JPH04127434A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04127434A JPH04127434A JP24950790A JP24950790A JPH04127434A JP H04127434 A JPH04127434 A JP H04127434A JP 24950790 A JP24950790 A JP 24950790A JP 24950790 A JP24950790 A JP 24950790A JP H04127434 A JPH04127434 A JP H04127434A
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- photosensitive polyimide
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- layer pattern
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要］
半導体装置の製造方法に関し、
側面が緩やかな順テーパ形状の第２の開口部を有する第
２の感光性ポリイミド層を形成することができ、第２の
導電性層パターンの断線を生じ難くすることができる半
導体装置の製造方法を提供することを目的とし、 下地の膜上に第１の導電性層を形成する工程と、該第１
の導電性層をパターニングして第１の導電性層パターン
を形成する工程と、該第１の導電性層パターンを覆うよ
うに感光性ポリイミドを塗布、プリベークして第１の感
光性ポリイミド層を形成する工程と、該第１の導電性層
パターン上の領域において、該第１のポリイミド層を露
光、現像及びハーフキュアすることにより該第１の導電
性層パターンが露出する側面が順テーパ形状の第１の開
口部を形成する工程と、該第１のポリイミド層及び該第
１の開口部を覆うように感光性ポリイミドを塗布、プリ
ベークして第２の感光性ポリイミド層を形成する工程と
、該第１の導電性層パターン上の領域において、該第２
の感光性ポリイミド層を露光、現像及びフルキュアする
ことにより該第１の開口部を介して該第１の導電性層パ
ターンが露出する側面が順テーパ形状の第２の開口部を
形成する工程と、該第１、第２の開口部内の該第１の導
電性層パターンとコンタクトするように第２の導電性層
を形成する工程と、該第２の導電性層をパターニングし
て第２の導電性層パターンを形成する工程とを含むよう
に構成する。
２の感光性ポリイミド層を形成することができ、第２の
導電性層パターンの断線を生じ難くすることができる半
導体装置の製造方法を提供することを目的とし、 下地の膜上に第１の導電性層を形成する工程と、該第１
の導電性層をパターニングして第１の導電性層パターン
を形成する工程と、該第１の導電性層パターンを覆うよ
うに感光性ポリイミドを塗布、プリベークして第１の感
光性ポリイミド層を形成する工程と、該第１の導電性層
パターン上の領域において、該第１のポリイミド層を露
光、現像及びハーフキュアすることにより該第１の導電
性層パターンが露出する側面が順テーパ形状の第１の開
口部を形成する工程と、該第１のポリイミド層及び該第
１の開口部を覆うように感光性ポリイミドを塗布、プリ
ベークして第２の感光性ポリイミド層を形成する工程と
、該第１の導電性層パターン上の領域において、該第２
の感光性ポリイミド層を露光、現像及びフルキュアする
ことにより該第１の開口部を介して該第１の導電性層パ
ターンが露出する側面が順テーパ形状の第２の開口部を
形成する工程と、該第１、第２の開口部内の該第１の導
電性層パターンとコンタクトするように第２の導電性層
を形成する工程と、該第２の導電性層をパターニングし
て第２の導電性層パターンを形成する工程とを含むよう
に構成する。
本発明は、配線基板の製造方法に適用することができ、
特にポリイミドを絶縁層として多層配線を行う配線基板
において、配線の断線を生じ難くしてその信顧性を著し
く向上させることができる半導体装置の製造方法に関す
る。
特にポリイミドを絶縁層として多層配線を行う配線基板
において、配線の断線を生じ難くしてその信顧性を著し
く向上させることができる半導体装置の製造方法に関す
る。
近時、電子装置の高密度化に伴い、配線基板の小型化が
進み配線パターンの多層化が要求されている。特に、薄
膜ハイブリッド集積回路等においては、セラミック基板
上に多層に導体パターンを高密度に形成する必要がある
。これらの多層導体間の絶縁層として被着が容易で優れ
た耐熱性を有するポリイミドが広く用いられているが、
上下導体の接続性及びポリイミドクシツクによる絶縁性
の劣化等、改良が望まれている。
進み配線パターンの多層化が要求されている。特に、薄
膜ハイブリッド集積回路等においては、セラミック基板
上に多層に導体パターンを高密度に形成する必要がある
。これらの多層導体間の絶縁層として被着が容易で優れ
た耐熱性を有するポリイミドが広く用いられているが、
上下導体の接続性及びポリイミドクシツクによる絶縁性
の劣化等、改良が望まれている。
〔従来の技術］
第３図は従来の半導体装置の製造方法を説明する図であ
り、第３図において、３１はＡ１．Ｏ，系セラミック等
からなる基板、３２はＣｒ層／ Ｃｕ層／ Ｃｒ層等か
らなる第１の導電性層パターン、３３は例えばネガ型の
第１の感光性ポリイミド層、３４は第１の感光性ポリイ
ミド層３３に形成された第１の開口部、３５は例えばネ
ガ型の第２の感光性ポリイミド層、３６は第２の感光性
ポリイミド層３５に形成された第２の開口部、３７はＣ
ｒ層／ Ｃｕ層ＺＣｒ層等からなる第２の導電性層パタ
ーンである。
り、第３図において、３１はＡ１．Ｏ，系セラミック等
からなる基板、３２はＣｒ層／ Ｃｕ層／ Ｃｒ層等か
らなる第１の導電性層パターン、３３は例えばネガ型の
第１の感光性ポリイミド層、３４は第１の感光性ポリイ
ミド層３３に形成された第１の開口部、３５は例えばネ
ガ型の第２の感光性ポリイミド層、３６は第２の感光性
ポリイミド層３５に形成された第２の開口部、３７はＣ
ｒ層／ Ｃｕ層ＺＣｒ層等からなる第２の導電性層パタ
ーンである。
次に、その製造方法について説明する。
まず、第３図（ａ）に示すように、例えば基板３１上に
Ｃｒ、Ｃｕ及びＣｒを順次堆積してＣｒ層／ Ｃｕ層／
Ｃｒ層の３層からなる第１の導電性層を形成した後、
例えばＲＩＢにより第１の導電性層をバターニングして
第１の導電性層パターン３２を形成する。次いで、第１
の導電性層パターン３２を覆うように感光性ポリイミド
を塗布、プリベークして第１の感光性ポリイミド層３３
を形成した後、第１の導電性層パターン３２上の領域に
おいて、第１の感光性ポリイミド層３３を露光、現像及
びフルキュアによりバターニングして第１の導電性層パ
ターン３２が露出する側面が順テーパ（４５度程度）形
状の第１の開口部３４を形成する。ここでは、第１の感
光性ポリイミド層３３を露光、現像して側面が略垂直形
状の開口部を形成した後、第１の感光性ポリイミド層３
３をフルキュアしてイミド化及び溶剤等を飛ばすことに
より側面が順テーパ形常の第１の開口部３４を形成して
いる。ここでは側面がオーバハングとならず順テーパに
なるのは、ポリイミドの露光時に下地の第１の導電性層
パターン３２が金属であるため、光（３５０〜４５０μ
ｍ波長）の反射があり、ポリイミドの底まで十分露光す
ることができるからである。
Ｃｒ、Ｃｕ及びＣｒを順次堆積してＣｒ層／ Ｃｕ層／
Ｃｒ層の３層からなる第１の導電性層を形成した後、
例えばＲＩＢにより第１の導電性層をバターニングして
第１の導電性層パターン３２を形成する。次いで、第１
の導電性層パターン３２を覆うように感光性ポリイミド
を塗布、プリベークして第１の感光性ポリイミド層３３
を形成した後、第１の導電性層パターン３２上の領域に
おいて、第１の感光性ポリイミド層３３を露光、現像及
びフルキュアによりバターニングして第１の導電性層パ
ターン３２が露出する側面が順テーパ（４５度程度）形
状の第１の開口部３４を形成する。ここでは、第１の感
光性ポリイミド層３３を露光、現像して側面が略垂直形
状の開口部を形成した後、第１の感光性ポリイミド層３
３をフルキュアしてイミド化及び溶剤等を飛ばすことに
より側面が順テーパ形常の第１の開口部３４を形成して
いる。ここでは側面がオーバハングとならず順テーパに
なるのは、ポリイミドの露光時に下地の第１の導電性層
パターン３２が金属であるため、光（３５０〜４５０μ
ｍ波長）の反射があり、ポリイミドの底まで十分露光す
ることができるからである。
次に、第３図（ｂ）に示すように、第１の感光性ポリイ
ミド層３３及び第１の開口部３４を覆うように全面に感
光性ポリイミドを塗布、プリベークして第２の感光性ポ
リイミド層３５を形成した後、第１の導電性層パターン
３２上の領域において、第２の感光性ポリイミド層３５
を露光、現像及びフルキュアによりバターニングして第
１の開口部３４幅よりも大きな幅の側面が略垂直形状の
第２の開口部３６を形成する。ここで、第１の感光性ポ
リイミド層３３上に第２の感光性ポリイミド層３５を形
成しているのは第１の感光性ポリイミド層３３上にゴミ
がある場合ピンホール等の欠陥になり易いため、第２の
感光性ポリイミド層３５を更に重ねて欠陥を生じ難くし
て絶縁性を向上させるために形成している。なお、第２
の開口部３６はここでは側面が略垂直形状になっている
が、露光の際、下地のフルキュアされた第１の感光性ポ
リイミドｌｌ３３は光をほとんど反射しないため上部よ
りも下部が露光され難くむしろ側面が逆テーパ形状にな
り易い。
ミド層３３及び第１の開口部３４を覆うように全面に感
光性ポリイミドを塗布、プリベークして第２の感光性ポ
リイミド層３５を形成した後、第１の導電性層パターン
３２上の領域において、第２の感光性ポリイミド層３５
を露光、現像及びフルキュアによりバターニングして第
１の開口部３４幅よりも大きな幅の側面が略垂直形状の
第２の開口部３６を形成する。ここで、第１の感光性ポ
リイミド層３３上に第２の感光性ポリイミド層３５を形
成しているのは第１の感光性ポリイミド層３３上にゴミ
がある場合ピンホール等の欠陥になり易いため、第２の
感光性ポリイミド層３５を更に重ねて欠陥を生じ難くし
て絶縁性を向上させるために形成している。なお、第２
の開口部３６はここでは側面が略垂直形状になっている
が、露光の際、下地のフルキュアされた第１の感光性ポ
リイミドｌｌ３３は光をほとんど反射しないため上部よ
りも下部が露光され難くむしろ側面が逆テーパ形状にな
り易い。
そして、例えばスパッタ法により第１５第２の開口部３
４．３６内の第１の導電性層パターン３２とコンタクト
を取るようにＣｒ、Ｃｕ及びＣｒを順次堆積してＣｒ層
／ Ｃｕ層／ Ｃｒ層の３層からなる第２の導電性層を
形成した後、例えばＲＩＥにより第２の導電性層をバタ
ーニングして第２の導電性層パターン３７を形成するこ
とにより、第３図（Ｃ）に示すような多層配線構造を得
ることができる。
４．３６内の第１の導電性層パターン３２とコンタクト
を取るようにＣｒ、Ｃｕ及びＣｒを順次堆積してＣｒ層
／ Ｃｕ層／ Ｃｒ層の３層からなる第２の導電性層を
形成した後、例えばＲＩＥにより第２の導電性層をバタ
ーニングして第２の導電性層パターン３７を形成するこ
とにより、第３図（Ｃ）に示すような多層配線構造を得
ることができる。
（発明が解決しようとする課題〕
上記した従来の半導体装置の製造方法では、第１の感光
性ポリイミド層３３形成のためのポリイミド露光時に、
下地が第１の導電性層パターン３２という金属であるた
め、光（３５０〜４５０μｍ波長）の反射があり、ポリ
イミドの底まで十分に露光することができるため現像後
のオーバーハングがなく、このためキュア後に側面が４
５〜６０度程度の緩やかな類テーパ形状の第１の開口部
３４を容易に得ることができる。
性ポリイミド層３３形成のためのポリイミド露光時に、
下地が第１の導電性層パターン３２という金属であるた
め、光（３５０〜４５０μｍ波長）の反射があり、ポリ
イミドの底まで十分に露光することができるため現像後
のオーバーハングがなく、このためキュア後に側面が４
５〜６０度程度の緩やかな類テーパ形状の第１の開口部
３４を容易に得ることができる。
しかしながら、第２の感光性ポリイミド層３５では、下
地がフルキュアされたポリイミドであるため、光の反射
がほとんどなくポリイミドの底部が露光不足になり易い
。このため、現像時にオーバーハング状態になり易くキ
ュア後に側面が略９０度のテーパ形状あるいは逆テーパ
形状の第２の開口部３６になってしまい、段差がきつい
ため第２の導電性層パターン３７が断線し易いという問
題があった。
地がフルキュアされたポリイミドであるため、光の反射
がほとんどなくポリイミドの底部が露光不足になり易い
。このため、現像時にオーバーハング状態になり易くキ
ュア後に側面が略９０度のテーパ形状あるいは逆テーパ
形状の第２の開口部３６になってしまい、段差がきつい
ため第２の導電性層パターン３７が断線し易いという問
題があった。
そこで、本発明は、側面が緩やかな順テーパ形状の第２
の開口部を有する第２の感光性ポリイミド層を形成する
ことができ、第２の導電性層パターンの断線を生じ難く
することができる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的としている。
の開口部を有する第２の感光性ポリイミド層を形成する
ことができ、第２の導電性層パターンの断線を生じ難く
することができる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的としている。
本発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成のた
め、下地の股上に第１の導電性層を形成する工程と、該
第１の導電性層をバターニングして第１の導電性層パタ
ーンを形成する工程と、該第１の導電性層パターンを覆
うように感光性ポリイミドを塗布、プリベークして第１
の感光性ポリイミド層を形成する工程と、該第１の導電
性層パターン上の領域において、該第１のポリイミド層
を露光、現像及びハーフキュアすることにより該第１の
導電性層パターンが露出する側面が類テーパ形状の第１
の開口部を形成する工程と、該第１のポリイミド層及び
該第１の開口部を覆うように感光性ポリイミドを塗布、
プリベークして第２の感光性ポリイミド層を形成する工
程と、該第１の導電性層パターン上の領域において、該
第２の感光性ポリイミド層を露光、現像及びフルキュア
することにより該第１の開口部を介して該第１の導電性
層パターンが露出する側面が類テーパ形状の第２の開口
部を形成する工程と、該第１、第２の開口部内の該第１
の導電性層パターンとコンタクトするように第２の導電
性層を形成する工程と、該第２の導電性層をバターニン
グして第２の導電性層パターンを形成する工程とを含む
ものである。
め、下地の股上に第１の導電性層を形成する工程と、該
第１の導電性層をバターニングして第１の導電性層パタ
ーンを形成する工程と、該第１の導電性層パターンを覆
うように感光性ポリイミドを塗布、プリベークして第１
の感光性ポリイミド層を形成する工程と、該第１の導電
性層パターン上の領域において、該第１のポリイミド層
を露光、現像及びハーフキュアすることにより該第１の
導電性層パターンが露出する側面が類テーパ形状の第１
の開口部を形成する工程と、該第１のポリイミド層及び
該第１の開口部を覆うように感光性ポリイミドを塗布、
プリベークして第２の感光性ポリイミド層を形成する工
程と、該第１の導電性層パターン上の領域において、該
第２の感光性ポリイミド層を露光、現像及びフルキュア
することにより該第１の開口部を介して該第１の導電性
層パターンが露出する側面が類テーパ形状の第２の開口
部を形成する工程と、該第１、第２の開口部内の該第１
の導電性層パターンとコンタクトするように第２の導電
性層を形成する工程と、該第２の導電性層をバターニン
グして第２の導電性層パターンを形成する工程とを含む
ものである。
本発明においては、第２の導電性層を例えばＣｒ層／
Ｃｕ層／ Ｃｒ層で構成してもよいが、ポリイミド上に
Ｃｒ ／ Ｃｕ ／ Ｃｒを順次スパッターし、バター
ニングした場合、Ｃｒの応力としては引張り力が大きく
、しかもポリイミド（４０ｐｐａ＋）、Ｃｒ（７ｐｐｍ
）、Ｃｕ （１７ｐｐｍ）の熱膨張率の差によりクラッ
クが入り易い。これに対し、第２の導電性層を例えばＣ
ｕ層／ Ｔ ｉ Ｗ層またはＣｕ層／ Ｃｒ層で構成し
てもよく、この場合、ポリイミド上に直接Ｃｕをつける
ことにより引張り応力の緩和と、熱膨張差の縮小を図る
ことができ、クラックの発生を生じ難くすることができ
好ましい。
Ｃｕ層／ Ｃｒ層で構成してもよいが、ポリイミド上に
Ｃｒ ／ Ｃｕ ／ Ｃｒを順次スパッターし、バター
ニングした場合、Ｃｒの応力としては引張り力が大きく
、しかもポリイミド（４０ｐｐａ＋）、Ｃｒ（７ｐｐｍ
）、Ｃｕ （１７ｐｐｍ）の熱膨張率の差によりクラッ
クが入り易い。これに対し、第２の導電性層を例えばＣ
ｕ層／ Ｔ ｉ Ｗ層またはＣｕ層／ Ｃｒ層で構成し
てもよく、この場合、ポリイミド上に直接Ｃｕをつける
ことにより引張り応力の緩和と、熱膨張差の縮小を図る
ことができ、クラックの発生を生じ難くすることができ
好ましい。
本発明においては、ポリイミド上にスパッターで第２の
導電性層を構成するＣｕ、Ｎｉ等を成膜する場合、スパ
ッター時にバイアスを基板側に印加させるのが好ましく
、この場合、スパッターした膜を逆スパッターにより削
るという効果を持たせスパッターさせることができ、つ
き回り性のよい成膜を行うことができる。
導電性層を構成するＣｕ、Ｎｉ等を成膜する場合、スパ
ッター時にバイアスを基板側に印加させるのが好ましく
、この場合、スパッターした膜を逆スパッターにより削
るという効果を持たせスパッターさせることができ、つ
き回り性のよい成膜を行うことができる。
本発明では、第１図に示すように、第１の感光性ポリイ
ミド層３を２００〜２５０’Ｃでハーフキュアした後、
第２の感光性ポリイミド層５を露光、現像及びフルキュ
アして第２の開口部６を形成している。このため、第２
図に示すように、第１の感光性ポリイミド層３をハーフ
キュアした場合では従来の４００°Ｃ程度でフルキュア
した場合よりもポリイミド露光時の光の透過率を非常に
大きくすることができ、ポリイミドの底まで十分に露光
することができる。
ミド層３を２００〜２５０’Ｃでハーフキュアした後、
第２の感光性ポリイミド層５を露光、現像及びフルキュ
アして第２の開口部６を形成している。このため、第２
図に示すように、第１の感光性ポリイミド層３をハーフ
キュアした場合では従来の４００°Ｃ程度でフルキュア
した場合よりもポリイミド露光時の光の透過率を非常に
大きくすることができ、ポリイミドの底まで十分に露光
することができる。
（実施例〕
第１図及び第２図は本発明に係る半導体装置の製造方法
の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の製
造方法を説明する図、第２図は本発明の詳細な説明する
図である。これらの図において、■はＡｆ、Ｏ，系セラ
ミック等からなる基板、２はＣｒ（ＴｉＷ等でもよい）
層／ Ｃｕ層／Ｃｒ（ＴｉＷ等でもよい）層等からなる
第１の導電性層、２ａは第１の導電性層２がバターニン
グされた第１の導電性層パターン、３は例えばネガ型の
第１の感光性ポリイミド層、４は第１の感光性ポリイミ
ド層３に形成された第１の開口部、５ば例えばネガ型の
第２の感光性ポリイミド層、６は第２の感光性ポリイミ
ド層５に形成された第２の開口部、７はＣｕ層／ＴｉＷ
層（Ｃｕ層／ Ｃｒ層でもよい）等からなる第２の導電
性層、７ａは第２の導電性層７がバターニングされた第
２の導電性層パターンである。
の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の製
造方法を説明する図、第２図は本発明の詳細な説明する
図である。これらの図において、■はＡｆ、Ｏ，系セラ
ミック等からなる基板、２はＣｒ（ＴｉＷ等でもよい）
層／ Ｃｕ層／Ｃｒ（ＴｉＷ等でもよい）層等からなる
第１の導電性層、２ａは第１の導電性層２がバターニン
グされた第１の導電性層パターン、３は例えばネガ型の
第１の感光性ポリイミド層、４は第１の感光性ポリイミ
ド層３に形成された第１の開口部、５ば例えばネガ型の
第２の感光性ポリイミド層、６は第２の感光性ポリイミ
ド層５に形成された第２の開口部、７はＣｕ層／ＴｉＷ
層（Ｃｕ層／ Ｃｒ層でもよい）等からなる第２の導電
性層、７ａは第２の導電性層７がバターニングされた第
２の導電性層パターンである。
次に、その製造方法について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、例えばスパッタ法に
よりＡ／！、０３系セラミツク基板１上にＣｒ、Ｃｕ及
びＣｒを順次堆積して膜厚が例えば５００人のＣｒ層、
膜厚が例えば５μｍのＣｕ層、膜厚が例えば２０００人
のＣｒ層の３層からなる第１の導電性層２を形成した後
、第１図（ｂ）に示すように、例えばＲＩＥにより第１
の導電性層２をバターニングして第１の導電性層パター
ン２ａを形成する。
よりＡ／！、０３系セラミツク基板１上にＣｒ、Ｃｕ及
びＣｒを順次堆積して膜厚が例えば５００人のＣｒ層、
膜厚が例えば５μｍのＣｕ層、膜厚が例えば２０００人
のＣｒ層の３層からなる第１の導電性層２を形成した後
、第１図（ｂ）に示すように、例えばＲＩＥにより第１
の導電性層２をバターニングして第１の導電性層パター
ン２ａを形成する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、第１の導電性層パタ
ーン２ａを覆うように感光性ポリイミドを塗布、プリベ
ーク（例えば６０〜７０°Ｃ１１０分）して膜厚が例え
ば１０〜２０μｍの第１の感光性ポリイミド層３を形成
した後、第１図（ｄ）に示すように、第１の導電性層パ
ターン２ａ上の領域において、第１の感光性ポリイミド
Ｎ３を露光（例えばｈｆｇ線、５００ｍＪ／ ｃｒＭ
） 、現像（例えばＮＭＰ溶剤）及びハーフキュア（例
えば２５０〜３００°Ｃ１３０分）することにより第１
の導電性層パターン２ａが露出する側面が４５度程度の
順テーパ形状の第１の開口部４を形成する。
ーン２ａを覆うように感光性ポリイミドを塗布、プリベ
ーク（例えば６０〜７０°Ｃ１１０分）して膜厚が例え
ば１０〜２０μｍの第１の感光性ポリイミド層３を形成
した後、第１図（ｄ）に示すように、第１の導電性層パ
ターン２ａ上の領域において、第１の感光性ポリイミド
Ｎ３を露光（例えばｈｆｇ線、５００ｍＪ／ ｃｒＭ
） 、現像（例えばＮＭＰ溶剤）及びハーフキュア（例
えば２５０〜３００°Ｃ１３０分）することにより第１
の導電性層パターン２ａが露出する側面が４５度程度の
順テーパ形状の第１の開口部４を形成する。
次に、第１図（ｅ）に示すように、第１の感光性ポリイ
ミド層３及び第１の開口部４を覆うように感光性ポリイ
ミドを塗布、プリベーク（例えば６０〜７０°Ｃ１１０
分）して膜厚が例えば１０〜２０μｍの第２の感光性ポ
リイミド層５を形成した後、第１図（ｆ）に示すように
、第１の導電性層パターン２ａ上の領域において、第２
の感光性ポリイミド層５を露光（例えばｈ十ｇ線、１０
１００Ｏ／ ａｆｌ ） 、現像（例えばＮＭＰ溶剤）
及びフルキュア（例えば４００’Ｃ１３０分）すること
により、第１の開口部４を介して第１の導電性層パター
ン２ａが露出する第１の開口部４幅よりも大きな幅の側
面が４５度程度の順テーパ形状の第２の開口部６を形成
する。
ミド層３及び第１の開口部４を覆うように感光性ポリイ
ミドを塗布、プリベーク（例えば６０〜７０°Ｃ１１０
分）して膜厚が例えば１０〜２０μｍの第２の感光性ポ
リイミド層５を形成した後、第１図（ｆ）に示すように
、第１の導電性層パターン２ａ上の領域において、第２
の感光性ポリイミド層５を露光（例えばｈ十ｇ線、１０
１００Ｏ／ ａｆｌ ） 、現像（例えばＮＭＰ溶剤）
及びフルキュア（例えば４００’Ｃ１３０分）すること
により、第１の開口部４を介して第１の導電性層パター
ン２ａが露出する第１の開口部４幅よりも大きな幅の側
面が４５度程度の順テーパ形状の第２の開口部６を形成
する。
次に、第１図（ｇ）に示すように、例えばスパッタ法に
より第１、第２の開口部４．６内の第１の導電性層パタ
ーン２ａとコンタクトを取るようにＣｕ、ＴｉＷを順次
堆積して膜厚が例えば５μのＣｕ層、膜厚が例えば１０
００人のＣｕ層からなる第２の導電性層７を形成する。
より第１、第２の開口部４．６内の第１の導電性層パタ
ーン２ａとコンタクトを取るようにＣｕ、ＴｉＷを順次
堆積して膜厚が例えば５μのＣｕ層、膜厚が例えば１０
００人のＣｕ層からなる第２の導電性層７を形成する。
なお、ここでは、Ｃｕスパッタ時にバイアスを印加し、
その条件はＤＣスパッタパワー０．５〜ＩＫＷ、、ＲＦ
バイアス２００■程度である。
その条件はＤＣスパッタパワー０．５〜ＩＫＷ、、ＲＦ
バイアス２００■程度である。
そして、例えばＲＩＨにより第２の導電性層７をパター
ニングして第２の導電性層パターン７ａを形成すること
により、第１図（ｈ）に示すような多層配線構造を得る
ことができる。
ニングして第２の導電性層パターン７ａを形成すること
により、第１図（ｈ）に示すような多層配線構造を得る
ことができる。
すなわち、上記実施例では、第１の感光性ポリイミド層
３を２００〜２５０°Ｃでハーフキュアした後、第２の
感光性ポリイミド層５を露光、現像及びフルキュアして
第２の開口部６を形成している。このため、第２図に示
すように、第１の感光性ポリイミド層３をハーフキュア
した場合では従来の４００ ”Ｃ程度でフルキュアした
場合よりもポリイミド露光時の光の透過率を非常に大き
くすることができ、ポリイミドの底まで十分に露光する
ことができる。このため、第１の導電性層パターン２ａ
上に第１の開口部４を有する第１の感光性ポリイミド層
３を形成する場合と同様、現像後のオーバーハングなく
、フルキュア後に側面が緩やかな順テーパ形状の第２の
開口部６を有する第２の感光性ポリイミド層５を形成す
ることができる。したがって、段差を緩やかにすること
ができ、第２の導電性層パターン７ａの断線を生じ難く
することができる。
３を２００〜２５０°Ｃでハーフキュアした後、第２の
感光性ポリイミド層５を露光、現像及びフルキュアして
第２の開口部６を形成している。このため、第２図に示
すように、第１の感光性ポリイミド層３をハーフキュア
した場合では従来の４００ ”Ｃ程度でフルキュアした
場合よりもポリイミド露光時の光の透過率を非常に大き
くすることができ、ポリイミドの底まで十分に露光する
ことができる。このため、第１の導電性層パターン２ａ
上に第１の開口部４を有する第１の感光性ポリイミド層
３を形成する場合と同様、現像後のオーバーハングなく
、フルキュア後に側面が緩やかな順テーパ形状の第２の
開口部６を有する第２の感光性ポリイミド層５を形成す
ることができる。したがって、段差を緩やかにすること
ができ、第２の導電性層パターン７ａの断線を生じ難く
することができる。
（発明の効果〕
そこで、本発明は、側面が緩やかな順テーパ形状の第２
の開口部を有する第２の感光性ポリイミド層を形成する
ことができ、第２の導電性層パターンの断線を生じ難く
することができる。
の開口部を有する第２の感光性ポリイミド層を形成する
ことができ、第２の導電性層パターンの断線を生じ難く
することができる。
第１図及び第２図は本発明に係る半導体装置の製造方法
の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の製
造方法を説明する図、第２図は本発明の詳細な説明する
図、 第３図は従来例の製造方法を説明する図である。 ・・・・・・基板、 ・・・・・・第１の導電性層、 ａ・・・・・・第１の導電性層パターン、・・・・・・
第１の感光性ポリイミド層、・・・・・・第１の開口部
、 ・・・・・・第２の感光性ポリイミド層、・・・・・・
第２の開口部、 ・・・・・・第２の導電性層、 ａ・・・・・・第２の導電性層パターン。 ４：第１の開口部 一実施例の製造方法を説明する図 第 図 ５：第２の感光性ポリイミド層 ６：第２の開口部 ７：第２の導電性層 ７ａ：第２の導電性層パターン 一実施例の製造方法を説明する図 第 図 本発明の詳細な説明する図 第 図 従来例の製造方法を説明する図 第３図
の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の製
造方法を説明する図、第２図は本発明の詳細な説明する
図、 第３図は従来例の製造方法を説明する図である。 ・・・・・・基板、 ・・・・・・第１の導電性層、 ａ・・・・・・第１の導電性層パターン、・・・・・・
第１の感光性ポリイミド層、・・・・・・第１の開口部
、 ・・・・・・第２の感光性ポリイミド層、・・・・・・
第２の開口部、 ・・・・・・第２の導電性層、 ａ・・・・・・第２の導電性層パターン。 ４：第１の開口部 一実施例の製造方法を説明する図 第 図 ５：第２の感光性ポリイミド層 ６：第２の開口部 ７：第２の導電性層 ７ａ：第２の導電性層パターン 一実施例の製造方法を説明する図 第 図 本発明の詳細な説明する図 第 図 従来例の製造方法を説明する図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下地の膜（１）上に第１の導電性層（２）を形成する工
程と、 該第１の導電性層（２）をパターニングして第１の導電
性層パターン（２ａ）を形成する工程と、該第１の導電
性層パターン（２ａ）を覆うように感光性ポリイミドを
塗布、プリベークして第１の感光性ポリイミド層（３）
を形成する工程と、該第１の導電性層パターン（２ａ）
上の領域において、該第１のポリイミド層（３）を露光
、現像及びハーフキュアすることにより該第１の導電性
層パターン（２ａ）が露出する側面が順テーパ形状の第
１の開口部（４）を形成する工程と、該第１のポリイミ
ド層（３）及び該第１の開口部（４）を覆うように感光
性ポリイミドを塗布、プリベークして第２の感光性ポリ
イミド層（５）を形成する工程と、 該第１の導電性層パターン（２ａ）上の領域において、
該第２の感光性ポリイミド層（５）を露光、現像及びフ
ルキュアすることにより該第１の開口部（４）を介して
該第１の導電性層パターン（２ａ）が露出する側面が順
テーパ形状の第２の開口部（６）を形成する工程と、 該第１、第２の開口部（４、６）内の該第１の導電性層
パターン（２ａ）とコンタクトするように第２の導電性
層（７）を形成する工程と、該第２の導電性層（７）を
パターニングして第２の導電性層パターン（７ａ）を形
成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24950790A JP2915529B2 (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24950790A JP2915529B2 (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127434A true JPH04127434A (ja) | 1992-04-28 |
| JP2915529B2 JP2915529B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=17193997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24950790A Expired - Fee Related JP2915529B2 (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2915529B2 (ja) |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP24950790A patent/JP2915529B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2915529B2 (ja) | 1999-07-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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