JPH02278719A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH02278719A JPH02278719A JP10091389A JP10091389A JPH02278719A JP H02278719 A JPH02278719 A JP H02278719A JP 10091389 A JP10091389 A JP 10091389A JP 10091389 A JP10091389 A JP 10091389A JP H02278719 A JPH02278719 A JP H02278719A
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- JP
- Japan
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- chamber
- treating
- wafers
- temperature
- handler
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハの拡散処理等の熱処理を行う
半導体製造装置に関するものである。
半導体製造装置に関するものである。
第４図は従来のこの種半導体製造装置を示す側面図で、
図において、１はガス供給口２を有し処理室となる拡散
炉反応管、３はこの拡散炉反応管１の外周に設けられた
加熱ヒータ、４はボート５に載置された半導体ウェハ、
６はウェハ支持用のボート５を支持し前後に移動するレ
バー ７はエンドリッド、８はレバー６に取付けられ、
ウェハの位置を制御するボートローダである。
図において、１はガス供給口２を有し処理室となる拡散
炉反応管、３はこの拡散炉反応管１の外周に設けられた
加熱ヒータ、４はボート５に載置された半導体ウェハ、
６はウェハ支持用のボート５を支持し前後に移動するレ
バー ７はエンドリッド、８はレバー６に取付けられ、
ウェハの位置を制御するボートローダである。
この従来のものでは、半導体ウェハ４を室温でボート５
にのせた後、半導体ウェハ４を反応管１内に入れ、設定
温度に達してから拡散処理および化学気相成長処理等の
熱処理を行い、処理終了後再び室温に戻していた。
にのせた後、半導体ウェハ４を反応管１内に入れ、設定
温度に達してから拡散処理および化学気相成長処理等の
熱処理を行い、処理終了後再び室温に戻していた。
さらに、２工程以上の連続する熱処理工程においても、
室温から第１回目の熱処理を行い、終了後再び室温に戻
す、その後第２回目の熱処理を行い終了後再び室温に戻
す。以下同様の処理を行っていた。
室温から第１回目の熱処理を行い、終了後再び室温に戻
す、その後第２回目の熱処理を行い終了後再び室温に戻
す。以下同様の処理を行っていた。
この従来の半導体製造装置は以上のように構成されてい
るので、１回の熱処理に半導体ウェハは室温に戻され、
反応管が再び処理温度に達するまでに時間がかかり、さ
らに室温に戻された半導体ウェハを次の熱処理の設定温
度にするのにかなりの時間を費やしていた。また反応管
についても、室温の半導体ウェハをいきなり高温の反応
管の中に挿入できないため、挿入時は反応管の温度をあ
らかｉ二め低くし、半導体ウェハを挿入してから処理温
度まで上げており、時間をかなり費やし、ていた。
るので、１回の熱処理に半導体ウェハは室温に戻され、
反応管が再び処理温度に達するまでに時間がかかり、さ
らに室温に戻された半導体ウェハを次の熱処理の設定温
度にするのにかなりの時間を費やしていた。また反応管
についても、室温の半導体ウェハをいきなり高温の反応
管の中に挿入できないため、挿入時は反応管の温度をあ
らかｉ二め低くし、半導体ウェハを挿入してから処理温
度まで上げており、時間をかなり費やし、ていた。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、熱処理時間の短縮および拡散炉の処理能力向
上を目的とする。
たもので、熱処理時間の短縮および拡散炉の処理能力向
上を目的とする。
この発明にかかる半導体製造装置は、半導体ウェハを予
備加熱する予備加熱室に、仕切りキャップを介してこの
半導体ウェハを個別に熱処理する温度に保持されｔ：複
数個の処理室を連結すると共に、これらの各室に半導体
ウェハを搬送装置によって搬送するようにしたものであ
る。
備加熱する予備加熱室に、仕切りキャップを介してこの
半導体ウェハを個別に熱処理する温度に保持されｔ：複
数個の処理室を連結すると共に、これらの各室に半導体
ウェハを搬送装置によって搬送するようにしたものであ
る。
この発明による予備加熱室によって半導体ウェハは予備
加熱されるので、処理室の温度を所定値に保持すればよ
く、処理室における熱処理の時間が短縮される６ 〔実施例〕 以下この発明の一実施例を第１図〜第３図に６とづいて
説明する。即ち第１図〜第３図において、１１はガス供
給口１２を有する予備加熱室、１３はこの予備加熱室１
１の外周に配置された加熱し−タ、１４は予備加熱室１
１に仕切りキャップ１６を介して連結され、ガス供給口
１５を有する複数個Ａ−ＢＴ構成される処理室、１７は
この処理室１４の周囲に配置された加熱ヒータ、１８は
ボート５を支持し、矢印に示すように前後、左右に移動
可能に１１１Ｉ成さねた位置制御用のボートローダ付支
持ハンドラである。
加熱されるので、処理室の温度を所定値に保持すればよ
く、処理室における熱処理の時間が短縮される６ 〔実施例〕 以下この発明の一実施例を第１図〜第３図に６とづいて
説明する。即ち第１図〜第３図において、１１はガス供
給口１２を有する予備加熱室、１３はこの予備加熱室１
１の外周に配置された加熱し−タ、１４は予備加熱室１
１に仕切りキャップ１６を介して連結され、ガス供給口
１５を有する複数個Ａ−ＢＴ構成される処理室、１７は
この処理室１４の周囲に配置された加熱ヒータ、１８は
ボート５を支持し、矢印に示すように前後、左右に移動
可能に１１１Ｉ成さねた位置制御用のボートローダ付支
持ハンドラである。
なおその他の構成は従来のものと同様であるのぐ説明を
省略する。
省略する。
こ、：で、予備加熱室１１を６００℃、処理室Ａ１４を
８００℃、処理室Ｂ１４を９００℃とする。予備加熱室
１１は酸化膜が形成されないように予備加熱室のガス供
給口１２から常にＮ、ガスが供給されている。
８００℃、処理室Ｂ１４を９００℃とする。予備加熱室
１１は酸化膜が形成されないように予備加熱室のガス供
給口１２から常にＮ、ガスが供給されている。
このように構成されたものでは、予備加熱室１１にある
半導体ウニ、ハ４を搭載した支持ボート５を支持ハンド
ラ１８によって処理室Ａ１４の位置まで移動じ、次に第
３図（イ）に示すように、仕切りキャップ１６を開き、
支持ハンドラ１８が処理室ＡＩ４に挿入し、半導体ウェ
ハ４を搭載した支持ボート５を処理室ＡＩ４に置き、支
持ハンドラ１８を予備加熱室ＩＩに戻す。
半導体ウニ、ハ４を搭載した支持ボート５を支持ハンド
ラ１８によって処理室Ａ１４の位置まで移動じ、次に第
３図（イ）に示すように、仕切りキャップ１６を開き、
支持ハンドラ１８が処理室ＡＩ４に挿入し、半導体ウェ
ハ４を搭載した支持ボート５を処理室ＡＩ４に置き、支
持ハンドラ１８を予備加熱室ＩＩに戻す。
第３図（ロ）に示すように、仕切りキャップ１６をフし
、処理を行う。
、処理を行う。
次に処理終了後、仕切りキャップ！６を開き、第３図（
ハ）に示すように処理室ＡＩ４から半導体ウェハ４を搭
載した支持ボート５を取り出し、予備加熱室１１に移動
し、処理室Ａの仕切りキャップ１６を閉じる。
ハ）に示すように処理室ＡＩ４から半導体ウェハ４を搭
載した支持ボート５を取り出し、予備加熱室１１に移動
し、処理室Ａの仕切りキャップ１６を閉じる。
次に熱処理工程を連続で行う場合、半導体ウェハ４を搭
載した支持ハンドラ１８が予備加熱室ｌｌ中を移動し、
第３図（ニ）（＊）（へ）に示すように、処理室ＢＩ４
の仕切りキャップ１６を開き、支持ハンドラ１８を処理
室Ｂ１４に挿入し、半導体ウェハ４を搭載した支持ボー
ト５を処理室Ｂ１４に置き、支持ハンドラ１８を予備加
熱室１！に戻す。処理終了後、再び半導体ウェハ４を支
持したボー）−５を収り出し、予備加熱室１１に移す。
載した支持ハンドラ１８が予備加熱室ｌｌ中を移動し、
第３図（ニ）（＊）（へ）に示すように、処理室ＢＩ４
の仕切りキャップ１６を開き、支持ハンドラ１８を処理
室Ｂ１４に挿入し、半導体ウェハ４を搭載した支持ボー
ト５を処理室Ｂ１４に置き、支持ハンドラ１８を予備加
熱室１！に戻す。処理終了後、再び半導体ウェハ４を支
持したボー）−５を収り出し、予備加熱室１１に移す。
また、２個以上の処理ｇ１４を持つ場合も同様の動作を
する。さらに、同時に複数の処理室で熱処理可能にする
こともできる。予備加熱室に例えばＩＯロフト以上の多
数の半導体ウェハ４を保持できるダムを持ち、そこから
少量ずつ半導体ウェハ４を支持ハンドラ１８で処理室ま
で移動し、処理できるよう構成することもできる。
する。さらに、同時に複数の処理室で熱処理可能にする
こともできる。予備加熱室に例えばＩＯロフト以上の多
数の半導体ウェハ４を保持できるダムを持ち、そこから
少量ずつ半導体ウェハ４を支持ハンドラ１８で処理室ま
で移動し、処理できるよう構成することもできる。
上記のようにこの発明による半導体！１！造装置は、予
備加熱室を備えているので、処理室の温度を所定値に保
持できると共に、半導体ウェハが処理時間に達するまで
の時間が短縮できるというすぐれた効果を奏する。
備加熱室を備えているので、処理室の温度を所定値に保
持できると共に、半導体ウェハが処理時間に達するまで
の時間が短縮できるというすぐれた効果を奏する。
第１図−一第３図はこの発明の一実施例を示す図で、第
１図は平面図、第２図は側面図、第３図は動作を説明す
るための平面図、第４図は従来のこの種半導体製造装置
を示す側面図である。 図中、４は半導体ウェハ、５はボート、１１は予偏加熱
室、１２はガス供給口、１３は加熱ヒータ、１４は処理
室、Ｉ５はガス供給口、１６は仕切りキャップ、１７は
加熱し−タ、１８は支持ハンドラである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
１図は平面図、第２図は側面図、第３図は動作を説明す
るための平面図、第４図は従来のこの種半導体製造装置
を示す側面図である。 図中、４は半導体ウェハ、５はボート、１１は予偏加熱
室、１２はガス供給口、１３は加熱ヒータ、１４は処理
室、Ｉ５はガス供給口、１６は仕切りキャップ、１７は
加熱し−タ、１８は支持ハンドラである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 所定の温度に保持され、半導体ウェハを予備加熱する予
備加熱室、この予備加熱室に仕切りキャップを介して連
結されると共に、個別の温度に保持され、上記半導体ウ
ェハを熱処理する複数個の処理室、及びこれらの各室に
上記半導体ウェハを搬送する装置を備えた半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10091389A JPH02278719A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10091389A JPH02278719A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278719A true JPH02278719A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14286581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10091389A Pending JPH02278719A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278719A (ja) |
-
1989
- 1989-04-19 JP JP10091389A patent/JPH02278719A/ja active Pending
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