JPH02277767A - 低融点スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
低融点スパッタリングターゲットの製造方法Info
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- JPH02277767A JPH02277767A JP9830089A JP9830089A JPH02277767A JP H02277767 A JPH02277767 A JP H02277767A JP 9830089 A JP9830089 A JP 9830089A JP 9830089 A JP9830089 A JP 9830089A JP H02277767 A JPH02277767 A JP H02277767A
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、薄膜形成に用いるスパッタリングターゲット
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
（従来の技術）
スパッタリング法は真空容器内に圧力が０．１〜１０Ｐ
ａの範囲のＡｒガスを導入し、直流または高周波電力を
加えてグロー放電を発生する。負電位のターゲット表面
をＡｒイオンが叩き、ターゲット表面をスパッタする。
ａの範囲のＡｒガスを導入し、直流または高周波電力を
加えてグロー放電を発生する。負電位のターゲット表面
をＡｒイオンが叩き、ターゲット表面をスパッタする。
被スパツタ粒子は対向して設置された基板上に堆積し、
薄膜を形成する。
薄膜を形成する。
一般的に、このスパッタリング法で用いられるターゲッ
トは、ボンディング材でバッキングプレートと接合して
使用される。
トは、ボンディング材でバッキングプレートと接合して
使用される。
この場合、バッキングプレートは多くは純銅あるいは銅
系合金、まれにはステンレス等が使用され、ボンディン
グ材はインジウムのような低融点金属、半田のような合
金、樹脂等が使用される。
系合金、まれにはステンレス等が使用され、ボンディン
グ材はインジウムのような低融点金属、半田のような合
金、樹脂等が使用される。
しかし、ターゲットが化学記号でＳｉ、Ｓ；。
ｐｂ、 ｚｎあるいはこれらの金属を含む合金のように
低融点である場合、メタル系ボンディング材を使用する
とターゲットはボンディング材に食われてしまいバッキ
ングプレートへの接合が不可能である。
低融点である場合、メタル系ボンディング材を使用する
とターゲットはボンディング材に食われてしまいバッキ
ングプレートへの接合が不可能である。
殊に、ＩｎあるいはＳｎを含む合金のように、ボンディ
ング材と融点が同じかあるいは低い場合はバッキングプ
レートへの接合はできない。
ング材と融点が同じかあるいは低い場合はバッキングプ
レートへの接合はできない。
このような場合は樹脂系ボンディング材を使用してター
ゲットとバッキングプレートを接合する方法が一般的で
あるが、スパッタリングの方式によってはスパッタ中ガ
スが発生したり、接合力が弱い等の理由で樹脂系ボンデ
ィング材が使用できない場合がある。
ゲットとバッキングプレートを接合する方法が一般的で
あるが、スパッタリングの方式によってはスパッタ中ガ
スが発生したり、接合力が弱い等の理由で樹脂系ボンデ
ィング材が使用できない場合がある。
（解決しようとする問題点）
本発明は、上記のような場合、メタル系ボンディング材
を用いて低融点ターゲットとバッキングプレートを接合
する新規なスパッタリングターゲットの製造方法を提供
しようとするものである。
を用いて低融点ターゲットとバッキングプレートを接合
する新規なスパッタリングターゲットの製造方法を提供
しようとするものである。
〈問題を解決するための手段）
本発明は、低融点ターゲットの接合面および側面あるい
はターゲット表面の全面に金属層をコーティングしたの
ち、メタル系ボンディング材を用いてバッキングプレー
トと接合するスパッタリングターゲットの製造である。
はターゲット表面の全面に金属層をコーティングしたの
ち、メタル系ボンディング材を用いてバッキングプレー
トと接合するスパッタリングターゲットの製造である。
コーティングする方法は、メツキ法、溶射法、蒸着法等
を用いることができる。
を用いることができる。
コーティングする金属層は、ニッケル、クロム銅、銀、
亜鉛、鉛あるいはこれらの金属を含む合金が好ましいが
、ターゲツト材とぬれ性、密着性がよく、また、ターゲ
ツト材と反応しにくい金属あるいは合金を選択する必要
がある。
亜鉛、鉛あるいはこれらの金属を含む合金が好ましいが
、ターゲツト材とぬれ性、密着性がよく、また、ターゲ
ツト材と反応しにくい金属あるいは合金を選択する必要
がある。
また、コート膜は種類の異なる金属の多層膜であっても
よい。
よい。
本発明によれば、金属層のコーティングにより低融点タ
ーゲットはボンディング材に食われることなく、また、
ボンディング材と同程度あるいはそれより低い融点の金
属あるいは合金のターゲットでも金属層がターゲットの
溶出を防止するためメタル系ボンディング材を用いて接
合が可能である。
ーゲットはボンディング材に食われることなく、また、
ボンディング材と同程度あるいはそれより低い融点の金
属あるいは合金のターゲットでも金属層がターゲットの
溶出を防止するためメタル系ボンディング材を用いて接
合が可能である。
また、コーティングした金属層によりバッキングプレー
トからの拡散によるターゲット内部への汚染もない。
トからの拡散によるターゲット内部への汚染もない。
コーティングした金属層は接合後、スパッタ面および側
面を研削等で除去する必要がある。
面を研削等で除去する必要がある。
（実施例１）
寸法１２７ｍｍＸ５０８ｍｍ厚さ５ｍｍの８１のターゲ
ットの表面全体に厚さ２０μのＮｉをメツキ法で着膜し
た。このターゲットを寸法１４７ｍｍｘ５２８ｍｍ厚さ
２０ｍｍの無酸素銅のバッキングプレートにボンディン
グ材としてインジウムを用いて２００℃の温度で接合し
た。接合後研削用機械を用いてスパッタ面と側面のメツ
キ層を除去した。
ットの表面全体に厚さ２０μのＮｉをメツキ法で着膜し
た。このターゲットを寸法１４７ｍｍｘ５２８ｍｍ厚さ
２０ｍｍの無酸素銅のバッキングプレートにボンディン
グ材としてインジウムを用いて２００℃の温度で接合し
た。接合後研削用機械を用いてスパッタ面と側面のメツ
キ層を除去した。
その結果、３ｉターゲツトとバッキングプレートとの接
合性は極めて良好であることがわかった。
合性は極めて良好であることがわかった。
また、該ターゲットを１０１発光分析法を用いて分析し
た結果、ターゲット内部にＮ１、ｌｎ、Ｃｕ等の拡散は
全く認められないことがね力じた。
た結果、ターゲット内部にＮ１、ｌｎ、Ｃｕ等の拡散は
全く認められないことがね力じた。
（実施例２）
寸法１２７ｍｍｘ５０８ｍｍ厚さ５ｍｍの５ｎ−Ｚｎ
（３０−７０ｗｔ％）合金の夕”−ゲットの表面全体に
厚さ２０μのＺｎをメツキ法で着膜した。
（３０−７０ｗｔ％）合金の夕”−ゲットの表面全体に
厚さ２０μのＺｎをメツキ法で着膜した。
このターグダトを寸法１４７ｍｍｘ５２８ｍｍ厚さ２０
ｍｍの無酸素銅のバッキングプレートにボンディング材
としてインジウムを用いて２００℃の温度で接合した。
ｍｍの無酸素銅のバッキングプレートにボンディング材
としてインジウムを用いて２００℃の温度で接合した。
接合後研削用機械を用いてスパッタ面と側面のメツキ層
を除去した。
を除去した。
その結果、５ｎ−７ｎ合金ターゲットとバッキングプレ
ートとの接合性は極めて良好であることがわかった。
ートとの接合性は極めて良好であることがわかった。
また、該ターゲットを１０１発光分析法を用いて分析し
た結果、ターゲット内部にＩｎ、Ｃｕ等の拡散は全く認
められないことがわかった。
た結果、ターゲット内部にＩｎ、Ｃｕ等の拡散は全く認
められないことがわかった。
（実施例３）
寸法１２７ｍｍｘ５０８ｍｍ厚さ５ｍｍのＳｎのターゲ
ットの接合面と側面に厚さ３０μのＡＱを溶射法で着膜
した。このターゲットを寸法１４７ｍｍｘ５２８ｍｍ厚
さ２０ｍｍの無酸素銅のバッキングプレートにボンディ
ング材としてインジウムを用いて２００℃の温度で接合
した。接合後研削用機械を用いて側面の溶射層を除去し
たその結果、Ｓｎりτゲットとバッキングプレートとの
接合性は極めて良好であることがわかったまた、該ター
ゲットを１０１発光分析法を用いて分析した結果、ター
ゲット内部にＡｇ、Ｉｎ。
ットの接合面と側面に厚さ３０μのＡＱを溶射法で着膜
した。このターゲットを寸法１４７ｍｍｘ５２８ｍｍ厚
さ２０ｍｍの無酸素銅のバッキングプレートにボンディ
ング材としてインジウムを用いて２００℃の温度で接合
した。接合後研削用機械を用いて側面の溶射層を除去し
たその結果、Ｓｎりτゲットとバッキングプレートとの
接合性は極めて良好であることがわかったまた、該ター
ゲットを１０１発光分析法を用いて分析した結果、ター
ゲット内部にＡｇ、Ｉｎ。
Ｃｕ等の拡散は全く認められないことがわかった。
（実施例４）
寸法１２７ｍｍＸ５０８ｍｍ厚さ５ｍｍの［３ｉのター
ゲットの接合面と側面に厚さ３０μのＣＬＪを溶射法で
着膜した。このターゲットを寸法１４７ｍｍｘ５２８ｍ
ｍ厚さ２０ｍｍの無酸素銅のバッキングプレートにボン
ディング材としてインジウムを用いて２００℃の温度で
接合した。接合後研削用機械を用いて側面の溶剤層を除
去したその結果、Ｂｉツタ−ットとバッキングプレート
との接合性は極めて良好であることがわかったまた、該
ターゲットをＩＣＰ発光分析法を用いて分析した結果、
ターゲット内部にＣｕ、ｉｎ等の拡散は全く認められな
いことがわか°った。
ゲットの接合面と側面に厚さ３０μのＣＬＪを溶射法で
着膜した。このターゲットを寸法１４７ｍｍｘ５２８ｍ
ｍ厚さ２０ｍｍの無酸素銅のバッキングプレートにボン
ディング材としてインジウムを用いて２００℃の温度で
接合した。接合後研削用機械を用いて側面の溶剤層を除
去したその結果、Ｂｉツタ−ットとバッキングプレート
との接合性は極めて良好であることがわかったまた、該
ターゲットをＩＣＰ発光分析法を用いて分析した結果、
ターゲット内部にＣｕ、ｉｎ等の拡散は全く認められな
いことがわか°った。
（発明の効果）
本発明によれば、従来、メタル系ボンディング材を用い
てはバッキングプレートに接合困難である低融点ターゲ
ットを極めてよく接合できる特徴がある。
てはバッキングプレートに接合困難である低融点ターゲ
ットを極めてよく接合できる特徴がある。
殊に、ボンディング材と同程度あるいはそれより低い融
点の金属あるいは合金のターゲットでもメタル系ボンデ
ィング材を用いて接合することができる特徴がある。
点の金属あるいは合金のターゲットでもメタル系ボンデ
ィング材を用いて接合することができる特徴がある。
また、ターゲット内部へのメタル系ボンディング材およ
びバッキングプレート材からの拡散による汚染をコーテ
ィングした金属層により防止することができる特徴があ
る。
びバッキングプレート材からの拡散による汚染をコーテ
ィングした金属層により防止することができる特徴があ
る。
Claims (1)
- 低融点ターゲットの表面を金属層で被覆し、メタル系ボ
ンディング材を用いてバッキングプレートに接合したの
ち、該ターゲットのスパッタ面および側面あるいは側面
の金属層を除去することを特徴とする低融点スパッタリ
ングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9830089A JP2896518B2 (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 低融点スパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9830089A JP2896518B2 (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 低融点スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02277767A true JPH02277767A (ja) | 1990-11-14 |
| JP2896518B2 JP2896518B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=14216070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9830089A Expired - Lifetime JP2896518B2 (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 低融点スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2896518B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6428663B1 (en) * | 2000-07-03 | 2002-08-06 | Applied Materials, Inc. | Preventing defect generation from targets through applying metal spray coatings on sidewalls |
| JP2012184469A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | Ｉｎスパッタリングターゲットの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6340860B2 (ja) | 2014-01-21 | 2018-06-13 | セイコーエプソン株式会社 | 位置検出装置、プロジェクター、位置検出システム、及び、位置検出装置の制御方法 |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP9830089A patent/JP2896518B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6428663B1 (en) * | 2000-07-03 | 2002-08-06 | Applied Materials, Inc. | Preventing defect generation from targets through applying metal spray coatings on sidewalls |
| JP2012184469A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | Ｉｎスパッタリングターゲットの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2896518B2 (ja) | 1999-05-31 |
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