性金属のメッキ層にて形成され、
とりわけ前記焼付は層の上にメッキ層が形成されたもの
であることが好ましい。

正−月以上の構成により、内部電極層と導電層との間に半導体
層が形成されているので、内外電極層と導電層とは電気
的には接続されているが、構造的には半導体層で分断さ
れている。これにより、導電層に半田付は時の銀くわれ
を防止するための被膜をメッキ処理にて形成する際、こ
の被膜形成時にメッキ液は半導体層により遮断され、内
部電極側に侵入することがない。従って、積層誘電体セ
ラミック層の内部に不要物が侵入することはなく、コン
デンサとしての電気的特性が劣化することはない。

太貫億以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。

本発明に係る積層セラミックコンデンサは、第１図に示
す様に、内部電極３を介在して複数枚の誘電体セラミッ
ク２を積層して得られた積層誘電体セラミック１の両端
面に以下に詳述する半導体層５を介して外部電極６及び
ニッケル、鋼などのメッキ被膜７、半田、錫などのメッ
キ被膜８が形成され、直方体形状のチップタイプときれ
ている。

あるいは、第５図に示す様に、積層誘電体セラミック１
の両端面に半導体層５を介して直接メッキ被膜７，８を
形成し、外部電極として機能させてもよい。

次に、製造工程順に説明する。

まず、積層誘電体セラミック１を形成する。この積層誘
電体セラミック１は次の様にして製造される。つまり、
第２図、第５図に示す様に、材料粉末をスラリー化して
シート状とした誘電体セラミック２（グリーンシート）
を用意し、その−面にＰｄペーストを塗布し内部電極３
となる導電ペースト層を形成する。内部電極３となる導
電ペースト層を有する誘電体セラミック２は必要枚数積
層きれ、第３図、第６図に示す如く、内部電極３を有し
ない誘電体セラミック４にて挾んで圧着し、積層体とす
る。

なお、内部電極３となる導電ペースト層は、第２図、第
３図に示す様に、外部電極と電気的に接続される端部が
誘電体セラミック２の端部２ａに露出してないタイプ、
あるいは第５図、第６図に示す様に、誘電体セラミック
２の端部２ａに露出しているタイプのいずれかが使用さ
れる。

次に、この積層体の両端面に半導体層５を形成する。こ
の半導体層５は、例えば、誘電体セラミックを半導体化
させる半導体化剤にバインダを混入したペースト、ある
いは誘電体セラミックに含まれるセラミック粉末に前記
半導体化剤を混合したものにバインダを混入したペース
トを塗布し、所定の温度にて焼成することにより形成さ
れる。

続いて、以上の如く焼成された積層誘電体セラミック１
の端面に、外部電極６を形成する。この外部電極６は、
銀等の金属粉末からなる導電性ペーストを塗布した後焼
付けにより形成され、前記半導体層５の表面を覆う。こ
の後、外部電極６上にニッケル、鋼などのメッキを施し
、メッキ被膜７を形成する。最後に、このメッキ被膜７
の上に半田、錫などのメッキを施してメッキ被膜８を形
成し、チップ型の積層セラミックコンデンサを得る。

［実施例１］具体的には、誘電体セラミックの組成材料として、Ｂａ
Ｔｉ０．を８４．３５ｍｏ１％、１３ａＺｒＯｍを１５
．６５ｍｏ１％加えたもの１００吐％に対し、ＭｎＣ０
，を０．０７ｗｔ％の割合で添加した混合粉末を用いた
。これら原料粉末にバインダとしてＰＶＡ（ポリビニル
アルコール）を用いると共に、界面活性剤、分散剤及び
水を加えて混練し、スラリーを得た。続いて、このスラ
ノーをドクターブレード法によりシート状に形成し、厚
み３５μｍのグリーンシートを形成した。この後、グリ
ーンシートの一面にＰｄペーストをスクリーン印刷法に
て印刷し、第２図に示す内部電極３となる導電ペースト
層を形成した。内部電極３となる導電ペースト層を有す
るグリーンシートは所要の静電容量に応じて複数枚を積
層した。この際、内部電極３と電気的に接続される一端
部２ａと、接続されない他端部２ｂとが交互に積み重ね
られる（第３図参照）。さらに、この状態で熱圧着され
ることにより、内部電極３が端部２ａ、２ｂに露出して
いない未焼成の積層体が得られた。

次に、この積層体の両端面に、内部電極３と電気的に接
続される半導体層５を形成する。この半導体層５は、半
導体化剤として１０ｗｔ％のＬａ＊Ｏｓに対してエチル
セルロース樹脂、ブチルセロソルブ溶剤からなるペース
トを加えて混練し、半導体化剤ペーストを得た。そして
、このペーストを前記積層体の両端面に塗布した。さら
に、この積層体を乾燥した後、空気中にて１３００°Ｃ
で２時間焼成し、積層体の磁器化と半導体層５の形成を
同時に行なった。これによって、積１体の両端面に半導
体化剤が拡散され、半導体層５と内部電極３とが電気的
に接続された構造の積層誘電体が得られた。

続いて、前記積層誘電体の両端面に外部電極６を形成す
る。この外部電極６は、半導体層５を形成した両端面に
銀ペーストを塗布し、空気中にて８００°Ｃで焼き付け
ることにより形成した。この後、この外部電極６の上に
メッキ被膜７を形成する。

このメッキ材としては、硫酸ニッケルあるいは塩化ニッ
ケルとホウ酸からなるニッケルメッキ液を用意し、バレ
ルメッキ法にて外部電極６上にニッケルメッキした。最
後に、このメッキ被膜７の上にメッキ被膜８を形成した
。このメッキには、ＡＳ浴（アルカノールスルホン酸）
からなる半田メッキ液を用意し、バレルメッキ法にてメ
ッキ被膜７上に半田メッキした。これにて、第１図に示
す積層セラミックコンデンサ１が完成する。

この様にして形成された積層セラミックコンデンサは、
下記の通りである。

外形寸法　幅：３．２閣長さ：　　　　　　　１．６ｍｍ厚み：　　　　　　１．２ｍｍセラミック単位厚さ＝２０μｍ有効誘電体総数、　　　　　　１９ −層当りの対向電極面積：　　１．３ｍｍ２ところで、
本実施例１の積層セラミックコンデンサの電気的特性を
知るために従来品を比較例として同一条件の下に試験を
行なった。なお、この試験に際しては、半導体層５の有
無による差異を測定するため、比較例及び本発明例とも
外部電極６の焼付は後のものと、半田メッキ被膜８の形
成後のものとをそれぞれ試料として用いた。

まず、静電容量（Ｃ）及び誘電損失（ｔａｎＳ＞を測定
するために、自動ブリッジ式測定器を用い、各試料に１
ｋＨｔ、ＩＶｒｍｓの電圧を印加した０次に、絶縁抵抗
（Ｒ）を測定するために、絶縁抵抗計を用い、５０ｖの
電圧を２分間印加した。そして、静電容量（Ｃ）と絶縁
抵抗（Ｒ）とのＣＲ積を求めた。

以上の試験による測定結果は、下記表−１の通りである
。

［以下余　白コ以上の表−１から理解される様に、本発明例の積層セラ
ミックコンデンサは、半導体層５の形成後も電気的特性
は低下することなく、高信頼性を有することが明らかと
なった。

即ち、銀焼付は後及び半田メッキ後の測定結果を比較例
と比較した場合、比較例は、静電容量（Ｃ）が０．１６
μＦから０．１μＦに低下し、逆に、誘電損失（ｔａｎ
Ｓ）が１．６％“から１０％に増加しでいる。

また、ＣＲ積は５０００ΩＦ、　２００ΩＦにまで極端
に下がったことが認められる。この様に、比較例は、電
気的特性の低下が著しく、これは、積層誘電体セラミッ
クの内部に不要物が混入していることを示すもので、半
田メッキ時に、メッキ液が外部電極６及びニッケルメッ
キ被膜７からなる導電層のポーラス細孔に侵入し、さら
に、誘電体セラミック２と内部電極３とからなる端部に
まで達して、積層誘電体セラミック１内に拡散きれてい
ることを裏付けるものである。

一方、本発明例は、静電容量（Ｃ）が共に０．１６μＦ
であり、誘電損失（ｔａｎＳ）も共（こ１．７％である
。

また、ＣＲ積は共に５０００ΩＦであって、差異が生じ
ていない。この様に、本発明例の電気的特性には、全く
変化が認められない。従って、内部電極３と外部電極６
とは、電気的に適正に接続されていることが判る。これ
は積層誘電体セラミック１中に不要物が存在しないこと
を示すもので、銀焼付は後に半田メッキを施した際、前
記導電層のポーラス細孔にメッキ液が侵入しても、半導
体層５によって内部への侵入が遮断され、誘電体セラミ
ック２と内部電極３との接合界面にまで至らないことが
確認される。そして、この積層セラミックコンデンサは
、配線用基板に半田付は接続された際、メッキ被膜７が
施きれているので銀くわれの問題もなく、確実に接続さ
れる。

また、前記本発明例は、半導体層５を形成することで、
機械的強度にも優れていることが明らかとなった。即ち
、外部電極６を形成する前の積層誘電体チップは、静電
容量を取り出すために従来品とは異なり内部電極３と誘
電体セラミック２の接合界面が直接外部に露出しておら
ず、半導体層５が形成されている。従って、半導体層５
は内部電極３と誘電体セラミック２の接合界面を保護す
ると同時に、その接合界面の端部の密着強度を向上させ
る。これにより、外部電極用ペーストの塗布及び焼付け
の工程で自動機で処理する際、積層誘電体チップを整列
させるのに曲げ応力や衝撃力が積層誘電体チップの半導
体層５に作用しても、内部電極３と誘電体セラミック２
の接合界面に集中されることはなく、この部分の密着強
度が高められているので、亀裂を生じることはない、従
って、コンデンサが早期に劣化するという従来の問題点
も解消される。

［実施例２］本実施例２は、半導体層５の組成及び内部電極３の形態
を変更したものである。まず、前記実施例１と同様の前
記誘電体セラミックの組成材料であるＢａＴ　ｉｏ　＊
を８４．３５ｍｏ１％、ＢａＺｒ０　ｓを１５．６５ｍ
ｏ１％加えたもの１００ｗｔ％に対し、ＭｎＣＯ５を０
．０７ｗｔ％の割合で添加した混合粉末を用いて、前記
実施例と同様の工程で、厚み３５μｍのグリーンシート
を形成した。この後、グリーンシートの一面にＰｄペー
ストをスクリーン印刷法にて印刷し、第５図に示す内部
電極３となる導電ペースト層を形成した。この場合、内
部電極３となる導電ペースト層は端部２ａに露出してい
る。この内部電極３を有するグリーンシートを、第６図
に示す様に、端部２ａ、　２ｂを交互に重ねて積層し、
熱圧着により内部電極３が端部２ａに露出した積層体を
得た。

次に、前記誘電体セラミックの組成物であるＢａＴｉＯ
ｓ、　ＢａＺｒＯｓ及びＭｎＣＯ５からなる混合粉末に
、（ｅＯｔを０．１ｍｏ１％の割合で添加して原料粉末
を得た。

さらに、この原料粉末にエチルセルロース樹脂とブチル
セルロース溶剤とを加えて混練し、半導体化剤ペースト
を用意した。そして、このペーストを前記積層体の内部
電極３が外部に露出している両端面に塗布し、乾燥する
ことにより、内部電極３が外部に露出していない未焼成
の積層体を得た。

続いて、この積層体を空気中にて１３００℃で２時間焼
成し、積層体の磁器化と半導体層５の形成を同時に行な
った。これにより、半導体層５と内部電極３とが電気的
に接続された構造の積層誘電体が得られた。

その後、前記実施例１と同様の工程にてメッキ被膜７．
８を形成し、積層セラミックコンデンサ１を得た。

なお、この様にして製作された積層セラミックコンデン
サは、外形寸法その他は前記実施例１と同様である。ま
た、電気的特性を知るための試験も実施例１と同一の条
件で行なわれ、比較例として採用された従来品も同じ試
料を用いた。

以上の試験による測定結果は、下記表−２の通りである
。

［以下余　白コ以上の表−２から理解される様に、実施例２における本
発明例の積層セラミックコンデンサも、前記実施例１の
ものと同様に電気的特性が変化することなく高信頼性を
備えていることが明らかとなった。即ち、銀焼付は後及
び半田メッキ後の測定結果は、本実施例２の場合、静電
容量（Ｃ）が共に０．１１Ｆであり、誘電損失（ｔａｎ
＆　）も共に１．６％であった。また、ＣＲ積は共に５
０００ΩＦであって、これら電気的特性は全く変化が認
められなかった。

これは、実施例１と同様に、銀焼付は後にメッキを施し
た際、半導体層５の存在によってメッキ液が内部電極３
と誘電体セラミック２との接合界面に侵入せず、不要物
が積層誘電体セラミック１の内部に存在しないことを示
し、内部電極３と外部電極６とが電気的に問題なく接続
きれていることを示すものである。勿論、銀くわれの問
題もなく、積層セラミックコンデンサは基板に対し適正
に接続される。

ところで、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、
内部電極３と外部電極６とが直接的に接触することなく
、半導体層５を介して電気的に接続されている。このた
め、前記諸特長を備える他に以下の作用効果を奏する。

即ち、積層セラミックコンデンサは、半田付は性の向上
を図るため、外部電極の上からメッキ被膜を介して半田
メッキ被膜を形成している。この半田に主として使用さ
れる錫には、一般に多くの金属と合金を作り易い性質を
有しており、特に高温においては著しい。そして、この
金属化合物は、経時的に積層誘電体セラミックの内部に
拡散され、やがては内部電極に広がっていく。この場合
、組成材料が化学変化するためか、コンデンサとしての
電気的特性、例えば誘電率や静電容量が著しく低下する
現象が生じる場合がある。

しかし、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、前
記の様に積層誘電体セラミック１と外部゛電極６との間
に半導体ＮＩ５を形成しているので、半田メッキ被膜８
が錫であっても内部電極３側まで侵入せず、その拡散も
遮断される。従って、積層誘電体セラミック１のコンデ
ンサとしての電気的特性は安定に保たれる。この様に、
本発明に係る積層セラミックコンデンサは、半田の組成
材料により悪影響を及ぼされることはない。

［実施例３］本実施例３は、半導体層５の組成成分として金属粉末を
添加し、半導体層５を形成する工程と外部電極６を形成
する工程を同時に行なったものである。

まず、誘電体セラミックの組成材料として、純度９９％
以上のＢａＣ０，、ＣａＣＯ５、ＺｒＯ，を、組成式４
式％）となる様に秤量した。秤量した原料粉末を混合、仮焼し
て誘電体セラミック原料粉末を得た。

この誘電体セラミック原料粉末に、゛有機バインダ、分
散剤、消泡剤からなる混合水溶液を１５ｗｔ％添加し、
５０吐％の水と共にボールミルて混合粉砕し、スラリー
を調整した。続いて、このスラリーをドクターブレード
法によりシート状に形成し、厚み３５μｍのグリーンシ
ートを形成した。

次に、このセラミックグリーンシート上にニッケル粉末
を含むペーストを印刷し、第２図に示した形態に内部電
極３となる導電ペースト層を形成した。そして、内部電
極３となる導電ペースト層を有するグリーンシートを、
第３図に示す様に、端部２ａ、　２ｂを互いに重ねて積
層し、熱圧着によって内部電極３が端部２ａ、　２ｂに
露出していない積層体を得た。

次に、ニッケル粉末９５−ｔ％に対して半導体化剤とし
てＬａ１Ｏ１を５吐％添加した原料粉末をペースト化し
、このペーストを前記積層体の両端面に塗布し、乾燥さ
せた。

この様にして得られた積層体をＮ、雰囲気中で５００°
Ｃに加熱し、有機バインダを燃焼させた後、酸素分圧１
０−”　〜１０−１２ＭＰａのＨ！　　Ｎｍ及びＨｔＯ
混合ガスを用いた還元性雰囲気中において１３００℃で
２時間焼成し、半導体層５が内部電極３と電気的に接続
され、その半導体層５の上に外部電極６が形成された構
造の積層誘電体を得た。

一方、本実施例３の積層セラミックコンデンサの電気的
特性と比較するため、次の工程にて従来品と同等の積層
セラミックコンデンサ（比較例）を製作した。

本実施例３と同様の組成材料からなる厚さ３５μｍのセ
ラミックグリーンシート上にニッケル粉末を含むペース
トを端部２ａまで印刷し、内部電極３となる導電ペース
ト層を形成した。このグリーンシートを重ね合わせて熱
圧着にて内部電極３となる導電ペースト層が両端面に露
出した積層体を得た。

この様にして得られた積層体をＮ、雰囲気中で５００°
Ｃに加熱した後、実施例３と同様の還元性雰囲気中にお
いて１３００”Ｃで２時間焼成し、積層誘電体を得た。

この積層誘電体の両端面に、ニッケル粉末とホウケイ酸
亜鉛ガラスが添加された導電性ペーストを塗布し、乾燥
後、Ｎ、雰囲気中９００℃で３０分間焼付け、外部電極
を形成した。続いて、外部電極の上に同じメッキ被膜７
，８を形成し、積層セラミックコンデンサを得た。

以上の如き工程にて製作された本発明例、比較例とも実
施例１で説明したものと外形寸法等が同じ仕様であり、
これらについて半田メッキ前と後の静電容量（Ｃ）、誘
電損失（ｔａｎδ）、絶縁抵抗（Ｒ）を実施例１と同じ
手法で測定し、ＣＲ積を求めた。

［以下余白］以上の表−３から明らかな様に、本実施例３の積層セラ
ミックコンデンサも、前記実施例１，２のものと同様に
、電気的特性の劣化は生じなかった（不良率０／１００
０個）、これに対して、比較例では内部電極と誘電体セ
ラミックの密着強度の低下、コンデンサとしての特性劣
化が見られた（不良率１２／１０００個）、この様な結
果が得られた理由は前記実施例１，２での説明と同様で
ある。

［実施例４コ本実施例４は、第４図に示す様に、半導体層５の上に直
接メッキ被膜７，８を形成したものである。

誘電体セラミックの組成材料としては、前記実施例３の
ものを用い、同様に厚み３５μｍのグリーンシートを形
成した。内部電極３も同様にニッケル粉末ペーストを用
いて、第２図に示した形態で端部２ａに露出しない様に
印刷し、第３図に示した様に、端部２ａ、２ｂを互いに
重ねて積層し、熱圧着によって内部電極３となる導電ペ
ースト層が端部２ａ、　２ｂに露出していない積層体を
得た。

次に、半導体化剤としてＬａ虞Ｏｉ　１０ｗｔ％とエチ
ルセルロース樹脂とブチルセルロース溶剤からなる半導
体化ペーストを、前記積層体の両端面に塗布し、乾燥さ
せた。

以上の積層体をＮ、雰囲気中で５００°Ｃに加熱し、有
機バインダを燃焼させた後、前記実施例３と同じ条件で
還元性雰囲気中で焼成し、内部電極３と電気的に接続さ
れた半導体層５を備えた構造の積層誘電体を得た。

その後、前記実施例１．３と同様の工程にてメッキ被膜
７，８を形成し、積層セラミックコンデンサ１を得た。

一方、本実施例４の積層セラミックコンデンサの電気的
特性と比較するため、前記実施例３で使用した比較例と
同様の比較例を製作した。但し、この比較例において外
部電極は銀ペーストを用い、該銀ペーストを塗布、乾燥
後、中性雰囲気中において８００℃で焼付け、外部電極
とした。

［以下糸　白コ以上の表−４から明らかな様に、本実施例４の積層セラ
ミックコンデンサも、前記実施例１，２゜３のものと同
様に、電気的特性の劣化は生じなかった（不良率０／１
０００個）、これに対して、比較例では内部電極と誘電
体セラミックの密着強度の低下、コンデンサとしての特
性劣化が見られた（不良率１３／１０００個）、この様
な結果が得られた理由は前記実施例１，２での説明と同
様である。

なお、本発明に係る積層セラミックコンデンサは前記実
施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種
々に変更可能である。

特に、半導体層５を形成するための半導体化剤は種々の
組成成分のものを用いることができ、誘電体セラミック
材料等も同様である。また、半導体化剤を積層体の両端
面に付着させる方法は、スパッタリング、気相蒸着、ス
プレー、浸漬等種々の手法が採用可能であり、これらの
手法は導電層を形成する際にも採用可能である。

良肌五吃釆以上詳述した様に、本発明によれば、積層誘電体セラミ
ックの両端面と外部電極との間に半導体層を形成したた
め、外部電極にメッキ被膜を形成する際、メッキ被膜が
半導体層に遮断されて内部電極側に侵入することが防止
される。従って、積層誘電体セラミックの内部において
は、不要物が存在せず、コンデンサとしての電気的特性
が劣化することなく、高信頼性を有する。また、半導体
層は内部電極と誘電体セラミックとの接合界面の端面に
形成きれるため、その接合界面を保護し、該接合界面の
端面部分における密着強度が高められ、導電層（外部電
極）を形成する際、曲げ応力や衝撃力が作用した場合、
接合界面に亀裂等が生じることなく、被膜の剥離も防止
される。従って、積層セラミックコンデンサの劣化が軽
減され、長寿命に保たれる効果もある。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示す、第１図は積層セラミック
コンデンサの一例を示す中央縦断面図、第２図は積層前
の誘電体セラミックの一例を示す平面図、第３図は第２
図のものの誘電体セラミック積層時の分解斜視図である
。第４図は積層セラミックコンデンサの他の例を示す中
央縦断面図、第５図は積層前の誘電体セラミックの他の
例を示す平面図、第６図は第５図のものの誘電体セラミ
ック積層時の分解斜視図である。１・・・積層セラミックコンデンサ、２・・・誘電体セ
ラミック、３・・・内部電極、５・・・半導体層、６・
・・外部電極、７・・・メッキ被膜、８・・・メッキ被
膜。特許出願人　　　株式会社村田製作所

Claims

【特許請求の範囲】

１．複数の誘電体セラミック層と、該誘電体セラミック
層を介して互いに積層された状態で配置されて静電容量
を形成するための複数の内部電極層とからなる積層誘電
体セラミックの端面に、前記内部電極層の所定のものに
接続される半導体層が形成され、さらに該半導体層の上
に導電層が形成されていることを特徴とする積層セラミ
ックコンデンサ。
２．前記半導体層は誘電体セラミック層を半導体化させ
る半導体化剤により形成されていることを特徴とする請
求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
３．前記半導体層は誘電体セラミック層に含まれるセラ
ミック粉末に半導体化剤を含有させたものにより形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の積層セラミッ
クコンデンサ。
４．前記導電層は導電性金属粉末を主成分とする導電性
ペーストの焼付け層にて形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
５．前記導電層はメッキ層にて形成されていることを特
徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
６．前記焼付け層の上にメッキ層が形成されていること
を特徴とする請求項４記載の積層セラミックコンデンサ
。