JPH0227801A - 非同調モノリシックセラミックフィルタの製造方法 - Google Patents
非同調モノリシックセラミックフィルタの製造方法Info
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- JPH0227801A JPH0227801A JP1137314A JP13731489A JPH0227801A JP H0227801 A JPH0227801 A JP H0227801A JP 1137314 A JP1137314 A JP 1137314A JP 13731489 A JP13731489 A JP 13731489A JP H0227801 A JPH0227801 A JP H0227801A
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- dielectric
- frequency
- dielectric means
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
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- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般的に無線周波数（ＲＦ）信号用フィルタに
関し、かつさらに具体的には無線周波数（ＲＦ）信号の
非同期モノリシックセラミックフィルタ及びその製造方
法に関する。
関し、かつさらに具体的には無線周波数（ＲＦ）信号の
非同期モノリシックセラミックフィルタ及びその製造方
法に関する。
従来の多重共振型（ｍｕｊ！ｔ ｉ−ｒｅｓｏｎａｔｏ
ｒ）セラミックフィルタは、典型的には、短縮された短
絡型１／４波長同軸線路或いはヘリカル（ｈｅＩｌｉｃ
ａｊ！）伝送線路である複数の共振器を含んでいる。そ
の共振器は導電性の囲まれた容器内に配置されていて、
かつそれらの共通の側９ｉ（ｗａ１ｊ！ｓ）内の開口窓
によって１つのものを別のものに結合されていてもよい
かもしれない。
ｒ）セラミックフィルタは、典型的には、短縮された短
絡型１／４波長同軸線路或いはヘリカル（ｈｅＩｌｉｃ
ａｊ！）伝送線路である複数の共振器を含んでいる。そ
の共振器は導電性の囲まれた容器内に配置されていて、
かつそれらの共通の側９ｉ（ｗａ１ｊ！ｓ）内の開口窓
によって１つのものを別のものに結合されていてもよい
かもしれない。
各々の共振器は２つの方向のうちの１つにおける望まれ
た応答特性に共通に同調されている。
た応答特性に共通に同調されている。
このような共振器の１つの同調の方向は、共振器の中間
部分を通過して延長した穴へ挿入される同調用スクリュ
ー（ねじ）を用いることによって行なわれている。不幸
なことに、同調用スクリュー（ねじ）はかさばった扱い
にくいものであるから、それが完全に固定される前に同
調用スクリューの調整状態によって、これらのフィルタ
が影響を受けて同調をはずれた状態になりやすくなると
いう理由から、共振器間の望まれた結合状態を補う（オ
フセットする）ことのできる機械的な固定用部品要素を
必要としている。
部分を通過して延長した穴へ挿入される同調用スクリュ
ー（ねじ）を用いることによって行なわれている。不幸
なことに、同調用スクリュー（ねじ）はかさばった扱い
にくいものであるから、それが完全に固定される前に同
調用スクリューの調整状態によって、これらのフィルタ
が影響を受けて同調をはずれた状態になりやすくなると
いう理由から、共振器間の望まれた結合状態を補う（オ
フセットする）ことのできる機械的な固定用部品要素を
必要としている。
各々の共振器を同調することの別な方向は、各々の共振
器のセラミックフィルタの１つの面を導電性めっき用材
料によってめっき（ｐｊａｔｉｎｇ）で被覆することに
よって行なわれている。典型的には、共振器の中間部分
における穴と導電性囲い容器に結合された側壁との間に
おいて表面部分がめつきで被覆されている。このめっき
された表面材料は、その後型まれた応答特性が得られる
までフィルタ内における各々の共振器に対してエツチン
グ（すりへらし：ａｄｒａｄｅｄ）除去されている。こ
の方法はその作業が極めて労働として厳しい状況のもの
であるという点が、不利な点である。各々の共振器にお
けるめっき工程は望ましい応答特性が得られるまで繰り
返してエツチングされ、特性の試験がなされるからであ
る。もしも多くのめつき材料が除去されすぎた場合には
、フィルタは再びめっきされるか或いは廃棄されなけれ
ばならない。さらに、めっき層をエツチングすることは
しばしば結果として共振器のセラミック材料の一部をエ
ツチング除去することになるから、共振器間の結合状態
の整合特性を劣化させることになる。
器のセラミックフィルタの１つの面を導電性めっき用材
料によってめっき（ｐｊａｔｉｎｇ）で被覆することに
よって行なわれている。典型的には、共振器の中間部分
における穴と導電性囲い容器に結合された側壁との間に
おいて表面部分がめつきで被覆されている。このめっき
された表面材料は、その後型まれた応答特性が得られる
までフィルタ内における各々の共振器に対してエツチン
グ（すりへらし：ａｄｒａｄｅｄ）除去されている。こ
の方法はその作業が極めて労働として厳しい状況のもの
であるという点が、不利な点である。各々の共振器にお
けるめっき工程は望ましい応答特性が得られるまで繰り
返してエツチングされ、特性の試験がなされるからであ
る。もしも多くのめつき材料が除去されすぎた場合には
、フィルタは再びめっきされるか或いは廃棄されなけれ
ばならない。さらに、めっき層をエツチングすることは
しばしば結果として共振器のセラミック材料の一部をエ
ツチング除去することになるから、共振器間の結合状態
の整合特性を劣化させることになる。
これらの理由のために、前述の欠陥、欠点を克服したセ
ラミックフィルタに対する同調技術が必要とされるわけ
である。
ラミックフィルタに対する同調技術が必要とされるわけ
である。
フィルタの表面上のめつき層をエツチングしたり研磨に
よって削り取ったり、する必要性を省いた新規な同調プ
ロセス工程をセラミックフィルタ（１１４，１１８）は
用いている。セラミックフィルタのブロック（２１０）
部分を形成する誘電体材料の選択された周波数に関係し
た特性を決定することによって同調は与えられている０
例えば、ブロック（２１０）の１／４波長周波数は測定
さされるであろう０次に、めっきアートワークマスク（
３１０）工程が所定の選択された周波数に関係した特性
に従って設計される。アートワークマスク（３１０）は
その後、所定の選択された周波数に関連した特性を所望
のく特定の）周波数特性にシフトするためにブロック（
２１Ｇ）の表面へ導電性材料（２４０）を選択的に適用
するために使用される。所定の選択された周波数に関係
した特性に基づいてアートワークマスク（３１０）を適
切に設計することによって、ブロック（２１Ｏ）上のめ
つき（２４０）へのいかなるエツチングや研磨も必要と
はされない。
よって削り取ったり、する必要性を省いた新規な同調プ
ロセス工程をセラミックフィルタ（１１４，１１８）は
用いている。セラミックフィルタのブロック（２１０）
部分を形成する誘電体材料の選択された周波数に関係し
た特性を決定することによって同調は与えられている０
例えば、ブロック（２１０）の１／４波長周波数は測定
さされるであろう０次に、めっきアートワークマスク（
３１０）工程が所定の選択された周波数に関係した特性
に従って設計される。アートワークマスク（３１０）は
その後、所定の選択された周波数に関連した特性を所望
のく特定の）周波数特性にシフトするためにブロック（
２１Ｇ）の表面へ導電性材料（２４０）を選択的に適用
するために使用される。所定の選択された周波数に関係
した特性に基づいてアートワークマスク（３１０）を適
切に設計することによって、ブロック（２１Ｏ）上のめ
つき（２４０）へのいかなるエツチングや研磨も必要と
はされない。
上述の欠点を克服するセラミックフィルタに対する同調
技術を提供することが本発明の一般的な目的の１つであ
る０本発明は上述の問題点を解決するためのものであっ
て、かつ、以下のように設計されている。すなわち、こ
のような同調を行なうぺ（、フィルタの上部表面にめっ
きを実行するために予め設計されたアートワーク（工程
）を用いる予め同調されたセラミックフィルタを提供す
る目的で設計されており、しかもデュプレクサにおいて
用いられる可能性のあるものである。
技術を提供することが本発明の一般的な目的の１つであ
る０本発明は上述の問題点を解決するためのものであっ
て、かつ、以下のように設計されている。すなわち、こ
のような同調を行なうぺ（、フィルタの上部表面にめっ
きを実行するために予め設計されたアートワーク（工程
）を用いる予め同調されたセラミックフィルタを提供す
る目的で設計されており、しかもデュプレクサにおいて
用いられる可能性のあるものである。
本明細書において記載された装置構成は誘電体謝ｇａ膚
波数（ＲＦ）通信システムにおいて信号をフィルタリン
グすることのために特に使用される。
波数（ＲＦ）通信システムにおいて信号をフィルタリン
グすることのために特に使用される。
さらに特別には、ここに記載された装置構成はセラミッ
クフィルタの製造を指向しており、特に無線送受信機に
おけるデュプレクサとしてそれらを実装実現することを
指向しているものである。
クフィルタの製造を指向しており、特に無線送受信機に
おけるデュプレクサとしてそれらを実装実現することを
指向しているものである。
第１図はこのような送受信機を図示している。
その送受信機は従来方式によるＲＦ送信機１１０及び従
来方式によるＲＦ受信機１１２を含んでいる。本発明に
従う、新しいセラミックフィルタ１１４はＲＦ送信機１
１０からの送信信号を１つのアンテナ１１６へ結合する
ために用いられている。
来方式によるＲＦ受信機１１２を含んでいる。本発明に
従う、新しいセラミックフィルタ１１４はＲＦ送信機１
１０からの送信信号を１つのアンテナ１１６へ結合する
ために用いられている。
同様に類似した新しいセラミックフィルタ１１８は、ア
ンテナ１１６から受信されたＲＦ倍信号Ｒ力して、フィ
ルタ１１４及び１１８はアンテナ１１６を送受信機へ相
互接続するためのデュプレクサとして機能している。伝
送線路１２０及び１２２は、適当なる電気的結合のため
に、セラミックフィルタ１１４と１１８及びアンテナ１
１６との間にそれぞれ配置構成されている。
ンテナ１１６から受信されたＲＦ倍信号Ｒ力して、フィ
ルタ１１４及び１１８はアンテナ１１６を送受信機へ相
互接続するためのデュプレクサとして機能している。伝
送線路１２０及び１２２は、適当なる電気的結合のため
に、セラミックフィルタ１１４と１１８及びアンテナ１
１６との間にそれぞれ配置構成されている。
フィルタ１１４の通過帯域はＲＦ送信機１１０からの送
信信号の周波数に関してその中心周波数として分布して
おり、一方、同時に受信された周波数のＲＦ倍信号大き
く減衰させている。さらに加えて、伝送線路１２０の長
さは受信された信号の周波数においてそのインピーダン
スを最大化するべく選択されている。
信信号の周波数に関してその中心周波数として分布して
おり、一方、同時に受信された周波数のＲＦ倍信号大き
く減衰させている。さらに加えて、伝送線路１２０の長
さは受信された信号の周波数においてそのインピーダン
スを最大化するべく選択されている。
フィルタ１１８の通過帯域は受信されたＲＦ倍信号周波
数に関してその中心周波数として分布しており、一方間
時に送信信号を大きく減衰させている。伝送線路１２２
の長さは、送信信号周波数においてそのインピーダンス
を最大化するべく選択されている。
数に関してその中心周波数として分布しており、一方間
時に送信信号を大きく減衰させている。伝送線路１２２
の長さは、送信信号周波数においてそのインピーダンス
を最大化するべく選択されている。
同時に、素子１２０及び１２２を具備したフィルタ１１
４及び１１８は単一の誘電体ブロック上に組み合わせて
構成することが可能である。
４及び１１８は単一の誘電体ブロック上に組み合わせて
構成することが可能である。
本発明に従って、第２図においてフィルタ１１４或いは
１１８が詳細に図示されている。フィルタ１１４或いは
１１８は導電性材料で選択的にめっきされている誘電体
材料から構成されているブロック２１０を含んでいる。
１１８が詳細に図示されている。フィルタ１１４或いは
１１８は導電性材料で選択的にめっきされている誘電体
材料から構成されているブロック２１０を含んでいる。
ブロック２１０は、それぞれ１つの入力ＲＦ信号を受信
しかつフィルタされたＲＦ倍信号受信しかつフィルタさ
れたＲＦ倍信号通過させるためのその上にめっきをＸ施
された入力及び出力電極２１４及び２１６を含んでいる
。ＲＦ倍信号、同じ譲り受は人に譲渡されかつ参考文献
として引用され、ここに合体されている、ソコラ（Ｓｏ
ｋｏｊ！ａ）らによる米国特許第４，４３１，９７７号
明細書において議論されている回路のような従来方式の
回路によって、フィルタ１１４或いは１１８の電極２１
４及び２１６へ結合されることが可能である。
しかつフィルタされたＲＦ倍信号受信しかつフィルタさ
れたＲＦ倍信号通過させるためのその上にめっきをＸ施
された入力及び出力電極２１４及び２１６を含んでいる
。ＲＦ倍信号、同じ譲り受は人に譲渡されかつ参考文献
として引用され、ここに合体されている、ソコラ（Ｓｏ
ｋｏｊ！ａ）らによる米国特許第４，４３１，９７７号
明細書において議論されている回路のような従来方式の
回路によって、フィルタ１１４或いは１１８の電極２１
４及び２１６へ結合されることが可能である。
ブロック２１０上の、〆めつき層は電気的に導電性であ
り、望ましくは銅、銀或いはそれらの合金である。この
ようなめつき層は、望ましくは上部表面２１２を除くブ
ロック２１０のすべての表面を下記に議論されているめ
っき層で被覆している。
り、望ましくは銅、銀或いはそれらの合金である。この
ようなめつき層は、望ましくは上部表面２１２を除くブ
ロック２１０のすべての表面を下記に議論されているめ
っき層で被覆している。
もちろん、他の導電性めっき層の配置構成を用いること
も可能である。例えば本発明の譲り受は人に譲渡されか
つここに参考文献として引用され合体されているソコラ
（Ｓｏｋｏｊｔ！ａ）らによる“セラミックバンドパス
フィルタ”と題する米国特許第４．４３１，９７７号明
細書において議論された内容（めっき層材料とその構成
）を参照して下さい。
も可能である。例えば本発明の譲り受は人に譲渡されか
つここに参考文献として引用され合体されているソコラ
（Ｓｏｋｏｊｔ！ａ）らによる“セラミックバンドパス
フィルタ”と題する米国特許第４．４３１，９７７号明
細書において議論された内容（めっき層材料とその構成
）を参照して下さい。
ブロック２１０は５つの穴２０１−２０５を含んでおり
、その各々は上部表面から底部表面へ向けて延長してい
る。穴２０１−２０５を定義する表面は電気的に導電性
の材料でまた同様にめっきされている。めっきされた穴
２０１−２０５の各々は基本的には伝送路共振器であっ
て、望ましいフィルタ応答特性に対して選択された長さ
を具備する短絡回路化された同軸伝送線路から構成され
ている。ブロック２１０は５つのめつきされた穴２０１
−２０５を具備して図示されているけれども、どの番号
のめつきされた穴も望ましいフィルタ応答特性に依存し
て使用されることが可能である。穴２０１−２０５に関
するさらに付加的な記述としては、ソコラ（Ｓｏｋｏｌ
ａ）らによる上述の米国特許第４．４３１，９７７号明
細書を参照することができるであろう。
、その各々は上部表面から底部表面へ向けて延長してい
る。穴２０１−２０５を定義する表面は電気的に導電性
の材料でまた同様にめっきされている。めっきされた穴
２０１−２０５の各々は基本的には伝送路共振器であっ
て、望ましいフィルタ応答特性に対して選択された長さ
を具備する短絡回路化された同軸伝送線路から構成され
ている。ブロック２１０は５つのめつきされた穴２０１
−２０５を具備して図示されているけれども、どの番号
のめつきされた穴も望ましいフィルタ応答特性に依存し
て使用されることが可能である。穴２０１−２０５に関
するさらに付加的な記述としては、ソコラ（Ｓｏｋｏｌ
ａ）らによる上述の米国特許第４．４３１，９７７号明
細書を参照することができるであろう。
もちろん、このような穴はセラミックフィルタにおける
フィルタ動作にとって本質的なものではない。例えば、
セラミック導波路フィルタは時として、誘電体ブロック
を通過する穴をもたずに共振器部分（セクション）を含
んでいることがある。
フィルタ動作にとって本質的なものではない。例えば、
セラミック導波路フィルタは時として、誘電体ブロック
を通過する穴をもたずに共振器部分（セクション）を含
んでいることがある。
例えば、同じ譲り受は人に譲渡され、ここに参考文献と
して引用され合体されている、プラム（Ｂｌｕｍ）らに
よる米国特許第４．６９１．１７９号明細書を参照して
下さい。
して引用され合体されている、プラム（Ｂｌｕｍ）らに
よる米国特許第４．６９１．１７９号明細書を参照して
下さい。
第２図におけるめっきされた穴２０１−２０５によって
供給された伝送線路共振器間の結合状態は誘電体材料を
通して達成されており、しかも誘電体材料の実効的な幅
と隣り合う伝送線路共振器間の距離を変化させることに
よって一定の体系に基づいて調整されている。隣り合う
穴２０１−２０５間の誘電体材料の実効的な幅はいかな
る適当なる規則的な或いは不規則的な方法によっても、
即ち、例えばスロット（ｓ ｌ ｏ ｔ ｓ）を用いる
こと、円筒状の穴、正方形成いは長方形の穴、或いは不
規則な形の穴を用いることによっても調整することがで
きる。
供給された伝送線路共振器間の結合状態は誘電体材料を
通して達成されており、しかも誘電体材料の実効的な幅
と隣り合う伝送線路共振器間の距離を変化させることに
よって一定の体系に基づいて調整されている。隣り合う
穴２０１−２０５間の誘電体材料の実効的な幅はいかな
る適当なる規則的な或いは不規則的な方法によっても、
即ち、例えばスロット（ｓ ｌ ｏ ｔ ｓ）を用いる
こと、円筒状の穴、正方形成いは長方形の穴、或いは不
規則な形の穴を用いることによっても調整することがで
きる。
正確なる調整は以下に議論されるように予め設計された
アートワーク（ａｒｔｗｏｒｋ）めっき工程に従って行
なわれている。
アートワーク（ａｒｔｗｏｒｋ）めっき工程に従って行
なわれている。
さらに、穴２０１−２０５によって与えられる伝送線路
共振器間に配置されためつきされた或いはめつきされて
いない穴は結合状態を調整するために用いられることも
可能である。
共振器間に配置されためつきされた或いはめつきされて
いない穴は結合状態を調整するために用いられることも
可能である。
本発明に従って、ブロック２１０の上部表面２１２は斜
線部類域によって図示された同様の電気的に導電性の材
料（めっき材料）２４０でもって選択的にめっきされて
いる。上部表面２１２のめつきされていない領域、即ち
めっきされた領域の間のギャップ領域は斜線を施されて
いない領域によって図示されている。第２図のブロック
２１０の上部表面上のめつき２４０は本発明に従って、
予め設計されたアートワークマスク３１０ （第３図）
を用いることによってブロック２１０上において配置さ
れている。
線部類域によって図示された同様の電気的に導電性の材
料（めっき材料）２４０でもって選択的にめっきされて
いる。上部表面２１２のめつきされていない領域、即ち
めっきされた領域の間のギャップ領域は斜線を施されて
いない領域によって図示されている。第２図のブロック
２１０の上部表面上のめつき２４０は本発明に従って、
予め設計されたアートワークマスク３１０ （第３図）
を用いることによってブロック２１０上において配置さ
れている。
独特のマスク設計は、ベース（基板）誘電体ブロックの
選択された周波数に関連した特性に基づいている６例え
ば第２図を用いて１ベース（基板）誘電体ブロック”と
いう用語が指示することは、ブロック２１０は上部表面
２１２上にいかなるめっき材料も存在しないという基本
的な形で存在しているということである。望ましくは、
選択された周波数に関連した特性はベース誘電体ブロッ
クの１／４波長周波数を含んでいる。二者択一的に代わ
りになるものとして、ベース（基板）誘電体ブロックの
高さ及び誘電率を用いることができる。
選択された周波数に関連した特性に基づいている６例え
ば第２図を用いて１ベース（基板）誘電体ブロック”と
いう用語が指示することは、ブロック２１０は上部表面
２１２上にいかなるめっき材料も存在しないという基本
的な形で存在しているということである。望ましくは、
選択された周波数に関連した特性はベース誘電体ブロッ
クの１／４波長周波数を含んでいる。二者択一的に代わ
りになるものとして、ベース（基板）誘電体ブロックの
高さ及び誘電率を用いることができる。
ベース誘電体ブロックは低損失で、高い誘電率でかつ誘
電率の温度係数の低い適当なる誘電体材料で構成されて
いる。望ましい実施例においては、ブロック２１０のベ
ース誘電体ブロックは、酸化バリウム、酸化チタン、及
び酸化ジルコニウムを含むセラミック化合物から形成さ
れている。その電気的な特性は１９５８年ｌθ月にアメ
リカセラミック学会のジャーナル、第４１巻、１０号ｐ
ｐ。
電率の温度係数の低い適当なる誘電体材料で構成されて
いる。望ましい実施例においては、ブロック２１０のベ
ース誘電体ブロックは、酸化バリウム、酸化チタン、及
び酸化ジルコニウムを含むセラミック化合物から形成さ
れている。その電気的な特性は１９５８年ｌθ月にアメ
リカセラミック学会のジャーナル、第４１巻、１０号ｐ
ｐ。
３９０−３９４において出版された”Ｂａ０−Ｔｉｏｎ
−５ｎＯ１及びＢａ０−Ｔｉｅ、−ＺｒＯ。
−５ｎＯ１及びＢａ０−Ｔｉｅ、−ＺｒＯ。
三元系システム”と題するジー・エイチ・ジョンカーと
ダブリュー・クラニストロ−らによる論文にはさらに詳
細に記述されている。この文献において記述されたセラ
ミック化合物の内、１８．５モル％のＢａｄ、７７．０
モル％のＴｉｅ、及び４．５モル％のＺｒＯ，の組成を
有し、比誘電率４０を有する第６表の化合物は本発明の
セラミックフィルタにおいて用いられるのに非常に良く
適合している。
ダブリュー・クラニストロ−らによる論文にはさらに詳
細に記述されている。この文献において記述されたセラ
ミック化合物の内、１８．５モル％のＢａｄ、７７．０
モル％のＴｉｅ、及び４．５モル％のＺｒＯ，の組成を
有し、比誘電率４０を有する第６表の化合物は本発明の
セラミックフィルタにおいて用いられるのに非常に良く
適合している。
このような誘電体材料は、非常に数多くのベース誘電体
ブロックを製造するときに好適であるバッチ（ｂａｈｃ
ｈ）として望まし窩くは用いられている。このような誘
電体材料のワンバッチ（Ｏｎｅ ｂａｔｃｈ）は適当
に用いられる時には、セラミック化合物材料を形成する
各元素の均一な分布を与えるであろう、均一なる分布は
、それによって製造されるベース（基板）誘電体ブロッ
ク全体を通してほとんど精度の良い、周波数に関係した
特性を保証している。例えば、１／４波長共振器周波数
の変動分は同じバッチ（−括生産工程）から製造された
ブロック間では無視できるほど少ない（例えば１回の試
行例で測定した結果ではわずか０．４％以下であった）
。しかしながら、このような特性は均一性、一貫性を保
証するためにバッチからの様々なサンプルにもとづいて
測定されるとよいであろう。
ブロックを製造するときに好適であるバッチ（ｂａｈｃ
ｈ）として望まし窩くは用いられている。このような誘
電体材料のワンバッチ（Ｏｎｅ ｂａｔｃｈ）は適当
に用いられる時には、セラミック化合物材料を形成する
各元素の均一な分布を与えるであろう、均一なる分布は
、それによって製造されるベース（基板）誘電体ブロッ
ク全体を通してほとんど精度の良い、周波数に関係した
特性を保証している。例えば、１／４波長共振器周波数
の変動分は同じバッチ（−括生産工程）から製造された
ブロック間では無視できるほど少ない（例えば１回の試
行例で測定した結果ではわずか０．４％以下であった）
。しかしながら、このような特性は均一性、一貫性を保
証するためにバッチからの様々なサンプルにもとづいて
測定されるとよいであろう。
いったんベース（基板）誘電体ブロックがバッチから製
造されたならば、選択された周波数に関係した特性は、
バッチ或いはその実質的な部分に対する代表的な周波数
に関連した特性を決定するために測定される。
造されたならば、選択された周波数に関係した特性は、
バッチ或いはその実質的な部分に対する代表的な周波数
に関連した特性を決定するために測定される。
一部分は代表的な周波数に関係した特性にもとづき、か
つ一部分は外部的に製造されたフィルタ設計仕様にもと
づいて、ブロックの上部表面へ導電性材料を選択的にめ
っきするために用いられるめっきアートワーク（ａｒｔ
ｗｏｒｋ）工程は設計されており、そして、従って特別
注文に応じて製造されるフィルタ特性を有する完全なる
フィルタを提供するためにベース（基板）誘電体ブロッ
クに対して適用されている。望ましくは、コンパクトソ
フトウェア（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｓｏｆｔｗａｒｅ）社
から市販されている“スーパーコンパクト （Ｓｕｐｅ
ｒ−Ｃｏｍｐａｃｔ）”と題するプログラムのような、
従来のコンピュータプログラムによるモデリング及びモ
デル−回路変換を用いてアートワーク（ａｒｔｗｏｒｋ
）は開発されることがよい。
つ一部分は外部的に製造されたフィルタ設計仕様にもと
づいて、ブロックの上部表面へ導電性材料を選択的にめ
っきするために用いられるめっきアートワーク（ａｒｔ
ｗｏｒｋ）工程は設計されており、そして、従って特別
注文に応じて製造されるフィルタ特性を有する完全なる
フィルタを提供するためにベース（基板）誘電体ブロッ
クに対して適用されている。望ましくは、コンパクトソ
フトウェア（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｓｏｆｔｗａｒｅ）社
から市販されている“スーパーコンパクト （Ｓｕｐｅ
ｒ−Ｃｏｍｐａｃｔ）”と題するプログラムのような、
従来のコンピュータプログラムによるモデリング及びモ
デル−回路変換を用いてアートワーク（ａｒｔｗｏｒｋ
）は開発されることがよい。
ベース誘電体ブロックへめっきを施すためにめっきアー
トワーク工程が用いられる方法は従来的な手段を用いて
達成することが可能である。例えばイー・アイ・デュポ
ン・ド・ネモー製造株式会社（Ｅ、 １． Ｄｕ Ｐ
ｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏ’ｕｒｓ＆Ｃｏ、 （Ｉ
ｎｃ、））という親会社に支えられたデュポンエレクト
ロニクス社によって市販されているユ必」２と−（Ｒ４
ｓｔｏｎ”）と呼ばれるドライフィルムイメージ変換シ
ステムを適当な技術として用いることもできる。
トワーク工程が用いられる方法は従来的な手段を用いて
達成することが可能である。例えばイー・アイ・デュポ
ン・ド・ネモー製造株式会社（Ｅ、 １． Ｄｕ Ｐ
ｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏ’ｕｒｓ＆Ｃｏ、 （Ｉ
ｎｃ、））という親会社に支えられたデュポンエレクト
ロニクス社によって市販されているユ必」２と−（Ｒ４
ｓｔｏｎ”）と呼ばれるドライフィルムイメージ変換シ
ステムを適当な技術として用いることもできる。
バッチ間の周波数に関連した特性の変動分に関しては、
フィルタの所望の中心周波数の必要とされるシフト（変
位分）を表現するいくつかのアートワーク工程マスクを
設計することによって充分適応対処することが可能であ
る。例えば、１／４波長ベース（基板）誘電体ブロック
周波数をＩＧアートワークマスク からシフト （Ａｒｔｗｏｒｋ） （Ｓｈｉｆｔ ｆｒｏｍ
）１ １．０１０ ＧＨｚ ２ １．００７ ＧＨｚ ３ １．００４ ＧＨｚ ４ １．００１ ＧＨｚ ５ ０．９９８ ＧＨｚ ６ ０．９９５ ＧＨｚ ７ ０．９９２ ＧＨｚ ヘシフト （Ｓｈｉｆｔ ｔｏ） ８３６．５ Ｍ Ｈｚ ８３６．５ Ｍ Ｈｚ ８３６．５ Ｍ Ｈｚ ８３６．５ Ｍ Ｈｚ ８３６．５ Ｍ Ｈｚ ８３６．５ Ｍ Ｈｚ ８３６．５ Ｍ Ｈｚ バッチによっては、結果として０．９９０ＧＨ２から１
．０１０ＧＨｚまで（２０ＭＨｚの変位分で）変動する
１７４波長ベース（基板）誘電体ブロック周波数が生ず
ることになる。７枚のアートワークマスクを設計するこ
とによって、各マスクは１／４波長（基板）誘電体ブロ
ック周波数を以下のように移動変化（シフト）させるべ
く設計されていてもさしつかえない、即ち このような方式で、２０ＭＨｚの１つのバッチから次の
バッチへの変位分が、１／４波長周波数特性を測定する
ことによって、そしてさらにブロックにめっきを施す適
当なアートワークマスクを選択することによって、３
Ｍ Ｈｚの精度の範囲内で補償されていてもさしつえな
い。
フィルタの所望の中心周波数の必要とされるシフト（変
位分）を表現するいくつかのアートワーク工程マスクを
設計することによって充分適応対処することが可能であ
る。例えば、１／４波長ベース（基板）誘電体ブロック
周波数をＩＧアートワークマスク からシフト （Ａｒｔｗｏｒｋ） （Ｓｈｉｆｔ ｆｒｏｍ
）１ １．０１０ ＧＨｚ ２ １．００７ ＧＨｚ ３ １．００４ ＧＨｚ ４ １．００１ ＧＨｚ ５ ０．９９８ ＧＨｚ ６ ０．９９５ ＧＨｚ ７ ０．９９２ ＧＨｚ ヘシフト （Ｓｈｉｆｔ ｔｏ） ８３６．５ Ｍ Ｈｚ ８３６．５ Ｍ Ｈｚ ８３６．５ Ｍ Ｈｚ ８３６．５ Ｍ Ｈｚ ８３６．５ Ｍ Ｈｚ ８３６．５ Ｍ Ｈｚ ８３６．５ Ｍ Ｈｚ バッチによっては、結果として０．９９０ＧＨ２から１
．０１０ＧＨｚまで（２０ＭＨｚの変位分で）変動する
１７４波長ベース（基板）誘電体ブロック周波数が生ず
ることになる。７枚のアートワークマスクを設計するこ
とによって、各マスクは１／４波長（基板）誘電体ブロ
ック周波数を以下のように移動変化（シフト）させるべ
く設計されていてもさしつかえない、即ち このような方式で、２０ＭＨｚの１つのバッチから次の
バッチへの変位分が、１／４波長周波数特性を測定する
ことによって、そしてさらにブロックにめっきを施す適
当なアートワークマスクを選択することによって、３
Ｍ Ｈｚの精度の範囲内で補償されていてもさしつえな
い。
従って、ブロックの１／４波長共振周波数が選択された
周波数に関連した特性として用いられる場所では、めっ
き用アートワーク工程は、ブロックの共振周波数をフィ
ルタ設計に対する特定の中心共振周波数まで下げるべく
シフト移動させるように施行されていてもよい。この工
程技術は、以前に議論された先行技術に対して重要な利
点を提供している０例えば、スクリーン印刷され、かつ
同調されたフィルタの１２個のフィルタブロックの検査
結果は周波数、ギャップ間隔及び結合係数の測定項目を
含んでいる。１２個のフィルタは所望の内部挿入損失を
持ち、良好な減衰特性仕様を持っており従来の表面研磨
による同調技術に比べてはるかに特性が優れている。
周波数に関連した特性として用いられる場所では、めっ
き用アートワーク工程は、ブロックの共振周波数をフィ
ルタ設計に対する特定の中心共振周波数まで下げるべく
シフト移動させるように施行されていてもよい。この工
程技術は、以前に議論された先行技術に対して重要な利
点を提供している０例えば、スクリーン印刷され、かつ
同調されたフィルタの１２個のフィルタブロックの検査
結果は周波数、ギャップ間隔及び結合係数の測定項目を
含んでいる。１２個のフィルタは所望の内部挿入損失を
持ち、良好な減衰特性仕様を持っており従来の表面研磨
による同調技術に比べてはるかに特性が優れている。
本発明において新規性あり止信じられている本発明の特
徴は請求された特許請求の範囲においてその特異性とと
もに提示されている。本発明は、さらにその目的及び利
点とともに、参照番号が各要素部分を同定する添付され
る図面に対して与えられる以下の説明を参照することに
よって最も良く理解されうるであろう、ここで 第１図は本発明に従う、２つのフィルタを用いる無線周
波数（ＲＦ）受信機の図面である。 第２図は本発明に従う、第１図のフィルタ１１４或いは
１１８の内の１つの拡大図である。 第３図は本発明に従う、アートワーク（工程）マスクの
１つの図面である。 １１０・・・無線周波数（ＲＦ）送信機、１１２・・・
無線周波数（ＲＦ）受信機、１１６・・・アンテナ、１
１４．１１８・・・フィルタ、１２０，１２２・・・伝
送線路、２０１，２０２，２０３，２０４，２０５・・
・穴、２１０・・・誘電体ブロック、２１２・・・上部
表面、２１４．２１６・・・電極、２４０・・・電気的
導電性めっき材料、３１０・・・所定のアートワークマ
スク 特許出願人 モトローラ・インコーボレーテッド代理人
弁理士 玉 蟲 久五部
徴は請求された特許請求の範囲においてその特異性とと
もに提示されている。本発明は、さらにその目的及び利
点とともに、参照番号が各要素部分を同定する添付され
る図面に対して与えられる以下の説明を参照することに
よって最も良く理解されうるであろう、ここで 第１図は本発明に従う、２つのフィルタを用いる無線周
波数（ＲＦ）受信機の図面である。 第２図は本発明に従う、第１図のフィルタ１１４或いは
１１８の内の１つの拡大図である。 第３図は本発明に従う、アートワーク（工程）マスクの
１つの図面である。 １１０・・・無線周波数（ＲＦ）送信機、１１２・・・
無線周波数（ＲＦ）受信機、１１６・・・アンテナ、１
１４．１１８・・・フィルタ、１２０，１２２・・・伝
送線路、２０１，２０２，２０３，２０４，２０５・・
・穴、２１０・・・誘電体ブロック、２１２・・・上部
表面、２１４．２１６・・・電極、２４０・・・電気的
導電性めっき材料、３１０・・・所定のアートワークマ
スク 特許出願人 モトローラ・インコーボレーテッド代理人
弁理士 玉 蟲 久五部
Claims (8)
- １．上部、側壁部及び底部表面を具備する誘電体材料に
よつて構成された誘電体手段を形成し、前記誘電体手段
はさらに、その上部表面から底部表面に向けて延長しか
つ互いに所定の距離を隔てて空間的に配置された少なく
とも２つの穴を具備し、前記誘電体手段の側壁部及び底
部表面は前記少なくとも２つの穴の各々に対して伝送線
路共振器を提供する導電性材料で選択的に被覆されてお
り、前記方法は、 前記誘電体手段の予め選択された周波数に関連した特性
を測定するステップと、 測定された予め選択された周波数に関連した特性に応答
して複数のアートワークマスクの内の１つを選択するス
テップと、及び 前記複数のアートワークマスクの内の選択された１つを
用いて、前記誘電体手段の上部表面へ導電性材料を適用
するステップとによつて特徴づけられた非同調モノリシ
ックセラミックフィルタの製造方法。 - ２．選択された周波数に関連した特性を測定するステッ
プが前記誘電体手段の１／４波長周波数を測定すること
のステップを含むことを特徴とする前記請求項１記載の
非同調モノリシックセラミックフィルタの製造方法。 - ３．前記誘電体手段を製造するステップが、前記少なく
とも２つの穴の表面をめつきすることのステップを含む
ことを特徴とする前記請求項１記載の非同調モノリシッ
クセラミックフィルタの製造方法。 - ４．選択された周波数に関連した特性を測定するステッ
プが前記誘電体手段の高さを測定するステップを含むこ
とを特徴とする前記請求項１記載の非同調モノリシック
セラミックフィルタの製造方法。 - ５．選択された周波数に関連した特性を測定するステッ
プ前記誘電体手段の誘電率を測定するステップを含むこ
とを特徴とする前記請求項１記載の非同調モノリシック
セラミックフィルタの製造方法。 - ６．選択された周波数に関係した特性を測定するステッ
プが前記誘電体手段の高さ及び誘電率を測定することの
ステップを含むことを特徴とする前記請求項１記載の非
同調モノリシックセラミックフィルタの製造方法。 - ７．上部、側壁部及び底部表面を具備する誘電体材料に
よつて構成された誘電体手段から構成されたフィルタで
あつて、前記誘電体手段はさらに、その上部表面から底
部表面に向けて延長しかつ互いに所定の距離を隔てて空
間的に配置された少なくとも２つの穴を具備し、前記誘
電体手段の側壁部及び底部表面は前記少なくとも２つの
穴の各々に対して伝送線路共振器を提供する導電性材料
で選択的に被覆されており、しかも測定可能な周波数に
関連した特性をさらに具備しており、かつ前記フィルタ
はさらに前記誘電体手段の上部表面上に配置された予め
前もつて同調された導電性めつき手段によつて特徴づけ
られており、前記予め前もつて同調された導電性めつき
手段は前記誘電体手段の周波数に関連した特性上におい
て少なくとも部分的に予め前もつて同調されていること
を特徴とする非同調モノリシックセラミックフィルタ。 - ８．無線周波数（ＲＦ）通信用の少なくとも１つのアン
テナを具備する無線周波数（ＲＦ）送受信機において使
用されるデユプレクサ用非同調モノリシックセラミック
フィルタであつて、 望ましい送信周波数の範囲を選択的に通過させ、上部、
側壁部及び底部表面を具備する誘電体材料によつて構成
された誘電体手段を具備し、前記誘電体手段はさらに、
その上部表面から底表面に向けて延長しかつ互いに所定
の距離を隔てて空間的に配置された少なくとも２つの穴
を具備し、前記誘電体手段の側壁部及び底部表面は前記
少なくとも２つの穴の各々に対して伝送線路共振器を提
供する導電性材料で選択的に被覆されている第１のセラ
ミックフィルタと、 望ましい受信周波数の範囲を選択的に通過させ、上部、
側壁部及び底部表面を具備する誘電体材料によつて構成
された誘電体手段を具備し、前記誘電体手段はさらに、
その上部表面から底部表面に向けて延長しかつ互いに所
定の距離を隔てて空間的に配置された少なくとも２つの
穴を具備し、前記誘電体手段の側壁部及び底部表面は前
記少なくとも２つの穴の各々に対して伝送線路共振器を
提供する導電性材料で選択的に被覆されている第２のセ
ラミックフィルタと、 前記第１のフィルタ及び前記第２のフィルタは、それを
通じて通信用アンテナへ結合されていて、かつ前記ＲＦ
送受信機において使用されるデユプレクサはさらに、以
下の点で特徴づけられている、即ち 前記第１及び第２のセラミックフィルタの内の少なくと
も１つはさらに測定可能な周波数に関連した特性を具備
し、かつ前記誘電体手段の上部表面上に配置された予め
前もつて同調された導電性めつき手段を具備し、前記予
め同調された導電性めつき手段は前記誘電体手段の周波
数に関係した特性上において少なくとも部分的に存在し
ていることを特徴とする、前記ＲＦ送受信機に用いられ
るデユプレクサ用非同調セラミックフィルタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US20262388A | 1988-06-06 | 1988-06-06 | |
| US202,623 | 1988-06-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227801A true JPH0227801A (ja) | 1990-01-30 |
| JPH06103802B2 JPH06103802B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=22750644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1137314A Expired - Lifetime JPH06103802B2 (ja) | 1988-06-06 | 1989-05-30 | 非同調モノリシックセラミックフィルタの製造方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0345507B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06103802B2 (ja) |
| KR (1) | KR930002634B1 (ja) |
| AT (1) | ATE108951T1 (ja) |
| CA (1) | CA1311535C (ja) |
| DE (1) | DE68916865T2 (ja) |
| FI (1) | FI96457C (ja) |
| IE (1) | IE65457B1 (ja) |
| MX (1) | MX169825B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000174503A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体フィルタ及び該フィルタの周波数帯域幅の調整 方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6285002U (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-30 | ||
| JPS6342201A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-23 | Alps Electric Co Ltd | マイクロ波分波器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4266206A (en) * | 1978-08-31 | 1981-05-05 | Motorola, Inc. | Stripline filter device |
| US4716391A (en) * | 1986-07-25 | 1987-12-29 | Motorola, Inc. | Multiple resonator component-mountable filter |
-
1989
- 1989-05-08 CA CA000599011A patent/CA1311535C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-19 DE DE68916865T patent/DE68916865T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-19 AT AT89109027T patent/ATE108951T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-05-19 EP EP89109027A patent/EP0345507B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-23 FI FI892501A patent/FI96457C/fi not_active IP Right Cessation
- 1989-05-24 MX MX016175A patent/MX169825B/es unknown
- 1989-05-30 JP JP1137314A patent/JPH06103802B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-02 KR KR1019890007574A patent/KR930002634B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-12 IE IE174689A patent/IE65457B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6285002U (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-30 | ||
| JPS6342201A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-23 | Alps Electric Co Ltd | マイクロ波分波器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MX169825B (es) | 1993-07-27 |
| EP0345507A3 (en) | 1990-09-12 |
| FI892501L (fi) | 1989-12-07 |
| FI96457C (fi) | 1996-06-25 |
| IE65457B1 (en) | 1995-11-01 |
| EP0345507B1 (en) | 1994-07-20 |
| IE891746L (en) | 1989-12-06 |
| FI892501A0 (fi) | 1989-05-23 |
| KR900001118A (ko) | 1990-01-31 |
| JPH06103802B2 (ja) | 1994-12-14 |
| EP0345507A2 (en) | 1989-12-13 |
| CA1311535C (en) | 1992-12-15 |
| KR930002634B1 (ko) | 1993-04-06 |
| ATE108951T1 (de) | 1994-08-15 |
| FI96457B (fi) | 1996-03-15 |
| DE68916865T2 (de) | 1995-01-26 |
| DE68916865D1 (de) | 1994-08-25 |
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