JPH02280385A - 密着センサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は１画像読取装置の入力部等に用いられる密着セ
ンサおよびその製造方法に関する。

（従来の技術） 近年ファクシミリやＯＣＲ等の画像読取装置の入力部に
密着センサが用いられている。

このような密着センサは多数の光電変換素子をライン状
に列設してなり、この密着センサとほぼ等長の光源から
の光をこの密着センサと近接して配置された原稿へ照射
し、この原稿からの反射光を上記の各光電変換素子が入
光し、光電変換することにより、原稿の画像情報を読取
るものである。

以下、従来の密着センサについて第５図を参照して説明
する。

第５図において、密着センサは、ガラス等からなる絶縁
基板ω上にＣｒ／ｉ等の金属からなる第一導体膜から構
成されている個別電極■およびポンディングパッド■が
配置されている。また、この絶縁基板■上には、ａ−５
ｉ等の光電変換層（イ）が着膜されており、この個別電
極の画素構成部上にはＩ。

Ｔ、００等の透明導電層０が着膜されている。

次に、第５図に示す密着センサの製造方法を。

第６図（ａ）乃至第６図（ｆ）を参照して説明する。

まず、第６図（ａ）の如く、ガラス等の絶縁基板ω上に
Ｃｒ金属層０２０００人、ＡＱ等の金属層■１ｐを蒸着
等の方法により着膜する。次いで、第６図（ｂ）（Ｃ）
の如く、フォトエツチング法によりパターン形成を行な
う。その後、このパターン上にａ−５ｉ等の光電変換層
（イ）２癖を、Ｐ−ＣＶＤ等により着膜（第６図（ｄ）
）Ｌ、　ドライエツチングを用いて、パターンを形成（
第６図（ｅ））する。さらに、この光電変換層（イ）上
に１．Ｔ、Ｏ，等の透明電極層（５９８００人をスパッ
タ技術等により着膜した後、フォトエツチング法により
パターン形成もしくは部分スパッターによりパターン形
成（第６図（ｆ））する。このようにして、第５図に示
す密着センサが得られる。

次に、従来の密着センサの問題点について述べる。

まず、第一導体層をＣｒ／ＡＩ２等で形成しているため
、光電変換膜の着膜前に酸洗浄等の強力な処理を行なう
とＡＱが溶解してしまい工程として、使用できない。こ
の結果、　Ｃｒ等の個別電極■上の有機物等の汚れを完
全に除去することができず、その上に形成した光電変換
層（イ）に欠陥が生じやすいため第一導体層■と透明導
電膜■の層間ショート不良が多く発生してしまう。

また共通電極部分は、第一導体層■と透明導電層０が接
するため、光電変換層（４）のパターン形成後に透明導
電層■を着膜しなければならない。

しかし、光電変換層（イ）上のフォトレジストはドライ
エツチングを通すと、剥離が困難になるため、画素構成
部上の光電変換層と透明導電層の界面にレジストが残り
寿命が短い感度が低い等の不良を発生させる。

さらに光電変換層（イ）２−の段差を薄い透明導電層０
８００人で被覆しているため、光電変換層（イ）の端部
にて、透明導電膜Ｎ０に段切れが発生することがある。

その他、透明導電膜０をエツチングする際、第一導体層
（２，■はフォトレジストのみで保護している。しかし
、透明導電層■のエツチング液は第一導体層■、■をも
非常に速く溶解してしまう性質があり、わずかなレジス
ト欠陥により、すでに形成されていた第一導体層■、■
の配線パターンにオープン不良が発生する等の問題が見
られた。

（発明が解決しようとする課題） 上述の如く、従来の密着センサにおいては、画素部の層
間ショートおよびレジスト残り、配線リードのオーブン
、透明導電層の段切れ等の問題が見られた。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、長寿
命であり感度の良い密着センサを高歩留にて提供するこ
とを目的とする。

〔発明の構成〕

（ｉ１題を解決するための手段） 上述の課題を達成するために、本発明の密着センサは、
高抵抗基体と、この高抵抗基体上に配置された第１の導
体層と、この高抵抗基体上で、かつこの第１の導体層の
少なくとも一部の上に配置された光電変換層と、この光
電変換層上に配置された透明導体層と、この透明導体層
上に配置された第２の導体層とを備え、この第１の導体
層は耐酸性物質からなることを特徴とするものである。

そしてその製造方法は、高抵抗基体上に耐酸性物質から
なる第１の導体層を形成する第１の工程と、この高抵抗
基体上で、かつこの第１の導体層の少なくとも一部の上
に光電変換層を形成する第２の工程と、この光電変換層
上に透明導体層を形成する第３の工程と、この透明導体
層上に第２の導体層を形成する第４の工程とを備えたこ
とを特徴とするものである。

さらに、他の製造方法においては、高抵抗基体上に第１
の導体層を形成する第１の工程と、この高抵抗基体上で
、かつこの第１の導体層の少なくとも一部の上に光電変
換層を形成する第２の工程と、この光電変換層上に透明
導体層を形成する第３の工程と、リフトオフ技術を用い
てこの透明導体層上に第２の導体層を形成すると共に、
かつ前記第１導体層の断線箇所を修正する第４の工程と
を備えたことを特徴とするものである。

（作　　用） 上述の構成とするため、本発明は、第１導体層に耐酸性
のある物質を用いた為、光電変換層の着膜前に酸洗浄を
行ない汚れを除去することができる。これにより、透明
導体層と第１導体層との間の層間ショートの発生を防止
できる等、特性の向上や信頼性の向上を図ることができ
る。

さらに、本発明においては、第１導体層に耐酸性のある
物質を用いて画素およびリードを形成し、透明導体層形
成後に、第２導体層にて共通電極およびポンディングパ
ッドを形成したことにより、特性の向上や信頼性の向上
を図ることができる。

（実　施　例） 以下、本発明の実施例について説明する。

第１図（ａ）および第１図（ｂ）において、密着センサ
はガラス基板■上にＣｒからなる個別電極■と、この画
素構成部上に配置されたａ−３ｉからなる光電変換層（
イ）と、この光電変換層（４）上に配置されたＩ。

Ｔ、０．からなる透明導体層０とから基本構成されてい
る。この透明導体層０のうち、画素構成部外には、Ｔｉ
／Ａｌ２を順次積層してなる共通電極■と、また個別電
極■上には、ポンディングパッド（０とが配置されてい
る。

次に、第２図（ａ）乃至第２図（ｆ）を参照して、第１
図（ａ）および第１図（ｂ）に示す密着センサの製造方
法を説明する。

まず、第２図（ａ）に示す如く、　ガラス基板ω上にＣ
ｒ（１２）を蒸着する。次いで、感光レジスト樹脂を用
いたＰＥＰにより、個別電極の画素および配線リードを
形成する。（第２図（ｂ））その後、この画素等の上に
、ａ−３ｉからなる光電変換層０）をＣＶＤ法により２
ｐの厚さになる様に全面着膜し、続いて１、Ｔ、Ｏ，か
らなる透明導電体層■をスパッタリング技術により着膜
する。（第２図（Ｃ））次に、この透明導電体層０を酸
によるウェットエツチング（ＰＥＰ）により所定形状と
し、光電変換層（イ）をドライエツチング（ＰＥＰ）に
て所定形状とする。（第２図（ｄ））この上に、Ｔｉ／
Ａｌ２を１４の厚さで順次スパッタリング技術により着
膜する。（第２図（ｅ））最後に。

ＰＥＰにより共通電極およびポンディングパッドを形成
して第１図（ａ）および第１図（ｂ）に示す密着センサ
が得られる。（第２図（ｆ））この際、Ｃｒから形成さ
れたリードとＴｉ／Ａｌ２で形成されたポンディングパ
ッドとの位置合せは、第３図（ａ）乃至第３図（ｅ）に
示す如く許容範囲が広くなる様な構成である。

上記の実施例においては、まず第一導体膜を耐酸性のあ
るＣｒ（１２）のみで構成しているため光電変換層（４
）着膜前に酸洗浄を行なうことができ、ガラス■および
Ｃｒ（１２）上の有機物等の汚れを徹底的に除去するこ
とができる。この結果汚れの上に光電変換層（イ）着膜
を行なったときに発生する光電変換層（イ）の膜欠陥が
なくなりＣｒ（１２）と透明電体層■の眉間ショートを
防ぐことができる。

また共通電極を透明導電体層■と、その上のＴｉ／Ａｌ
２（１６）で形成するため光電変換層（４）、透明導電
体層■の連続着膜が可能、となり画素エリアの光電変換
Ｍ／透明導電体層界面にレジスト等の薬品が接触しない
ため、特性が向上するとともに透明導電体層欠陥や水分
による腐食を防ぐことができる。

さらに、光電変換層のドライエツチングによりレジスト
表面が変化し剥離が困難であるが上記実施例においては
光電変換層（ａ−３ｉ）のＰＥＰ時画素エリアのレジス
トは光電変換層（ａ−３ｉ）上に比べ付着力の弱い透明
導電極（１，Ｔ、Ｏ，）上に塗布されているため、レジ
スト剥離が容易になり、作業性が向上し、レジスト残り
不良も防止できる。

そして従来は厚さ２趨の光電変換層（ａ−３ｉ）（イ）
の段差を薄い厚さ８００人の４明導電体（１，Ｔ、Ｏ，
）■でカバーレージ（ｃｏｖｅｒａｇｅ）　Ｌ／ていた
ため、端部にて段切れを生ずることがあったが上記実施
例の構造にすると厚さ１趨のＴｉ／Ａｌ２（１６）でカ
バーレージ（ｃｏｖｅｒａｇｅ）するため、段切れを防
止できる。

また、透明導電体（１，Ｔ、Ｏ，）■のエツチング時に
全面光電変換層（ａ−５ｉ）がありＣｒリードを保護し
ているため、レジスト欠陥があっても透明導電体（Ｉ。

Ｔ、０．）エツチング液にてＣｒリードを溶解してしま
う危検がなく、リードオープンを防止できる。さらに透
明導電体（１，Ｔ、Ｏ，）　（５）上だけレジストが塗
布されていればよいので作業性も向上する。

同様に光電変換層（ａ−３Ｌ）（４）のエツチング時に
。

従来は小さなレジスト欠陥でさえ、光電変換層（ａ−５
ｉ）（４）がエツチングされＣｒ（１２）と透明導電体
（１，Ｔ。

０、）■が層間シ目−トシてしまったが、上記実施例で
は光電変換層（ａ−３ｉ）（イ）エツチング時に画素上
光電変換層（ａ−Ｓｉ）（４）は透明導電体（１，Ｔ、
Ｏ，）（ハ）で保護されており、レジスト欠陥があって
も透明導電体０．Ｔ、ｏ、）ｏ下の光電変換層（ａ−５
ｉ）＠）はエツチングされない。よって眉間ショートを
防止することができる。

さらにＣｒ（１２）とＴｉ／ＡＮ（１６）の２回微細パ
ターンのＰＥＰがあるため、従来のように両者で同形状
のポンディングパッドおよびリードを形成し重ね合わせ
ようとすると、わずかなフォトマスクのずれによってパ
ッドショートが生じてしまう。

そこで上記実施例においては、Ｃｒ（１２）でリード（
ｅ）に示したように、マスク合せの許容範囲を拡げるこ
とにより、作業性が向上し、パッドショート不良を防ぐ
ことができる。

この結果、Ｃｒ（１２）と透明導電体（１，Ｔ、Ｏ，）
０５１の層間ショート、Ｃｒリードのオープン、画素上
レジスト残り、光電変換層（ａ−３Ｌ）（４）段差にお
ける段切れポンディングパッドショート等、各種不良発
生を防止したことによる歩留の向上レジスト剥離、レジ
スト塗布、マスク合せの作業性の向上、および水、薬品
の接触を避けたことによる光電変準層（ａ−３ｉ）／透
明導電膜（１，Ｔ、Ｏ，）界面のコンタクトが良好にな
るという効果を有する。

次に本発明の製造方法の他の発明の実施例について説明
する。以下、第４図（ａ）乃至第４図（ｇ）を参照して
説明する。

ガラス基板■上にＣｒ（１２）を蒸着（第４図Ｃａ）’
）Ｉ、、感光レジスト樹脂を使用したフォトエツチング
法により個別電極を形成する（第４図（ｂ））、ここで
電気的検査にて配線リードのショート箇所を検出しショ
ート修正を行なう、この上に、ａ−３ｉ（１４）をＣＶ
Ｄにより全面着膜し、続けて１．Ｔ、Ｏ，（１５）をス
パッタにより着膜する、１．Ｔ、Ｏ，（１５）は部分ス
パッタもしくは全面スパッタ後フォトエツチング法にて
パターン形成を行なう（第４図（ｅ）　）。

次にａ−５ｉ　（１４）をフォトエツチング法にて形成
（第４図（ｄ））　Ｌ　、　　この段階で電気的検査に
より配線リードのオープン箇所を検出する。そしてその
上にリフトオフにてＣｒ／Ａｌ２（２６）のパターンを
形成するがこの際、オープン箇所の修正も同時に行なう
。

まず、ネガパターンのフォトマスクにて共通電極および
ポンディングパッド部分を露光し、続いてオープン修正
部分にスポット露光を行なう。現像を行ないＣｒ／１（
２６）を着膜したい部分に相当するレジストを除去する
（第４図（ｅ））。その上にＣｒ／ＡＱ（２６）をスパ
ッタにて着膜（第４図（ｆ））　Ｌ、、不要部分のレジ
スト（１７）およびＣｒ／ＡＱ（２６）を除去する（第
４図（ｇ））。

上述の密着センサの製造方法とすることにより、リード
電極を従来Ｃｒ／ＡＱと積層しリード電極形状にエツチ
ングし形成する前にオープンが発生しそうな部位を予測
して修正する必要がなくなる。すなわち、Ｃｒのエツチ
ング後にオープンが発生したことを確認してから、オー
プン修正を行なうため、予測ミスによるリードオープン
発生を防止できる。

また必要以上に修正を行なうこともなくなる。そして、
最上層の膜形成時にオープン修正を行なうため工程途中
で発生するオープンにも対応でき、オープン修正の後工
程でオープンが発生することはほとんどない。さらにＣ
ｒ、光電変換層（ａ−３ｉ）、および透明導体層（１，
Ｔ、Ｏ，）がすでに形成されているのでオープン箇所を
電気的検査にて検出することができる。したがって、見
逃しによるオープン発生を防止できるとともに人が顕微
鏡で検出していた従来に比べ大巾な工数削減となる。さ
らにこのようにオープン修正の方法だと、熟練技術も不
要であり、ショート修正箇所を増加される心配もない。

その上、光電変換層（ａ−３ｉ）着膜前はＣｒのみのパ
ターンであるため酸による洗浄が可能となりＣｒと透明
導体層（１，Ｔ、Ｏ，）との眉間ショートも防止できる
。そしてさらに、Ａｆｆ着膜後、バターニングはりフト
オフを用い、Ａ１２表面にレジストを塗布しないため表
面が汚染されない、またＡＱは最上層に着膜するため、
高温にさらされることもなく表面酸化が進行しにくい。

したがってＩＣとセンサ基板とを接続するワイヤーのボ
ンディング性が向上する。

最後に第二導体層はフォトエツチング法でパターン形成
をするならばＣｒ／ＡＱだとＣｒエツチング時に第一導
体層のＣｒを溶解してしまう恐れがあるが、リフトオフ
だと第一導体層のＣｒへの影響はなく、第二導体層とし
てＣｒ　／　ｉを用いることができる。

なお、第二導体層をｌ単層とせず、Ｃｒ／ＡＱとしたの
は、第一導体層との付着強度を上げるためである。

この結果、適確なオープン修正を最後の工程で行なうこ
とによる歩留向上、電気的検査の導入による作業性の向
上、ｉ表面の付着強度が上がることにより歩留および信
頼性が良好になるという効果を有する。

なお、第４図（ａ）乃至第４図（ｇ）に示す密着センサ
の製造方法においては、第１導体層は、耐酸性物質から
なるものでもならないものでも良い。

〔発明の効果〕

上述の構成をとることにより、密着センサの特性の向上
および信頼性の向上を図り、作業性良く高歩留にて密着
センサを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）および第１図（ｂ）は本発明の密着センサ
の実施例を示す模式図、第２図（ａ）乃至第２図（ｆ）
は本発明の密着センサの製造方法の実施例を示す工程簡
略図、第３図（、）乃至第３図（ｅ）は第２図（ａ）乃
至第２図（ｆ）に示す製造方法の効果を示す簡略図、第
４図（ａ）乃至第４図（ｇ）は本発明の密着センサの他
の製造方法の実施例を示す工程簡略図、第５図（ａ）お
よび第５図（ｂ）は従来の密着センサの模式図、第６図
（ａ）乃至第６図（ｆ）は従来の密着センサの製造方法
を示す工程簡略図である。 ■・・・ガラス基板（高抵抗基体） ■・・・個別電極（第１の導体層） （イ）・・・光電変換層　　　　■・・・透明導体層■
・・・共通電極（第２の導体層） 代理人　弁理士　則　近　憲　佑 同　　　　竹　花　喜久男 （α） （ｂ） 第 図 （Ｃ） 第 図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）高抵抗基体と、 この高抵抗基体上に配置された第１の導体層と。 前記高抵抗基体上で、かつこの第１の導体層の少なくと
   も一部の上に配置された光電変換層と、この光電変換層
   上に配置された透明導体層と、この透明導体層上に配置
   された第２の導体層とを備え、 前記第１の導体層は耐酸性物質からなることを特徴とす
   る密着センサ。
2. （２）高抵抗基体上に耐酸性物質からなる第１の導体層
   を形成する第１の工程と、 この高抵抗基体上で、かつこの第１の導体層の少なくと
   も一部の上に光電変換層を形成する第２の工程と、 この光電変換層上に透明導体層を形成する第３の工程と
   、 この透明導体層上に第２の導体層を形成する第４の工程
   とを備えたことを特徴とする密着センサの製造方法。
3. （３）高抵抗基体上に第１の導体層を形成する第１の工
   程と、 この高抵抗基体上で、かつこの第１の導体層の少なくと
   も一部の上に光電変換層を形成する第２の工程と、 この光電変換層上に透明導体層を形成する第３の工程と
   、 リフトオフ技術を用いてこの透明導体層上に第２の導体
   層を形成すると共に、かつ前記第１導体層の断線箇所を
   修正する第４の工程とを備えたことを特徴とする密着セ
   ンサの製造方法。
4. （４）請求項３に記載された密着センサの製造方法にお
   いて、 前記第１の工程は、前記高抵抗基体上に耐酸性物質から
   なる第１の導体層を形成する工程であることを特徴とす
   る密着センサの製造方法。