JPH02280116A - 情報記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、可逆的、光学的に超大容量のデータを記憶す
る装置に関し、特に高分子液晶組成物を用いた情報記憶
装置に関する。

［従来の技術］ 現在、光記憶方式は大容量かつランダムアクセスに優れ
たものとして実用化されている。その方式も多岐にわた
り、再生専用としてディジタルオーディオディスク（Ｃ
Ｏ）やレーザービデオディスク（ＬＤ）が実用化されて
いる。光記録か可能なものとしては追記型光ディスク（
ＷＯ）　、光カート（ＯＣ）が知られており、金属薄膜
の相変化を用いるものや、有機染料のピット形式を用い
るものがある。

さらに、書き換え型光ディスクの研究が進められており
、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実用
化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報記
憶媒体として提案されている（特開昭５９−１０９３０
号公報、特開昭５９−３５９８９号公報、特開昭６２−
１５４３４０号公報）、その中では記録方式としてコレ
ステリック性高分子液晶のらせんピッチ長を変えるか、
あるいは無配向状態のピット形成によって光反射率を多
値的に変化せしめる方式も提案されている（特開昭６２
−１０７４４８号公報、特開昭６２−１２９：１７号公
報）、その他、情報記録媒体以外にも高分子液晶を用い
た表示装置も提案されている。（特開昭６２−２７８５
２９号公報、特開昭６２−２７８５：１０号公報） これらは、大容量なデータを記憶することか可能であり
、優れた特性を有するものであるが、磁気記録の記録波
長か０．１鰺重程度まて可能となっている現状から、十
分に大容量であるとは言えなくなっている。

光記録による超大容量記憶の可能なものとして、ホログ
ラフィックメモリーが提案されている［ピー　ジェイ　
ヴアン　ハーデン「アプライド　オブティクスＪ　　（
Ｐ、Ｊ、ｖａｎ　Ｈｅｅｒｄｅｎ、　Ａｐｐｌ。

０ｐｔｉｃｓ）第２巻、３９３頁（１９６３年）］。

しかしながら、これらは超高密度なホログラムを記録す
ることか可能な可逆感光材料がなかったために実用的に
用いることか出来なかった。

最近、このような目的に適した可逆感光材料として、高
分子液晶の光異性化反応を用いたものか報告されている
。（特開昭６３−８７６２６号公報、特開昭６２−１９
１８２６号公報） ［発明か解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来例ては、光異性化反応を用いて
いるために、書き込み速度、消去速度が遅い欠点かあっ
た。さらに、上記従来例では、超大容量の記憶・再生を
行ったときには、記録速度・再生速度か十分てなく、デ
ータの入力・転送において入出力制御装置の性能を制限
する欠点かあった。

本発明の目的は、この様な従来技術の欠点を改みするた
めになされたものであり、情報記憶媒体に高速でホログ
ラムによる超大容量データ記録か可能となるとともに記
録された超大容量データを高速で再生することを可能と
した情報記憶装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 即ち、本発明は、レーザー光を照射する手段と、該レー
ザー光を参照光と記録光に分離する手段と、分離された
記録光に強度変調からなる複数のビット情報を与える手
段と、高分子液晶組成物からなる参照光と記録光の干渉
を記録する手段と、参照光を照射したときに生じる回折
光を受光する複数の光検出器からなる手段を備えている
ことを特徴とする情報記憶装置である。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の情報記憶装置によれば、レーザー光を照射する
手段、該レーザー光を参照光と記録光に分離する手段、
分離された記録光に強度変調からなる複数のビット情報
を与える手段、高分子液晶組成物からなる参照光と記録
光の干渉を記録する手段、及び参照光を照射したときに
生しる回折光を受光する複数の光検出器からな手段を設
けたことにより、高分子液晶組成物からなる記憶媒体に
高速でホログラムによる超大容量データ記録か可店とな
るとともに記録された超大容量データを高速で再生する
ことを可能としだものである。

次に、本発明の情報記憶装置について第１図を用いて詳
細に説明する。第１図は、本発明の情報記憶装置の一例
を示す概略図である。同図において、まず、レーザー光
源駆動装置ｌｏｔによってレーザー光源１０２の強度お
よびパルス巾の制御を行うことにより、記録もしくは再
生のためのレーザー光の変調を行う。このような変調が
可能なレーザー光源としては半導体レーザーか最も適し
ており、特にコヒーレンズ長の長い単一横モード半導体
レーザーが選択される。

得られたレーザー光は、コリメーターレンズ１０３によ
り平行光とされ、ハーフミラ−１Ω４により記録光＋１
９と参照光１２０に分離される。

記録光１１９は、集光レンズ１０９により情報記憶媒体
１１６上の高分子液晶組成物感光体層１１４に集光され
る。このとき記録光１１９は、記録のための入力データ
転送装Ｒ１１０より発生する入力データ信号によって、
シャッターアレイ駆動回路１１１からシャッターアレイ
１１２の駆動信号を発生し、シャッターアレイ１１２へ
濃度変化によって与えられる入力データを与える。

シャッターアレイ１１２は、強誘体結晶やＰＬＺＴ等に
代表される強誘電性セラミックス、液晶９強誘電性液晶
等を用いることが可能である。特に１表面安定化強誘電
性液晶を用いたシャッターアレイは高速駆動が可能で、
かつそのメモリー性を用いた超大容量データ出力が可能
である。

シャッターアレイによって濃度変調を与えられた記録光
は、ミラー１１３によって情報記憶媒体１１６の高分子
液晶組成物感光体層１１４に集光される。

一方、ハーフミラ−１０４によって分離された参照光１
２０はミラー１０５により反射され、さらに集光レンズ
１０８により記録光と同じ位置に集光される。集光され
た記録光１１９と参照光１２０は干渉を生じ、高分子液
晶組成物感光体層１１４の配向された高分子液晶組成物
に屈折率の変化として干渉しまなホログラフィックに記
録される。

このとき、記録部に一定のレーザーパワーが照射される
ように、反射光を一部検出にオートフォーカスを行うこ
とにより安定な記録か可使となる。

情報記憶媒体１１６に用いられる高分子液晶組成物感光
体層１１４は、高分子液晶化合物および光吸収剤からな
り、基板１１５上に塗布した後、配向処理することによ
り得られる。

本発明における高分子液晶化合物、物に用いられる高分
子液晶化合物として具体的には次のようなものが挙げら
れる。

（下記式（１）　〜（１３）中、１５＞　ｎ≧１である
。）（Ｌ） （！２） （］４） （下記式（１４）〜（１７）中、 ｐ＝５〜１０００゜ ｐＩ＋ｐ２： ５〜１０００゜ ｑ＝１〜１６゜ Ｑ＋＝ １〜１６゜ Ｑ２＝ である。

ＣＨ：１ →Ｃ１１２−Ｃ→ｒ （下記式（１８）〜（４６）中、 ＊は不斉炭素中心を 示し。

ｎ＝５〜１０００である。

（−、−＝２〜１０） （２り （會、＝２〜ｌ５） （２コ） （皇２＝２〜Ｉｓ） （ｍ、＝２〜！８＋） （ｘ＋ｙ＝１゜ ｑ＝ｌ〜１Ｇ、　Ｐ２＝　ｌ〜ｌ５） （鳳２＝２〜１ｓ） （＠、＝２〜Ｉｓ） （ｍ２＝２〜＋５゜ ｘ＋ｙ＝１） （ｘ＋ｙ＝１．■２＝２〜１５） （ｘ＋ｙ＝１） （ｘ＋ｙ＝１．　ａ＋ｔ＝２〜ｌ５） （ｘ＋ｙ＝１．ｍ２＝２〜＋５） （勧＝１〜５） （Ｉ１５＝０〜５） ｒ （５り （以下、 １６は１〜１８とする） （β２＝５〜１８） Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチルシンナメート　（ＤＯＢＡＭＢＣ）（６０〕 Ｐ−へキシロキシベンジリデン＝Ｐ′−アミノ−２−ク
ロルプロピルシンナメート　（ＩＩＯＢＡＣＰＣ）前記
高分子液晶化合物は、 その相転位温度を調 整するために低分子液晶と組み合わせて用いることか出
来る。

具体的な低分子液晶の例としては 次のような Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチル−α−シアノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣＣ
）ものか挙げられる。

Ｐ−テトラデシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２
−メチルブチル−α−シアノシンナメー）−（ＴＤＯＢ
八ＭＢへ：Ｃ）（２−メチルブチル） エステル Ｐ−オクチルオキシベンジソデンーＰ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−クロロシンナメート　（ＯＯＢＡＭ
Ｂ（：Ｃ）−４′−オクチルアニリン （ＭＢＲＡ オキシビフェニル−４−カルボキシレートＰ−オクチル
オキシベンジリデン−Ｐ′〜アミノ−２−メチルブチル
−α−メチルシンナメート（１コ） ブチル） ビフェニル−４′−カルボキシレート ４−（２″−メチルブチル）フェニル−４−（４″−メ
チルヘキシル）ビフェニル−４′−カルボキシレートブ
チル） ビフェニル−４′−カルボキシレート ４−　（２’−（プロとルオキシ）プロピル）オキシフ
ェニル−４−（デシロキシ）ビフェニル−４′−カルボ
キシレートブチル） ビフェニル−４′−カルボキシレート （４’−（４−へキシルオキシ）フェニルオキシカルボ
ニル）フェニル−ｐ−（４″−メチルへキシルオキシ）
ベンゾエートＤｉｒｅｃｔ　Ｒｅｄ　２８ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｖｉｏｌｅｔ　１２ さらに、 レーザー光等にて書き込み。

消去を行 う場合には、 高分子液晶組成物感光体層ヘレー ザー光吸収化合物を添加することによって感度を向上さ
せることができる。

高分子液晶層へ添加す るレーザー光吸収化合物の例としては。

下記に示 すようなものが挙げられる。

ＤｉｒｅｃＬ　Ｂｌｕｅ　＋ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　Ｉｓ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　９８ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　　１５１ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｅｄ　８１ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｙｅｌｌｏｗ　４４ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｙｅｌｌｏｗ　１２ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｏｒａｎｇｅ　：１９ Ｎ■２ υ υ１１ υ Ｎ■２ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ ｌｕｅ Ｃｉ’０４８ ＡｓＦ、ｅ ＣＲＯ，ｅ また、半導体レーザー光による記録・再生・消去に適し
ている近赤外吸収色素としては、下記に示すようなもの
が用いられる。

高分子液晶化合物に添加することによって、ガラス転位
点（Ｔｇ）、融点（Ｔｍ）を大幅に低下させ、液晶相を
減少させるような運動性の増加をもたらさないところの
有機大環状色素としては、アザアヌレン類、アヌレン類
等があり、可溶性のためにアルキル置換基が設けられる
が、溶解性を阻害しない範囲で他の置換基を設けて用い
られる。

さらに具体的には、フタロシアニン類、ナフタロシアニ
ン類、テトラベンゾポルフィリン類やその他置換、非置
換ポルフィリン類が用いられる。

特に有効なものとして、下記一般式（Ｉ）で表わされる
フタロシアニン、ナフタロシアニン等がある。

（一般式（Ｉ）中符号 て示される。

［但し、Ｒ３−Ｒ２゜は水素原子、炭素原子数４〜２０
の直鎖もしくは分岐したアルキル基、アルコキシ基、ア
ルケニル基もしくは下記から選択される置換基を示す。

ＳｉＱ＋ＱｚＱ３ ５Ｑ４ −　ＣＯＱ。

−Ｃ００Ｑ６ ＮＱｔＱａ （Ｑ、〜Ｑ６は水素原子、炭素原子数１〜２ｏの直鎖も
しくは分岐したアルキル基又はアルケニル基を示す０月 ＭはＧｅ、　Ｓｎ、遷移金属、　Ａｌｌ、　Ｃａ、　Ｉ
ｎ、アルカリ土類金属、ランタニド金属、アフチニト金
属およびその酸化物、ハロゲン化合物もしくはアルコキ
シ化合物を示す、） 光記録を行う場合に近赤外から赤色可視に波長を有する
半導体レーザーを用いることは記録再生装置の小型化、
高性能化に重要であるが、その波長域で用いることが可
能な可溶性有機大環状色素としてはナフタロシアニン類
か特に優れている。

特に、一般式（ＩＩ　）て示されるものは、溶解性に優
れている−ため本発明の記憶媒体に適している。

（Ｘｓｎ）ｂ ［一般式（＋１　）中 Ｍ　：　Ｇｃ、　Ｓｎ、　３移金属、　ＡＣＣａ、　Ｉ
ｎ、アルカリ−に類金属、ランタニド金属又はアフチニ
ト金属 Ｘ：ハロゲン基、アルキル基、カルボキシル基、アルコ
キシ基、エーテル基又はアルケニル基等を、 Ｘｍ＋−ｘ■４：ハロゲン基、アルキル基、スルファセ
イル基、エーテル基又はアルケニル基等を。

ａ〜ｄ：Ｏ〜４を示す。

（但しａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≧１）、］ これらの化合物は、特開昭６１−９０２９１号公報に開
示された方法等によって容易に合成てきる。

さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては、アミニウム塩化合物又はジイモニウ
ム塩化合物か挙げられる。

本発明で使用されるアミニウム塩化合物およびジイモニ
ウム塩化合物は、それぞれ下記の一般式［ｍｌ　　　［
ＩＶ］および［Ｖ］で表わされる。

一般式［Ｉ１１］ ％式％［ 一般式［Ｖ、］ −Ｆ記の一般式［ｍｌ、［ＩＶ］および［Ｖ］において
、１１〜８１０は同種または異種の水素原子、またはア
ルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、５ｅｃ−ブチ
ル基、１ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基
、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ
−オクチル基および、Ｃ９〜Ｃ１□のアルキル基など）
を示し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキル基
（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプ
ロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエ
チル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエチル基
、３−カルボキシプロピル基、２〜スルホエチル基、３
−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−スルフ
ェートプロピル基、４−スルフニートラチル基、Ｎ−（
メチルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−（アセ
チルスルファミル）プロピル基、４−（アセチルスルフ
ァミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例えば。

シクロヘキシル基など）、アルケニル基（ビニル基、ア
リル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘ
キセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、トデシニル
基、プレニル基など）、アラルキル２！（例えば、ベン
ジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナ
フチルメチル基など）、置換アラルキル基（例えば、カ
ルボキシベンジル基、スルホペンシル基、ヒドロキシベ
ンジル基など）を包含する。

Ｙは、Ｃ−または−（）−（つ−を示し、この芳香族環
上にアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基を置換して
もよい。

八〇は陰イオン、例えばバークロレート、フルオロボレ
ート、アイオダイド、クロライド、ブロマイド、サルフ
ェート、バーアイオダイド、ｐ−トルエンスル これらのアミニウム塩化合物およびジイモニウム塩化合
物は、特公昭４３−２５３３５号公報などに開示される
合成法に準じて合成することができる。

次に、前記一般式［ｍｌ、　［ＩＶ］て示されるアミニ
ウム塩化合＊（ＡＭ）の代表例を下記の表１に挙げる。

化合物　一般式 ％式％ ＾賛−ｌゴ ＾Ｍ−１４ 八Ｍ−１ｓ 表 くｙ シΣ ＋ 分 台 （ｙ べ上 くｙ 分 ＋ ÷ くト 、くン 台 ÷ Ｃｌｌ。

Ｃ１１。

ＣＨ。

Ｃ．１１％ ＣＪ。

ａｌｌｓ ｎ−Ｃ＝Ｈｙ ｉｓｏ−Ｃ．ＩＩ。

−ＣＪｓ ｎ−Ｃａ。

−ＣＪｓ −ＣＪｑ ｎ−Ｃ．ｌＩ。

−ＣＪＩｓ ｔ−Ｃ．ＩＩ９ Ｒユ 八〇 ｓＦｓｅ ｃＰｏ．。

ＳｂＦｓθ ＡｓＦ．。

ＣＩ！０４θ ８Ｆ．θ ＡｓＦａ’ ＣＩ！０４。

ｃＰｏ．。

ＡｓＦ６。

ＳｂＦ．θ ＲＦ４θ ＣＩｌ，ＫｙＳＯｆｆ。

ｃｐｏ．’ 化合物　一般式 ％式％ ［ ［］ ［］ 次に前記一般式［Ｖ］で示されるジイモニウム塩化合物
（ＩＭ）の代表例を下記の表２に挙げる。

表 １ト１ １ト　　２ １Ｍ−、３ ト４ ト５ ト６ ト７ ト８ ト９ 間−■夏 關−１２ 緘−！８ Ｃ１１。

Ｃ　２　ＩＩ　ｓ Ｃ　２Ｈ　。

ｚＨｓ ｎ−Ｃ３１１ツ ｉｓｏ−Ｃ３Ｈｔ −Ｃ４Ｈｓ ｎ　−　Ｃ　、　ＩＩ　。

ｎ−Ｃ＜Ｉｓ ｎ　−　Ｃ　４　ＩＩ　ｓ ｎ−Ｃ．ｌｌ。

−Ｃｌｓ −Ｃ４Ｈｓ ｔ−Ｃ４）１ｓ ｎ−Ｃｓ）Ｉｔ：＋ ｎ−Ｃ６Ｈ＋ｔ ＡｓＦ．θ ＣＩ！Ｏ，θ ＳｂＦ．ｅ ＡＳＦ６θ ｃｐｏ．ｅ ８Ｆ４θ ｓＦ６ｅ ｃｐｏ．。

ｃｐｏ．ｅ ＡｓＦ．ｅ ＳｂＦ６’ ＲＦ．ｅ ＣＩｉ１ＣトＳＯ３ｅ ＣＩ！０４θ ＡｓＦ．θ ｃｒｏ．Ｏ ＡｓＦ．θ 一般式［１］ １Ｍ−１９ｎ−Ｃ＋Ｊ□ｓ　　←←←ＳｂＦ６θＩＭ−
２０　　Ｃ２Ｈ，ＯＨ←　　←　　←　　　　　ＳｂＦ
６゜ＩＭ−２１Ｃ２Ｈ，０１１←　　←　　←　　　　
　ＣＩ！０４゜ＩＭ−２２Ｃ，Ｈ，Ｏ）Ｉ　　　←　←
　←　　　ＮＯ：Ｉ。

ＩＭ−２：ｌ　　Ｃ，Ｈ４０１１←　　←　　←　　　
　　５ｂＦｓ。

上記アミニウム塩化合物（以下、　ＡＭ化合物と記す）
およびジイモニウム塩化合物（以下、ＩＭ化合物と記す
）は近赤外域に吸収をもち、安定な光吸収色素として有
用でありかつ、高分子液晶に対して相溶性もしくは分散
性かよい。

さらに、半導体レーザーの吸収剤として１次ぎのような
金属キレート化合物か挙げられる。

本発明で使用される金属キレート化合物の例を挙げると
下記の一般式［１１〜［７］て表わされる。

１１＋ｓ （式中、ＲＩ５は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル
基、アリール基でもう一方のＲＩ５と結合しても良い、
Ｒ１６はアルキル基、ハロゲン原子、水素原子、ニトロ
基又はベンゾ縮合系基を表わし、中心金属ＭはＧｕ、　
Ｎｉ、　Ｃｏ又はＰｄを表わす、）一般式［２］ （式中、Ｒ１７は水素原子、水酸基、アルキル基、アリ
ール基でもう一方のＲ１？と結合しても良い。

１（，８は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ニト
ロ基又はベンゾ縮合系基を表わし、ＭはＣｕ。

Ｎｉ、Ｇｏ又はＰｄを表わす、） 一般式［３］ 水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はベンゾ縮合系
基な表わし、ＭはＣｕ、　Ｎｉ、又はＰｄを表わす、） 一般式［５］ （式中、ＲＩ９はアルキル基、アリール基、Ｒ２０は水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ニト
ロ基又はベンゾ縮合系基を表わし、ＭはＣｕ、　Ｎｉ又
はＰｄを表わす。） 一般式［４］ （式中、Ｒ２３は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル
基を表わし１ＭはＣｕ又はＮｉを表わす。）一般式［６
］ （式中、８２４は水素原子、又はアルキル基を表わし１
ＭはＣｕ、　Ｎｉ、　Ｇｏ又は間口を表わす。）（式中
、Ｒ２１はアルキル基、アリール基、Ｒ２２は一般式［
７］ 表　　３−１ （式中、Ｒ２’５＋　ＬＧは、置換ないし非置換のアル
キル基、アシル基又はアリール基またはＲ２Ｓ＋　８２
６で芳香族環を形成しても良い０ＭはＣｕ、　Ｎｉ、　
Ｇｏ又はＰｄを表わす、この場合、Ｍは電荷を持ち、カ
ウンターイオンを持っても良い、） 次に、前記一般式［１］〜［７］で示される金属キレー
ト化合物の具体的な化合物例を下記の表３に挙げるが、
本発明はこれらに限定されるものではない。

［１］ ［１１ ［１Ｆ ［１］ ［１１ ［１１ ［１］ ［１］ ［１］ ［１１ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ 〔２〕 ［２］ Ｒ＋５−Ｏｆｆ Ｒ＋５−Ｏｆ＋ Ｒ＋ｓ＝ｌ＋ ＲＩＳ＝Ｃ２１１％ Ｒ１５＝Ｉ−Ｃ３１ｋ Ｒ１５＝ｎ−ＣａＨ＋＋ Ｒ１５−ｎ−Ｃｓ１ｌ＋ｚ Ｒ＋５−Ｃ６Ｈ５ １ｅｔｓ耐Ｉ Ｒ，５−ＣＨ，− Ｒ，、−Ｈ Ｒ，、−ＣＨ。

Ｒ＋ｔ＝ＯＨ Ｒ，７−Ｃ，Ｉｌ。

Ｒ，、−（：３Ｈ） Ｒ＋ｔ＝ＣＣＨｔ）５ＣＨ：ｓ Ｒ，、ｊ（ＣＩｌ□）ｌｌＣＨ３ Ｒ，、＝ｉ−Ｃ３１１ｔ Ｒ１７二〇Ｈ Ｒ，、＝ＯＨ Ｒ，、＝−ＣＨ２− Ｒ、、＝Ｈ Ｒ、、−Ｈ Ｒ１Ｇ＝４−Ｃ２＋１５ ８、、＝５−Ｃｉ） Ｒ＋ａ＝Ｈ Ｒ，、＝４−ＣＩ（ユ Ｒ，、＝４−ＣＩｌ。

Ｒ１ｓ＝ｌｌ Ｒ，６＝５．６−Ｃ，ｌ１４ Ｒ＋６＝４−ＮＯｘ Ｒ，、＝Ｈ Ｒ，、＝Ｈ Ｒ１ａ＠５−ＣＪｓ Ｒ１６−５−Ｃ２Ｈ５ Ｒ，、＝４−Ｃ１） Ｒ，、＝４−ＣＩｌ。

Ｒ，、＝５．６−Ｃ，Ｈ。

Ｒ，、＝５．６−Ｃ，Ｉｌ。

Ｒ＋ａ＝４−Ｃ：＋１Ｉ７ Ｒ１ａ耐１ Ｒ＋ｏ＝４−ＮＯｚ 表　　３−２ 表　　３−３ ［２］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［５］ ［５］ Ｒ，、−Ｃ１１，− Ｒ１９”１Ｊｈ ８．９＝Ｃ，ｌ＋５ Ｒ，、＝Ｃ６１１゜ ８．９−４’−（Ｃ１−１３）、Ｎ−Ｃ，＋１゜Ｒ＋ｓ
＝４’−Ｃｊ’−Ｃｊ４− Ｒ，、−ＣＨコ Ｒ，、＝Ｃ２＋１゜ ８．９＝ＣＨ３ Ｒ＋５＝ＣａＨｓ Ｒ２，＝ＣＨ。

Ｒｖｒ＝Ｃ＊Ｈｓ Ｒ２−ＣＩｌ３ Ｒ，、＝Ｃ３Ｈ？ Ｒ２＋＝（ＣＪｓ）ＣＨ。

Ｒ２１−（Ｃ１１２）？ＣＩ＋３ Ｒ，、−Ｃ，８％ Ｒ２，＝Ｃ１１゜ Ｒ２１＝（ＣＩＩ＊）　５ｃｌｌ＋ Ｒ２コ＝■ ８２３！Ｈ Ｒ＋ａ＝４−Ｎｏ２ Ｒ，、−Ｈ Ｒｚｏ”４−Ｃ）ｌ：＋ Ｒ２ｏ＝４−ＣｔＨｓ Ｒ２゜＝１１ Ｒ２゜−４−ＣＨ１３ Ｒ２゜−４−ＣＨ３ Ｒ２０−４−Ｃ４） Ｒ２゜−−Ｎ０２ Ｒ２゜３Ｃ，ＨＳ Ｒ，、−Ｈ Ｒ＊ｘ−４−ＣＨ３ Ｒｔｚ”Ｈ Ｒｔ２−４−ＣＨｓ Ｒ２ｇ−Ｃａｌｌｓ Ｒ２２＝Ｃ６Ｈ’Ｓ Ｒ，、−５，６−Ｃ，Ｈ。

Ｒ２ｔ＝Ｈ Ｒ２！昭４−Ｃｊ） ［５］ ［６］ ［６］ ［６］ ［７］ ［７］ ［７］ ［７］ ［７］ ［７］ ［７］ ［７］ 、［７］ ［７］ ［７］ Ｎｉ Ｎｉ Ｎｉ Ｒ２３＝４−ＣＨ，ｌ Ｒ２４＝Ｉ＋ Ｒ，、＝Ｈ Ｒ２ｎ＝２−Ｃ２１＋５ Ｒｚｓ＝ＣＪｓ　　　　　　　　　　Ｒｇａ＝Ｃｓｌ１
％Ｒ２５＝Ｃ：ａｉｌｓ　　　　　　　　　　Ｒ２６＝
Ｃ６Ｈ％Ｒｚｓ＝Ｐ−（Ｃｔｌｌｓ）Ｊ−Ｃ６１１４Ｒ
ｔ６＝ＣＪｌｓＲ２ｓ＝Ｐ−（ＣＨ＊）Ｊ−Ｃ６Ｈ４Ｒ
２６＝ＣＧ＋１５８２Ｓ＝Ｃ）１３ＣＯＲ２Ｇ＝ＣＨ３
ＧＯ−８２５−Ｒ２，＝−ＣＩｌ＝ＣＩｌ−ＣＨ−ＣＨ
−−Ｒ＊５−Ｒｚａ＝−ＣＩｌ−Ｃ−Ｃ＝Ｃ１ｌ−・　
　　Ｉ ＣｌｌＣｌ！ −Ｒ□−１１．６−ＣＨ−Ｃ−ＣＨ−ＣＨ−Ｎ（ＣＪｓ
）２ −Ｒ２ｓ−Ｒ２ｇ＝−（：Ｈ−Ｃ−ＣＨ”ＣＨ−冨 ＣＨ。

−Ｒ，５−Ｒ，６，−Ｃ１ｌ−Ｃ−Ｃ＝Ｃ１ｌ−ＣＨ２
Ｃｌ２゜ −Ｉ’１ｇ５−Ｆ１２ｓ訃ＣＨ＝ＣＩ−１−ＣＩｌ＝Ｃ
Ｉ＋−上記金属キレート化合物は近赤外域に吸収をもち
、安定な光吸収色素として有用でありかつ、高分子液晶
に対して相溶性もしくは分散性がよい。

さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては、次のようなものが挙げられる。

一般式［８］ （式中、Ｒ２？はイオウ原子、ご換ないし非置換のアミ
ノ基、酸素原子又はチオケトン基、Ｒ２１１は水素原子
、アルキル基、ハロゲン原子又はアミノ基を表わし１Ｍ
はＺｎ、　Ｃｕ又はＮｉを表わす、）一般式［９］ （式中、Ｒ２９はアルキル基、アリール基又はスチリル
基を表わし、ＭはＣｕ、　Ｎｉ、又はＣｏを表わす。） 一般式［！０］ （式中、Ｒ３ｏは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、アシル基又はアリール基を表わし、ＭはＮｉ又はＺｒ
を表わす、） 一般式［１１］ （式中、Ｒ１，はアルキル基又はアリール基、ＭはＣｕ
、Ｎｉ又はＣｏを表わす。） 一般式［１２］ 一般式［１４コ （式中、Ｒ：１２＋　Ｒ３ｆｆはアルキル基又はアリー
ル基、ＭはＮｉを表わす。） 一般式［１３］ （式中、ＲユＧ＋　Ｒ：＋７は水素原子、ハロゲン原子
又はアルキル基てＸは酸素原子又は硫黄原子１ＭはＮｉ
を表わす、） 一般式［１５］ ％式％ （式中、Ｒ：＋４１　Ｒ３Ｓはアルキル基、アミノ基、
アリール基又はフラン基、又はＲｆｆ４とｌｌ：ｌｓて
脂環式化合物を形成しても良い。ＭはＮｉを表わす。）
（式中、　８３ａ、　Ｒ３９は水素原子、アルキル基、
ハロゲン原子又はニトロ基、Ｘは酸素原子又は硫黄原子
１Ｍは旧、Ｙ・は４級アンモニウムカチオンを表わす、
） 一般式［１６］ 次に、前記一般式［８］乃至［１７］て示される化合物
の代表例を下記の表４に挙げるが、本発明はこれ等に限
定されるものではない。

（式中、　　Ｒ４゜はアミノ基１ＭはＣｕ、　Ｎｉ、　
Ｃｏ又はＰｄを表わす、） 一般式［１７］ （式中、　Ｒ４１は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アシル基、ニトロ基又はアルコキシル基、ＭはＺｎ
、　Ｃｕ、　Ｎｉ又はＣＯを表わす、）表 表 ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［８］ ［９］ ［９］ ［９］ ［９］ ［ｌＯ］ ［ｌＯ］ ［ｌＯ］ Ｒ２？・Ｏ Ｒ２？°０ Ｒ１１？・５ ｎｔｔ・Ｓ Ｒ２？°Ｓ Ｒ２フ゛Ｓ Ｒ２？；Ｓ Ｒ２，；　Ｎ１１ Ｒ２？・Ｎ）ｌ Ｒ２？・ＮＣＩＩ。

Ｒ２？・ＮＨ Ｒ２？・Ｃ−５ ａＳＳ・Ｃ，Ｈｔ Ｒ２９°Ｃ６１１％ Ｒ２９・Ｃ，ｌ量％Ｃｌ−Ｃｌト Ｒ２９・（：ｉ’−Ｃ，Ｈ，ＣＨ＝ＣＩｌ−Ｒ−１０°
Ｈ Ｒｚｏ’Ｈ Ｒコ。；ＣＨ３ＣＯ Ｒ２♂°■ Ｒ，、，５−ＣＩ（ユ １１ｔａ・Ｈ Ｒ２ａ；５−Ｃｊ） Ｒ□；５−ＣＩＩ＊ Ｒ２ａ；４−（：）ｌｉ Ｒｚａ；５−（（：Ｈｔ）Ｊ Ｒ２１Ｓ・■ Ｒ２６・５−Ｃ１１３ Ｒ２１１・ｌｌ Ｒ２６・６−Ｃ２Ｈ。

Ｒ２８；Ｉ＋ ｘニー Ｘ；Ｃ１） ×；− ［ＩＯ］ ［ＩＯ］ ［！１］ ［１１］ ［１１］ ［１１］ ［１２］ ［１２］ ［１２］ ［１３］ ［１３］ ［１３］　　　Ｎ１ ｃＩ！Ｘ；− Ｃ３Ｈ，ｘ；− ＣＩｌ５ Ｃ３＋１゜ ！１−（ＣＩｌｆｆ）２Ｎ−Ｃ６１１４−ｐ−（ＣＩｌ
ｚ）Ｊ−ＣａＨｎ− ＣＩｌ、　　　　　　　　　Ｒ，ユ；（：１ｌｘＣ，１
Ｉ５Ｒ：１．；Ｃ２１ｔｓ Ｃ６１１Ｓ　　　　　　　　Ｒ３３；Ｃ６１１５Ｎｌ１
２Ｒユ、；Ｎｉ１□ Ｃ，Ｈ５Ｉｔコ５ａｃ６）Ｉｓ Ｒ，、；−（：１１．ＣＩｌ２−　　　　　Ｒ，５；−
ＣＩｌ□ＣＨ２−（Ｒ３４とＲ，３５は結合して環を形
成）［ｌコ］ ［１３］ ［＋４］ ［１４］ Ｒ３４；Ｃ）ｌ。

Ｒ３４；Ｃ２＋！。

Ｘ：ＯＲ，、；１１ ｘ；ｏ　　　　Ｒ，６；５−ＣＩｌ。

Ｒ−＋ｓ；ＣＨ３ Ｒｚｓ；Ｃ２１１Ｉ Ｒ３ｔ；Ｈ Ｒ＋、：＠−ＣＨ。

表 ［１４］ ［１４］ ［１４］ ［１４］ ［１４］ ［１４］ ［５］ ［１５］ ［５］ ［１５］ ［１５コ ［１６］ ［１６］ ［７］ ［１７］ ［１７］ ［＋７コ Ｘ−ＯＲ３，−４−ＣＨ３ Ｘ−ＯＲ３Ｇ−５−ＣＩｌ Ｘ−３Ｒ３ｓ’Ｈ Ｘ−５Ｒ，６−５−Ｃｌ４３ Ｘ−３Ｒｚｓ’４−Ｃ１１＋ Ｘ−３Ｒ３，・５−ＣＲ Ｘ・ＯＲ３，；：１−ＣＨ。

Ｘ−ＯＲ，、；：１−Ｃｊ） Ｘ’ＯＲ３１１’４−Ｎ０２ Ｘ−５Ｒ，Ｉ、・Ｈ Ｘ−３Ｒ，８−３−ＮＯ□ Ｒ，、；（Ｃ，Ｈｑ）２Ｎ Ｒ４０；（Ｃ５ＩＩＩ　１）２Ｎ Ｒｏ・Ｈ Ｒ４１・４−ＣＩ！ Ｒ４１・４−Ｎ０２ Ｒ−＋　；　５−Ｃ１ｂ Ｒ３７１−Ｃｌ１３ Ｒ：＋ｙ；Ｉ）−Ｃｊ’ Ｒ，、；Ｈ Ｒ，，１−Ｃ１１゜ Ｒｌｙｌ−Ｃａｌｌｓ Ｒ：ｌ？；Ｐ−Ｃ２Ｈ５ Ｒ３９・１１ Ｒ３９・４−ＣＨ３ Ｒユ、・４−ＣＨ５ Ｒ，、；４−Ｃ）１３ Ｒ：＋、ｌ；４−Ｃ２Ｈ。

本発明に用いられる上記金属錯体類は、バリー・ビー・
グレイ等がジャナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル
・ソサイエティ　８８巻　４３〜５０頁および４８７０
〜４８７５頁、もしくはシュランツアおよびマイベーク
等によるジャナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・
ソサイエティ　８７巻　１４８３〜！４８９頁により記
載されている方法に準して合成される。

上記化合物は近赤外域に吸収をもち、安定な光吸収色素
として有用であり、かつ高分子液晶化合物に対して相溶
性もしくは分散性がよい。

また、高分子液晶化合物中には上記の化合物か二種類以
上含有されていてもよい。

また、上記化合物と他の近赤外吸収色素や２色性色素を
組み合せてもよい、好適に組み合せられる近赤外吸収色
素の代表的な例としては、シアニン、メロシアニン、フ
タロシアニン、テトラヒドロコリン、ジオキサジン、ア
ントラキノン、トリフエツジチアジン、キサンチン、ト
リフェニルメタン、ピリリウム、クロコニウム、アズレ
ンおよびトリフェニルアミン等の色素か挙げられる。

なお、液晶に対する上記化合物の添加量は重量％て、０
．１％〜２０％程度、好ましくは、０．２〜１０％かよ
い。本発明て用いる高分子液晶化合物は高分子サーモト
ロピック液晶てあり、中間相であるネマチックやスメク
チックやカイラルスメクチックやコレステリックの相を
利用する。

高分子液晶化合物は異なる数種の高分子液晶化合物と混
合して用いることか可能である。また、高分子液晶化合
物と低分子液晶との混合物として用いることも可能で、
その場合の重量比は高分子液晶化合物ｌに対して好まし
くは５以下である。

高分子液晶化合物中には、必要によりポリマー（例えば
、オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂。

ポリスチレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタ
ン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等）や、オリゴマー
、各種可塑剤、各種安定剤、クエンチャ−等か含有され
ていてもよい。

前記高分子液晶組成物の薄膜化については１例えば、ガ
ラスもしくはプラスチックからなる一対のディスク基板
間に液晶材料を挟加熱加圧成形をする方法や液晶材料を
加熱などして適当な粘度にしておき、ディスク基板上に
スピンコード又はディッピング、バーコード、ロールコ
ート等により塗布する方法、千ツマー状態で塗布した後
、重合させ高分子液晶化する方法等がある。

用いられる高分子液晶組成物の厚みは、０．０５〜ｔｏ
ｏ　ＩＬ層であり、０．０５未満ではホログラムとして
十分な解像度が得られず、１００μｍをこえると厚み方
向に均一な記録・再生を行うことか困難となる。

より好ましくは０．１〜８０μｍで用いられる。

次に、第３図は本発明において用いられる情報記憶媒体
の一例を示し、第３図（ａ）は本発明の情報記憶媒体の
断面図、第３図（ｂ）はそのＡＡ線断面図である。

同第３図で示す情報記憶媒体７は、ガラス板又はプラス
チック板などからなる一対の基板ｌとｌａをスペーサ４
で所定の間隔に保持し、この−対の基板１．ｌａをシー
リングするために接着剤６で接着したセル構造を有して
おり、さらに基板ｌの上には透明電極２が所定パターン
で形成されている。また、基板１ａの−Ｅには、前述の
透明電極２と向いあう透明電極２ａからなる電極が形成
されている。

この様な透明電極２ａを設けた基板１ａには、例えば、
−酸化珪素、二醜化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニ
ア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウ
ム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物な
どの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミド
、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリバラキ
シシリン。ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニ
ルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチ
レン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂やア
クリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜形成した配
向制御ｓ５を設けることができる。

この配向制御Ｈ５は、前述の如き無機絶縁物質又は有機
絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、布
や紙で一方向に摺擦（ラビング）することによって得ら
れる。

本発明の別の好ましい具体例では、　ＳｉＯやＳｉｎ。

などの無機絶縁物質を基板１ａの上に斜め蒸着法によっ
て被膜形成することによって配向量ａＳＳを得ることか
できる。

また、別の具体例ではガラス又はプラスチックからなる
基板１ａの表面あるいは基板１ａの上に前述した無機絶
縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被膜の表
面を斜方エツチング法によりエツチングすることにより
、その表面に配向制御効果を付与することができる。

前述の配向制御膜５は、同時に絶縁膜としても機能させ
ることが好ましく、このためにこの配向制御膜５の膜厚
は一般に１００人〜ｌ　ＪＬｍ　、好ましくは５００人
〜５０００人の範囲に設定することかできる。この絶縁
膜は記録層３に微量に含有される不純物等のために生ず
る電流の発生を防止できる利点をも有しており、従って
動作を繰り返し行っても高分子液晶化合物を劣化させる
ことかない。

また１本発明の情報記憶媒体では前述の配向制御１１９
５と同様のものをもう一方の基板ｌに設けることができ
る。また１分子配列を確実に行うものとしては、−軸延
伸、二軸延伸、インフレーション延伸等の延伸法やシェ
アリングによる再配列が好ましい、単独ではフィルム性
がなく延伸か困難なものはフィルムにサンドイッチする
ことて共延伸し、望ましい配向を得ることができる。３
は高分子液晶組成物からなる記録層を示す。

また、情報記憶媒体上のアドレスのために、読み取り可
能なマークもしくはグループを形成し。

トラッキングを行い円滑なアドレスを行うことは特に望
ましい。

本発明の高分子液晶組成物は配向して用いられるが、ホ
ログラフィによる記録方法としては、書き込みレーザー
光によって生じた干渉の強弱による高分子液晶組成物の
加熱を用いる。具体的には、等吉相以上に加熱して急冷
することで等吉相で固定するか、液晶相へ戻った場合の
配向の乱れにより記録を行う。等吉相以下に加熱もしく
は等吉相以上に加熱した場合でも、液晶相に戻る場合は
電界・磁界等を印加することで高分子液晶の配向方向を
変化させ記録を行うことが出来る。

参照光１２０は、多重記録用ミラーＸＹθ駆動制御装置
１０６によってミラーＸＹθ駆動装置　１０７を駆動し
、ミラー１０５の位置・角度を変化させることにより、
種々の角度て情報記憶媒体１１６へ集光される、参照先
の各角度で記録光１１９のデータ内容を変化させること
によって、同一記録ピットに各角度毎に入力データをホ
ログラフィックに記憶させ多重化することが可能となり
、超大容量情報記憶が行われる。

再生においては、参照光１２０のみを照射し、回折され
た光をフォトディテクターアレイ１１７によって読み取
り、ＰＤ（フォトディテクター）信号処理装置１１８に
より再生信号とする。このとき参照光１２０の照射角度
によって多重記録されたそれぞれの情報を再生すること
が可能である。

フォトディテクター１１７は、シャッターアレイ１１２
によって与えられる入力データをそのまま再生するので
高速で入力データを読み取ることが出来る。

再生光は、直線偏光を用いてもよく、その場合は再生の
Ｓ／Ｎがもっとも大きくなるように偏光方向を調整する
ことが望ましい。

フォトディテクター１１７としては、ＣｄＳラインセン
サー、　ａ−３ｉラインセンサー、　ＣＣＤ（ｃｈａｎ
ｇｅｃｏｕｐｌｅｄ　　ｄｅｖｉｃｅ）、　　ＭＯＳ（
ｍｅｔａｌ　　ｏｘｉｄｅ　　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ−
Ｌｏｒ）　、サチコン、ビジコン、　ＣＰＤ（ｃｈａｎ
ｇｅ　ｐｒｉｍｉ−ｎｇ　ｄｅｖｉｃｅ）　等がある。

これらのフォトディテクターアレイは再生光波長に応じ
て選択される。

記憶内容を消去する方法としては、情報記憶媒体全体を
加熱し、記録された情報部分を再度配向させることによ
って行われる。また、記録部分に記録時よりも低パワー
のレーザー光を長時間照射することで部分的に再配向す
ることも’Ｔ　ｆｌである。−ｈ記の消去時には、電界
・磁界等によって再配向を促進してもよい。

［実施例］ 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。

実施例１ 第２図は本発明で用いられる情報記憶媒体の一例を示す
部分模式図である。

ＩＴＯの透明電極２を設けたガラス基板ｌ上にポリアミ
ック酸溶液（日立化成工業■製ＰＩＱ　：不揮発分濃度
：１．ＯｗＬ％）をスピナー塗布機によって塗布し、１
２０℃で３０分、２００℃で６０分、３５０℃で３０分
加熱処理してポリイミド層を設け、これなラビング法に
よって一軸配向性を与えて配向制御１膜５を形成した。

次に、下記の構造式（Ｉ）で表わされる高分子液晶化合
物に、下記の構造式（Ｕ）で表わされるＩＲ吸収色素を
１ｗｔ％添加し、シクロヘキサンに溶解したものを、上
記基板にスピナー塗布した。

乾燥後の膜厚は５μ−であった。

ｎ≧１０ （Ｉ） （ＩＩ　） 次に、上記の高分子液晶組成物を塗布した基板に、前記
ポリイミド配向制御膜を同様の処理をして形成したもう
一方の基板な配向方向を合わせて貼り合わせた。その後
、１２０°Ｃに加熱し、徐冷することにより一軸配向し
た情報記憶媒体を得た。

第１図に示す装置を使用し、この情報記憶媒体に、波長
８］Ｏｎ■、出カニ１ＯｓＷの半導体レーザーを用いて
ビット情報を記録し、参照光のみを１ｍＷで再生したと
ころ、１５ｄＢのＳ／Ｎてビット情報が再生された。

この記憶媒体を１２０°Ｃに加熱し、徐冷することによ
り消去することかでき、再度記録を行ったかＳ／Ｎは変
らなかった。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の情報記憶装置によれば、
高分子液晶組成物からなる感光体層へ複数のビット情報
をホログラフィックな手段により記録し、再生すること
により、感度が良好て大容址のデータを高速で記録し、
再生することかできる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図本発明の情報記憶装置の一例を示す概略図、第２
図は本発明に用いられる情報記憶媒体の一例を示す部分
模式図および第３図は本発明に用いられる情報記憶媒体
の他の例を示し、第３図（ａ）は情報記憶媒体の断面図
、第３図（ｂ）はそのＡＡ線断面図である。 １　、　ｌａ、　１１５・・・基板　　２，２ａ・・・
透明電極３・・・記録層　　　　　　４・・・スペーサ
ー５．５ａ・・・配向制御膜　６・・・接著剤７．１１
６・・・情報記憶媒体 １０１・・・レーザー光源駆動装置 １０２・・・レーザー光源 １０３・・・コリメーターレンズ １０４・・・ハーフミラ− １０５、１１３・・・ミラー １０６−・・多重記録用ミラーｘＹＯ駆動制御装置１０
７・・・ミラーＸ’ｌ駆動装置 １０８、１０９・・・集光レンズ １１０・・・入力データ転送装置 １＋８ ・・・シャッターアレイ駆動回路 ・・・シャッターアレイ ・・・高分子液晶組成物感光体層 ・・・フォトディテクター ・・・ＰＤ（フォトディテクター）信号処理装置・・・
記録光 ・・・参照光

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）レーザー光を照射する手段と、該レーザー光を参
   照光と記録光に分離する手段と、分離された記録光に強
   度変調からなる複数のビット情報を与える手段と、高分
   子液晶組成物からなる参照光と記録光の干渉を記録する
   手段と、参照光を照射したときに生じる回折光を受光す
   る複数の光検出器からなる手段を備えていることを特徴
   とする情報記憶装置。（２）前記レーザー光が半導体レ
   ーザーによって与えられるレーザー光である請求項１記
   載の情報記憶装置。 （３）前記高分子液晶組成物からなる参照光と記録光の
   干渉を記録する手段において、該高分子液晶組成物が配
   向処理されている請求項１記載の情報記憶装置。 （４）前記高分子液晶組成物がレーザー光に対して吸収
   を有する請求項１記載の情報記憶装置。 （５）前記記録光に与えられた強度変調からなる複数の
   ビット情報の量に対して、回折光を受光する複数の光検
   出器の分解能が等しいか或いは多い請求項１記載の情報
   記憶装置。