JPH06103802B2 - 非同調モノリシックセラミックフィルタの製造方法 - Google Patents
非同調モノリシックセラミックフィルタの製造方法Info
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- JPH06103802B2 JPH06103802B2 JP1137314A JP13731489A JPH06103802B2 JP H06103802 B2 JPH06103802 B2 JP H06103802B2 JP 1137314 A JP1137314 A JP 1137314A JP 13731489 A JP13731489 A JP 13731489A JP H06103802 B2 JPH06103802 B2 JP H06103802B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
-
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は一般的に無線周波数（RF）信号用フィルタの製
造方法に関し、かつさらに具体的には無線周波数（RF）
信号の非同調モノリシックセラミックフィルタの製造方
法に関する。
造方法に関し、かつさらに具体的には無線周波数（RF）
信号の非同調モノリシックセラミックフィルタの製造方
法に関する。
従来の多重共振型（multi−resonator）セラミックフィ
ルタは、典型的には、短縮された短絡型1/4波長同軸線
路或いはヘリカル伝送線路である複数の共振器を含んで
いる。その共振器は導電性の囲まれた容器内に配置され
ていて、かつそれらの共通の側壁内の開口窓によって１
つのものを別のものに結合されていてもよいかもしれな
い。各々の共振器は２つの方向のうちの１つにおける望
まれた応答特性に共通に同調されている。
ルタは、典型的には、短縮された短絡型1/4波長同軸線
路或いはヘリカル伝送線路である複数の共振器を含んで
いる。その共振器は導電性の囲まれた容器内に配置され
ていて、かつそれらの共通の側壁内の開口窓によって１
つのものを別のものに結合されていてもよいかもしれな
い。各々の共振器は２つの方向のうちの１つにおける望
まれた応答特性に共通に同調されている。
このような共振器の１つの同調の方向は、共振器の中間
部分を通過して延長した穴へ挿入される同調用スクリュ
ー（ねじ）を用いることによって行われている。不幸な
ことに、同調用スクリュー（ねじ）はかさばった扱いに
くいものであるから、それが完全に固定される前に同調
用スクリューの調整状態によって、これらのフィルタが
影響を受けて同調をはずれた状態になりやすくなるとい
う理由から、共振器間の望まれた結合状態を補う（オフ
セットする）ことのできる機械的な固定用部品要素を必
要としている。
部分を通過して延長した穴へ挿入される同調用スクリュ
ー（ねじ）を用いることによって行われている。不幸な
ことに、同調用スクリュー（ねじ）はかさばった扱いに
くいものであるから、それが完全に固定される前に同調
用スクリューの調整状態によって、これらのフィルタが
影響を受けて同調をはずれた状態になりやすくなるとい
う理由から、共振器間の望まれた結合状態を補う（オフ
セットする）ことのできる機械的な固定用部品要素を必
要としている。
各々の共振器を同調することの別な方向は、各々の共振
器のセラミックフィルタの１つの面を導電性めっき用材
料によってめっきで被覆することによって行なわれてい
る。典型的には、共振器の中間部分における穴と導電性
囲い容器に結合された側壁との間において表面部分がめ
っきで被覆されている。このめっきされた表面材料は、
その後望まれた応答特性が得られるまでフィルタ内にお
ける各々の共振器に対してエッチング除去されている。
この方法はその作業が極めて労働として厳しい状況のも
のであるという点が、不利な点である。各々の共振器に
おけるめっき工程は望ましい応答特性が得られるまで繰
り返してエッチングされ、特性の試験がなされるからで
ある。もしも多くのめっき材料が除去されすぎた場合に
は、フィルタは再びめっきされるか或いは廃棄されなけ
ればならない。さらに、めっき層をエッチングすること
はしばしば結果として共振器のセラミック材料の一部を
エッチング除去することになるから、共振器間の結合状
態の整合特性を劣化させることになる。
器のセラミックフィルタの１つの面を導電性めっき用材
料によってめっきで被覆することによって行なわれてい
る。典型的には、共振器の中間部分における穴と導電性
囲い容器に結合された側壁との間において表面部分がめ
っきで被覆されている。このめっきされた表面材料は、
その後望まれた応答特性が得られるまでフィルタ内にお
ける各々の共振器に対してエッチング除去されている。
この方法はその作業が極めて労働として厳しい状況のも
のであるという点が、不利な点である。各々の共振器に
おけるめっき工程は望ましい応答特性が得られるまで繰
り返してエッチングされ、特性の試験がなされるからで
ある。もしも多くのめっき材料が除去されすぎた場合に
は、フィルタは再びめっきされるか或いは廃棄されなけ
ればならない。さらに、めっき層をエッチングすること
はしばしば結果として共振器のセラミック材料の一部を
エッチング除去することになるから、共振器間の結合状
態の整合特性を劣化させることになる。
これらの理由のために、前述の欠陥、欠点を克服したセ
ラミックフィルタに対する同調技術が必要とされるわけ
である。
ラミックフィルタに対する同調技術が必要とされるわけ
である。
上述の欠点を克服する非同調セラミックフィルタの製造
方法を提供することが本発明の一般的な目的の１つであ
る。本発明は上述の問題点を解決するためのものであっ
て、かつ、以下のように設計されている。すなわち、こ
のような同調を行なうべく、フィルタの上部表面にめっ
きを実行するために予め設計されたアートワーク（工
程）を用いる非同調セラミックフィルタの製造方法を提
供する目的で設計されており、しかもデュプレクサにお
いて用いられる可能性のあるものである。
方法を提供することが本発明の一般的な目的の１つであ
る。本発明は上述の問題点を解決するためのものであっ
て、かつ、以下のように設計されている。すなわち、こ
のような同調を行なうべく、フィルタの上部表面にめっ
きを実行するために予め設計されたアートワーク（工
程）を用いる非同調セラミックフィルタの製造方法を提
供する目的で設計されており、しかもデュプレクサにお
いて用いられる可能性のあるものである。
本明細書において記載された装置構成は誘電体無線周波
数（RF）通信システムにおいて信号をフィルタリングす
ることのために特に使用される。さらに特別には、ここ
に記載された装置構成はセラミックフィルタの製造を指
向しており、特に無線送受信機におけるデュプレクサと
してそれらを実装実現することを指向しているものであ
る。
数（RF）通信システムにおいて信号をフィルタリングす
ることのために特に使用される。さらに特別には、ここ
に記載された装置構成はセラミックフィルタの製造を指
向しており、特に無線送受信機におけるデュプレクサと
してそれらを実装実現することを指向しているものであ
る。
第１図はこのような送受信機を図示している。その送受
信機は従来方式によるRF送信機110及び従来方式によるR
F受信機112を含んでいる。本発明に従う、新しいセラミ
ックフィルタ114はRF送信機110からの送信信号を１つの
アンテナ116へ結合するために用いられている。同様に
類似した新しいセラミックフィルタ118は、アンテナ116
から受信されたRF信号をRF受信機112へ結合するために
アンテナ116とRF受信機112との間に用いられている。一
致協力して、フィルタ114及び118はアンテナ116を送受
信機へ相互接続するためにデュプレクサとして機能して
いる。伝送線路120及び122は、適当なる電気的結合のた
めに、セラミックフィルタ114と118及びアンテナ116と
の間にそれぞれ配置構成されている。
信機は従来方式によるRF送信機110及び従来方式によるR
F受信機112を含んでいる。本発明に従う、新しいセラミ
ックフィルタ114はRF送信機110からの送信信号を１つの
アンテナ116へ結合するために用いられている。同様に
類似した新しいセラミックフィルタ118は、アンテナ116
から受信されたRF信号をRF受信機112へ結合するために
アンテナ116とRF受信機112との間に用いられている。一
致協力して、フィルタ114及び118はアンテナ116を送受
信機へ相互接続するためにデュプレクサとして機能して
いる。伝送線路120及び122は、適当なる電気的結合のた
めに、セラミックフィルタ114と118及びアンテナ116と
の間にそれぞれ配置構成されている。
フィルタ114の通過帯域はRF送信機110からの送信信号の
周波数に関してその中心周波数として分布しており、一
方、同時に受信された周波数のRF信号を大きく減衰させ
ている。さらに加えて、伝送線路120の長さは受信され
た信号の周波数においてそのインピーダンスを最大化す
るべく選択されている。
周波数に関してその中心周波数として分布しており、一
方、同時に受信された周波数のRF信号を大きく減衰させ
ている。さらに加えて、伝送線路120の長さは受信され
た信号の周波数においてそのインピーダンスを最大化す
るべく選択されている。
フィルタ118の通過帯域は受信されたRF信号の周波数に
関してその中心周波数として分布しており、一方同時に
送信信号を大きく減衰させている。伝送線路122の長さ
は、送信信号周波数においてそのインピーダンスを最大
化するべく選択されている。
関してその中心周波数として分布しており、一方同時に
送信信号を大きく減衰させている。伝送線路122の長さ
は、送信信号周波数においてそのインピーダンスを最大
化するべく選択されている。
同時に、素子120及び122を具備したフィルタ114及び118
は単一の誘電体ブロック上に組み合わせて構成すること
が可能である。
は単一の誘電体ブロック上に組み合わせて構成すること
が可能である。
本発明に従って、第２図においてフィルタ114或いは118
が詳細に図示されている。フィルタ114或いは118は導電
性材料で選択的にめっきされている誘電体材料から構成
されているブロック210を含んでいる。ブロック210は、
それぞれ１つの入力RF信号を受信しかつフィルタされた
RF信号を受信しかつフィルタされたRF信号を通過させる
ためのその上にめっきを施された入力及び出力電極214
及び216を含んでいる。RF信号は、同じ譲り受け人に譲
渡されかつ参考文献して引用され、ここに合体されてい
る。ソコラ（Sokola）らによる米国特許第4,431,977号
明細書において議論されている回路のような従来方式の
回路によって、フィルタ114或いは118の電極214及び216
へ結合されることが可能である。
が詳細に図示されている。フィルタ114或いは118は導電
性材料で選択的にめっきされている誘電体材料から構成
されているブロック210を含んでいる。ブロック210は、
それぞれ１つの入力RF信号を受信しかつフィルタされた
RF信号を受信しかつフィルタされたRF信号を通過させる
ためのその上にめっきを施された入力及び出力電極214
及び216を含んでいる。RF信号は、同じ譲り受け人に譲
渡されかつ参考文献して引用され、ここに合体されてい
る。ソコラ（Sokola）らによる米国特許第4,431,977号
明細書において議論されている回路のような従来方式の
回路によって、フィルタ114或いは118の電極214及び216
へ結合されることが可能である。
ブロック210上のめっき層は電気的に導電性であり、望
ましくは銅、銀或いはそれらの合金である。このような
めっき層は、望ましくは上部表面212を除くブロック210
のすべての表面を下記に議論されているめっき層で被覆
している。もちろん、他の導電性めっき層の配置構成を
用いることも可能である。例えば本発明の譲り受け人に
譲渡されかつここに参考文献として引用され合体されて
いるソコラ（Sokola）らによる“セラミックバンドパス
フィルタ”と題する米国特許第4,431,977号明細書にお
いて議論された内容（めっき層材料とその構成）を参照
して下さい。
ましくは銅、銀或いはそれらの合金である。このような
めっき層は、望ましくは上部表面212を除くブロック210
のすべての表面を下記に議論されているめっき層で被覆
している。もちろん、他の導電性めっき層の配置構成を
用いることも可能である。例えば本発明の譲り受け人に
譲渡されかつここに参考文献として引用され合体されて
いるソコラ（Sokola）らによる“セラミックバンドパス
フィルタ”と題する米国特許第4,431,977号明細書にお
いて議論された内容（めっき層材料とその構成）を参照
して下さい。
ブロック210は５つの穴210−205を含んでおり、その各
々は上部表面から底部表面へ向けて延長している。穴20
1−205を定義する表面は電気的に導電性の材料でまた同
様にめっきされている。めっきされた穴201−205の各々
は基本的には伝送路共振器であって、望ましいフィルタ
応答特性に対して選択された長さを具備する短絡回路化
された同軸伝送線路から構成されている。ブロック210
は５つのめっきされた穴201−205を具備して図示されて
いるけれども、どの番号のめっきされた穴も望ましいフ
ィルタ応答特性に依存して使用されることが可能であ
る。穴201−205に関するさらに付加的な記述としては、
ソコラ（Sokola）らによる上述の米国特許第4,431,977
号明細書を参照することができるであろう。
々は上部表面から底部表面へ向けて延長している。穴20
1−205を定義する表面は電気的に導電性の材料でまた同
様にめっきされている。めっきされた穴201−205の各々
は基本的には伝送路共振器であって、望ましいフィルタ
応答特性に対して選択された長さを具備する短絡回路化
された同軸伝送線路から構成されている。ブロック210
は５つのめっきされた穴201−205を具備して図示されて
いるけれども、どの番号のめっきされた穴も望ましいフ
ィルタ応答特性に依存して使用されることが可能であ
る。穴201−205に関するさらに付加的な記述としては、
ソコラ（Sokola）らによる上述の米国特許第4,431,977
号明細書を参照することができるであろう。
もちろん、このような穴はセラミックフィルタにおける
フィルタ動作にとつて本質的なものではない。例えば、
セラミック導波路フィルタは時として、誘電体ブロック
を通過する穴をもたずに共振器部分を含んでいることが
ある。例えば、同じ譲り受け人に譲渡され、ここに参考
文献として引用され合体されている、ブラム（Blum）ら
による米国特許4,691,179号明細書を参照して下さい。
フィルタ動作にとつて本質的なものではない。例えば、
セラミック導波路フィルタは時として、誘電体ブロック
を通過する穴をもたずに共振器部分を含んでいることが
ある。例えば、同じ譲り受け人に譲渡され、ここに参考
文献として引用され合体されている、ブラム（Blum）ら
による米国特許4,691,179号明細書を参照して下さい。
第２図におけるめっきされた穴201−205によって供給さ
れた伝送線路共振器間の結合状態は誘電体材料を通して
達成されており、しかも誘電体材料の実効的な幅と隣り
合う伝送線路共振器間の距離を変化させることによって
一定の体系に基づいて調整されている。隣り合う穴201
−205間の誘電体材料の実効的な幅はいかなる適当なる
規則的な或いは不規則的な方法によっても、即ち、例え
ばスロットを用いること、円筒状の穴、正方形或いは長
方形の穴、或いは不規則な形の穴を用いることによって
も調整することができる。
れた伝送線路共振器間の結合状態は誘電体材料を通して
達成されており、しかも誘電体材料の実効的な幅と隣り
合う伝送線路共振器間の距離を変化させることによって
一定の体系に基づいて調整されている。隣り合う穴201
−205間の誘電体材料の実効的な幅はいかなる適当なる
規則的な或いは不規則的な方法によっても、即ち、例え
ばスロットを用いること、円筒状の穴、正方形或いは長
方形の穴、或いは不規則な形の穴を用いることによって
も調整することができる。
正確な調整は以下に議論されるように予め設計されたア
ートワークめっき工程に従って行なわれている。
ートワークめっき工程に従って行なわれている。
さらに、穴201−205によって与えられる伝送線路共振器
間に配置されためっきされた或いはめっきされていない
穴は結合状態を調整するために用いられることも可能で
ある。
間に配置されためっきされた或いはめっきされていない
穴は結合状態を調整するために用いられることも可能で
ある。
従って、本発明の構成は以下に示す通りである。即ち、
上部表面（212）、側壁部表面及び底部表面を具備する
誘電体材料（210）によって構成された誘電体手段を形
成し、前記上部表面（212）から前記底部表面に向けて
延長され互いに所定の距離を隔てて空間的に配置された
少なくとも２つの穴（201−205）を形成し、前記誘電体
手段の前記側壁部表面及び前記底部表面と前記少なくと
も２つの穴（201−205）を導電性材料（240）で選択的
に被覆して前記少なくとも２つの穴（201−205）の各々
に対して伝送線路共振器を形成する工程と、 前記誘電体手段の予め選択された周波数特性を有する値
を測定する工程と、 予め選択された周波数特性の値の範囲に対応してそれぞ
れ異なったパターンを具備して形成された複数のアート
ワークマスク（310）を形成する工程と、 複数のアートワークマスク（310）の内から予め選択さ
れた周波数特性の測定値を含む範囲の値に対応する１つ
のアートワークマスクを選択する工程と、及び 前記複数のアートワークマスク（310）の内の選択され
た１つのパターンに合わせて前記誘電体手段の上部表面
へ導電性材料（240）を形成し、前記誘電体手段の上部
表面の導電性材料を除去して付加的な同調を行なう工程
を不要とする工程とを含む、非同調モノリシックセラミ
ックフィルタの製造方法としての構成を有する。
上部表面（212）、側壁部表面及び底部表面を具備する
誘電体材料（210）によって構成された誘電体手段を形
成し、前記上部表面（212）から前記底部表面に向けて
延長され互いに所定の距離を隔てて空間的に配置された
少なくとも２つの穴（201−205）を形成し、前記誘電体
手段の前記側壁部表面及び前記底部表面と前記少なくと
も２つの穴（201−205）を導電性材料（240）で選択的
に被覆して前記少なくとも２つの穴（201−205）の各々
に対して伝送線路共振器を形成する工程と、 前記誘電体手段の予め選択された周波数特性を有する値
を測定する工程と、 予め選択された周波数特性の値の範囲に対応してそれぞ
れ異なったパターンを具備して形成された複数のアート
ワークマスク（310）を形成する工程と、 複数のアートワークマスク（310）の内から予め選択さ
れた周波数特性の測定値を含む範囲の値に対応する１つ
のアートワークマスクを選択する工程と、及び 前記複数のアートワークマスク（310）の内の選択され
た１つのパターンに合わせて前記誘電体手段の上部表面
へ導電性材料（240）を形成し、前記誘電体手段の上部
表面の導電性材料を除去して付加的な同調を行なう工程
を不要とする工程とを含む、非同調モノリシックセラミ
ックフィルタの製造方法としての構成を有する。
或いはまた、予め選択された周波数特性を有する値を測
定する工程は前記誘電体手段の1/4波長周波数の値を測
定する工程を含む非同調モノリシックセラミックフィル
タの製造方法としての構成を有する。
定する工程は前記誘電体手段の1/4波長周波数の値を測
定する工程を含む非同調モノリシックセラミックフィル
タの製造方法としての構成を有する。
或いはまた、前記誘電体手段を形成する工程は、前記少
なくとも２つの穴の表面を導電性材料（240）でめっき
する工程を含む非同調モノリシックセラミックフィルタ
の製造方法としての構成を有する。
なくとも２つの穴の表面を導電性材料（240）でめっき
する工程を含む非同調モノリシックセラミックフィルタ
の製造方法としての構成を有する。
或いはまた、予め選択された周波数特性を有する値を測
定する工程は前記誘電体手段の上部表面（212）と底部
表面との間の距離の値を測定する工程を含む非同調モノ
リシックセラミックフィルタの製造方法としての構成を
有する。
定する工程は前記誘電体手段の上部表面（212）と底部
表面との間の距離の値を測定する工程を含む非同調モノ
リシックセラミックフィルタの製造方法としての構成を
有する。
或いはまた、予め選択された周波数特性を有する値を測
定する工程は前記誘電体手段の誘電率の値を測定する工
程を含む非同調モノリシックセラミックフィルタの製造
方法としての構成を有する。
定する工程は前記誘電体手段の誘電率の値を測定する工
程を含む非同調モノリシックセラミックフィルタの製造
方法としての構成を有する。
或いはまた、予め選択された周波数特性を有する値を測
定する工程は前記誘電体手段の誘電率の値及び上部表面
（212）と底部表面との間の距離を測定する工程を含む
非同調モノリシックセラミックフィルタの製造方法とし
ての構成を有する。
定する工程は前記誘電体手段の誘電率の値及び上部表面
（212）と底部表面との間の距離を測定する工程を含む
非同調モノリシックセラミックフィルタの製造方法とし
ての構成を有する。
本発明に従って、ブロック210の上部表面212は斜線部領
域によって図示された同様の導電性材料（めっき）240
でもって選択的にめっきされている。上部表面212のめ
っきされていない領域、即ちめっきされた領域の間のギ
ャップ領域は斜線を施されていない領域によって図示さ
れている。第２図のブロック210の上部表面上の導電性
材料（めっき）240は本発明に従って、予め設計された
アートワークマスク310（第３図）を用いることによっ
てブロック210上において配置されている。
域によって図示された同様の導電性材料（めっき）240
でもって選択的にめっきされている。上部表面212のめ
っきされていない領域、即ちめっきされた領域の間のギ
ャップ領域は斜線を施されていない領域によって図示さ
れている。第２図のブロック210の上部表面上の導電性
材料（めっき）240は本発明に従って、予め設計された
アートワークマスク310（第３図）を用いることによっ
てブロック210上において配置されている。
独特のマスク設計は、ベース（基板）誘電体ブロックの
選択された周波数に関連した特性に基づいている。例え
ば第２図を用いて“ベース（基板）誘電体ブロック”と
いう用語が指示することは、ブロック210は上部表面212
上にいかなるめっき材料も存在しないという基本的な形
で存在しているということである。望ましくは、選択さ
れた周波数に関連した特性はベース誘電体ブロックの1/
4波長周波数を含んでいる。二者択一的に代わりになる
ものとして、ベース（基板）誘電体ブロックの高さ及び
誘電率を用いることができる。
選択された周波数に関連した特性に基づいている。例え
ば第２図を用いて“ベース（基板）誘電体ブロック”と
いう用語が指示することは、ブロック210は上部表面212
上にいかなるめっき材料も存在しないという基本的な形
で存在しているということである。望ましくは、選択さ
れた周波数に関連した特性はベース誘電体ブロックの1/
4波長周波数を含んでいる。二者択一的に代わりになる
ものとして、ベース（基板）誘電体ブロックの高さ及び
誘電率を用いることができる。
ベース誘電体ブロックは低損失で、高い誘電率でかつ誘
電率の温度係数の低い適当なる誘電体材料で構成されて
いる。望ましい実施例においては、ブロック210のベー
ス誘電体ブロックは、酸化バリウム、酸化チタン、及び
酸化ジルコニウムを含むセラミック化合物から形成され
ている。その電気的な特性は1958年10月にアメリカセラ
ミック学会のジャーナル、第41巻、10号pp.390−394に
おいて出版された“BaO-TiO2-SnO2及びBaO-TiO2-ZrO2三
元系システム”と題するジー・エイチ・ジョンカーとダ
ブリュー・クウエストローらによる論文にはさらに詳細
に記述されている。この文献において記述されたセラミ
ック化合物の内、18.5モル％のBaO,77.0モル％のTiO2及
び4.5モル％のZrO2の組成を有し、比誘電率40を有する
第６表の化合物は本発明のセラミックフィルタにおいて
用いられるのに非常に良く適合している。
電率の温度係数の低い適当なる誘電体材料で構成されて
いる。望ましい実施例においては、ブロック210のベー
ス誘電体ブロックは、酸化バリウム、酸化チタン、及び
酸化ジルコニウムを含むセラミック化合物から形成され
ている。その電気的な特性は1958年10月にアメリカセラ
ミック学会のジャーナル、第41巻、10号pp.390−394に
おいて出版された“BaO-TiO2-SnO2及びBaO-TiO2-ZrO2三
元系システム”と題するジー・エイチ・ジョンカーとダ
ブリュー・クウエストローらによる論文にはさらに詳細
に記述されている。この文献において記述されたセラミ
ック化合物の内、18.5モル％のBaO,77.0モル％のTiO2及
び4.5モル％のZrO2の組成を有し、比誘電率40を有する
第６表の化合物は本発明のセラミックフィルタにおいて
用いられるのに非常に良く適合している。
このような誘電体材料は、非常に数多くのベース誘電体
ブロックを製造するときに好適であるバッチとして望ま
しくは用いられている。このような誘電体材料のワンバ
ッチは適当に用いられる時には、セラミック化合物材料
を形成する各元素の均一な分布を与えるであろう。均一
なる分布は、それによって製造されるベース（基板）誘
電体ブロック全体を通してほとんど精度の良い、周波数
に関係した特性を保証している。例えば、1/4波長共振
器周波数の変動分は同じバッチ（一括生産工程）から製
造されたブロック間では無視できるほど少ない（例えば
１回の施行例で測定した結果でわずか0.4％以下であっ
た）。しかしながら、このような特性の均一性、一貫性
を保証するためにバッチからの様々なサンプルにもとづ
いて測定されるとよいであろう。
ブロックを製造するときに好適であるバッチとして望ま
しくは用いられている。このような誘電体材料のワンバ
ッチは適当に用いられる時には、セラミック化合物材料
を形成する各元素の均一な分布を与えるであろう。均一
なる分布は、それによって製造されるベース（基板）誘
電体ブロック全体を通してほとんど精度の良い、周波数
に関係した特性を保証している。例えば、1/4波長共振
器周波数の変動分は同じバッチ（一括生産工程）から製
造されたブロック間では無視できるほど少ない（例えば
１回の施行例で測定した結果でわずか0.4％以下であっ
た）。しかしながら、このような特性の均一性、一貫性
を保証するためにバッチからの様々なサンプルにもとづ
いて測定されるとよいであろう。
いったんベース（基板）誘電体ブロックがバッチから製
造されたならば、選択された周波数に関係した特性は、
バッチ或いはその実質的な部分に対する代表的な周波数
に関連した特性を決定するために測定される。
造されたならば、選択された周波数に関係した特性は、
バッチ或いはその実質的な部分に対する代表的な周波数
に関連した特性を決定するために測定される。
一部分は代表的な周波数に関係した特性にもとづき、か
つ一部分は外部的に製造されたフィルタ設計仕様にもと
づいて、ブロックの上部表面へ導電性材料を選択的にめ
っきするために用いられるめっきアートワークめっき工
程は設計されており、そして、従って特別注文に応じて
製造されるフィルタ特性を有する完全なるフィルタを提
供するためにベース（基板）誘導体ブロックに対して適
用されている。望ましくは、コンパクトソフトウェア
（Compact Software）社から市販されている“スーパー
コンパクト（Super−Compact）”と題するプログラムの
ような、従来のコンピュータプログラムによるモデリン
グ及びモデル−回路変換を用いてアートワークは開発さ
れることがよい。
つ一部分は外部的に製造されたフィルタ設計仕様にもと
づいて、ブロックの上部表面へ導電性材料を選択的にめ
っきするために用いられるめっきアートワークめっき工
程は設計されており、そして、従って特別注文に応じて
製造されるフィルタ特性を有する完全なるフィルタを提
供するためにベース（基板）誘導体ブロックに対して適
用されている。望ましくは、コンパクトソフトウェア
（Compact Software）社から市販されている“スーパー
コンパクト（Super−Compact）”と題するプログラムの
ような、従来のコンピュータプログラムによるモデリン
グ及びモデル−回路変換を用いてアートワークは開発さ
れることがよい。
フィルタの表面上のめっき層をエッチングしたり研磨に
よってトリミングする必要性を省いた新規な同調プロセ
ス工程をセラミックフィルタ（114,118）は用いてい
る。セラミックフィルタのブロック（210）部分を形成
する誘電体材料の選択された周波数に関係した特性を決
定することによって同調は与えられている。例えば、ブ
ロック（210）の1/4波長周波数は測定されるであろう。
次に、めっきアートワークマスク（310）工程が所定の
選択された周波数に関係した特性に従って設計される。
アートワークマスク（310）はその後、所定の選択され
た周波数に関連した特性を所望の（特定の）周波数特性
にシフトするためにブロック（210）の表面へ導電性材
料（240）を選択的に適用するために使用される。所定
の選択された周波数に関係した特性に基づいてアートワ
ークマスク（310）を適切に設計することによって、ブ
ロック（210）上の導電性材料（めっき）（240）へのい
かなるエッチングや研磨も必要とはされない。
よってトリミングする必要性を省いた新規な同調プロセ
ス工程をセラミックフィルタ（114,118）は用いてい
る。セラミックフィルタのブロック（210）部分を形成
する誘電体材料の選択された周波数に関係した特性を決
定することによって同調は与えられている。例えば、ブ
ロック（210）の1/4波長周波数は測定されるであろう。
次に、めっきアートワークマスク（310）工程が所定の
選択された周波数に関係した特性に従って設計される。
アートワークマスク（310）はその後、所定の選択され
た周波数に関連した特性を所望の（特定の）周波数特性
にシフトするためにブロック（210）の表面へ導電性材
料（240）を選択的に適用するために使用される。所定
の選択された周波数に関係した特性に基づいてアートワ
ークマスク（310）を適切に設計することによって、ブ
ロック（210）上の導電性材料（めっき）（240）へのい
かなるエッチングや研磨も必要とはされない。
ベース誘電体ブロックへめっきを施すためにめっきアー
トワーク工程が用いられる方法は従来的な手段を用いて
達成することが可能である。例えばイー・アイ・デュポ
ン・ド・ネモー製造株式会社（Ｅ・Ｉ・Du Pont De Nem
ours ＆ Co.（Inc.））という親会社に支えられたデュ
ポンエレクトロニクス社によって市販されているリスト
ンＲ（RistonＲ）と呼ばれるドライフィルムイメージ変
換システムを適当な技術として用いることもできる。
トワーク工程が用いられる方法は従来的な手段を用いて
達成することが可能である。例えばイー・アイ・デュポ
ン・ド・ネモー製造株式会社（Ｅ・Ｉ・Du Pont De Nem
ours ＆ Co.（Inc.））という親会社に支えられたデュ
ポンエレクトロニクス社によって市販されているリスト
ンＲ（RistonＲ）と呼ばれるドライフィルムイメージ変
換システムを適当な技術として用いることもできる。
バッチ間の周波数に関連した特性の変動分に関しては、
フィルタの所望の中心周波数の必要とされるシフト（変
位分）を表現するいくつかのアートワーク工程マスクを
設計することによって充分適応対処することが可能であ
る。例えば、1/4波長ベース（基板）誘電体ブロック周
波数を１GHz、及び所望のフィルタ中心周波数を836.5MH
z、と考えましょう。しかしながら、種々のバッチによ
っては、結果として0.990GHzから1.010GHzまで（20MHz
の変位分で）変動する1/4波長ベース（基板）誘電体ブ
ロック周波数が生ずることになる。７枚のアートワーク
マスクを設計することによって、各マスクは1/4波長
（基板）誘電体ブロック周波数を以下のように移動変化
（シフト）させるべく設計されていてもさしつかえな
い、即ち このような方式で、20MHzの１つのバッチから次のバッ
チへの変位分が、1/4波長周波数特性を測定することに
よって、そしてさらにブロックにめっきを施す適当なア
ートワークマスクを選択するこにとよって、３MHzの精
度の範囲内で補償されていてもさしつかえない。
フィルタの所望の中心周波数の必要とされるシフト（変
位分）を表現するいくつかのアートワーク工程マスクを
設計することによって充分適応対処することが可能であ
る。例えば、1/4波長ベース（基板）誘電体ブロック周
波数を１GHz、及び所望のフィルタ中心周波数を836.5MH
z、と考えましょう。しかしながら、種々のバッチによ
っては、結果として0.990GHzから1.010GHzまで（20MHz
の変位分で）変動する1/4波長ベース（基板）誘電体ブ
ロック周波数が生ずることになる。７枚のアートワーク
マスクを設計することによって、各マスクは1/4波長
（基板）誘電体ブロック周波数を以下のように移動変化
（シフト）させるべく設計されていてもさしつかえな
い、即ち このような方式で、20MHzの１つのバッチから次のバッ
チへの変位分が、1/4波長周波数特性を測定することに
よって、そしてさらにブロックにめっきを施す適当なア
ートワークマスクを選択するこにとよって、３MHzの精
度の範囲内で補償されていてもさしつかえない。
従って、ブロックの1/4波長共振周波数が選択された周
波数に関連した特性として用いられる場所では、めっき
用アートワーク工程は、ブロックの共振周波数をフィル
タ設計に対する特定の中心共振周波数まで下げるべくシ
フト移動させるように施行されていてもよい。この工程
技術は、以前に議論された先行技術に対して重要な利点
を提供している。例えば、スクリーン印刷され、かつ同
調されたフィルタの12個のフィルタブロックの検査結果
は周波数、ギャップ間隔及び結合係数の測定項目を含ん
でいる。12個のフィルタは所望の内部挿入損失を持ち、
良好な減衰特性仕様を持っており従来の表面研磨による
同調技術に比べてはるかに特性が優れている。
波数に関連した特性として用いられる場所では、めっき
用アートワーク工程は、ブロックの共振周波数をフィル
タ設計に対する特定の中心共振周波数まで下げるべくシ
フト移動させるように施行されていてもよい。この工程
技術は、以前に議論された先行技術に対して重要な利点
を提供している。例えば、スクリーン印刷され、かつ同
調されたフィルタの12個のフィルタブロックの検査結果
は周波数、ギャップ間隔及び結合係数の測定項目を含ん
でいる。12個のフィルタは所望の内部挿入損失を持ち、
良好な減衰特性仕様を持っており従来の表面研磨による
同調技術に比べてはるかに特性が優れている。
第１図は本発明による２つのフィルタを用いる無線周波
数（RF）受信機の模式的構成図。 第２図は本発明による第１図のフィルタ114或いは118の
内の１つの拡大図。 第３図は本発明によるアートワーク（工程）マスクの１
つの構成図。 110……無線周波数（RF）送信機 112……無線周波数（RF）受信機 116……アンテナ 114,118……セラミックフィルタ 120,122……伝送線路 201,202,203,204,205……穴 210……誘電体ブロック 212……上部表面 214,216……電極 240……導電性材料（めっき） 310……所定のアートワークマスク
数（RF）受信機の模式的構成図。 第２図は本発明による第１図のフィルタ114或いは118の
内の１つの拡大図。 第３図は本発明によるアートワーク（工程）マスクの１
つの構成図。 110……無線周波数（RF）送信機 112……無線周波数（RF）受信機 116……アンテナ 114,118……セラミックフィルタ 120,122……伝送線路 201,202,203,204,205……穴 210……誘電体ブロック 212……上部表面 214,216……電極 240……導電性材料（めっき） 310……所定のアートワークマスク
Claims (6)
- 【請求項１】上部表面、側壁部表面及び底部表面を具備
する誘電体材料によって構成された誘電体手段を形成
し、前記上部表面から前記底部表面に向けて延長され互
いに所定の距離を隔てて空間的に配置された少なくとも
２つの穴を形成し、前記誘電体手段の前記側壁部表面及
び前記底部表面と前記少なくとも２つの穴を導電性材料
で選択的に被覆して前記少なくとも２つの穴の各々に対
して伝送線路共振器を形成する工程と、 前記誘電体手段の予め選択された周波数特性を有する値
を測定する工程と、 予め選択された周波数特性の値の範囲に対応してそれぞ
れ異なったパターンを具備して形成された複数のアート
ワークマスクを形成する工程と、 複数のアートワークマスクの内から予め選択された周波
数特性の測定値を含む範囲の値に対応する１つのアート
ワークマスクを選択する工程と、及び 前記複数のアートワークマスクの内の選択された１つの
パターンに合わせて前記誘電体手段の上部表面へ導電性
材料を形成し、前記誘電体手段の上部表面の導電性材料
を除去して付加的な同調を行なう工程を不要とする工程
とを含む、非同調モノリシックセラミックフィルタの製
造方法。 - 【請求項２】予め選択された周波数特性を有する値を測
定する工程は前記誘電体手段の1/4波長周波数の値を測
定する工程を含む前記請求項１記載の非同調モノリシッ
クセラミックフィルタの製造方法。 - 【請求項３】前記誘電体手段を形成する工程は、前記少
なくとも２つの穴の表面を導電性材料でめっきする工程
を含む前記請求項１記載の非同調モノリシックセラミッ
クフィルタの製造方法。 - 【請求項４】予め選択された周波数特性を有する値を測
定する工程は前記誘電体手段の上部表面と底部表面との
間の距離の値を測定する工程を含む前記請求項１記載の
非同調モノリシックセラミックフィルタの製造方法。 - 【請求項５】予め選択された周波数特性を有する値を測
定する工程は前記誘電体手段の誘電率の値を測定する工
程を含む前記請求項１記載の非同調モノリシックセラミ
ックフィルタの製造方法。 - 【請求項６】予め選択された周波数特性を有する値を測
定する工程は前記誘電体手段の誘電率の値及び上部表面
と底部表面との間の距離を測定する工程を含む前記請求
項１記載の非同調モノリシックセラミックフィルタの製
造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US20262388A | 1988-06-06 | 1988-06-06 | |
| US202,623 | 1988-06-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227801A JPH0227801A (ja) | 1990-01-30 |
| JPH06103802B2 true JPH06103802B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=22750644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1137314A Expired - Lifetime JPH06103802B2 (ja) | 1988-06-06 | 1989-05-30 | 非同調モノリシックセラミックフィルタの製造方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0345507B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06103802B2 (ja) |
| KR (1) | KR930002634B1 (ja) |
| AT (1) | ATE108951T1 (ja) |
| CA (1) | CA1311535C (ja) |
| DE (1) | DE68916865T2 (ja) |
| FI (1) | FI96457C (ja) |
| IE (1) | IE65457B1 (ja) |
| MX (1) | MX169825B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000174503A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体フィルタ及び該フィルタの周波数帯域幅の調整 方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4266206A (en) * | 1978-08-31 | 1981-05-05 | Motorola, Inc. | Stripline filter device |
| JPS6285002U (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-30 | ||
| US4716391A (en) * | 1986-07-25 | 1987-12-29 | Motorola, Inc. | Multiple resonator component-mountable filter |
| JPS6342201A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-23 | Alps Electric Co Ltd | マイクロ波分波器 |
-
1989
- 1989-05-08 CA CA000599011A patent/CA1311535C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-19 DE DE68916865T patent/DE68916865T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-19 AT AT89109027T patent/ATE108951T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-05-19 EP EP89109027A patent/EP0345507B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-23 FI FI892501A patent/FI96457C/fi not_active IP Right Cessation
- 1989-05-24 MX MX016175A patent/MX169825B/es unknown
- 1989-05-30 JP JP1137314A patent/JPH06103802B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-02 KR KR1019890007574A patent/KR930002634B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-12 IE IE174689A patent/IE65457B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MX169825B (es) | 1993-07-27 |
| EP0345507A3 (en) | 1990-09-12 |
| FI892501L (fi) | 1989-12-07 |
| FI96457C (fi) | 1996-06-25 |
| IE65457B1 (en) | 1995-11-01 |
| EP0345507B1 (en) | 1994-07-20 |
| IE891746L (en) | 1989-12-06 |
| FI892501A0 (fi) | 1989-05-23 |
| KR900001118A (ko) | 1990-01-31 |
| EP0345507A2 (en) | 1989-12-13 |
| CA1311535C (en) | 1992-12-15 |
| KR930002634B1 (ko) | 1993-04-06 |
| ATE108951T1 (de) | 1994-08-15 |
| FI96457B (fi) | 1996-03-15 |
| DE68916865T2 (de) | 1995-01-26 |
| DE68916865D1 (de) | 1994-08-25 |
| JPH0227801A (ja) | 1990-01-30 |
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