JPH02280116A - information storage device - Google Patents

information storage device

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Publication number
JPH02280116A
JPH02280116A JP10018089A JP10018089A JPH02280116A JP H02280116 A JPH02280116 A JP H02280116A JP 10018089 A JP10018089 A JP 10018089A JP 10018089 A JP10018089 A JP 10018089A JP H02280116 A JPH02280116 A JP H02280116A
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JP
Japan
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group
recording
liquid crystal
light
information storage
Prior art date
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Pending
Application number
JP10018089A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Yoshinaga
和夫 吉永
Yutaka Kurabayashi
豊 倉林
Gakuo Eguchi
江口 岳夫
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP10018089A priority Critical patent/JPH02280116A/en
Publication of JPH02280116A publication Critical patent/JPH02280116A/en
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  • Holo Graphy (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、可逆的、光学的に超大容量のデータを記憶す
る装置に関し、特に高分子液晶組成物を用いた情報記憶
装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a device for reversibly and optically storing an extremely large amount of data, and particularly to an information storage device using a polymeric liquid crystal composition.

[従来の技術] 現在、光記憶方式は大容量かつランダムアクセスに優れ
たものとして実用化されている。その方式も多岐にわた
り、再生専用としてディジタルオーディオディスク(C
O)やレーザービデオディスク(LD)が実用化されて
いる。光記録か可能なものとしては追記型光ディスク(
WO) 、光カート(OC)が知られており、金属薄膜
の相変化を用いるものや、有機染料のピット形式を用い
るものがある。
[Prior Art] Optical storage systems are currently in practical use as they have a large capacity and are excellent in random access. There are many different ways to do this, and for playback only, digital audio discs (C
O) and laser video discs (LD) have been put into practical use. Write-once optical discs (
WO), optical carts (OC) are known, and some use phase change of a metal thin film, and others use a pit type of organic dye.

さらに、書き換え型光ディスクの研究が進められており
、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実用
化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報記
憶媒体として提案されている(特開昭59−10930
号公報、特開昭59−35989号公報、特開昭62−
154340号公報)、その中では記録方式としてコレ
ステリック性高分子液晶のらせんピッチ長を変えるか、
あるいは無配向状態のピット形成によって光反射率を多
値的に変化せしめる方式も提案されている(特開昭62
−107448号公報、特開昭62−129:17号公
報)、その他、情報記録媒体以外にも高分子液晶を用い
た表示装置も提案されている。(特開昭62−2785
29号公報、特開昭62−2785:10号公報) これらは、大容量なデータを記憶することか可能であり
、優れた特性を有するものであるが、磁気記録の記録波
長か0.1鰺重程度まて可能となっている現状から、十
分に大容量であるとは言えなくなっている。
Furthermore, research on rewritable optical disks is progressing, and efforts are being made to put those using the magneto-optical effect and those using phase change into practical use. Among these, polymer liquid crystals have also been proposed as information storage media (Japanese Patent Application Laid-Open No. 10930-1983)
No. 1, JP-A-59-35989, JP-A-62-
154340), in which the recording method involves changing the helical pitch length of the cholesteric polymer liquid crystal;
Alternatively, a method has been proposed in which the light reflectance is multivalued by forming pits in a non-oriented state (Japanese Patent Laid-Open No. 62
In addition to information recording media, display devices using polymer liquid crystals have also been proposed. (Unexamined Japanese Patent Publication No. 62-2785
(No. 29, Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-2785:10) These are capable of storing large amounts of data and have excellent characteristics, but the recording wavelength of magnetic recording is 0.1 The current situation is that it is possible to hold a large amount of horse mackerel, so it can no longer be said that the capacity is sufficiently large.

光記録による超大容量記憶の可能なものとして、ホログ
ラフィックメモリーが提案されている[ピー ジェイ 
ヴアン ハーデン「アプライド オブティクスJ  (
P、J、van Heerden、 Appl。
Holographic memory has been proposed as a possibility for ultra-large capacity storage using optical recording [P.J.
Van Harden “Applied Optics J (
P. J. van Heerden, Appl.

0ptics)第2巻、393頁(1963年)]。2, p. 393 (1963)].

しかしながら、これらは超高密度なホログラムを記録す
ることか可能な可逆感光材料がなかったために実用的に
用いることか出来なかった。
However, these could not be used practically because there were no reversible photosensitive materials capable of recording ultra-high density holograms.

最近、このような目的に適した可逆感光材料として、高
分子液晶の光異性化反応を用いたものか報告されている
。(特開昭63−87626号公報、特開昭62−19
1826号公報) [発明か解決しようとする課題] しかしながら、上記従来例ては、光異性化反応を用いて
いるために、書き込み速度、消去速度が遅い欠点かあっ
た。さらに、上記従来例では、超大容量の記憶・再生を
行ったときには、記録速度・再生速度か十分てなく、デ
ータの入力・転送において入出力制御装置の性能を制限
する欠点かあった。
Recently, a reversible photosensitive material suitable for such purposes using a photoisomerization reaction of polymeric liquid crystals has been reported. (Unexamined Japanese Patent Publication No. 63-87626, Unexamined Japanese Patent Publication No. 62-19
1826 Publication) [Problems to be Solved by the Invention] However, since the above-mentioned conventional example uses a photoisomerization reaction, it has a drawback that writing speed and erasing speed are slow. Furthermore, in the conventional example described above, when recording and reproducing extremely large amounts of data, the recording speed and reproducing speed are not sufficient, which has the disadvantage of limiting the performance of the input/output control device in inputting and transferring data.

本発明の目的は、この様な従来技術の欠点を改みするた
めになされたものであり、情報記憶媒体に高速でホログ
ラムによる超大容量データ記録か可能となるとともに記
録された超大容量データを高速で再生することを可能と
した情報記憶装置を提供することにある。
The purpose of the present invention has been made in order to improve the drawbacks of the conventional technology, and it is possible to record an extremely large amount of data on an information storage medium at high speed using holograms, and also to enable the recorded extremely large amount of data to be recorded at high speed. The object of the present invention is to provide an information storage device that enables playback.

[課題を解決するための手段] 即ち、本発明は、レーザー光を照射する手段と、該レー
ザー光を参照光と記録光に分離する手段と、分離された
記録光に強度変調からなる複数のビット情報を与える手
段と、高分子液晶組成物からなる参照光と記録光の干渉
を記録する手段と、参照光を照射したときに生じる回折
光を受光する複数の光検出器からなる手段を備えている
ことを特徴とする情報記憶装置である。
[Means for Solving the Problems] That is, the present invention provides a means for irradiating a laser beam, a means for separating the laser beam into a reference beam and a recording beam, and a plurality of methods for intensity modulating the separated recording beam. A means for providing bit information, a means for recording interference between a reference light made of a polymer liquid crystal composition and a recording light, and a means for receiving diffracted light generated when the reference light is irradiated. This is an information storage device characterized by:

以下、本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.

本発明の情報記憶装置によれば、レーザー光を照射する
手段、該レーザー光を参照光と記録光に分離する手段、
分離された記録光に強度変調からなる複数のビット情報
を与える手段、高分子液晶組成物からなる参照光と記録
光の干渉を記録する手段、及び参照光を照射したときに
生しる回折光を受光する複数の光検出器からな手段を設
けたことにより、高分子液晶組成物からなる記憶媒体に
高速でホログラムによる超大容量データ記録か可店とな
るとともに記録された超大容量データを高速で再生する
ことを可能としだものである。
According to the information storage device of the present invention, means for irradiating laser light, means for separating the laser light into reference light and recording light,
Means for imparting multiple bits of information consisting of intensity modulation to the separated recording light, means for recording interference between the reference light and recording light made of a polymeric liquid crystal composition, and diffracted light generated when the reference light is irradiated. By providing a means consisting of multiple photodetectors that receive light, it becomes possible to record extremely large amounts of data using holograms at high speed on a storage medium made of a polymeric liquid crystal composition, and it also becomes possible to record extremely large amounts of data at high speed. It is possible to reproduce it.

次に、本発明の情報記憶装置について第1図を用いて詳
細に説明する。第1図は、本発明の情報記憶装置の一例
を示す概略図である。同図において、まず、レーザー光
源駆動装置lotによってレーザー光源102の強度お
よびパルス巾の制御を行うことにより、記録もしくは再
生のためのレーザー光の変調を行う。このような変調が
可能なレーザー光源としては半導体レーザーか最も適し
ており、特にコヒーレンズ長の長い単一横モード半導体
レーザーが選択される。
Next, the information storage device of the present invention will be explained in detail using FIG. FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of an information storage device of the present invention. In the figure, first, the intensity and pulse width of the laser light source 102 are controlled by a laser light source driving device lot, thereby modulating the laser light for recording or reproduction. A semiconductor laser is most suitable as a laser light source capable of such modulation, and a single transverse mode semiconductor laser with a long coherence lens length is particularly selected.

得られたレーザー光は、コリメーターレンズ103によ
り平行光とされ、ハーフミラ−1Ω4により記録光+1
9と参照光120に分離される。
The obtained laser beam is made into parallel light by the collimator lens 103, and the recording beam +1 is converted by the half mirror 1Ω4.
9 and a reference beam 120.

記録光119は、集光レンズ109により情報記憶媒体
116上の高分子液晶組成物感光体層114に集光され
る。このとき記録光119は、記録のための入力データ
転送装R110より発生する入力データ信号によって、
シャッターアレイ駆動回路111からシャッターアレイ
112の駆動信号を発生し、シャッターアレイ112へ
濃度変化によって与えられる入力データを与える。
The recording light 119 is focused by the condenser lens 109 onto the polymer liquid crystal composition photoreceptor layer 114 on the information storage medium 116 . At this time, the recording light 119 is transmitted by the input data signal generated from the input data transfer device R110 for recording.
A shutter array drive circuit 111 generates a drive signal for the shutter array 112, and provides the shutter array 112 with input data based on density changes.

シャッターアレイ112は、強誘体結晶やPLZT等に
代表される強誘電性セラミックス、液晶9強誘電性液晶
等を用いることが可能である。特に1表面安定化強誘電
性液晶を用いたシャッターアレイは高速駆動が可能で、
かつそのメモリー性を用いた超大容量データ出力が可能
である。
For the shutter array 112, it is possible to use a ferroelectric crystal, a ferroelectric ceramic such as PLZT, a ferroelectric liquid crystal such as the liquid crystal 9, or the like. In particular, shutter arrays using surface-stabilized ferroelectric liquid crystals can be driven at high speed.
Moreover, it is possible to output extremely large amounts of data using its memory properties.

シャッターアレイによって濃度変調を与えられた記録光
は、ミラー113によって情報記憶媒体116の高分子
液晶組成物感光体層114に集光される。
The recording light subjected to density modulation by the shutter array is focused by a mirror 113 onto a polymer liquid crystal composition photoreceptor layer 114 of an information storage medium 116.

一方、ハーフミラ−104によって分離された参照光1
20はミラー105により反射され、さらに集光レンズ
108により記録光と同じ位置に集光される。集光され
た記録光119と参照光120は干渉を生じ、高分子液
晶組成物感光体層114の配向された高分子液晶組成物
に屈折率の変化として干渉しまなホログラフィックに記
録される。
On the other hand, the reference beam 1 separated by the half mirror 104
The light beam 20 is reflected by a mirror 105 and further focused by a condenser lens 108 at the same position as the recording light. The focused recording light 119 and reference light 120 cause interference and are recorded in the oriented polymer liquid crystal composition of the polymer liquid crystal composition photoreceptor layer 114 as an interference stripe holographically as a change in refractive index.

このとき、記録部に一定のレーザーパワーが照射される
ように、反射光を一部検出にオートフォーカスを行うこ
とにより安定な記録か可使となる。
At this time, autofocus is performed to partially detect the reflected light so that the recording section is irradiated with a constant laser power, thereby making stable recording usable.

情報記憶媒体116に用いられる高分子液晶組成物感光
体層114は、高分子液晶化合物および光吸収剤からな
り、基板115上に塗布した後、配向処理することによ
り得られる。
The polymeric liquid crystal composition photoreceptor layer 114 used in the information storage medium 116 is made of a polymeric liquid crystal compound and a light absorber, and is obtained by coating it on the substrate 115 and then subjecting it to alignment treatment.

本発明における高分子液晶化合物、物に用いられる高分
子液晶化合物として具体的には次のようなものが挙げら
れる。
Specific examples of the polymer liquid crystal compound in the present invention and the polymer liquid crystal compound used for products include the following.

(下記式(1) 〜(13)中、15> n≧1である
。)(L) (!2) (]4) (下記式(14)〜(17)中、 p=5〜1000゜ pI+p2: 5〜1000゜ q=1〜16゜ Q+= 1〜16゜ Q2= である。
(In the following formulas (1) to (13), 15>n≧1.) (L) (!2) (]4) (In the following formulas (14) to (17), p=5 to 1000° pI+p2: 5-1000°q=1-16°Q+=1-16°Q2=.

CH:1 →C112−C→r (下記式(18)〜(46)中、 *は不斉炭素中心を 示し。CH:1 →C112-C→r (In the following formulas (18) to (46), * indicates asymmetric carbon center Show.

n=5〜1000である。n=5 to 1000.

(−、−=2〜10) (2り (會、=2〜l5) (2コ) (皇2=2〜Is) (m、=2〜!8+) (x+y=1゜ q=l〜1G、 P2= l〜l5) (鳳2=2〜1s) (@、=2〜Is) (m2=2〜+5゜ x+y=1) (x+y=1.■2=2〜15) (x+y=1) (x+y=1. a+t=2〜l5) (x+y=1.m2=2〜+5) (勧=1〜5) (I15=0〜5) r (5り (以下、 16は1〜18とする) (β2=5〜18) P−デシロキシベンジリデン−P′−アミノ−2−メチ
ルブチルシンナメート (DOBAMBC)(60〕 P−へキシロキシベンジリデン=P′−アミノ−2−ク
ロルプロピルシンナメート (IIOBACPC)前記
高分子液晶化合物は、 その相転位温度を調 整するために低分子液晶と組み合わせて用いることか出
来る。
(-, -=2~10) (2ri(kai,=2~l5) (2 pieces) (Kou2=2~Is) (m,=2~!8+) (x+y=1゜q=l~ 1G, P2= l~l5) (Otori2=2~1s) (@, =2~Is) (m2=2~+5°x+y=1) (x+y=1.■2=2~15) (x+y= 1) (x+y=1.a+t=2~l5) (x+y=1.m2=2~+5) (recommended=1~5) (I15=0~5) r (5ri (hereinafter, 16 is 1~18 ) (β2=5-18) P-decyloxybenzylidene-P'-amino-2-methylbutylcinnamate (DOBAMBC) (60) P-hexyloxybenzylidene=P'-amino-2-chloropropylcinnamate IIOBACPC The polymeric liquid crystal compound can be used in combination with a low molecular weight liquid crystal to adjust its phase transition temperature.

具体的な低分子液晶の例としては 次のような P−デシロキシベンジリデン−P′−アミノ−2−メチ
ルブチル−α−シアノシンナメート(DOBAMBCC
)ものか挙げられる。
A specific example of a low molecular weight liquid crystal is the following P-decyloxybenzylidene-P'-amino-2-methylbutyl-α-cyanocinnamate (DOBAMBCC).
) can be mentioned.

P−テトラデシロキシベンジリデン−P′−アミノ−2
−メチルブチル−α−シアノシンナメー)−(TDOB
八MBへ:C)(2−メチルブチル) エステル P−オクチルオキシベンジソデンーP′−アミノ−2−
メチルブチル−α−クロロシンナメート (OOBAM
B(:C)−4′−オクチルアニリン (MBRA オキシビフェニル−4−カルボキシレートP−オクチル
オキシベンジリデン−P′〜アミノ−2−メチルブチル
−α−メチルシンナメート(1コ) ブチル) ビフェニル−4′−カルボキシレート 4−(2″−メチルブチル)フェニル−4−(4″−メ
チルヘキシル)ビフェニル−4′−カルボキシレートブ
チル) ビフェニル−4′−カルボキシレート 4− (2’−(プロとルオキシ)プロピル)オキシフ
ェニル−4−(デシロキシ)ビフェニル−4′−カルボ
キシレートブチル) ビフェニル−4′−カルボキシレート (4’−(4−へキシルオキシ)フェニルオキシカルボ
ニル)フェニル−p−(4″−メチルへキシルオキシ)
ベンゾエートDirect Red 28 Direct Violet 12 さらに、 レーザー光等にて書き込み。
P-tetradecyloxybenzylidene-P'-amino-2
-Methylbutyl-α-cyanosinname)-(TDOB
To 8MB: C) (2-methylbutyl) ester P-octyloxybendisodene-P'-amino-2-
Methylbutyl-α-chlorocinnamate (OOBAM
B(:C)-4'-octylaniline (MBRA oxybiphenyl-4-carboxylate P-octyloxybenzylidene-P' to amino-2-methylbutyl-α-methylcinnamate (1) butyl) biphenyl-4' -carboxylate 4-(2″-methylbutyl)phenyl-4-(4″-methylhexyl)biphenyl-4′-carboxylatebutyl) biphenyl-4′-carboxylate 4-(2′-(pro-and-ruoxy)propyl) )oxyphenyl-4-(desyloxy)biphenyl-4'-carboxylatebutyl) biphenyl-4'-carboxylate (4'-(4-hexyloxy)phenyloxycarbonyl)phenyl-p-(4''-methylhexyloxy) )
Benzoate Direct Red 28 Direct Violet 12 Furthermore, write with a laser beam, etc.

消去を行 う場合には、 高分子液晶組成物感光体層ヘレー ザー光吸収化合物を添加することによって感度を向上さ
せることができる。
In the case of erasing, the sensitivity can be improved by adding a laser light absorbing compound to the photoreceptor layer of the polymeric liquid crystal composition.

高分子液晶層へ添加す るレーザー光吸収化合物の例としては。Added to polymer liquid crystal layer Examples of laser light absorbing compounds include:

下記に示 すようなものが挙げられる。Shown below Examples include:

DirecL Blue + Direct Blue Is Direct Blue 98 Direct Blue  151 Direct Red 81 Direct Yellow 44 Direct Yellow 12 Direct Orange :19 N■2 υ υ11 υ N■2 Disperse Red Disperse lue Ci’048 AsF、e CRO,e また、半導体レーザー光による記録・再生・消去に適し
ている近赤外吸収色素としては、下記に示すようなもの
が用いられる。
Direct Blue + Direct Blue Is Direct Blue 98 Direct Blue 151 Direct Red 81 Direct Yellow 44 Direct Yellow 12 Direct Orange :19 N■2 υ υ11 υ N■2 Disperse Red Disperse lue Ci'048 AsF,e CRO,e Also, semiconductor As near-infrared absorbing dyes suitable for recording, reproducing, and erasing using laser light, the following are used.

高分子液晶化合物に添加することによって、ガラス転位
点(Tg)、融点(Tm)を大幅に低下させ、液晶相を
減少させるような運動性の増加をもたらさないところの
有機大環状色素としては、アザアヌレン類、アヌレン類
等があり、可溶性のためにアルキル置換基が設けられる
が、溶解性を阻害しない範囲で他の置換基を設けて用い
られる。
Organic macrocyclic dyes that can be added to polymeric liquid crystal compounds to significantly lower the glass transition point (Tg) and melting point (Tm) and do not cause an increase in mobility that would reduce the liquid crystal phase include: There are azaannulenes, annulenes, etc., and an alkyl substituent is provided for solubility, but other substituents may be provided to the extent that solubility is not inhibited.

さらに具体的には、フタロシアニン類、ナフタロシアニ
ン類、テトラベンゾポルフィリン類やその他置換、非置
換ポルフィリン類が用いられる。
More specifically, phthalocyanines, naphthalocyanines, tetrabenzoporphyrins, and other substituted and unsubstituted porphyrins are used.

特に有効なものとして、下記一般式(I)で表わされる
フタロシアニン、ナフタロシアニン等がある。
Particularly effective examples include phthalocyanine and naphthalocyanine represented by the following general formula (I).

(一般式(I)中符号 て示される。(General formula (I) middle code is shown.

[但し、R3−R2゜は水素原子、炭素原子数4〜20
の直鎖もしくは分岐したアルキル基、アルコキシ基、ア
ルケニル基もしくは下記から選択される置換基を示す。
[However, R3-R2゜ is a hydrogen atom, and has 4 to 20 carbon atoms.
represents a straight-chain or branched alkyl group, alkoxy group, alkenyl group, or a substituent selected from the following.

SiQ+QzQ3 5Q4 − COQ。SiQ+QzQ3 5Q4 - COQ.

−C00Q6 NQtQa (Q、〜Q6は水素原子、炭素原子数1〜2oの直鎖も
しくは分岐したアルキル基又はアルケニル基を示す0月 MはGe、 Sn、遷移金属、 All、 Ca、 I
n、アルカリ土類金属、ランタニド金属、アフチニト金
属およびその酸化物、ハロゲン化合物もしくはアルコキ
シ化合物を示す、) 光記録を行う場合に近赤外から赤色可視に波長を有する
半導体レーザーを用いることは記録再生装置の小型化、
高性能化に重要であるが、その波長域で用いることが可
能な可溶性有機大環状色素としてはナフタロシアニン類
か特に優れている。
-C00Q6 NQtQa (Q, ~Q6 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group or alkenyl group having 1 to 2 carbon atoms; M is Ge, Sn, transition metal, All, Ca, I
n, indicating alkaline earth metals, lanthanide metals, aftinite metals, and their oxides, halogen compounds, or alkoxy compounds) When performing optical recording, the use of a semiconductor laser with a wavelength from near infrared to red visible is used for recording and reproduction. miniaturization of equipment,
Naphthalocyanines are particularly excellent as soluble organic macrocyclic dyes that can be used in this wavelength range, which is important for improving performance.

特に、一般式(II )て示されるものは、溶解性に優
れている−ため本発明の記憶媒体に適している。
In particular, those represented by general formula (II) have excellent solubility and are therefore suitable for the storage medium of the present invention.

(Xsn)b [一般式(+1 )中 M : Gc、 Sn、 3移金属、 ACCa、 I
n、アルカリ−に類金属、ランタニド金属又はアフチニ
ト金属 X:ハロゲン基、アルキル基、カルボキシル基、アルコ
キシ基、エーテル基又はアルケニル基等を、 Xm+−x■4:ハロゲン基、アルキル基、スルファセ
イル基、エーテル基又はアルケニル基等を。
(Xsn)b [M in general formula (+1): Gc, Sn, 3-transfer metal, ACCa, I
n, alkali metal, lanthanide metal or aftinite metal X: halogen group, alkyl group, carboxyl group, alkoxy group, ether group or alkenyl group, etc. ether group or alkenyl group, etc.

a〜d:O〜4を示す。a to d: O to 4.

(但しa+b+c+d≧1)、] これらの化合物は、特開昭61−90291号公報に開
示された方法等によって容易に合成てきる。
(However, a+b+c+d≧1),] These compounds can be easily synthesized by the method disclosed in JP-A-61-90291.

さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては、アミニウム塩化合物又はジイモニウ
ム塩化合物か挙げられる。
Furthermore, other compounds that can be used as absorbers for semiconductor laser light include aminium salt compounds and diimonium salt compounds.

本発明で使用されるアミニウム塩化合物およびジイモニ
ウム塩化合物は、それぞれ下記の一般式[ml   [
IV]および[V]で表わされる。
The aminium salt compound and diimonium salt compound used in the present invention each have the following general formula [ml [
IV] and [V].

一般式[I11] %式%[ 一般式[V、] −F記の一般式[ml、[IV]および[V]において
、11〜810は同種または異種の水素原子、またはア
ルキル基(例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル
基、1so−プロピル基、n−ブチル基、5ec−ブチ
ル基、1so−ブチル基、t−ブチル基、n−アミル基
、t−アミル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、t
−オクチル基および、C9〜C1□のアルキル基など)
を示し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキル基
(例えば、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプ
ロピル基、4−ヒドロキシブチル基、2−アセトキシエ
チル基、カルボキシメチル基、2−カルボキシエチル基
、3−カルボキシプロピル基、2〜スルホエチル基、3
−スルホプロピル基、4−スルホブチル基、3−スルフ
ェートプロピル基、4−スルフニートラチル基、N−(
メチルスルホニル)−カルバミルメチル基、3−(アセ
チルスルファミル)プロピル基、4−(アセチルスルフ
ァミル)ブチル基など)、環式アルキル基(例えば。
General formula [I11] % formula % [ general formula [V,] - In the general formulas [ml, [IV] and [V] of -F, 11 to 810 are the same or different hydrogen atoms, or alkyl groups (e.g. Methyl group, ethyl group, n-propyl group, 1so-propyl group, n-butyl group, 5ec-butyl group, 1so-butyl group, t-butyl group, n-amyl group, t-amyl group, n-hexyl group , n-octyl group, t
-octyl group, C9-C1□ alkyl group, etc.)
and further includes other alkyl groups, such as substituted alkyl groups (e.g., 2-hydroxyethyl group, 3-hydroxypropyl group, 4-hydroxybutyl group, 2-acetoxyethyl group, carboxymethyl group, 2-carboxyethyl group, 3-carboxypropyl group, 2-sulfoethyl group, 3
-Sulfopropyl group, 4-sulfobutyl group, 3-sulfatepropyl group, 4-sulfnietratyl group, N-(
(methylsulfonyl)-carbamylmethyl group, 3-(acetylsulfamyl)propyl group, 4-(acetylsulfamyl)butyl group, etc.), cyclic alkyl groups (e.g.

シクロヘキシル基など)、アルケニル基(ビニル基、ア
リル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘ
キセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、トデシニル
基、プレニル基など)、アラルキル2!(例えば、ベン
ジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナ
フチルメチル基など)、置換アラルキル基(例えば、カ
ルボキシベンジル基、スルホペンシル基、ヒドロキシベ
ンジル基など)を包含する。
cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (vinyl group, allyl group, propenyl group, butenyl group, pentenyl group, hexenyl group, heptenyl group, octenyl group, todecynyl group, prenyl group, etc.), aralkyl group 2! (eg, benzyl group, phenethyl group, α-naphthylmethyl group, β-naphthylmethyl group, etc.), and substituted aralkyl groups (eg, carboxybenzyl group, sulfopencyl group, hydroxybenzyl group, etc.).

Yは、C−または−()−(つ−を示し、この芳香族環
上にアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基を置換して
もよい。
Y represents C- or -()-(t-), and this aromatic ring may be substituted with an alkyl group, a halogen group, or an alkoxy group.

八〇は陰イオン、例えばバークロレート、フルオロボレ
ート、アイオダイド、クロライド、ブロマイド、サルフ
ェート、バーアイオダイド、p−トルエンスル これらのアミニウム塩化合物およびジイモニウム塩化合
物は、特公昭43−25335号公報などに開示される
合成法に準じて合成することができる。
80 is an anion, such as barchlorate, fluoroborate, iodide, chloride, bromide, sulfate, bariodide, p-toluenesulfate. Aminium salt compounds and diimonium salt compounds of these are disclosed in Japanese Patent Publication No. 43-25335, etc. It can be synthesized according to the synthesis method described in .

次に、前記一般式[ml、 [IV]て示されるアミニ
ウム塩化合*(AM)の代表例を下記の表1に挙げる。
Next, representative examples of the aminium salt compound* (AM) represented by the general formula [ml, [IV]] are listed in Table 1 below.

化合物 一般式 %式% ^賛−lゴ ^M−14 八M−1s 表 くy シΣ + 分 台 (y べ上 くy 分 + ÷ くト 、くン 台 ÷ Cll。Compound general formula %formula% ^Praise-lgo ^M-14 8M-1s table Kuy Σ + minutes stand (y top Kuy minutes + ÷ Kuto , kun stand ÷ Cll.

C11。C11.

CH。CH.

C.11% CJ。C. 11% C.J.

alls n−C=Hy iso−C.II。alls n-C=Hy iso-C. II.

−CJs n−Ca。-CJs n-Ca.

−CJs −CJq n−C.lI。-CJs -CJq n-C. lI.

−CJIs t−C.II9 Rユ 八〇 sFse cPo.。-CJIs t-C. II9 Ryu Eighty sFse cPo. .

SbFsθ AsF.。SbFsθ AsF. .

CI!04θ 8F.θ AsFa’ CI!04。CI! 04θ 8F. θ AsFa’ CI! 04.

cPo.。cPo. .

AsF6。AsF6.

SbF.θ RF4θ CIl,KySOff。SbF. θ RF4θ CIl, KyS Off.

cpo.’ 化合物 一般式 %式% [ [] [] 次に前記一般式[V]で示されるジイモニウム塩化合物
(IM)の代表例を下記の表2に挙げる。
cpo. ' Compound General formula % Formula % [ [ ] [ ] Next, representative examples of the diimonium salt compound (IM) represented by the general formula [V] are listed in Table 2 below.

表 1ト1 1ト  2 1M−、3 ト4 ト5 ト6 ト7 ト8 ト9 間−■夏 關−12 緘−!8 C11。table 1 to 1 1 to 2 1M-, 3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 Between - Summer Seki-12 Thread! 8 C11.

C 2 II s C 2H 。C2 IIs C 2H.

zHs n−C311ツ iso−C3Ht −C4Hs n − C 、 II 。zHs n-C311 iso-C3Ht -C4Hs n-C, II.

n−C<Is n − C 4 II s n−C.ll。n−C<Is n-C4 IIs n-C. ll.

−Cls −C4Hs t−C4)1s n−Cs)It:+ n−C6H+t AsF.θ CI!O,θ SbF.e ASF6θ cpo.e 8F4θ sF6e cpo.。-Cls -C4Hs t-C4) 1s n-Cs)It:+ n-C6H+t AsF. θ CI! O, θ SbF. e ASF6θ cpo. e 8F4θ sF6e cpo. .

cpo.e AsF.e SbF6’ RF.e CIi1CトSO3e CI!04θ AsF.θ cro.O AsF.θ 一般式[1] 1M−19n−C+J□s  ←←←SbF6θIM−
20  C2H,OH←  ←  ←     SbF
6゜IM−21C2H,011←  ←  ←    
 CI!04゜IM−22C,H,O)I   ← ←
 ←   NO:I。
cpo. e AsF. e SbF6' RF. e CIi1C TOSO3e CI! 04θ AsF. θ cro. OAsF. θ General formula [1] 1M-19n-C+J□s ←←←SbF6θIM-
20 C2H,OH← ← ← SbF
6゜IM-21C2H,011← ← ←
CI! 04゜IM-22C,H,O)I ← ←
← NO:I.

IM−2:l  C,H4011←  ←  ←   
  5bFs。
IM-2: l C, H4011← ← ←
5bFs.

上記アミニウム塩化合物(以下、 AM化合物と記す)
およびジイモニウム塩化合物(以下、IM化合物と記す
)は近赤外域に吸収をもち、安定な光吸収色素として有
用でありかつ、高分子液晶に対して相溶性もしくは分散
性かよい。
The above aminium salt compound (hereinafter referred to as AM compound)
and diimonium salt compounds (hereinafter referred to as IM compounds) have absorption in the near-infrared region, are useful as stable light-absorbing dyes, and are compatible or dispersible with polymeric liquid crystals.

さらに、半導体レーザーの吸収剤として1次ぎのような
金属キレート化合物か挙げられる。
Furthermore, metal chelate compounds such as primary metal chelate compounds can be used as absorbers for semiconductor lasers.

本発明で使用される金属キレート化合物の例を挙げると
下記の一般式[11〜[7]て表わされる。
Examples of the metal chelate compounds used in the present invention are represented by the following general formulas [11 to [7].

11+s (式中、RI5は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル
基、アリール基でもう一方のRI5と結合しても良い、
R16はアルキル基、ハロゲン原子、水素原子、ニトロ
基又はベンゾ縮合系基を表わし、中心金属MはGu、 
Ni、 Co又はPdを表わす、)一般式[2] (式中、R17は水素原子、水酸基、アルキル基、アリ
ール基でもう一方のR1?と結合しても良い。
11+s (wherein RI5 may be a hydrogen atom, hydroxyl group, alkyl group, or aryl group and may be bonded to the other RI5,
R16 represents an alkyl group, a halogen atom, a hydrogen atom, a nitro group, or a benzo-fused group, and the central metal M is Gu,
General formula [2] (representing Ni, Co or Pd) (In the formula, R17 may be a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, or an aryl group, and may be bonded to the other R1?).

1(,8は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ニト
ロ基又はベンゾ縮合系基を表わし、MはCu。
1 (, 8 represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a nitro group, or a benzo-fused group, and M is Cu.

Ni、Go又はPdを表わす、) 一般式[3] 水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はベンゾ縮合系
基な表わし、MはCu、 Ni、又はPdを表わす、) 一般式[5] (式中、RI9はアルキル基、アリール基、R20は水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ニト
ロ基又はベンゾ縮合系基を表わし、MはCu、 Ni又
はPdを表わす。) 一般式[4] (式中、R23は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル
基を表わし1MはCu又はNiを表わす。)一般式[6
] (式中、824は水素原子、又はアルキル基を表わし1
MはCu、 Ni、 Go又は間口を表わす。)(式中
、R21はアルキル基、アリール基、R22は一般式[
7] 表  3−1 (式中、R2’5+ LGは、置換ないし非置換のアル
キル基、アシル基又はアリール基またはR2S+ 82
6で芳香族環を形成しても良い0MはCu、 Ni、 
Go又はPdを表わす、この場合、Mは電荷を持ち、カ
ウンターイオンを持っても良い、) 次に、前記一般式[1]〜[7]で示される金属キレー
ト化合物の具体的な化合物例を下記の表3に挙げるが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
General formula [3] represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, or a benzo-fused group, M represents Cu, Ni, or Pd) General formula [5] (in the formula , RI9 represents an alkyl group or an aryl group, R20 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, a nitro group or a benzo-fused group, and M represents Cu, Ni or Pd.) General formula [4] ( In the formula, R23 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group, and 1M represents Cu or Ni.) General formula [6
] (In the formula, 824 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and 1
M represents Cu, Ni, Go or frontage. ) (wherein, R21 is an alkyl group or an aryl group, and R22 is a general formula [
7] Table 3-1 (wherein, R2'5+ LG is a substituted or unsubstituted alkyl group, acyl group, or aryl group, or R2S+ 82
0M which may form an aromatic ring with 6 is Cu, Ni,
(represents Go or Pd; in this case, M has a charge and may have a counter ion) Next, specific compound examples of the metal chelate compounds represented by the general formulas [1] to [7] are shown below. Listed in Table 3 below,
The present invention is not limited to these.

[1] [11 [1F [1] [11 [11 [1] [1] [1] [11 [2] [2] [2] [2] [2] [2] [2] [2] [2] 〔2〕 [2] R+5−Off R+5−Of+ R+s=l+ RIS=C211% R15=I−C31k R15=n−CaH++ R15−n−Cs1l+z R+5−C6H5 1ets耐I R,5−CH,− R,、−H R,、−CH。[1] [11 [1F [1] [11 [11 [1] [1] [1] [11 [2] [2] [2] [2] [2] [2] [2] [2] [2] [2] [2] R+5-Off R+5-Of+ R+s=l+ RIS=C211% R15=I-C31k R15=n-CaH++ R15-n-Cs1l+z R+5-C6H5 1ets resistance I R,5-CH,- R,,-H R,,-CH.

R+t=OH R,7−C,Il。R+t=OH R,7-C,Il.

R,、−(:3H) R+t=CCHt)5CH:s R,、j(CIl□)llCH3 R,、=i−C311t R17二〇H R,、=OH R,、=−CH2− R、、=H R、、−H R1G=4−C2+15 8、、=5−Ci) R+a=H R,、=4−CI(ユ R,、=4−CIl。R,, -(:3H) R+t=CCHt)5CH:s R,,j(CIl□)llCH3 R,,=i-C311t R1720H R,,=OH R,,=-CH2- R,,=H R,,-H R1G=4-C2+15 8, ,=5-Ci) R+a=H R,, = 4-CI (U R,, = 4-CIl.

R1s=ll R,6=5.6−C,l14 R+6=4−NOx R,、=H R,、=H R1a@5−CJs R16−5−C2H5 R,、=4−C1) R,、=4−CIl。R1s=ll R,6=5.6-C,l14 R+6=4-NOx R,,=H R,,=H R1a@5-CJs R16-5-C2H5 R,,=4-C1) R,, = 4-CIl.

R,、=5.6−C,H。R,,=5.6-C,H.

R,、=5.6−C,Il。R,,=5.6-C,Il.

R+a=4−C:+1I7 R1a耐1 R+o=4−NOz 表  3−2 表  3−3 [2] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [4] [4] [4] [4] [4] [4] [4] [4] [4] [5] [5] R,、−C11,− R19”1Jh 8.9=C,l+5 R,、=C611゜ 8.9−4’−(C1−13)、N−C,+1゜R+s
=4’−Cj’−Cj4− R,、−CHコ R,、=C2+1゜ 8.9=CH3 R+5=CaHs R2,=CH。
R+a=4-C:+1I7 R1a resistance 1 R+o=4-NOz Table 3-2 Table 3-3 [2] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [4] [4] [4] [4] [4] [4] [4] [4] [4] [5] [5] R,, -C11, - R19"1Jh 8.9= C, l+5 R,,=C611°8.9-4'-(C1-13), N-C,+1°R+s
=4'-Cj'-Cj4- R,,-CHcoR,, =C2+1°8.9=CH3 R+5=CaHs R2,=CH.

Rvr=C*Hs R2−CIl3 R,、=C3H? R2+=(CJs)CH。Rvr=C*Hs R2-CIl3 R,,=C3H? R2+=(CJs)CH.

R21−(C112)?CI+3 R,、−C,8% R2,=C11゜ R21=(CII*) 5cll+ R2コ=■ 823!H R+a=4−No2 R,、−H Rzo”4−C)l:+ R2o=4−CtHs R2゜=11 R2゜−4−CH13 R2゜−4−CH3 R20−4−C4) R2゜−−N02 R2゜3C,HS R,、−H R*x−4−CH3 Rtz”H Rt2−4−CHs R2g−Calls R22=C6H’S R,、−5,6−C,H。R21-(C112)? CI+3 R,, -C, 8% R2,=C11゜ R21=(CII*) 5cll+ R2 co=■ 823! H R+a=4-No2 R,,-H Rzo”4-C)l:+ R2o=4-CtHs R2゜=11 R2゜-4-CH13 R2゜-4-CH3 R20-4-C4) R2゜--N02 R2゜3C,HS R,,-H R*x-4-CH3 Rtz"H Rt2-4-CHs R2g-Calls R22=C6H’S R,, -5,6-C,H.

R2t=H R2!昭4−Cj) [5] [6] [6] [6] [7] [7] [7] [7] [7] [7] [7] [7] 、[7] [7] [7] Ni Ni Ni R23=4−CH,l R24=I+ R,、=H R2n=2−C21+5 Rzs=CJs          Rga=Csl1
%R25=C:ails          R26=
C6H%Rzs=P−(Ctlls)J−C6114R
t6=CJlsR2s=P−(CH*)J−C6H4R
26=CG+1582S=C)13COR2G=CH3
GO−825−R2,=−CIl=CIl−CH−CH
−−R*5−Rza=−CIl−C−C=C1l−・ 
  I CllCl! −R□−11.6−CH−C−CH−CH−N(CJs
)2 −R2s−R2g=−(:H−C−CH”CH−冨 CH。
R2t=H R2! Showa 4-Cj) [5] [6] [6] [6] [7] [7] [7] [7] [7] [7] [7] [7] , [7] [7] [7 ] Ni Ni Ni R23=4-CH, l R24=I+ R,,=H R2n=2-C21+5 Rzs=CJs Rga=Csl1
%R25=C:ails R26=
C6H%Rzs=P-(Ctlls)J-C6114R
t6=CJlsR2s=P-(CH*)J-C6H4R
26=CG+1582S=C)13COR2G=CH3
GO-825-R2,=-CIl=CIl-CH-CH
--R*5-Rza=-CIl-C-C=C1l-・
I ClllCl! -R□-11.6-CH-C-CH-CH-N (CJs
)2 -R2s-R2g=-(:H-C-CH"CH-tomiCH.

−R,5−R,6,−C1l−C−C=C1l−CH2
Cl2゜ −I’1g5−F12s訃CH=CI−1−CIl=C
I+−上記金属キレート化合物は近赤外域に吸収をもち
、安定な光吸収色素として有用でありかつ、高分子液晶
に対して相溶性もしくは分散性がよい。
-R,5-R,6,-C1l-C-C=C1l-CH2
Cl2゜-I'1g5-F12s CH=CI-1-CIl=C
I+- The above metal chelate compound has absorption in the near-infrared region, is useful as a stable light-absorbing dye, and has good compatibility or dispersibility with polymer liquid crystals.

さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては、次のようなものが挙げられる。
Furthermore, other compounds that can be used as semiconductor laser light absorbers include the following.

一般式[8] (式中、R2?はイオウ原子、ご換ないし非置換のアミ
ノ基、酸素原子又はチオケトン基、R211は水素原子
、アルキル基、ハロゲン原子又はアミノ基を表わし1M
はZn、 Cu又はNiを表わす、)一般式[9] (式中、R29はアルキル基、アリール基又はスチリル
基を表わし、MはCu、 Ni、又はCoを表わす。) 一般式[!0] (式中、R3oは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、アシル基又はアリール基を表わし、MはNi又はZr
を表わす、) 一般式[11] (式中、R1,はアルキル基又はアリール基、MはCu
、Ni又はCoを表わす。) 一般式[12] 一般式[14コ (式中、R:12+ R3ffはアルキル基又はアリー
ル基、MはNiを表わす。) 一般式[13] (式中、RユG+ R:+7は水素原子、ハロゲン原子
又はアルキル基てXは酸素原子又は硫黄原子1MはNi
を表わす、) 一般式[15] %式% (式中、R:+41 R3Sはアルキル基、アミノ基、
アリール基又はフラン基、又はRff4とll:lsて
脂環式化合物を形成しても良い。MはNiを表わす。)
(式中、 83a、 R39は水素原子、アルキル基、
ハロゲン原子又はニトロ基、Xは酸素原子又は硫黄原子
1Mは旧、Y・は4級アンモニウムカチオンを表わす、
) 一般式[16] 次に、前記一般式[8]乃至[17]て示される化合物
の代表例を下記の表4に挙げるが、本発明はこれ等に限
定されるものではない。
General formula [8] (In the formula, R2? represents a sulfur atom, a substituted or unsubstituted amino group, an oxygen atom, or a thioketone group, and R211 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, or an amino group. 1M
represents Zn, Cu or Ni, General formula [9] (In the formula, R29 represents an alkyl group, aryl group or styryl group, and M represents Cu, Ni or Co.) General formula [! 0] (wherein R3o represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an acyl group, or an aryl group, and M is Ni or Zr
) General formula [11] (wherein, R1 is an alkyl group or an aryl group, M is Cu
, represents Ni or Co. ) General formula [12] General formula [14 (wherein, R:12+ R3ff represents an alkyl group or aryl group, M represents Ni) General formula [13] (wherein, RyuG+ R:+7 is hydrogen Atom, halogen atom or alkyl group X is oxygen atom or sulfur atom 1M is Ni
) General formula [15] % formula % (wherein R: +41 R3S is an alkyl group, an amino group,
An alicyclic compound may be formed by combining ll:ls with an aryl group, a furan group, or Rff4. M represents Ni. )
(In the formula, 83a, R39 is a hydrogen atom, an alkyl group,
halogen atom or nitro group, X is oxygen atom or sulfur atom 1M is old, Y represents quaternary ammonium cation,
) General formula [16] Next, representative examples of the compounds represented by the above general formulas [8] to [17] are listed in Table 4 below, but the present invention is not limited thereto.

(式中、  R4゜はアミノ基1MはCu、 Ni、 
Co又はPdを表わす、) 一般式[17] (式中、 R41は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アシル基、ニトロ基又はアルコキシル基、MはZn
、 Cu、 Ni又はCOを表わす、)表 表 [8] [8] [8] [8] [8] [8] [8] [8] [8] [8] [8] [8] [9] [9] [9] [9] [lO] [lO] [lO] R2?・O R2?°0 R11?・5 ntt・S R2?°S R2フ゛S R2?;S R2,; N11 R2?・N)l R2?・NCII。
(In the formula, R4゜ is an amino group 1M is Cu, Ni,
General formula [17] (representing Co or Pd) (wherein, R41 is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an acyl group, a nitro group, or an alkoxyl group, and M is a Zn
, Cu, Ni or CO) table [8] [8] [8] [8] [8] [8] [8] [8] [8] [8] [8] [8] [9 ] [9] [9] [9] [lO] [lO] [lO] R2?・OR2? °0 R11?・5 ntt・S R2? °S R2?S R2? ;S R2,; N11 R2?・N)l R2?・NCII.

R2?・NH R2?・C−5 aSS・C,Ht R29°C611% R29・C,l量%Cl−Clト R29・(:i’−C,H,CH=CIl−R−10°
H Rzo’H Rコ。;CH3CO R2♂°■ R,、,5−CI(ユ 11ta・H R2a;5−Cj) R□;5−CII* R2a;4−(:)li Rza;5−((:Ht)J R21S・■ R26・5−C113 R211・ll R26・6−C2H。
R2?・NHR2?・C-5 aSS・C,Ht R29°C611% R29・C, l amount% Cl-Clto R29・(:i'-C,H,CH=CIl-R-10°
H Rzo'H Rko. ;CH3CO R2♂°■ R,,,5-CI(Y11ta・H R2a;5-Cj) R□;5-CII* R2a;4-(:)li Rza;5-((:Ht)J R21S・■ R26・5-C113 R211・ll R26・6-C2H.

R28;I+ xニー X;C1) ×;− [IO] [IO] [!1] [11] [11] [11] [12] [12] [12] [13] [13] [13]   N1 cI!X;− C3H,x;− CIl5 C3+1゜ !1−(CIlff)2N−C6114−p−(CIl
z)J−CaHn− CIl、         R,ユ;(:1lxC,1
I5R:1.;C21ts C611S        R33;C6115Nl1
2Rユ、;Ni1□ C,H5Itコ5ac6)Is R,、;−(:11.CIl2−     R,5;−
CIl□CH2−(R34とR,35は結合して環を形
成)[lコ] [13] [+4] [14] R34;C)l。
R28;I+ xkneeX;C1) ×;- [IO] [IO] [! 1] [11] [11] [11] [12] [12] [12] [13] [13] [13] N1 cI! X;- C3H, x;- CIl5 C3+1°! 1-(CIlff)2N-C6114-p-(CIlff
z) J-CaHn- CIl, R, Yu; (:1lxC,1
I5R:1. ;C21ts C611S R33;C6115Nl1
2R Yu,;Ni1□C,H5Itko5ac6)Is R,,;-(:11.CIl2- R,5;-
CIl□CH2- (R34 and R, 35 combine to form a ring) [lco] [13] [+4] [14] R34;C)l.

R34;C2+!。R34;C2+! .

X:OR,、;11 x;o    R,6;5−CIl。X:OR, ;11 x;o R,6;5-CII.

R−+s;CH3 Rzs;C211I R3t;H R+、:@−CH。R-+s; CH3 Rzs;C211I R3t;H R+, :@-CH.

表 [14] [14] [14] [14] [14] [14] [5] [15] [5] [15] [15コ [16] [16] [7] [17] [17] [+7コ X−OR3,−4−CH3 X−OR3G−5−CIl X−3R3s’H X−5R,6−5−Cl43 X−3Rzs’4−C11+ X−3R3,・5−CR X・OR3,;:1−CH。table [14] [14] [14] [14] [14] [14] [5] [15] [5] [15] [15 pieces [16] [16] [7] [17] [17] [+7 pieces X-OR3,-4-CH3 X-OR3G-5-CIl X-3R3s'H X-5R,6-5-Cl43 X-3Rzs'4-C11+ X-3R3, 5-CR X·OR3,;:1-CH.

X−OR,、;:1−Cj) X’OR311’4−N02 X−5R,I、・H X−3R,8−3−NO□ R,、;(C,Hq)2N R40;(C5III 1)2N Ro・H R41・4−CI! R41・4−N02 R−+ ; 5−C1b R371−Cl13 R:+y;I)−Cj’ R,、;H R,,1−C11゜ Rlyl−Calls R:l?;P−C2H5 R39・11 R39・4−CH3 Rユ、・4−CH5 R,、;4−C)13 R:+、l;4−C2H。X-OR, ;:1-Cj) X'OR311'4-N02 X-5R, I, ・H X-3R, 8-3-NO□ R, ; (C, Hq)2N R40; (C5III 1) 2N Ro・H R41・4-CI! R41・4-N02 R-+; 5-C1b R371-Cl13 R:+y;I)-Cj' R,,;H R,,1-C11゜ Rlyl-Calls R:l? ;P-C2H5 R39・11 R39・4-CH3 R Yu, 4-CH5 R,,;4-C)13 R: +, l; 4-C2H.

本発明に用いられる上記金属錯体類は、バリー・ビー・
グレイ等がジャナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル
・ソサイエティ 88巻 43〜50頁および4870
〜4875頁、もしくはシュランツアおよびマイベーク
等によるジャナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・
ソサイエティ 87巻 1483〜!489頁により記
載されている方法に準して合成される。
The above metal complexes used in the present invention are manufactured by Barry B.
Gray et al., Journal of the American Chemical Society, Vol. 88, pp. 43-50 and 4870.
~4875 pages, or Journal of the American Chemical by Schranzer and Maibeek et al.
Society Volume 87 1483~! Synthesized according to the method described on page 489.

上記化合物は近赤外域に吸収をもち、安定な光吸収色素
として有用であり、かつ高分子液晶化合物に対して相溶
性もしくは分散性がよい。
The above compound has absorption in the near-infrared region, is useful as a stable light-absorbing dye, and has good compatibility or dispersibility with polymeric liquid crystal compounds.

また、高分子液晶化合物中には上記の化合物か二種類以
上含有されていてもよい。
Further, the polymeric liquid crystal compound may contain two or more of the above compounds.

また、上記化合物と他の近赤外吸収色素や2色性色素を
組み合せてもよい、好適に組み合せられる近赤外吸収色
素の代表的な例としては、シアニン、メロシアニン、フ
タロシアニン、テトラヒドロコリン、ジオキサジン、ア
ントラキノン、トリフエツジチアジン、キサンチン、ト
リフェニルメタン、ピリリウム、クロコニウム、アズレ
ンおよびトリフェニルアミン等の色素か挙げられる。
Further, the above compound may be combined with other near-infrared absorbing dyes or dichroic dyes. Typical examples of near-infrared absorbing dyes that can be suitably combined include cyanine, merocyanine, phthalocyanine, tetrahydrocholine, and dioxazine. , anthraquinone, triphenylthiazine, xanthine, triphenylmethane, pyrylium, croconium, azulene and triphenylamine.

なお、液晶に対する上記化合物の添加量は重量%て、0
.1%〜20%程度、好ましくは、0.2〜10%かよ
い。本発明て用いる高分子液晶化合物は高分子サーモト
ロピック液晶てあり、中間相であるネマチックやスメク
チックやカイラルスメクチックやコレステリックの相を
利用する。
Note that the amount of the above compound added to the liquid crystal is 0% by weight.
.. It may be about 1% to 20%, preferably 0.2 to 10%. The polymeric liquid crystal compound used in the present invention is a polymeric thermotropic liquid crystal, and uses a nematic, smectic, chiral smectic, or cholesteric phase as an intermediate phase.

高分子液晶化合物は異なる数種の高分子液晶化合物と混
合して用いることか可能である。また、高分子液晶化合
物と低分子液晶との混合物として用いることも可能で、
その場合の重量比は高分子液晶化合物lに対して好まし
くは5以下である。
The polymer liquid crystal compound can be used in combination with several different polymer liquid crystal compounds. It can also be used as a mixture of a polymer liquid crystal compound and a low molecular liquid crystal.
In that case, the weight ratio to the polymeric liquid crystal compound 1 is preferably 5 or less.

高分子液晶化合物中には、必要によりポリマー(例えば
、オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂。
Polymer liquid crystal compounds may include polymers (for example, olefin resins, acrylic resins), if necessary.

ポリスチレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタ
ン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等)や、オリゴマー
、各種可塑剤、各種安定剤、クエンチャ−等か含有され
ていてもよい。
Polystyrene resins, polyester resins, polyurethane resins, polycarbonate resins, etc.), oligomers, various plasticizers, various stabilizers, quenchers, etc. may be contained.

前記高分子液晶組成物の薄膜化については1例えば、ガ
ラスもしくはプラスチックからなる一対のディスク基板
間に液晶材料を挟加熱加圧成形をする方法や液晶材料を
加熱などして適当な粘度にしておき、ディスク基板上に
スピンコード又はディッピング、バーコード、ロールコ
ート等により塗布する方法、千ツマー状態で塗布した後
、重合させ高分子液晶化する方法等がある。
For making the polymer liquid crystal composition into a thin film, for example, the liquid crystal material may be sandwiched between a pair of disk substrates made of glass or plastic and heated and pressure molded, or the liquid crystal material may be heated to an appropriate viscosity. , a method of applying the material onto a disk substrate by spin code, dipping, bar code, roll coating, etc., and a method of applying the material in a thin film state and then polymerizing it to form a polymer liquid crystal.

用いられる高分子液晶組成物の厚みは、0.05〜to
o IL層であり、0.05未満ではホログラムとして
十分な解像度が得られず、100μmをこえると厚み方
向に均一な記録・再生を行うことか困難となる。
The thickness of the polymer liquid crystal composition used is 0.05 to
o It is an IL layer, and if it is less than 0.05, sufficient resolution as a hologram cannot be obtained, and if it exceeds 100 μm, it becomes difficult to perform uniform recording and reproduction in the thickness direction.

より好ましくは0.1〜80μmで用いられる。More preferably, it is used in a range of 0.1 to 80 μm.

次に、第3図は本発明において用いられる情報記憶媒体
の一例を示し、第3図(a)は本発明の情報記憶媒体の
断面図、第3図(b)はそのAA線断面図である。
Next, FIG. 3 shows an example of an information storage medium used in the present invention, FIG. 3(a) is a cross-sectional view of the information storage medium of the present invention, and FIG. 3(b) is a cross-sectional view taken along the line AA. be.

同第3図で示す情報記憶媒体7は、ガラス板又はプラス
チック板などからなる一対の基板lとlaをスペーサ4
で所定の間隔に保持し、この−対の基板1.laをシー
リングするために接着剤6で接着したセル構造を有して
おり、さらに基板lの上には透明電極2が所定パターン
で形成されている。また、基板1aの−Eには、前述の
透明電極2と向いあう透明電極2aからなる電極が形成
されている。
The information storage medium 7 shown in FIG. 3 has a pair of substrates l and la made of glass plates, plastic plates, etc.
This pair of substrates 1. is held at a predetermined distance. It has a cell structure bonded with an adhesive 6 for sealing the substrate 1, and furthermore, a transparent electrode 2 is formed in a predetermined pattern on the substrate 1. Moreover, an electrode consisting of a transparent electrode 2a facing the above-mentioned transparent electrode 2 is formed at -E of the substrate 1a.

この様な透明電極2aを設けた基板1aには、例えば、
−酸化珪素、二醜化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニ
ア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウ
ム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物な
どの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミド
、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリバラキ
シシリン。ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニ
ルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチ
レン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂やア
クリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜形成した配
向制御s5を設けることができる。
The substrate 1a provided with such a transparent electrode 2a includes, for example,
-Inorganic insulating materials such as silicon oxide, silicon oxide, aluminum oxide, zirconia, magnesium fluoride, cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, polyvinyl alcohol, polyimide, polyamideimide, polyesterimide , polyvaraxycillin. The orientation control s5 may be formed by forming a film using an organic insulating material such as polyester, polycarbonate, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea resin, or acrylic resin.

この配向制御H5は、前述の如き無機絶縁物質又は有機
絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、布
や紙で一方向に摺擦(ラビング)することによって得ら
れる。
This orientation control H5 is obtained by forming a film of an inorganic insulating material or an organic insulating material as described above, and then rubbing the surface in one direction with velvet, cloth, or paper.

本発明の別の好ましい具体例では、 SiOやSin。In another preferred embodiment of the present invention, SiO or Sin.

などの無機絶縁物質を基板1aの上に斜め蒸着法によっ
て被膜形成することによって配向量aSSを得ることか
できる。
The orientation amount aSS can be obtained by forming a film of an inorganic insulating material such as on the substrate 1a by an oblique vapor deposition method.

また、別の具体例ではガラス又はプラスチックからなる
基板1aの表面あるいは基板1aの上に前述した無機絶
縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被膜の表
面を斜方エツチング法によりエツチングすることにより
、その表面に配向制御効果を付与することができる。
In another specific example, after forming a film of the above-mentioned inorganic insulating material or organic insulating material on the surface of the substrate 1a made of glass or plastic or on the substrate 1a, the surface of the film is etched by an oblique etching method. Accordingly, an orientation control effect can be imparted to the surface.

前述の配向制御膜5は、同時に絶縁膜としても機能させ
ることが好ましく、このためにこの配向制御膜5の膜厚
は一般に100人〜l JLm 、好ましくは500人
〜5000人の範囲に設定することかできる。この絶縁
膜は記録層3に微量に含有される不純物等のために生ず
る電流の発生を防止できる利点をも有しており、従って
動作を繰り返し行っても高分子液晶化合物を劣化させる
ことかない。
The above-mentioned alignment control film 5 preferably functions as an insulating film at the same time, and for this purpose, the thickness of the alignment control film 5 is generally set in the range of 100 to 1 JLm, preferably 500 to 5000. I can do it. This insulating film also has the advantage of being able to prevent the generation of current caused by trace amounts of impurities contained in the recording layer 3, so that even if the operation is repeated, the polymeric liquid crystal compound will not deteriorate.

また1本発明の情報記憶媒体では前述の配向制御119
5と同様のものをもう一方の基板lに設けることができ
る。また1分子配列を確実に行うものとしては、−軸延
伸、二軸延伸、インフレーション延伸等の延伸法やシェ
アリングによる再配列が好ましい、単独ではフィルム性
がなく延伸か困難なものはフィルムにサンドイッチする
ことて共延伸し、望ましい配向を得ることができる。3
は高分子液晶組成物からなる記録層を示す。
Furthermore, in the information storage medium of the present invention, the above-mentioned orientation control 119
5 can be provided on the other substrate l. In addition, to ensure single-molecule alignment, stretching methods such as -axial stretching, biaxial stretching, and inflation stretching, and rearrangement by shearing are preferred.If the film does not have film properties and is difficult to stretch by itself, it is sandwiched in a film. By doing so, the desired orientation can be obtained by co-stretching. 3
indicates a recording layer made of a polymeric liquid crystal composition.

また、情報記憶媒体上のアドレスのために、読み取り可
能なマークもしくはグループを形成し。
It also forms readable marks or groups for addresses on the information storage medium.

トラッキングを行い円滑なアドレスを行うことは特に望
ましい。
Tracking and smooth addressing are particularly desirable.

本発明の高分子液晶組成物は配向して用いられるが、ホ
ログラフィによる記録方法としては、書き込みレーザー
光によって生じた干渉の強弱による高分子液晶組成物の
加熱を用いる。具体的には、等吉相以上に加熱して急冷
することで等吉相で固定するか、液晶相へ戻った場合の
配向の乱れにより記録を行う。等吉相以下に加熱もしく
は等吉相以上に加熱した場合でも、液晶相に戻る場合は
電界・磁界等を印加することで高分子液晶の配向方向を
変化させ記録を行うことが出来る。
The polymeric liquid crystal composition of the present invention is used in an oriented state, and the holographic recording method uses heating of the polymeric liquid crystal composition using the intensity of interference generated by a writing laser beam. Specifically, recording is performed by heating the material to a temperature higher than the tomoyoshi phase and rapidly cooling it to fix it in the tomoyoshi phase, or by disrupting the orientation when it returns to the liquid crystal phase. Even if the material is heated below the isokitic phase or above the isokitic phase, if it returns to the liquid crystal phase, recording can be performed by changing the alignment direction of the polymer liquid crystal by applying an electric field, a magnetic field, etc.

参照光120は、多重記録用ミラーXYθ駆動制御装置
106によってミラーXYθ駆動装置 107を駆動し
、ミラー105の位置・角度を変化させることにより、
種々の角度て情報記憶媒体116へ集光される、参照先
の各角度で記録光119のデータ内容を変化させること
によって、同一記録ピットに各角度毎に入力データをホ
ログラフィックに記憶させ多重化することが可能となり
、超大容量情報記憶が行われる。
The reference beam 120 is generated by driving the mirror XYθ drive device 107 by the multiplex recording mirror XYθ drive control device 106 and changing the position and angle of the mirror 105.
By changing the data content of the recording light 119 at each reference angle, which is focused on the information storage medium 116 at various angles, input data is holographically stored and multiplexed at each angle in the same recording pit. This makes it possible to store extremely large amounts of information.

再生においては、参照光120のみを照射し、回折され
た光をフォトディテクターアレイ117によって読み取
り、PD(フォトディテクター)信号処理装置118に
より再生信号とする。このとき参照光120の照射角度
によって多重記録されたそれぞれの情報を再生すること
が可能である。
During reproduction, only the reference light 120 is irradiated, and the diffracted light is read by the photodetector array 117 and converted into a reproduction signal by the PD (photodetector) signal processing device 118. At this time, it is possible to reproduce the multiplex recorded information depending on the irradiation angle of the reference beam 120.

フォトディテクター117は、シャッターアレイ112
によって与えられる入力データをそのまま再生するので
高速で入力データを読み取ることが出来る。
The photodetector 117 is a shutter array 112
Since the input data given by is reproduced as is, the input data can be read at high speed.

再生光は、直線偏光を用いてもよく、その場合は再生の
S/Nがもっとも大きくなるように偏光方向を調整する
ことが望ましい。
Linearly polarized light may be used as the reproduction light, and in that case, it is desirable to adjust the polarization direction so that the S/N of reproduction is maximized.

フォトディテクター117としては、CdSラインセン
サー、 a−3iラインセンサー、 CCD(chan
gecoupled  device)、  MOS(
metal  oxide  semiconduc−
Lor) 、サチコン、ビジコン、 CPD(chan
ge primi−ng device) 等がある。
The photodetector 117 includes a CdS line sensor, an a-3i line sensor, and a CCD (chan).
gecoupled device), MOS(
metal oxide semiconductor
Lor), Sachicon, Vidicon, CPD (chan
geprimi-ng device), etc.

これらのフォトディテクターアレイは再生光波長に応じ
て選択される。
These photodetector arrays are selected depending on the reproduction light wavelength.

記憶内容を消去する方法としては、情報記憶媒体全体を
加熱し、記録された情報部分を再度配向させることによ
って行われる。また、記録部分に記録時よりも低パワー
のレーザー光を長時間照射することで部分的に再配向す
ることも’T flである。−h記の消去時には、電界
・磁界等によって再配向を促進してもよい。
A method for erasing stored content is to heat the entire information storage medium and reorient the recorded information portion. 'T fl also involves partially reorienting the recording area by irradiating the recording area with a laser beam of lower power for a longer time than during recording. - When erasing the item h, reorientation may be promoted by an electric field, a magnetic field, or the like.

[実施例] 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。[Example] Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.

実施例1 第2図は本発明で用いられる情報記憶媒体の一例を示す
部分模式図である。
Embodiment 1 FIG. 2 is a partial schematic diagram showing an example of an information storage medium used in the present invention.

ITOの透明電極2を設けたガラス基板l上にポリアミ
ック酸溶液(日立化成工業■製PIQ :不揮発分濃度
:1.OwL%)をスピナー塗布機によって塗布し、1
20℃で30分、200℃で60分、350℃で30分
加熱処理してポリイミド層を設け、これなラビング法に
よって一軸配向性を与えて配向制御1膜5を形成した。
A polyamic acid solution (PIQ manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., non-volatile content concentration: 1.OwL%) was coated on a glass substrate l provided with an ITO transparent electrode 2 using a spinner coating machine.
A polyimide layer was provided by heat treatment at 20° C. for 30 minutes, 200° C. for 60 minutes, and 350° C. for 30 minutes, and uniaxial orientation was imparted by this rubbing method to form the orientation control 1 film 5.

次に、下記の構造式(I)で表わされる高分子液晶化合
物に、下記の構造式(U)で表わされるIR吸収色素を
1wt%添加し、シクロヘキサンに溶解したものを、上
記基板にスピナー塗布した。
Next, 1 wt % of an IR absorbing dye represented by the following structural formula (U) was added to the polymeric liquid crystal compound represented by the following structural formula (I), and the solution was dissolved in cyclohexane and coated on the above substrate using a spinner. did.

乾燥後の膜厚は5μ−であった。The film thickness after drying was 5 μ-.

n≧10 (I) (II ) 次に、上記の高分子液晶組成物を塗布した基板に、前記
ポリイミド配向制御膜を同様の処理をして形成したもう
一方の基板な配向方向を合わせて貼り合わせた。その後
、120°Cに加熱し、徐冷することにより一軸配向し
た情報記憶媒体を得た。
n≧10 (I) (II) Next, on the substrate coated with the above-mentioned polymeric liquid crystal composition, another substrate, on which the polyimide alignment control film was formed by the same treatment, was attached with the alignment direction aligned. Combined. Thereafter, it was heated to 120°C and slowly cooled to obtain a uniaxially oriented information storage medium.

第1図に示す装置を使用し、この情報記憶媒体に、波長
8]On■、出カニ1OsWの半導体レーザーを用いて
ビット情報を記録し、参照光のみを1mWで再生したと
ころ、15dBのS/Nてビット情報が再生された。
Using the apparatus shown in Fig. 1, bit information was recorded on this information storage medium using a semiconductor laser with a wavelength of 8]On and an output of 1OsW, and when only the reference light was reproduced at 1mW, an S of 15dB was obtained. /N bit information was reproduced.

この記憶媒体を120°Cに加熱し、徐冷することによ
り消去することかでき、再度記録を行ったかS/Nは変
らなかった。
It was possible to erase the data by heating this storage medium to 120°C and slowly cooling it, and the S/N did not change even if recording was performed again.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明の情報記憶装置によれば、
高分子液晶組成物からなる感光体層へ複数のビット情報
をホログラフィックな手段により記録し、再生すること
により、感度が良好て大容址のデータを高速で記録し、
再生することかできる効果がある。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the information storage device of the present invention,
By recording and reproducing multiple bits of information on a photoreceptor layer made of a polymeric liquid crystal composition by holographic means, it is possible to record a large amount of data at high speed with good sensitivity.
It has an effect that can be regenerated.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図本発明の情報記憶装置の一例を示す概略図、第2
図は本発明に用いられる情報記憶媒体の一例を示す部分
模式図および第3図は本発明に用いられる情報記憶媒体
の他の例を示し、第3図(a)は情報記憶媒体の断面図
、第3図(b)はそのAA線断面図である。 1 、 la、 115・・・基板  2,2a・・・
透明電極3・・・記録層      4・・・スペーサ
ー5.5a・・・配向制御膜 6・・・接著剤7.11
6・・・情報記憶媒体 101・・・レーザー光源駆動装置 102・・・レーザー光源 103・・・コリメーターレンズ 104・・・ハーフミラ− 105、113・・・ミラー 106−・・多重記録用ミラーxYO駆動制御装置10
7・・・ミラーX’l駆動装置 108、109・・・集光レンズ 110・・・入力データ転送装置 1+8 ・・・シャッターアレイ駆動回路 ・・・シャッターアレイ ・・・高分子液晶組成物感光体層 ・・・フォトディテクター ・・・PD(フォトディテクター)信号処理装置・・・
記録光 ・・・参照光
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of an information storage device of the present invention, FIG.
The figure is a partial schematic diagram showing an example of the information storage medium used in the present invention, FIG. 3 is a partial schematic diagram showing another example of the information storage medium used in the present invention, and FIG. , FIG. 3(b) is a cross-sectional view taken along line AA. 1, la, 115...substrate 2, 2a...
Transparent electrode 3... Recording layer 4... Spacer 5.5a... Orientation control film 6... Adhesive 7.11
6... Information storage medium 101... Laser light source driving device 102... Laser light source 103... Collimator lens 104... Half mirror 105, 113... Mirror 106... Mirror for multiplex recording xYO Drive control device 10
7...Mirror X'l drive device 108, 109...Condensing lens 110...Input data transfer device 1+8...Shutter array drive circuit...Shutter array...Polymer liquid crystal composition photoreceptor Layer...Photodetector...PD (Photodetector) signal processing device...
Recording light...Reference light

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)レーザー光を照射する手段と、該レーザー光を参
照光と記録光に分離する手段と、分離された記録光に強
度変調からなる複数のビット情報を与える手段と、高分
子液晶組成物からなる参照光と記録光の干渉を記録する
手段と、参照光を照射したときに生じる回折光を受光す
る複数の光検出器からなる手段を備えていることを特徴
とする情報記憶装置。(2)前記レーザー光が半導体レ
ーザーによって与えられるレーザー光である請求項1記
載の情報記憶装置。 (3)前記高分子液晶組成物からなる参照光と記録光の
干渉を記録する手段において、該高分子液晶組成物が配
向処理されている請求項1記載の情報記憶装置。 (4)前記高分子液晶組成物がレーザー光に対して吸収
を有する請求項1記載の情報記憶装置。 (5)前記記録光に与えられた強度変調からなる複数の
ビット情報の量に対して、回折光を受光する複数の光検
出器の分解能が等しいか或いは多い請求項1記載の情報
記憶装置。
[Scope of Claims] (1) Means for irradiating laser light, means for separating the laser light into reference light and recording light, and means for imparting a plurality of bits of information consisting of intensity modulation to the separated recording light. , comprising a means for recording interference between a reference beam made of a polymer liquid crystal composition and a recording beam, and a means consisting of a plurality of photodetectors for receiving diffracted light generated when the reference beam is irradiated. information storage device. (2) The information storage device according to claim 1, wherein the laser light is a laser light provided by a semiconductor laser. (3) The information storage device according to claim 1, wherein the polymer liquid crystal composition is subjected to alignment treatment in the means for recording the interference between the reference light and the recording light made of the polymer liquid crystal composition. (4) The information storage device according to claim 1, wherein the polymer liquid crystal composition absorbs laser light. (5) The information storage device according to claim 1, wherein the resolution of the plurality of photodetectors that receive the diffracted light is equal to or greater than the amount of the plurality of bits of information formed by intensity modulation applied to the recording light.
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