JPH02278710A - マーカ検出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電子銃により電子ビームを発生させ、該電子
ビームをレンズ系により集束すると共に偏向ユニットに
より制御される偏向素子によって被検体の走査表面を横
切る走査パターンに偏向させる電子光学系を具えた電子
ビームシステムを用い、被検体により分散された電子を
検出器により検出して検出電子数に比例する検出信号を
発生させ、この信号を信号処理ユニットに供給し、信号
処理ユニットにおいて検出信号値Ｉ　（ｘ、ｙ）を電子
ビームシステムに対し定められた座標に対応するアドレ
スに割り当て、更にサーチプロシージャを用いてこれら
検出信号値と信号処理ユニットに接続されたメモリユニ
ットに記憶されている二次元分布の強度値Ｂ（ｘ、’ｙ
）との一致を決定することにより被検体上に設けられた
マーカを検出する方法に関するものでる。

（従来の技術） この種の方法は欧州特許ＥＰ　２３３８１６号明細書か
ら既知である。

この特許明細書には、物体、特に集積回路製造用の基板
上のリソグラフィー用マスクを電子ビームシステム内で
電子ビームで照射する方法が開示されている。物体によ
り発生された電子を検出器により検出し、斯る後に検出
信号に２価値を割り当てて物体の像を形成する。比較回
路を用い、メモリ装置に記憶されている所定のテストパ
ターンＢ　（ｘ、ｙ）と物体像との一敗をテストパター
ンから物体像を差し引くことにより決定して物体内の欠
陥を検出することができる。

（発明が解決しようとする課題） 上記特許明細書では電子ビームシステムに対する物体の
相関位置は既知である。しかし、電子ビームシステムに
対する物体の相関位置がシフトした場合に問題が生ずる
。本発明の目的はマーカが設けられた被検体の電子ビー
ムシステムに対する相関位置を決定する有効な方法を提
供することにる。

（課題を解決するための手段） この目的のために、本発明の方法においては、前記信号
処理ユニットが単位被検体表面当りの最大電荷堆積量、
走査表面の大きさ及び位置決め精度を含むユーザ仕様を
受信し、信号処理ユニットがこれらユーザ仕様及びマー
カ特性に基づいて、レベルサーチ法及び相関サーチ法を
含む２つのサブプロシージャの間で選択を行ない、最短
の検出時間をもたらすサブプロシージャを選択するよう
にしたことを特徴とする。

電子ビームシステムに対する被検体の原点を決定するた
めに、通常矩形の重金属（例えばＴａ）のマーカが用い
られている。被検体が電子ビームにより照射されたとき
、被検体により分散される電子の数はマーカにより分散
される電子の数と相違する。従ってマーカを被検体から
識別することができる。基板とマーカとの間のコントラ
ストは特に電子エネルギー、被検体の材料及びマーカの
形状に依存する。例えばＧａＡｓの被検体上の電子感応
層上にパターンを直接書込む場合には晶子の形成のため
に広い電子分散特性を示す金のマーカを通常用いる。例
えばＳｉの被検体上の電子感応層上にパターンを直接書
込む場合には被検体表面の高さの変化から成る位相マー
カを通常用いる。位相マーカはピラミッド形ビット、平
底を有するビット、スロット状ピント等で形成すること
ができる。種々異なるマーカ特性のために、マーカの検
出精度及び速度は使用するサーチプロシーシュによりマ
ーカの形状及び材料に応じて決まる。ビームパラメータ
、例えばビーム径（１２〜４００ｎｍ　）及びビーム電
流（５０ｐＡ〜２００ｎＡ　）も検出精度に影響を与え
、所定の範囲のビーム電流に対して検出信号の雑音レベ
ルが大きく変化する。マーカの最適検出精度を達成する
ためにサーチプロシージャはマーカ特性並びにビームパ
ラメータを考慮に入れる。検出の所望の精度、走査すべ
き被検体表面の大きさ及び被検体表面上の最大電荷堆積
量について課される要件のようなユーザ仕様は電子ビー
ムシステムのできるだけ有効な使用を達成するためにで
きるだけ短かくする必要がある検出時間に影響を与える
ため、本発明の方法ではユーザ仕様をマーカ特性ととも
に使用してレベルサーチ法と相関サーチ法との間で選択
を行ない、所定のユーザ仕様に対し検出時間を最小にす
るサーチ法を選択する。

レベルサーチ法及び相関サーチ法自体は、’Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｍｉｃｒｏｃｉｒｃｕｉ
ｔ　ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　」
ベルリン１９８４年、　ｐ、２３５　　（アカデミツク
プレス、ロンドン１９８５年）のエイ、ピー、シー、フ
ァン　ジエンデルの論文”Ａ　ｍａｒｋｅｒ　ｒｅｇｉ
ｓｔｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ａｕｔｏｍａｔｉｃ　ｆｏ
ｃｕｓｓｉｎｇ　ｓｔｒａｔｅｇｙ　ｆｏｒｈｉｇｈ　
ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ　ｅ−ｂｅａｍ　ｓｙｓｔｅｍ　
”及び’Ｐｒｏｃ。

ＳＩ’ｌＥ　　Ｖｏｌ、７５５　　：　Ｉｍａｇｅ　Ｐ
ａｔｔｅｒｎ　Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ　Ｊｐ、２３　
（１９８７年）のダブリュ、エム、シルバーの論文ＩＩ
Ｎｏｒｍａｌｉｓｅｄ　Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ　５ｅ
ａｒｃｈ　ｉｎ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ。

Ｇａｕｇｉｎｇ　ａｎｄ　Ｉｎ５ｐｅｃｔｉｏｎ”から
既知である。

本発明に従ってマーカの検出方法にこれら２つのサーチ
法を組合せることは、検出精度に関連する所定のユーザ
仕様に対し両サーチ法の何れか一方が最速であるという
事実の認識に基づいている。

走査すべき指定の被検体表面がマーカ表面の例えば１〜
２０倍の大きさである場合にマーカの相対位置を高い信
頼度で推定するためには、本発明の方法ではマーカ表面
の１〜２０倍の大きさの指定の走査表面に対するサーチ
プロシージャ中に、全強度値Ｂ　Ｃｘ、ｙ）が一定値Ｂ
ｏに略り等しい矩形マーカに対しては、検出信号値ｒ　
（ｘ、ｙ）をＢｏと比較し、Ｂｏの所定の分数値を越え
る検出信号値と関連するアドレスに存在値を割り当て、
この存在値により電子ビームシステムに対するマーカの
推定位置を決定するステップと、 左右対称形であって、７０％以上のｙ値についてＸの関
数として書き表わせる強度値Ｂ　（ｘ、ｙ）を存するマ
ーカに対しては、走査パターンをマーカの最小寸法より
小さい間隔を有するラインセグメントで形成し、検出信
号値１　　（ｘ、ｙ）と二次元分布の強度値Ｂ　（ｘ、
　　ｙ）との間の相関値を種々の相対位置について計算
し、これら相関値の最大値により電子ビームシステムに
対するマーカの推定位置を決定するステップと、 他のマーカに対しては、所定のｙ値と種々のｙ値に対応
する種々の検出信号値１　　（ｘ、ｙ）を加算して投影
値Ｐ　（ｙ）を決定し、所定のｙ値と種々のｙ値に対応
する種々の検出信号値Ｉ（ｘｙ）を加算して投影値Ｐ　
（ｘ）を計算し、投影値Ｐ　（ｘ）及びＰ　（ｙ）と強
度値Ｂ　（ｘ、ｙ）との間の相関値を種々の相対位置に
対し計算し、これら相関値の最大値により電子ビームシ
ステムに対するマーカの推定位置を決定するステップと
を実行することを特徴とする。

矩形マーカに対しては、信号処理ユニットにおいて電子
ビームシステムに対する被検体の各位置に相当するアド
レス（以後画素という）であって所定のレベル値を越え
る信号値を有するアドレスに存在値、例えば′°１°“
が割り当てられ、前記所定のレベル値より低い検出信号
値を有する画素に例えば０゛が割り当てられる。従って
、マーカの推定位置が決定される。矩形でなくて左右対
称形、例えばひし形又は額縁形であり且つその二次元強
度値分布Ｂ　（ｘ、ｙ）がマーカ表面の大部分に亘って
一方向に略々一定であるマーカに対しては、走査表面を
マーカ表面の最小寸法より小さい間隔を有するラインセ
グメントから成る走査パターンで走査する。種々の相対
位置に対しラインセグメントでカバーされる被検体部分
の検出信号値ｒ　（ｘ、ｙ）を二次元強度値分布Ｂ　（
ｘ、ｙ）、又は検出信号強度値をラインセグメントに垂
直に延在する方向に沿って加算して得られる投影値と相
関させる。得られた相関値の最大値がマーカの推定位置
を決定する。不規則形状を有するマーカに対しては検出
信号値Ｉ　（ｘ、ｙ）から投影値Ｐ（Ｘ）及びＰ　（ｙ
）を計算し、これら投影値を強度値分布Ｂ　（ｘ、ｙ）
と相関させる。

マーカの位置が予め推定されているとき又はマーカの推
定位置がユーザ仕様で与えられるときは、マーカの精密
な位置が後続のサーチプロシージャにより決定される。

矩形マーカに対しては、電荷堆積に関し何の制限もなけ
れば、検出時間はレベルサーチ法の場合に最短になる。

他方、例えば最大電荷堆積量が、被検体上の電子感応層
が除去不能にならないようにするために、例えば１０．
０００μＣ／ｃｍ”に指定される場合には、相関サーチ
法の方が有効である。

本発明による被検体上のマーカを検出する方法の他の例
では、検出信号を位置決め精度値に依存する積分期間Ｔ
に亘り積分し、このためにサーチプロシージャの前に検
出信号の積分期間Τｏに亘る積分を行なって検出信号中
の雑音の標ｉ４！偏差Ｓ７゜を測定し、次いで検出信号
中の雑音の標準偏差Ｓ１を位置決め精度値から測定し、
サーチプロシージャに使用する積分時間を に従って計算することを特徴とする。

検出信号の積分時間Ｔに亘る積分は検出信号の雑音を低
減する。雑音スペクトルの表面積の平方根として定義さ
れる雑音の標準偏差は１／Ｔ０・５に比例する。サーチ
プロシージャ前に積分時間Ｔ０の積分により検出信号の
雑音の標準偏差を測定する。

ことによりサーチプロシージャ中に測定すべき検出信号
の雑音の標準偏差Ｓ７の所定値に対し必要とされる積分
期間Ｔを次の関係式： から得ることができる。ここで３７はマーカの誤識別の
最低の危険性又はマーカ位置の所定の誤差に基づいて選
択する。

本発明による被検体上のシーカ検出方法の他の例におい
ては、相関値の計算のために相関値を強度値Ｂ　（ｘ、
ｙ）の標準偏差及び検出信号値１　　（ｘ、ｙ）の標準
偏差により除算して標準化し、検出信号の標準偏差の２
乗に補正値を加えることを特徴とする。

標準化相関サーチプロシージャの代りに相関サーチプロ
シージャを用いることにより、検出信号値の標準偏差の
２乗Ｓ、２が補正値に加えられ、マーカが存在しない位
置における検出信号値と強度値分布との間の相関値がマ
ーカが存在する位置で形成される相関値に比べて著しく
小さくなる。

これによりマーカが存在しない位置においてマーカを検
出する惧れは著しく減少する。

（実施例） 図面を参照して本発明方法のいくつかの実施例を説明す
る。

第１図は内部に被検体３を置きこＳｎを電子ビーム５で
走査する電子光学系を具えた電子ビームシステムを示す
。電子ビーム５は電子銃２により発生され、高圧発生器
８からの高圧を受ける１掻４により加速され、レンズ系
１６により被検体３上に集束される。被検体３上にはマ
ーカが設けられる。

偏向ユニット１３により制御される偏向コイル１４によ
って偏向される電子ビームによる被検体の走査中に被検
体から二次電子が放出され、これら二次電子が検出器７
により検出される。被検体表面の材料の化学的又は地形
学的変化のために被検体により分散される電子の数とマ
ーカにより分散される電子の数とに差が存在し、この差
の大きさによりコントラストが決まる。検出器は光感動
素子、例えば光電子増倍管又はフォトダイオードに結合
された入射スクリーン、例えばけい光スクリーンを具え
ている。入射スクリーンにおいて電子が光子を解放し、
これら光子が光電素子の検出電流の形態の検出信号を発
生する。積分器９において検出電流が積分期間Ｔに亘っ
て積分される。積分の結果として、検出信号中の雑音が
減少し、この雑音の分散ＳＪは入射スクリーン上で検出
される電子の数により決まる。マーカを電子ビームによ
りライン状に或は歩進走査パターンに走査することによ
り、電子ビームシステムに対し定められた被検体の複数
の個別の座標（ｘ、ｙ）に対し信号処理ユニッ）１０に
おいて検出信号を検出信号値として記録してマーカの形
状を決定することができる。これらの検出信号値はメモ
リ１２に記憶し、マーカの二次元の強度値分布Ｂ　（ｘ
、　　ｙ）を形成することができる。この強度値分布は
ユーザコンソール１１から信号処理ユニットに供給し得
るマーカ寸法および関連する強度値の記述から決定する
こともできる。偏向ユニット１３は電子ビームの走査パ
ターンをテレビジョンモニタ１５の走査パターンと同期
させ、検出信号によりビデオ信号を形成することができ
る。この結果、マーカの像をテレビジョンモニタ１５上
に形成することができる。マーカ上に位置する電子ビー
ムの位置の決定は被検体の位置を決定する。電子ビーム
によりカバーし得る走査表面は数ｍｍ”である。マーカ
表面は数百μｍ２程度である。被検体表面の走査により
被検体表面上に存在するデイテールがサンプルされる。

この場合サンプリングステップは観測すべきデイテール
の最大空間周波数の２倍の逆数値より小さくする必要が
ある。

検出信号がマーカから発生しているのか、マーカのない
被検体部分から発生しているのかをマーカサーチ中に決
定するのに、レベルサーチ法と相関サーチ法とがある。

レベルサーチ法は検出信号値を所定の値と比較し、これ
に基づいて存在値を画素に割当てる。存在値を有する画
素により決まるマーカのエツジ間の距離がマーカの実際
の寸法に所定の限界値内で対応する場合、正のマーカ識
別が行なわれる。限界値はユーザコンソールにより信号
処理ユニット１０に位置決め精度値として供給す、るこ
とかできる。第２図は、特許請求の範囲第２項に記載さ
れているように、先ず最初に矩形マーカについてマーカ
の位置を“＊”で示す測定点において推定し、斯る後に
マーカのエツジの位置を特許請求の範囲第３項に記載さ
れているように“０”で示す測定点において推定し、最
后にマーカエツジの精密な位置を“・”で示す測定点で
決定する。

相関サーチ法（第３ａ図）は検出信号値１　（ｘ。

ｙ）と強度値分布Ｂ　（ｘ、　　ｙ）の種々の相対位置
ΔＸ及びΔｙに対する相関値Ｃ（ΔＸ、Δｙ）を次式に
従って計算する。

Ｃ（ΔＸ、Δｙ）＝［ｒ（ｘ＋Δｘ、ｙ＋Δｙ）−Ｉｍ
ｖ］　’　［Ｂ（Ｘ、Ｙ）−Ｂｍｖ］／（Ｓｔ　・Ｓｓ
）・・・（１） ここでＩｓｖ及びＢａｙはＩ　（ｘ、ｙ）及びＢ　（ｘ
。

ｙ）の平均値である＊　Ｂ　（ｘ、ｙ）及びＩ　（ｘ。

ｙ）が一致するとき、相関値は最大になる。

Ｂ　（ｘ、ｙ）の自己相関値の分布の幅によりステップ
ΔＸ及びΔｙが決まる。ΔＸ及びΔｙは例えば十分小さ
く選択して相関値が２ΔＸ及び２Δｙ以下の距離だけ互
にシフトした位置に対して依然として意義を有するよう
にする。弐（１）に従って検出信号値１　（ｘ、ｙ）か
ら二次元相関値分布を計算するには掻めて多数の演算を
必要とするため、投影値 ｙ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　Ｘを計算する。こＳｎを第３ｂ図に示しである。種々
の相対位置ΔＸ及びΔｙに対し相関値をＩ　（ｘ、　　
ｙ）の投影値ＰとＢ　（ｘ、ｙ）の投影値との間で計算
することができる。相関値の最大値はマーカの例えば重
心のＸ及びｙ位置を決定する。

ユーザコンソールを介してユーザ仕様として信号処理ユ
ニット１０に供給される位置決め精度値は、マーカが所
定の確度で検出される誤差範囲（ｎｍ）を含むことがで
きる。位置決め精度値はマーカの識別を達成する相関値
のしきい値を含むこともできる。検出信号中に存在する
雑音のために、相関値は雑音と強度値分布Ｂ　（ｘ、ｙ
）との間の相関値から成る成分も含んでいる。この結果
、検出信号値１　　（ｘ、ｙ）と強度値分布Ｂ　（ｘ、
ｙ）との間の相関の実際の値は正確には決まらない。相
関値に対する指定の位置決め精度値に応じて、マーカ位
置の誤った識別の数が多くなったり少なくなったり゛す
る。誤識別を最低にするために位置決め精度値を用いて
検出信号対該信号中の雑音の所要の比を決定することが
できる。この信号対雑音比ＲはＲ＝　Ｓ、　／Ｓｎと定
義される。Ｒ＜１の場合、Ｘ座標の位置決め精度値は Ｓ。

に比例する。Ｘ座標に対しても同様の関係が存在する。

これから、Ｓｎは所要の積分期間Ｔの計算に対し得るこ
とができる。Ｒ＞１の場合、最適Ｒはしきい値、Ｒ及び
誤識別確率の間の関係（シミュレーション又は実測によ
り得ることができる）から得ることができる。これから
積分期間が決まる。第４図には誤識別の確率にと、Ｋを
最小にするしきい値ｄとを相関値Ｃ（ΔＸ、Δｙ）に対
しＲの関数としてプロットしである。第４図はＸ及びｙ
方向ごとに３２個の一定の強度値Ｂｏを有する画素から
成る矩形強度値分布を有する重金属マーカのシミュレー
ションを白ガウス雑音の存在下において１画素に等しい
ΔＸ、Δｙに対し行なって得られたものである。

第５図は相関サーチ法を使用したときのマーカの誤識別
確率Ｋを標準偏差Ｓ１に２乗加算する補正値Ｓ０とＳ、
、との比に対し示すものである。この場合、補正値は次
式に従って計算される。

Ｓｌへの補正値Ｓ０の２乗加算によりマーカが存在しな
い位置で相関値が減少するため、誤識別の数が所定のし
きい値で減少する。第５図に示す関係は一定の強度値Ｂ
ｏを有する３２画素から成る矩形強度値分布を有する重
金属マーカのシミュレーションを白ガウス雑音の存在下
で行なって得られたものである。２以上の３０及びＳｆ
ｉの比に対して誤検出め確率がかなり小さくなることが
確かめられた。

【図面の簡単な説明】

第１図は電子ビームシステムの構成を示す略図、第２図
はレベルサーチ法において検出信号値が測定される位置
を示す図、 第３８及び３ｂ図は相関サーチ法において検出信号値が
測定される位置を示す図、 第４図はマーカの誤識別確率に与える信号対雑音比の影
響を示す図、 第５図はマーカの誤識別の危険度を補正値の関数として
、示す図である。 １・・・電子ビームシステム ２・・・電子銃 ３・・・被検体 ４・・・加速電極 ５・・・電子ビーム ７・・・検出器 ８・・・高圧発生器 ９・・・積分器 １０・・・信号処理ユニツト １１・・・ユーザコンソール １２・・・メモリ １３・・・偏向ユニット １４・・・偏向コイル １５・・・ＴＶモニタ １６・・・集束レンズ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電子銃により電子ビームを発生させ、該電子ビーム
   をレンズ系により集束すると共に偏向ユニットにより制
   御される偏向素子によって被検体の走査表面を横切る走
   査パターンに偏向させる電子光学系を具えた電子ビーム
   システムを用い、被検体により分散された電子を検出器
   により検出して検出電子数に比例する検出信号を発生さ
   せ、この信号を信号処理ユニットに供給し、信号処理ユ
   ニットにおいて検出信号値Ｉ（ｘ、ｙ）を電子ビームシ
   ステムに対し定められた座標に対応するアドレスに割り
   当て、更にサーチプロシージャを用いてこれら検出信号
   値と信号処理ユニットに接続されたメモリユニットに記
   憶されている二次元分布の強度値Ｂ（ｘ、ｙ）との一致
   を決定することにより被検体上に設けられたマーカを検
   出する方法において、前記信号処理ユニットが単位被検
   体表面当りの最大電荷堆積量、走査表面の大きさ及び位
   置決め精度を含むユーザ仕様を受信し、信号処理ユニッ
   トがこれらユーザ仕様及びマーカ特性に基づいて、レベ
   ルサーチ法及び相関サーチ法を含む２つのサブプロシー
   ジャの間で選択を行ない、最短の検出時間をもたらすサ
   ブプロシージャを選択するようにしたことを特徴とする
   マーカ検出方法。 ２、マーカの１〜２０倍の大きさの指定された走査表面
   に対するサーチプロシージャ中に、 全強度値Ｂ（ｘ、ｙ）が一定値Ｂ＿ｏに略々等しい矩形
   マーカに対しては、検出信号値Ｉ（ｘ、ｙ）をＢ＿ｏと
   比較し、Ｂ＿ｏの所定の分数値を越える検出信号値と関
   連するアドレスに存在値を割り当て、この存在値により
   電子ビームシステムに対するマーカの推定位置を決定す
   るステップと、 左右対称形であって、７０％以上のｙ値に ついてｘの関数として書き表わせる強度値Ｂ（ｘ、ｙ）
   を有するマーカに対しては、走査パターンをマーカの最
   小寸法より小さい間隔を有するラインセグメントで形成
   し、検出信号値Ｉ（ｘ、ｙ）と二次元分布の強度値 Ｂ（ｘ、ｙ）との間の相関値を種々の相対位置について
   計算し、これら相関値の最大値により電子ビームシステ
   ムに対するマーカの推定位置を決定するステップと、 他のマーカに対しては、所定のｙ値と種 々のｘ値に対応する種々の検出信号値Ｉ（ｘ、ｙ）を加
   算して投影値Ｐ（ｙ）を決定し、所定のｘ値と種々のｙ
   値に対応する種々の検出信号値Ｉ（ｘ、ｙ）を加算して
   投影値Ｐ（ｘ）を計算し、投影値Ｐ（ｘ）及びＰ（ｙ）
   と強度値Ｂ（ｘ、ｙ）との間の相関値を種々の相対位置
   に対し計算し、これら相関値の最大値により電子ビーム
   システムに対するマーカの推定位置を決定するステップ
   と を実行することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の方法。 ３、サーチプロシージャ中に、 既知の推定位置を有するマーカに対して は、電子ビームシステムに対するマーカの推定位置によ
   り走査表面の位置を決定し、 全強度値Ｂ（ｘ、ｙ）が一定値Ｂ＿ｏに略々等しいマー
   カに対しては、指定された最大電荷堆積量より小さい電
   荷堆積に対して検出信号値Ｉ（ｘ、ｙ）をマーカエッジ
   に沿って測定すると共に所定のレベルと比較し、前記所
   定のレベルに等しい検出信号値が関連するアドレスに存
   在値を割当て、これにより電子ビームシステムに対する
   マーカエッジの位置を決定し、 他のマーカに対しては、所定のｙ値と種 々のｘ値に対応する種々の検出信号値Ｉ（ｘ、ｙ）を加
   算して投影値Ｐ（ｙ）を決定し、所定のｘ値と種々のｙ
   値に対応する種々の検出信号値Ｉ（ｘ、ｙ）を加算して
   投影値Ｐ（ｘ）を計算し、投影値Ｐ（ｘ）及びＰ（ｙ）
   と強度値Ｂ（ｘ、ｙ）との間の相関値を種々の相対位置
   に対し計算し、これら相関値の最大値により電子ビーム
   システムに対するマーカの推定位置を決定するステップ
   と を実行することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
   第２項記載の方法。 ４、検出信号を位置決め精度値に依存する積分期間Ｔに
   亘り積分し、このためにサーチプロシージャの前に検出
   信号の積分期間Τ＿ｏに亘る積分を行なって検出信号中
   の雑音の標準偏差Ｓ＿ｎ＿ｏを測定し、次いで検出信号
   中の雑音の標準偏差Ｓ＿ｎを位置決め精度値から測定し
   、サーチプロシージャに使用する積分時間を Ｔ＝Ｔ＿ｏ・（Ｓ＿ｎ＿ｏ＾２／Ｓ＿ｎ＾２）に従って
   計算することを特徴とする特許請求の範囲第１〜３項の
   何れかに記載の方法。 ５、相関値の計算のために相関値を強度値 Ｂ（ｘ、ｙ）の標準偏差及び検出信号値 Ｉ（ｘ、ｙ）の標準偏差により除算して標準化し、検出
   信号の標準偏差の２乗に補正値を加えることを特徴とす
   る特許請求の範囲第２〜４項の何れかに記載の方法。 ６、前記補正値は検出信号の雑音の標準偏差の２乗の２
   倍２・Ｓ＿ｎ＾２により形成することを特徴とする特許
   請求の範囲第５項記載の方法。