JPH02267261A - スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットの製造方法Info
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- JPH02267261A JPH02267261A JP8768489A JP8768489A JPH02267261A JP H02267261 A JPH02267261 A JP H02267261A JP 8768489 A JP8768489 A JP 8768489A JP 8768489 A JP8768489 A JP 8768489A JP H02267261 A JPH02267261 A JP H02267261A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
（従来の技術）
スパッタリング法は、真空容器中でＡｒなどのガスを減
圧して放電を起し、ここで生成したＡｒイオンを陰極（
ターゲット）に向って加速衝突させる。ターゲットはＡ
ｒイオンのエネルギーをもらい、その表面はスパッタさ
れ、被スパツタ粒子は対向する電極上の基板−Ｆに堆積
し薄膜を形成する。
圧して放電を起し、ここで生成したＡｒイオンを陰極（
ターゲット）に向って加速衝突させる。ターゲットはＡ
ｒイオンのエネルギーをもらい、その表面はスパッタさ
れ、被スパツタ粒子は対向する電極上の基板−Ｆに堆積
し薄膜を形成する。
一般的に、このスパッタリング法で用いられるターゲッ
トはボンディング材でバッキングプレートと接合して使
用される。
トはボンディング材でバッキングプレートと接合して使
用される。
この場合、バッキングプレートは多くは純銅あるいは銅
系合金、まれにはステンレス等が使用され、ボンディン
グ材はインジウムのような低融点金属、半田のような合
金、樹脂等が使用される。
系合金、まれにはステンレス等が使用され、ボンディン
グ材はインジウムのような低融点金属、半田のような合
金、樹脂等が使用される。
しかし、ターゲットが化学記号で３ｉ、３ｎ。
Ｉｎ、Ｐｂ、Ｚｎあるいはこれらの金属を含む合金のよ
うに低融点である場合、メタル系ボンディング材を使用
するとターゲットはボンディング材に食われてしまいバ
ッキングプレートへの接合が不可能である。
うに低融点である場合、メタル系ボンディング材を使用
するとターゲットはボンディング材に食われてしまいバ
ッキングプレートへの接合が不可能である。
このような場合は樹脂系ボンディング材を使用してター
ゲラ１−とバッキングプレートを接合する方法が一般的
であるが、スパッタリングの方式によっては樹脂系ボン
ディング材が使用できない場合がある。
ゲラ１−とバッキングプレートを接合する方法が一般的
であるが、スパッタリングの方式によっては樹脂系ボン
ディング材が使用できない場合がある。
（解決しようとする問題点）
本発明は、上記のような場合、ボンディング材を使用せ
ずにターゲットとバッキングプレートを接合する新規な
スパッタリングターゲットの￥Ａｊ告方法を提供しよう
とするものである。
ずにターゲットとバッキングプレートを接合する新規な
スパッタリングターゲットの￥Ａｊ告方法を提供しよう
とするものである。
（問題を解決するための手段）
本発明は、バッキングプレート上に金属層をコーティン
グし、その上に低融点のターゲットを接合するスパッタ
リングターゲットの製造方法である。したがって、本発
明によれば、ボンディング材を必要としない。
グし、その上に低融点のターゲットを接合するスパッタ
リングターゲットの製造方法である。したがって、本発
明によれば、ボンディング材を必要としない。
ターゲットとバッキングプレートを接合する方法は、コ
ーティングされた金属層の上に所定寸法の鋳込みのため
の枠材を乗せ溶融したターゲツト材を鋳込む方法、コー
ティングされた金属層の上に低融点のターゲットを乗せ
バッキングプレートを加熱してバッキングプレートとの
ターゲットの接触面を溶解して接合する方法等がある。
ーティングされた金属層の上に所定寸法の鋳込みのため
の枠材を乗せ溶融したターゲツト材を鋳込む方法、コー
ティングされた金属層の上に低融点のターゲットを乗せ
バッキングプレートを加熱してバッキングプレートとの
ターゲットの接触面を溶解して接合する方法等がある。
しかし、バッキングプレートが銅あるいは銅合金である
場合、上記の鋳込方法あるいは溶解接合方法で接合する
とバッキングプレート材がターゲット内部に拡散しター
ゲットが汚染される欠点がある。
場合、上記の鋳込方法あるいは溶解接合方法で接合する
とバッキングプレート材がターゲット内部に拡散しター
ゲットが汚染される欠点がある。
また、バッキングプレー１〜がステンレスの場合ターグ
ツ［〜とのぬれ性がよくないため接合が困難である欠点
がある。
ツ［〜とのぬれ性がよくないため接合が困難である欠点
がある。
バッキングプレート上に金属層をコーティングし、その
上にターゲットを接合する理由は、バッキングプレート
材からの拡散汚染を防止するためおよびターグツ１〜と
のぬれ性のよい金属層をコーティングすることによって
ターゲットとの接合力を向上せしめるためである。
上にターゲットを接合する理由は、バッキングプレート
材からの拡散汚染を防止するためおよびターグツ１〜と
のぬれ性のよい金属層をコーティングすることによって
ターゲットとの接合力を向上せしめるためである。
コーティングする金属層はニッケル、クロムあるいはこ
れらの金属を含む合金が好ましい。
れらの金属を含む合金が好ましい。
コーティングする方法は、メツキ法、蒸着法、スパッタ
リング法等を用いることができるが、コート膜は種類の
異なる金属の多層膜であってもよい。
リング法等を用いることができるが、コート膜は種類の
異なる金属の多層膜であってもよい。
一般的にバッキングプレートはその上に接合されたター
ゲットを使い終ったのらは、その使い残りのターゲット
をバッキングプレートから剥離し、さらに新しいターゲ
ットを接合して使用するのが普通であるが、本発明にな
る鋳込方法のスパッタリングターゲットはスパッタによ
って減った部分に同質ターゲツト材を鋳込方法で継ぎ足
すだけでよく、使い終ったターゲットを剥離する必要は
ない。このためスパッタリングターゲットの製造工程を
著しく短縮することができると同時に、ターゲツト材の
無駄を省くことができる。
ゲットを使い終ったのらは、その使い残りのターゲット
をバッキングプレートから剥離し、さらに新しいターゲ
ットを接合して使用するのが普通であるが、本発明にな
る鋳込方法のスパッタリングターゲットはスパッタによ
って減った部分に同質ターゲツト材を鋳込方法で継ぎ足
すだけでよく、使い終ったターゲットを剥離する必要は
ない。このためスパッタリングターゲットの製造工程を
著しく短縮することができると同時に、ターゲツト材の
無駄を省くことができる。
しかし、鋳込方法で用いる枠材もターゲット内部に拡散
されない材料を選択する必要がある。
されない材料を選択する必要がある。
（実施例１）
寸法１４７ｍｍｘ５２８ｍｍ厚さ２０ｍｍ（７）無酸素
銅のバッキングプレートの表面にメツキ法で厚さ２０μ
のニッケルを着膜した。
銅のバッキングプレートの表面にメツキ法で厚さ２０μ
のニッケルを着膜した。
そのメツキ膜上に寸法１２７ｍｍｘ５０８ｍｍ厚さ５ｍ
ｍのＩ ｎ−３ｎ （９０： １０ｗｔ％）合金のター
ゲットを乗せ、バッキングプレート表面を２００℃に加
熱してターゲットを接合した。
ｍのＩ ｎ−３ｎ （９０： １０ｗｔ％）合金のター
ゲットを乗せ、バッキングプレート表面を２００℃に加
熱してターゲットを接合した。
その結果、［ｎ−３ｎ合金ターゲットとバッキングプレ
ートとの接合性は極めて良好であることがわかった。
ートとの接合性は極めて良好であることがわかった。
また、該ターゲットをＩＣＰ発光分析法を用いて分析し
た結果１、ターゲット内部に銅およびニッケルの拡散は
全く認められないことがわかった。
た結果１、ターゲット内部に銅およびニッケルの拡散は
全く認められないことがわかった。
（実施例２）
寸法１４７ｍｍｘ５２８ｍｍ厚さ２０ｍｍの無酸素銅の
バッキングプレートの表面に蒸着法で厚さ３μのニッケ
ル、厚さ３μのクロム、厚さ３μのスズの三層を着膜し
た。
バッキングプレートの表面に蒸着法で厚さ３μのニッケ
ル、厚さ３μのクロム、厚さ３μのスズの三層を着膜し
た。
その蒸着膜上に寸法１２７ｍｍｘ５０８ｍｍ厚さ５ｍｍ
の鋳込み枠を乗せ、溶融した３ｎを流し込んで鋳込んだ
。そののち鋳込み枠を取り外して鋳込方法によるＳｎの
スパッタリングターゲットを作成した。
の鋳込み枠を乗せ、溶融した３ｎを流し込んで鋳込んだ
。そののち鋳込み枠を取り外して鋳込方法によるＳｎの
スパッタリングターゲットを作成した。
その結果、３ｎターゲツトとバッキングプレートとの接
合性は極めて良好であることがわかったまた、該ターゲ
ットをＩＣＰ発光分析法を用いて分析した結果、ターゲ
ット内部に銅、ニツウ゛ルおよびクロムの拡散は全く認
められないことがわかった。
合性は極めて良好であることがわかったまた、該ターゲ
ットをＩＣＰ発光分析法を用いて分析した結果、ターゲ
ット内部に銅、ニツウ゛ルおよびクロムの拡散は全く認
められないことがわかった。
（発明の効果）
本発明によれば、メタル系ボンディング材を用いてはバ
ッキングプレートに接合困難な低融点ターゲットをボン
ディング材を用いないで極めてよく接合できる特徴があ
る。
ッキングプレートに接合困難な低融点ターゲットをボン
ディング材を用いないで極めてよく接合できる特徴があ
る。
また、金属層をバッキングプレートにコーティングする
ことによって、バッキングプレートからの汚染を防止し
たり、ターゲットとのぬれ性の向上により接合性が極め
てよくなる特徴がある。
ことによって、バッキングプレートからの汚染を防止し
たり、ターゲットとのぬれ性の向上により接合性が極め
てよくなる特徴がある。
近年、スパッタリング法に用いるスパッタリング装置は
益々大型化し、これにともなってスパッタリングターゲ
ットも大型化が要求されているが、本発明は、どのよう
な大型のターゲットにも適用できるためターゲットの大
型化に対応できる利点がある。
益々大型化し、これにともなってスパッタリングターゲ
ットも大型化が要求されているが、本発明は、どのよう
な大型のターゲットにも適用できるためターゲットの大
型化に対応できる利点がある。
Claims (1)
- バッキングプレート上に金属層を設け、その上に低融点
ターゲットを接合することを特徴とするスパッタリング
ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8768489A JPH02267261A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8768489A JPH02267261A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267261A true JPH02267261A (ja) | 1990-11-01 |
Family
ID=13921757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8768489A Pending JPH02267261A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02267261A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6039855A (en) * | 1995-09-27 | 2000-03-21 | Leybold Materials Gmbh | Target for the sputtering cathode of a vacuum coating apparatus and method for its manufacture |
| EP1186682A3 (de) * | 2000-09-05 | 2003-11-26 | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | Zylinderförmiges Sputtertarget und Verfahren zu seiner Herstellung |
| WO2012029356A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 積層構造体及びその製造方法 |
| JP2012184469A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | Ｉｎスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP5175976B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2013-04-03 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5687663A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-16 | Nec Kagoshima Ltd | Thin film forming method |
| JPS61227166A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-09 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用ビスマスまたはビスマス含有タ−ゲツト |
| JPS6340860A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | Toshiba Corp | 分析結果出力装置 |
| JPS6344820A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-25 | 萩原工業株式会社 | 植物を直接被覆する保護シ−ト |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP8768489A patent/JPH02267261A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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| US9062371B2 (en) | 2009-11-20 | 2015-06-23 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target-backing plate assembly, and its production method |
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| JP2012184469A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | Ｉｎスパッタリングターゲットの製造方法 |
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