JPH0227764A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0227764A JPH0227764A JP63177788A JP17778888A JPH0227764A JP H0227764 A JPH0227764 A JP H0227764A JP 63177788 A JP63177788 A JP 63177788A JP 17778888 A JP17778888 A JP 17778888A JP H0227764 A JPH0227764 A JP H0227764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- tungsten silicide
- solid
- state imaging
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序に従って本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ１発明の概要
Ｃ１従来技術［第３図］
Ｄ１発明が解決しようとする問題点
Ｅ１問題点を解決するための手段
Ｆ 作用
Ｇ、実施例［第１図、第２図］
Ｈ１発明の効果
（Ａ、産業上の利用分野）
本発明はＣＣＤあるいはＭＯＳ型等の固体撮像装置に関
する。
する。
（Ｂ、発明の概要）
本発明は、固体撮像装置において。
受光部０ＩＲ５以外の領域への光の侵入をよりｉｆ効に
防止するため、 光透過率を下げる物質を含有したタングステンノリサイ
ド膜により受光開口部以外の領域への光を遮ぎるように
したものである。
防止するため、 光透過率を下げる物質を含有したタングステンノリサイ
ド膜により受光開口部以外の領域への光を遮ぎるように
したものである。
（Ｃ，従来技術） ［第３図］
固体撮像装置は多数の受光部を半導体基板−Ｆに７トリ
・７クス状に配置してなり、受光部以外の領域内に光電
変換により生じた電荷を転送するレジスタか設けられて
いる。そして、該レジスタは半導体表面に絶縁膜を介し
て形成された駆動電極に印加される駆動パルスによって
駆動されるのか普通である。
・７クス状に配置してなり、受光部以外の領域内に光電
変換により生じた電荷を転送するレジスタか設けられて
いる。そして、該レジスタは半導体表面に絶縁膜を介し
て形成された駆動電極に印加される駆動パルスによって
駆動されるのか普通である。
ところで、このような固体撮像装置においては受光部以
外の領域に光が入射するとスメアが発生するので遮光す
ることが必要である。第３図は固体撮像装置の従来例の
−を示し、この固体撮像装置においては中央部以外をア
ルミニウムＩＩＱにより遮光している。同図において、
ａは半導体基板、ｂはｔ導体基板ａの表面に形成された
例えばＰＳＧｆｆＱ、ｃ、ｃ、”−”は該Ｐ Ｓ Ｇ膜
す中に設けられた多結晶シリコンからなる駆動電極、ｄ
、ｄ、・・・はＰＳＧＩ漠す表面の駆動電極Ｃ１Ｃ５−
・を覆う部分に形成されたアルミニウムからなる遮光膜
である。
外の領域に光が入射するとスメアが発生するので遮光す
ることが必要である。第３図は固体撮像装置の従来例の
−を示し、この固体撮像装置においては中央部以外をア
ルミニウムＩＩＱにより遮光している。同図において、
ａは半導体基板、ｂはｔ導体基板ａの表面に形成された
例えばＰＳＧｆｆＱ、ｃ、ｃ、”−”は該Ｐ Ｓ Ｇ膜
す中に設けられた多結晶シリコンからなる駆動電極、ｄ
、ｄ、・・・はＰＳＧＩ漠す表面の駆動電極Ｃ１Ｃ５−
・を覆う部分に形成されたアルミニウムからなる遮光膜
である。
また、固体撮像装置として駆動電極をメタルシリサイド
で形成し、駆動電極により遮光してレジスタ部への光の
入射を防止してスメアの発生を防１１二するようにした
乙のが特開昭５９−１５９５６４号公報により紹介され
ている。
で形成し、駆動電極により遮光してレジスタ部への光の
入射を防止してスメアの発生を防１１二するようにした
乙のが特開昭５９−１５９５６４号公報により紹介され
ている。
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点〉ところで、第３
図に７バした固体撮像装置には次のような問題がある。
図に７バした固体撮像装置には次のような問題がある。
先ず、第１に、遮光ＭｄかＰＳＧＩＩ２ｂの駆動電極Ｃ
，ｅ、・・・により隆起した部分上に形成され、隆起し
た部分の側面をも覆ってレジスタ部へ斜めに入る光を６
遮光する必要かあるので、遮−光膜ｄ、ｄ、・・・の駆
動型Ｊ４ｃ、Ｃ１・・・側面上から外側へ食み出した長
さ２が相当に長くなり、その分だけ開口率が小さくなる
。即ち、その長さ込は実際１・約０．８μｍｆｆ度に大
きくな）てしまうのである。そして、ＨＤＶＳ川の固体
撮像装置においては隣接駆動電極Ｃ・０間の間隔りが約
３μｍ程度にしなければならないが、画素部の実質的な
幅はＬ−２２であり、２かＦ述したように０．８μｍ程
度にもなるので画素部の実質的な幅が１，４μｍ程度と
非常に小さくなってしまう。これは開口率の低ドを招き
好ましくない。
，ｅ、・・・により隆起した部分上に形成され、隆起し
た部分の側面をも覆ってレジスタ部へ斜めに入る光を６
遮光する必要かあるので、遮−光膜ｄ、ｄ、・・・の駆
動型Ｊ４ｃ、Ｃ１・・・側面上から外側へ食み出した長
さ２が相当に長くなり、その分だけ開口率が小さくなる
。即ち、その長さ込は実際１・約０．８μｍｆｆ度に大
きくな）てしまうのである。そして、ＨＤＶＳ川の固体
撮像装置においては隣接駆動電極Ｃ・０間の間隔りが約
３μｍ程度にしなければならないが、画素部の実質的な
幅はＬ−２２であり、２かＦ述したように０．８μｍ程
度にもなるので画素部の実質的な幅が１，４μｍ程度と
非常に小さくなってしまう。これは開口率の低ドを招き
好ましくない。
従って、Ｒ光膜１、ｆｆｉ、−・をＰＳＧ膜すの」二に
形成するのではなくｐｓａＨｂ内部に形成することか遮
光膜１、Ｕ、・−を駆動電極ｃ、ｃ、・・・によつ近接
して配置して斜めの光をも有効に遮光しつつ開Ｌｌｌを
高めることを＝ｉｒ能にするのでＨＤＶＳ化に対応する
うえで好ましいといえる。しかし、アルミニウムからな
る遮光膜をＰＳＧｌｌｉ中に形成しようとすると、ＰＳ
Ｇ膜形成の際の高温処理（９００℃以上）によってアル
ミニウム膜が溶け（５００℃以上で溶ける）、形が崩れ
てしまうという問題がある。
形成するのではなくｐｓａＨｂ内部に形成することか遮
光膜１、Ｕ、・−を駆動電極ｃ、ｃ、・・・によつ近接
して配置して斜めの光をも有効に遮光しつつ開Ｌｌｌを
高めることを＝ｉｒ能にするのでＨＤＶＳ化に対応する
うえで好ましいといえる。しかし、アルミニウムからな
る遮光膜をＰＳＧｌｌｉ中に形成しようとすると、ＰＳ
Ｇ膜形成の際の高温処理（９００℃以上）によってアル
ミニウム膜が溶け（５００℃以上で溶ける）、形が崩れ
てしまうという問題がある。
また、アルミニウムは遮光性に優れるか、その反面にお
いて反射性が良すぎて入射した光をレンズ側に反射し、
その反射した光かレンズで再反射され′Ｃ受光部に入射
されて、ノイズとなるという問題を打している。
いて反射性が良すぎて入射した光をレンズ側に反射し、
その反射した光かレンズで再反射され′Ｃ受光部に入射
されて、ノイズとなるという問題を打している。
その点で、特開昭５９−１５９５６４号公報の固体搬像
装置は、メタルシリサイド膜により駆動電極を形成し、
該駆動電極を遮光膜としても機能させるようにしている
ので優れているといえる。
装置は、メタルシリサイド膜により駆動電極を形成し、
該駆動電極を遮光膜としても機能させるようにしている
ので優れているといえる。
しかし、このような固体撮像装置によれば。
ＰＳＧＪ漠の形成のための高温処理によフてメタルシリ
サイドｒ；４（例えばタングステンシリサイド膜）が多
結晶化し、メタルシリサイド膜の光透過率が高くなっ”
Ｃしまうという問題がある。特に、赤銅、即ち、長波長
（７００ｎｍ程度）の光の光；Ａ道率が高くなり、赤に
対する遮光効果が低ドする。そのため、赤のス、メアが
発生し易いという好ましくない問題があるのである。
サイドｒ；４（例えばタングステンシリサイド膜）が多
結晶化し、メタルシリサイド膜の光透過率が高くなっ”
Ｃしまうという問題がある。特に、赤銅、即ち、長波長
（７００ｎｍ程度）の光の光；Ａ道率が高くなり、赤に
対する遮光効果が低ドする。そのため、赤のス、メアが
発生し易いという好ましくない問題があるのである。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、受光開口部以外の領域への光の侵入をより有効に
防止することを目的とする。
あり、受光開口部以外の領域への光の侵入をより有効に
防止することを目的とする。
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
本発明固体撮像装置は−Ｆ記問題点を解決するため、光
透過率を下げる物質を含有したタングステンシリサイド
膜により受光開口部以外の領域への光を遮ぎるようにし
たことを特徴とする。
透過率を下げる物質を含有したタングステンシリサイド
膜により受光開口部以外の領域への光を遮ぎるようにし
たことを特徴とする。
（Ｆ、作用）
本発明固体撮像装置によれば、受光開口部以外の領域ト
のタングステンシリサイド膜にこｉの光透過率を丁げる
物質を含有させたので、従来において生したところの高
温処理によフて結晶化が進むことによる光透過率の低下
を防止することかでき、延いては受光開口部以外の領域
への光の入射を有効に防止してスメアを小さくすること
ができる。
のタングステンシリサイド膜にこｉの光透過率を丁げる
物質を含有させたので、従来において生したところの高
温処理によフて結晶化が進むことによる光透過率の低下
を防止することかでき、延いては受光開口部以外の領域
への光の入射を有効に防止してスメアを小さくすること
ができる。
（Ｇ、実施例）【第１図、第２図］
以下、本発明固体撮像装置を図示実施例に従って詳細に
説明する。
説明する。
７ｊＳｆ図は本発明固体撮像装置の一つの実施例を示す
断面図であり、同図においてＩはＰ型ｔ４体基板、２は
受光領域、３は半導体基板ＩＬのＰＳＧ１１！！で、こ
れの内部に多結晶シリコンからなる駆動電極４．４、・
−１該駆動電棒４を上側にてシπう遮光１漠５，５、・
・・か設けられている。遮光膜５．５、・−はタングス
テンシリサイド（Ｗ＋−ｘＳ ｉｘ ）からなり［つ例
えばＣ１０、Ａｒ、Ｎ等タングステンシリサイドの結晶
化を阻む不純物がイオン打込みにより添加されている。
断面図であり、同図においてＩはＰ型ｔ４体基板、２は
受光領域、３は半導体基板ＩＬのＰＳＧ１１！！で、こ
れの内部に多結晶シリコンからなる駆動電極４．４、・
−１該駆動電棒４を上側にてシπう遮光１漠５，５、・
・・か設けられている。遮光膜５．５、・−はタングス
テンシリサイド（Ｗ＋−ｘＳ ｉｘ ）からなり［つ例
えばＣ１０、Ａｒ、Ｎ等タングステンシリサイドの結晶
化を阻む不純物がイオン打込みにより添加されている。
このようなｌｉ！、１体撮像装置によれば、遮光膜５゜
５、・・・の形成後それを覆うＰ Ｓ Ｇ ＩＩＱ ３
を形成する際の高温処理によってタングステンシリサイ
ドからなる遮光膜５．５、・・・が多結晶化しようとす
るのをタングステンシリサイド中のＣ１０、Ａｒ又はＮ
等の不純物によって阻止されるので光透過率はほとんど
低下しない。従って、受光部以外の領域へ光が入射する
ことを遮光膜５．５、・・・により非常に仔効に防止す
ることができる。尚、Ｃ１０、Ａｒ又はＮ等のイオン打
込みは、例えば、タングステンシリサイドからなる遮光
膜５．５、・・・の厚さ１０００人に対して４０にｅＶ
のエネルギーで行い、ドーズ量を５Ｘ１０”７ｃｍ”で
行う。すると、７００ｎｍの波長の光に対しての光透過
率を１％以下にすることができ、光透過率を非常に小さ
くできる。
５、・・・の形成後それを覆うＰ Ｓ Ｇ ＩＩＱ ３
を形成する際の高温処理によってタングステンシリサイ
ドからなる遮光膜５．５、・・・が多結晶化しようとす
るのをタングステンシリサイド中のＣ１０、Ａｒ又はＮ
等の不純物によって阻止されるので光透過率はほとんど
低下しない。従って、受光部以外の領域へ光が入射する
ことを遮光膜５．５、・・・により非常に仔効に防止す
ることができる。尚、Ｃ１０、Ａｒ又はＮ等のイオン打
込みは、例えば、タングステンシリサイドからなる遮光
膜５．５、・・・の厚さ１０００人に対して４０にｅＶ
のエネルギーで行い、ドーズ量を５Ｘ１０”７ｃｍ”で
行う。すると、７００ｎｍの波長の光に対しての光透過
率を１％以下にすることができ、光透過率を非常に小さ
くできる。
尤も、Ｃ１０、Ａ「又はＮ等の不純物をタングステンシ
リサイド膜５．５．・・・の形成後に−ｃオン打込み１
−ることによりドープするのではなく、タングステンシ
リサイド膜５．５、・・・をＣＶＤにより形成する際に
ＣＶＤ装置内に供給する反応ガス中にこの不純物を混入
しておくことにより不純物がドープさ九たタングステン
シリサイドからなる遮光膜５．５、・−を形成するよう
にしても良い。
リサイド膜５．５．・・・の形成後に−ｃオン打込み１
−ることによりドープするのではなく、タングステンシ
リサイド膜５．５、・・・をＣＶＤにより形成する際に
ＣＶＤ装置内に供給する反応ガス中にこの不純物を混入
しておくことにより不純物がドープさ九たタングステン
シリサイドからなる遮光膜５．５、・−を形成するよう
にしても良い。
そして、この固体撮像装置は、駆動電極４．４、・−を
覆うＰＳＧＩ漠３中に該駆動電極４．４゜・・・に近接
して配置されているので、第３図に示すような従来の固
体撮像装置に比較して１を小さくすることができる。具
体的には、ｌを０．４μｍ以ドにすることができ、開口
部の実質的な幅を０．４μｍも増１−ことができ、ＨＤ
ＶＳ対応にした場合において必要とされる開［１率を確
保することができる。
覆うＰＳＧＩ漠３中に該駆動電極４．４゜・・・に近接
して配置されているので、第３図に示すような従来の固
体撮像装置に比較して１を小さくすることができる。具
体的には、ｌを０．４μｍ以ドにすることができ、開口
部の実質的な幅を０．４μｍも増１−ことができ、ＨＤ
ＶＳ対応にした場合において必要とされる開［１率を確
保することができる。
尚、Ｊ！！光膜４．４、・・・をタングステンシリサイ
ドにゲルマニウムＧｅを加えたＷＳｉＧｅにより形成す
るようにしても良い。というのは、タングステンシリサ
イド（膜厚例えば８００人）は第２図において実線に示
すような光透過特性をｔ１゛シているのに対して、ゲル
マニウムを含んだタングステンシリサイド（膜ＦＪａｏ
ｏ人）は破線に示すように特性曲線が波長の高い方へ推
移し、７００〜８００ｎｍ及びそれよりも短い波長の光
に対する光透過率が顕著に低くなるからである。
ドにゲルマニウムＧｅを加えたＷＳｉＧｅにより形成す
るようにしても良い。というのは、タングステンシリサ
イド（膜厚例えば８００人）は第２図において実線に示
すような光透過特性をｔ１゛シているのに対して、ゲル
マニウムを含んだタングステンシリサイド（膜ＦＪａｏ
ｏ人）は破線に示すように特性曲線が波長の高い方へ推
移し、７００〜８００ｎｍ及びそれよりも短い波長の光
に対する光透過率が顕著に低くなるからである。
このようにゲルマニウムを含んだタングステンシリサイ
ド膜を形成するには例えば、タングステンシリサイドＷ
ＳｉをＣＶＤにより形成するのに使用する反応ガスＷＦ
Ｂ＋ＳｉＨ，にＧｅを含んだＧｅＨ４等を加えたものを
反応ガスとして供給することによりＣＶＤを行う方法か
好適であるか、タングステンシリサイド膜の形成７４．
Ｇｅゝ又はＧｅＦ、’等ゲルマニウム又はその化合物の
イオンをタングステンシリサイド膜中にイオン打込みす
るようにしても良いし、また、タングステンシリサイド
膜の形成後ＧｅＨ４雰囲気中で該タンクスシリサイド膜
にエキシマレーザを照射して雰囲気中のタングステンを
タングステンシリサイド膜中にドーピングするようにし
ても良い。
ド膜を形成するには例えば、タングステンシリサイドＷ
ＳｉをＣＶＤにより形成するのに使用する反応ガスＷＦ
Ｂ＋ＳｉＨ，にＧｅを含んだＧｅＨ４等を加えたものを
反応ガスとして供給することによりＣＶＤを行う方法か
好適であるか、タングステンシリサイド膜の形成７４．
Ｇｅゝ又はＧｅＦ、’等ゲルマニウム又はその化合物の
イオンをタングステンシリサイド膜中にイオン打込みす
るようにしても良いし、また、タングステンシリサイド
膜の形成後ＧｅＨ４雰囲気中で該タンクスシリサイド膜
にエキシマレーザを照射して雰囲気中のタングステンを
タングステンシリサイド膜中にドーピングするようにし
ても良い。
タングステンシリサイド膜にＣ，０，Ａｒ、Ｎ等の不純
物を添加した場合には、その不純物によってタングステ
ンシリサイド膜の結晶化を防止するごとにより透明化を
防止することができるものであるか、タングステンシリ
サイド膜にゲルマニウムＧｅを含有させるようにした場
合には吸収係数を変えることにより光透過率をドげて遮
光することができるものである。
物を添加した場合には、その不純物によってタングステ
ンシリサイド膜の結晶化を防止するごとにより透明化を
防止することができるものであるか、タングステンシリ
サイド膜にゲルマニウムＧｅを含有させるようにした場
合には吸収係数を変えることにより光透過率をドげて遮
光することができるものである。
第１図に示した実施例は、駆動電極４．４、・・・を遮
光膜５．５、・・・で覆う構造であったが、本発明は特
開昭５９−１５９５６４号公報に示されたように駆動電
極自身が遮光膜としても機能するようにした構造のもの
にも通用することができる。
光膜５．５、・・・で覆う構造であったが、本発明は特
開昭５９−１５９５６４号公報に示されたように駆動電
極自身が遮光膜としても機能するようにした構造のもの
にも通用することができる。
このような固体撮像装置とは、駆動電極がＣ５０、Ａｒ
あるいはＮ等の不純物若しくはＧｅを含んだタングステ
ンシリサイドにより形成され、駆動電極と別の遮光膜が
特に設けられていない構造のものである。このような構
造の固体撮像装置は、第１図に示す構造の固体撮像装置
に比較して構造が簡単で製造工数も少なくて済むという
利点かある。しか１へ第１図に示す構造の固体撮像装置
は、駆動電極と別に設けた遮光膜を遮光に最も好ましい
パターンに形成することによりより完全な遮光を行うこ
とかできるという利点を有している。
あるいはＮ等の不純物若しくはＧｅを含んだタングステ
ンシリサイドにより形成され、駆動電極と別の遮光膜が
特に設けられていない構造のものである。このような構
造の固体撮像装置は、第１図に示す構造の固体撮像装置
に比較して構造が簡単で製造工数も少なくて済むという
利点かある。しか１へ第１図に示す構造の固体撮像装置
は、駆動電極と別に設けた遮光膜を遮光に最も好ましい
パターンに形成することによりより完全な遮光を行うこ
とかできるという利点を有している。
（Ｈ，発明の効果）
以−１−に述べたように、本発明固体撮像装置は、受光
開口部以外の領域上にタングステンシリ−サイド膜が形
成され、該タングステンシリサイド膜中にこれの光透過
率を下げる物質か斥有せしめられてなることを特徴とす
るものである。
開口部以外の領域上にタングステンシリ−サイド膜が形
成され、該タングステンシリサイド膜中にこれの光透過
率を下げる物質か斥有せしめられてなることを特徴とす
るものである。
従って、本発明固体撮像装置によれば、受光開口部以外
の領域−Ｅのタングステンシリサイド膜にこむの光透過
率を下げる物質を含有させたので、高温処理によって生
じる光透過率の低下を防止することができ、延いては受
光開口部以外の領域への光の入射を有効に防止してスメ
アを小さくすることができる。
の領域−Ｅのタングステンシリサイド膜にこむの光透過
率を下げる物質を含有させたので、高温処理によって生
じる光透過率の低下を防止することができ、延いては受
光開口部以外の領域への光の入射を有効に防止してスメ
アを小さくすることができる。
第１図は本発明固体撮像装置の一つの実施例を示す断面
図、第２図はタングステンシリサイド膜と、ゲルマニウ
ムを含んだタングステンシリサイド膜についての光透過
特性を示す図、第３図は従来例を示す断面図である。 符号の説明 ２・・・受光量［１部、 ４・・・タングステンシリサイド膜。 ム 大尾例片示ｌｒ面図 第１図 光透屋特性図 第２図
図、第２図はタングステンシリサイド膜と、ゲルマニウ
ムを含んだタングステンシリサイド膜についての光透過
特性を示す図、第３図は従来例を示す断面図である。 符号の説明 ２・・・受光量［１部、 ４・・・タングステンシリサイド膜。 ム 大尾例片示ｌｒ面図 第１図 光透屋特性図 第２図
Claims (1)
- （１）受光開口部以外の領域上にタングステンシリサイ
ド膜が形成され、 上記タングステンシリサイド膜中にこれの光透過率を下
げる物質か含有せしめられてなる ことを特徴とする固体撮像装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63177788A JPH0227764A (ja) | 1988-07-16 | 1988-07-16 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63177788A JPH0227764A (ja) | 1988-07-16 | 1988-07-16 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227764A true JPH0227764A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16037115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63177788A Pending JPH0227764A (ja) | 1988-07-16 | 1988-07-16 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227764A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7297981B2 (en) * | 2004-01-19 | 2007-11-20 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device having a light-shielding film comprising alternating layers of silicide and nitrided silicide |
| JP2008085174A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 撮像装置 |
-
1988
- 1988-07-16 JP JP63177788A patent/JPH0227764A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7297981B2 (en) * | 2004-01-19 | 2007-11-20 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device having a light-shielding film comprising alternating layers of silicide and nitrided silicide |
| CN100374920C (zh) * | 2004-01-19 | 2008-03-12 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置，电光装置的制造方法，以及电子设备 |
| JP2008085174A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 撮像装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6974715B2 (en) | Method for manufacturing CMOS image sensor using spacer etching barrier film | |
| JP2003282855A (ja) | 暗電流を減少させたイメージセンサの製造方法 | |
| JPH04286361A (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR20000048110A (ko) | 고체촬상장치 및 그 제조방법 | |
| JPH08148665A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0758772B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2871831B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2001144280A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH11214664A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JPH0214570A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH08306895A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH06205303A (ja) | 電荷結合素子形カメラのスミヤ除去方法 | |
| JPH11121728A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH03190272A (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR950011568B1 (ko) | 고체촬상소자의 제조방법 | |
| JP3296352B2 (ja) | 光電変換装置、固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH0878651A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH06260628A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3413977B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPH02156670A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2682193B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPS59196667A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0832045A (ja) | 固体撮像素子及びその製法 | |
| KR960002644B1 (ko) | Ccd 이미지 센서의 제조방법 | |
| JPS6170873A (ja) | 固体撮像装置 |