JPH0214570A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0214570A JPH0214570A JP63162698A JP16269888A JPH0214570A JP H0214570 A JPH0214570 A JP H0214570A JP 63162698 A JP63162698 A JP 63162698A JP 16269888 A JP16269888 A JP 16269888A JP H0214570 A JPH0214570 A JP H0214570A
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- JP
- Japan
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- film
- shielding film
- solid
- vccd
- light
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- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、固体撮像装置およびその製造方法に関するも
のである。
のである。
（従来の技術）
近年、固体撮像装置を用いたビデオカメラが盛んに商品
化されるようになった。
化されるようになった。
以下、第３図を参照しながら従来の固体撮像装置につい
て説明する。
て説明する。
第３図は、インターライン転送方式ＣＯＤ （以下、Ｉ
Ｔ−ＣＣＤと略記する）と呼ばれる固体撮像装置の単位
画素部の従来の断面構造を示す。
Ｔ−ＣＣＤと略記する）と呼ばれる固体撮像装置の単位
画素部の従来の断面構造を示す。
１はｎ型基板、２はｐウェル、３は光電変換部、４は垂
直転送ＣＯＤ （以下ＶＣＣＤと略記する）の転送電極
、５はＶＣＣＤの転送チャネル、６は絶縁膜、７はＡＪ
等による遮光膜である。
直転送ＣＯＤ （以下ＶＣＣＤと略記する）の転送電極
、５はＶＣＣＤの転送チャネル、６は絶縁膜、７はＡＪ
等による遮光膜である。
ＩＴ−ＣＣＤでは光電変換部３に光を照射し、一定期間
にわたって蓄積された信号電荷をＶＣＣＤの転送チャネ
ル５へ読み出し、その信号電荷を紙面に垂直な方向へ転
送する。
にわたって蓄積された信号電荷をＶＣＣＤの転送チャネ
ル５へ読み出し、その信号電荷を紙面に垂直な方向へ転
送する。
（発明が解決しようとする課題）
しかるに、従来の構造では、斜め入射光８による電荷９
は、ＶＣＣＤチャネルに混入し、これはいわゆるスミア
現象を発生し、撮像された画質を著しく劣化させる。
は、ＶＣＣＤチャネルに混入し、これはいわゆるスミア
現象を発生し、撮像された画質を著しく劣化させる。
この現象を低減するために遮光膜７の領域を拡大して光
電変換部３の上まで覆うことによりスミア現象を大幅に
低減しようとすると、感度が低下するという問題があっ
た。
電変換部３の上まで覆うことによりスミア現象を大幅に
低減しようとすると、感度が低下するという問題があっ
た。
本発明は、上記の欠点に鑑み、スミア現象を大幅に低減
し、なおかつ画質の向上をはかることができる固体撮像
装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
し、なおかつ画質の向上をはかることができる固体撮像
装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するために１本発明の固体撮像装置は、
電荷転送手段の側面に遮光膜が形成される。
電荷転送手段の側面に遮光膜が形成される。
（作 用）
上記構成によってＶＣＣＤチャネルへの斜め入射光ある
いは反射光を大幅に減衰させることによって、スミア現
象を大幅に低減することができる。
いは反射光を大幅に減衰させることによって、スミア現
象を大幅に低減することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について第１図および第２図（ａ
）ないしＣｃ）を参照しながら説明する。
）ないしＣｃ）を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の実施例を示す。
第１図において、第３図と同一の符号は同一部分を示し
、その説明は省略する。
、その説明は省略する。
異なるのはＶＣＣＤ転送電極４の側面に光反射性もしく
は光吸収性を有する遮光膜１０が形成されていることで
ある。斜め入射光１１は、遮光膜１０によって反射もし
くは吸収されるため、ＶＣ：ＣＤ転送チャネル５の方向
へは行かない。この場合、遮光膜１０は光を完全に反射
もしくは吸収するものでなくてもよい、何故ならば、例
えば透過率が１０％であるならば、このような斜め入射
光によるスミアが１０％に低減されることになり、スミ
ア現象の大幅な低減となって事実上さほど問題でなくな
る。
は光吸収性を有する遮光膜１０が形成されていることで
ある。斜め入射光１１は、遮光膜１０によって反射もし
くは吸収されるため、ＶＣ：ＣＤ転送チャネル５の方向
へは行かない。この場合、遮光膜１０は光を完全に反射
もしくは吸収するものでなくてもよい、何故ならば、例
えば透過率が１０％であるならば、このような斜め入射
光によるスミアが１０％に低減されることになり、スミ
ア現象の大幅な低減となって事実上さほど問題でなくな
る。
また、遮光膜１０が、絶縁性膜であれば、ＶＣＣＤ転送
電極４の側面に直接形成してもよいし、導伝性膜であれ
ば第１図に示すようにＶＣＣＤ転送電極４の表面に熱酸
化膜等の絶縁膜６を形成し、その上に遮光膜１０を形成
すればよい。
電極４の側面に直接形成してもよいし、導伝性膜であれ
ば第１図に示すようにＶＣＣＤ転送電極４の表面に熱酸
化膜等の絶縁膜６を形成し、その上に遮光膜１０を形成
すればよい。
次に、本発明による固体撮像装置の製造方法の実施例を
第２図（ａ）ないしくｃ）を用いて説明する。
第２図（ａ）ないしくｃ）を用いて説明する。
第２図（ａ）ないしくｃ）の第１図と同一の符号は同一
部分を示し、その説明は省略する。
部分を示し、その説明は省略する。
ここで、ＶＣＣＤ転送電極４は多結晶シリコンで形成さ
れている。この段階で第２図（ｂ）に示すように全体を
熱酸化し酸化膜１２を形成する。酸化膜１２の上全体に
光反射性もしくは光吸収性あるいは透過性のある遮光膜
１０ａを形成する。これらの遮光膜１０ａとしては、シ
リコン−金属間化合物（いわゆるシリサイド）を用いれ
ば、斜め入射光の強度を大幅に低減することができる。
れている。この段階で第２図（ｂ）に示すように全体を
熱酸化し酸化膜１２を形成する。酸化膜１２の上全体に
光反射性もしくは光吸収性あるいは透過性のある遮光膜
１０ａを形成する。これらの遮光膜１０ａとしては、シ
リコン−金属間化合物（いわゆるシリサイド）を用いれ
ば、斜め入射光の強度を大幅に低減することができる。
また、外結晶シリコン膜とシリサイドの二重層を用いて
もよい。
もよい。
次に、第２図（ｂ）に示されている状態に、異方性エツ
チングを施す。この異方性エツチングによって、第２図
（ｃ）に示すように遮光膜１０ａのうち側壁部のみが残
り、必要な遮光膜１０のみが形成される。
チングを施す。この異方性エツチングによって、第２図
（ｃ）に示すように遮光膜１０ａのうち側壁部のみが残
り、必要な遮光膜１０のみが形成される。
この方法によれば、フォトマスクを使用することなく、
ＶＣＣＤ転送電極４の側面のみに遮光膜１０を形成する
ことができ、極めて簡単な工程でスミアを大幅に低減す
ることができる。
ＶＣＣＤ転送電極４の側面のみに遮光膜１０を形成する
ことができ、極めて簡単な工程でスミアを大幅に低減す
ることができる。
第２図（ｃ）の状態から絶縁膜６を形成し、Ａｌ１膜を
形成した後、フォトマスクを使用して遮光膜７を形成し
、第１図の固体撮像装置の構造を実現する。
形成した後、フォトマスクを使用して遮光膜７を形成し
、第１図の固体撮像装置の構造を実現する。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、電荷転送手段の側面に光
反射性もしくは光吸収性膜を形成することにより、スミ
アを大幅に低減し、画質の向上を実現することができる
。また、遮光膜１０の形成方法についても、異方性エツ
チングを用いることによって、フォトマスクを用いず簡
単な方法で実現することができ、その実用的効果は大な
るものがある。
反射性もしくは光吸収性膜を形成することにより、スミ
アを大幅に低減し、画質の向上を実現することができる
。また、遮光膜１０の形成方法についても、異方性エツ
チングを用いることによって、フォトマスクを用いず簡
単な方法で実現することができ、その実用的効果は大な
るものがある。
なお、本発明ではＩＴ−ＣＣＤを例にとって説明したが
、光電変換部と、電荷転送手段が独立に構成された固体
搬像素子（例えばＣｈａｒｇｅ Ｓｔ＋＋ｅｅｐＤＱｖ
ｉｃｅ ＭＯ３型撮像素子ＦＩＴ−ＣＣＤ等）にも有効
であることは当然である。
、光電変換部と、電荷転送手段が独立に構成された固体
搬像素子（例えばＣｈａｒｇｅ Ｓｔ＋＋ｅｅｐＤＱｖ
ｉｃｅ ＭＯ３型撮像素子ＦＩＴ−ＣＣＤ等）にも有効
であることは当然である。
第１図は１本発明による固体撮像装置の説明図、第２図
（ａ）ないしくｃ）は、本発明による固体撮像装置の製
造方法の説明図、第３図は、従来の固体撮像装置の説明
図を示す。 １ ・・・ ｎ型基板、 ２・・・ ｐウェル、３ ・
・・光電変換部、 ４ ・・・垂直転送ＣＣＤ転送電極
、 ５ ・・・垂直転送ＣＯＤのチャネル、 ６ ・・
・絶縁膜、 ７ 、１０．１０ａ・・・遮光膜、 ８，
１１・・・入射光、 ９ ・・・電荷、１２・・・酸化
膜。 特許出願人 松下電子工業株式会社 ＼ 代 理 人 星 野 恒 司 ・Ｊ＋−
、（、、、／ 箪 図 第 図 第 図 第 図
（ａ）ないしくｃ）は、本発明による固体撮像装置の製
造方法の説明図、第３図は、従来の固体撮像装置の説明
図を示す。 １ ・・・ ｎ型基板、 ２・・・ ｐウェル、３ ・
・・光電変換部、 ４ ・・・垂直転送ＣＣＤ転送電極
、 ５ ・・・垂直転送ＣＯＤのチャネル、 ６ ・・
・絶縁膜、 ７ 、１０．１０ａ・・・遮光膜、 ８，
１１・・・入射光、 ９ ・・・電荷、１２・・・酸化
膜。 特許出願人 松下電子工業株式会社 ＼ 代 理 人 星 野 恒 司 ・Ｊ＋−
、（、、、／ 箪 図 第 図 第 図 第 図
Claims (3)
- （１）複数の光電変換素子を備え、前記光電変換素子に
隣接した電荷転送手段の側面に遮光膜が形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - （２）前記遮光膜が半導体−金属間化合物であることを
特徴とする請求項（１）記載の固体撮像装置。 - （３）複数の光電変換素子及び前記光電変換素子に隣接
した電荷転送手段を備えた固体撮像装置において、光電
変換素子よりも上部に形成された電荷転送手段の一部も
しくは全部を形成した後、酸化膜を形成した上に遮光膜
を形成し、その後異方性エッチングを行なって不所望な
光がＶＣＣＤの転送チャンネルに入るのを防ぐ膜を形成
することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63162698A JPH0214570A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63162698A JPH0214570A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214570A true JPH0214570A (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=15759600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63162698A Pending JPH0214570A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0214570A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5351081A (en) * | 1990-11-16 | 1994-09-27 | Sony Corporation | Solid-state imaging device having a light barrier layer |
| US5763292A (en) * | 1993-05-17 | 1998-06-09 | Sony Corporation | Method of making a solid state imager with reduced smear |
| JP2005277404A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63162698A patent/JPH0214570A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5351081A (en) * | 1990-11-16 | 1994-09-27 | Sony Corporation | Solid-state imaging device having a light barrier layer |
| US5763292A (en) * | 1993-05-17 | 1998-06-09 | Sony Corporation | Method of making a solid state imager with reduced smear |
| JP2005277404A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
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