JPH0228261B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0228261B2 JPH0228261B2 JP59013719A JP1371984A JPH0228261B2 JP H0228261 B2 JPH0228261 B2 JP H0228261B2 JP 59013719 A JP59013719 A JP 59013719A JP 1371984 A JP1371984 A JP 1371984A JP H0228261 B2 JPH0228261 B2 JP H0228261B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- outer container
- external terminals
- semiconductor device
- insulating substrate
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/15—Containers comprising an insulating or insulated base
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
- H10W76/42—Fillings
- H10W76/47—Solid or gel fillings
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、電力半導体モジユールなどに使用
する半導体装置の改良に関するものである。
する半導体装置の改良に関するものである。
近年、電子機器の発達は著しく、その小形軽量
化が急速に進んでいる。これらの基をなすもの
は、半導体装置の小形化および信頼性の向上によ
るものである。このなかでも特にトランジスタの
大電流容量化に伴う中容量の電力用半導体装置と
しての応用が活発になつており、小形軽量化を図
つたパワーモジユールの分野への適用も多くなつ
てきている。
化が急速に進んでいる。これらの基をなすもの
は、半導体装置の小形化および信頼性の向上によ
るものである。このなかでも特にトランジスタの
大電流容量化に伴う中容量の電力用半導体装置と
しての応用が活発になつており、小形軽量化を図
つたパワーモジユールの分野への適用も多くなつ
てきている。
このようなパワーモジユールの特長は軽量化と
低価格であるが、このためには樹脂封止形とな
る。パワーモジユールでは、複数個の半導体チツ
プを組込んでおり、半導体チツプ自体も大電流容
量化に伴ない大きくなるため、外形寸法は従来の
樹脂封止形半導体装置に比べ、かなり大きなもの
となる。最近では、６素子入り（トランジスタチ
ツプ、フライホイルダイオード、スピードアツプ
ダイオード各１チツプの６倍）のパワーモジユー
ルも実用化されている。このようなことから、パ
ワーモジユールの樹脂封止には従来のものとは異
なつた構造が必要となつてくる。なかでも、最も
問題となるのは外形が大きくなることにより、容
器内に充てんされる樹脂の体積が大きくなり半導
体チツプの発熱による温度上昇で、封止樹脂の膨
脹や温度低下時における収縮によるひずみがチツ
プやアルミ線に加わりチツプの割れやアルミ線の
断線の原因となることがある。
低価格であるが、このためには樹脂封止形とな
る。パワーモジユールでは、複数個の半導体チツ
プを組込んでおり、半導体チツプ自体も大電流容
量化に伴ない大きくなるため、外形寸法は従来の
樹脂封止形半導体装置に比べ、かなり大きなもの
となる。最近では、６素子入り（トランジスタチ
ツプ、フライホイルダイオード、スピードアツプ
ダイオード各１チツプの６倍）のパワーモジユー
ルも実用化されている。このようなことから、パ
ワーモジユールの樹脂封止には従来のものとは異
なつた構造が必要となつてくる。なかでも、最も
問題となるのは外形が大きくなることにより、容
器内に充てんされる樹脂の体積が大きくなり半導
体チツプの発熱による温度上昇で、封止樹脂の膨
脹や温度低下時における収縮によるひずみがチツ
プやアルミ線に加わりチツプの割れやアルミ線の
断線の原因となることがある。
これらを防止するため、最近は、容器内部の下
層には絶縁材としてのゲル状軟質樹脂で封止して
チツプやアルミ線部を囲み、上層には充てん後硬
化することにより強度の方が高くなる封止樹脂で
封止し、引出された外部端子の保持とモジユール
の機械的保護とを行う二重の樹脂封止構造のもの
が増えてきた。
層には絶縁材としてのゲル状軟質樹脂で封止して
チツプやアルミ線部を囲み、上層には充てん後硬
化することにより強度の方が高くなる封止樹脂で
封止し、引出された外部端子の保持とモジユール
の機械的保護とを行う二重の樹脂封止構造のもの
が増えてきた。
この種の従来の半導体装置を第１図に斜視図で
示す。第２図は第１図の要部が拡大して示す断面
図である。これらの図はパワーモジユールに使用
するトランジスタの場合を示し、１は放熱板で、
上面にアルミナ材などからなる絶縁基板２が固着
されている。この絶縁基板２上にはベース電極３
Ｂ、コレクタ電極３Ｃ、エミツタ電極３Ｅが固着
されている。コレクタ電極３Ｃ上には、トランジ
スタ素子４が固着されている。また、ベース電極
３Ｂから外部端子１４、エミツタ電極３Ｅから外
部端子１５へ引出されている。トランジスタ素子
４上面のベースボンデイングパツトおよびエミツ
タボンデイングパツドと対応するベース電極３
Ｂ、エミツタ電極３Ｅへは、それぞれアルミ線で
ボンデイング接続している。
示す。第２図は第１図の要部が拡大して示す断面
図である。これらの図はパワーモジユールに使用
するトランジスタの場合を示し、１は放熱板で、
上面にアルミナ材などからなる絶縁基板２が固着
されている。この絶縁基板２上にはベース電極３
Ｂ、コレクタ電極３Ｃ、エミツタ電極３Ｅが固着
されている。コレクタ電極３Ｃ上には、トランジ
スタ素子４が固着されている。また、ベース電極
３Ｂから外部端子１４、エミツタ電極３Ｅから外
部端子１５へ引出されている。トランジスタ素子
４上面のベースボンデイングパツトおよびエミツ
タボンデイングパツドと対応するベース電極３
Ｂ、エミツタ電極３Ｅへは、それぞれアルミ線で
ボンデイング接続している。
次に、上記従来装置の組立てについて説明す
る。まず、絶縁基板２の両面に所要はんだ付け箇
所にメタライズ層を施す。放熱板１上にはんだ薄
片を介して絶縁基板２を置く。次いで、この絶縁
基板２上にそれぞれはんだ薄片を介しコレクタ電
極３Ｃ、ベース電極３Ｂ、エミツタ電極３Ｅを載
せる。さらに、コレクタ電極３Ｃ上にはんだ薄片
を介しトランジスタ素子４を配置する。このよう
に、各部品が載せられた放熱板１を組立設備の熱
板（図示せず）上に載せ、加熱して各部品をはん
だ融着する。次に、トランジスタ素子４上面のボ
ンデイングパツトと対応する各電極３Ｂ，３Ｃ，
３Ｅとをそれぞれアルミ線によりワイヤボンドす
る。各電極３Ｂ，３Ｃ，３Ｅの先端を上方に曲げ
起こし、各極の外部端子９〜１５にはんだ付け等
により接続し形成する。次いで、放熱板１上に外
装容器５を接着剤等で接着し、外装容器５内部の
下層には絶縁材としてのゲル状封止樹脂６で封止
し、外装容器５の上層には各外部端子９〜１５を
固定のため硬化封止樹脂７で封止して製品が完成
される。
る。まず、絶縁基板２の両面に所要はんだ付け箇
所にメタライズ層を施す。放熱板１上にはんだ薄
片を介して絶縁基板２を置く。次いで、この絶縁
基板２上にそれぞれはんだ薄片を介しコレクタ電
極３Ｃ、ベース電極３Ｂ、エミツタ電極３Ｅを載
せる。さらに、コレクタ電極３Ｃ上にはんだ薄片
を介しトランジスタ素子４を配置する。このよう
に、各部品が載せられた放熱板１を組立設備の熱
板（図示せず）上に載せ、加熱して各部品をはん
だ融着する。次に、トランジスタ素子４上面のボ
ンデイングパツトと対応する各電極３Ｂ，３Ｃ，
３Ｅとをそれぞれアルミ線によりワイヤボンドす
る。各電極３Ｂ，３Ｃ，３Ｅの先端を上方に曲げ
起こし、各極の外部端子９〜１５にはんだ付け等
により接続し形成する。次いで、放熱板１上に外
装容器５を接着剤等で接着し、外装容器５内部の
下層には絶縁材としてのゲル状封止樹脂６で封止
し、外装容器５の上層には各外部端子９〜１５を
固定のため硬化封止樹脂７で封止して製品が完成
される。
ところで、上記従来の半導体装置は、外部端子
９〜１５の位置決めが非常に困難であり、位置決
めのための外部端子９〜１５の位置修正に多くの
時間を必要とし、また、治工具等を使用しなけれ
ば位置決めができず多くの作業時間がかかる等の
欠点があつた。
９〜１５の位置決めが非常に困難であり、位置決
めのための外部端子９〜１５の位置修正に多くの
時間を必要とし、また、治工具等を使用しなけれ
ば位置決めができず多くの作業時間がかかる等の
欠点があつた。
この発明は、上記の欠点を解消するためになさ
れたもので、外装容器の上部に、外部端子が確実
に所定の位置に来るように外装容器上部内側に穴
または切欠部を設けることにより外部でのプリン
ト配線等が容易にできる半導体装置を提供するこ
とを目的としている。
れたもので、外装容器の上部に、外部端子が確実
に所定の位置に来るように外装容器上部内側に穴
または切欠部を設けることにより外部でのプリン
ト配線等が容易にできる半導体装置を提供するこ
とを目的としている。
以下、この発明について説明する。
第３図、第４図はこの発明の一実施例を示すも
ので、第３図はモジユールに使用するトランジス
タパワーの半導体装置を示す斜視図、第４図は第
３図の要部を拡大して示す断面図である。
ので、第３図はモジユールに使用するトランジス
タパワーの半導体装置を示す斜視図、第４図は第
３図の要部を拡大して示す断面図である。
これらの図において、第１図、第２図と同一符
号は同一部分を示し、８は周縁部に上面部が枠状
に一体に形成されてなる前記外装容器５の前記上
面部に形成された各外部端子９〜１５が確実に所
定の位置に位置決めをするための穴で、下方に向
つてテーパが形成されている。
号は同一部分を示し、８は周縁部に上面部が枠状
に一体に形成されてなる前記外装容器５の前記上
面部に形成された各外部端子９〜１５が確実に所
定の位置に位置決めをするための穴で、下方に向
つてテーパが形成されている。
次に、上記半導体装置の組立てについて説明す
る。
る。
第４図に示すごとく放熱板１上にはんだ薄片を
介して絶縁基板２を置く。次いで、この絶縁基板
２上にそれぞれはんだ薄片を介しコレクタ電極３
Ｃ、ベース電極３Ｂ、エミツタ電極３Ｅを載せ、
さらに、コレクタ電極３Ｃ上にはんだ薄片を介し
トランジスタ素子４を配置する。次に、トランジ
スタ素子４上面のボンデイングパツドと対応する
各電極３Ｂ，３Ｃ，３Ｅとをそれぞれアルミ線に
よりワイヤボンドする。各電極３Ｂ，３Ｃ，３Ｅ
の先端を上方に曲げ起こし各電極３Ｂ，３Ｃ，３
Ｅの外部端子９〜１５にはんだ付け等により接続
し形成する。次いで、放熱板１上に外装容器５を
接着剤等で接着する場合は、外装容器５の穴８に
外部端子９〜１５を挿入してから接着する。その
後、外装容器５内部の下層にはゲル状封止樹脂
６、上層には外部端子９〜１５を固定するため硬
化封止樹脂７で封止し製品を完成させる。
介して絶縁基板２を置く。次いで、この絶縁基板
２上にそれぞれはんだ薄片を介しコレクタ電極３
Ｃ、ベース電極３Ｂ、エミツタ電極３Ｅを載せ、
さらに、コレクタ電極３Ｃ上にはんだ薄片を介し
トランジスタ素子４を配置する。次に、トランジ
スタ素子４上面のボンデイングパツドと対応する
各電極３Ｂ，３Ｃ，３Ｅとをそれぞれアルミ線に
よりワイヤボンドする。各電極３Ｂ，３Ｃ，３Ｅ
の先端を上方に曲げ起こし各電極３Ｂ，３Ｃ，３
Ｅの外部端子９〜１５にはんだ付け等により接続
し形成する。次いで、放熱板１上に外装容器５を
接着剤等で接着する場合は、外装容器５の穴８に
外部端子９〜１５を挿入してから接着する。その
後、外装容器５内部の下層にはゲル状封止樹脂
６、上層には外部端子９〜１５を固定するため硬
化封止樹脂７で封止し製品を完成させる。
第５図はこの発明の他の実施例を示す要部の斜
視図である。この実施例では第３図、第４図の実
施例における穴８に代えて切欠部８′を用いたも
のである。作用効果は穴８の場合とほとんど同一
であるが、外部端子１４，１５の挿通が穴８より
切欠部８′の方が容易である。
視図である。この実施例では第３図、第４図の実
施例における穴８に代えて切欠部８′を用いたも
のである。作用効果は穴８の場合とほとんど同一
であるが、外部端子１４，１５の挿通が穴８より
切欠部８′の方が容易である。
なお、外部端子９〜１５の断面形状は、円形、
矩形等任意でよい。
矩形等任意でよい。
以上説明したようにこの発明は、半導体装置の
外装容器の上面部に各外部端子を所定の位置に位
置決めするための穴または切欠部を設けたので、
各外部端子の位置が正確に位置決めされる。この
ため、パワーモジユールを使用したインバータセ
ツト等を組立てる場合、プリント配線等の利用が
できると同時に、外部端子の接続も一体化ができ
組立て工数を減らすことができる等の利点を有す
る。
外装容器の上面部に各外部端子を所定の位置に位
置決めするための穴または切欠部を設けたので、
各外部端子の位置が正確に位置決めされる。この
ため、パワーモジユールを使用したインバータセ
ツト等を組立てる場合、プリント配線等の利用が
できると同時に、外部端子の接続も一体化ができ
組立て工数を減らすことができる等の利点を有す
る。
第１図、第２図は従来の半導体装置を示す斜視
図と、第１図の要部を拡大して示す断面図、第３
図、第４図はこの発明の一実施例を示す斜視図と
第３図の要部を拡大して示す断面図、第５図はこ
の発明の他の実施例を示す要部の斜視図である。 図中、１は放熱板、２は絶縁基板、３Ｂはベー
ス電極、３Ｃはコレクタ電極、３Ｅはエミツタ電
極、４はトランジスタ素子、５は外装容器、６は
ゲル状封止樹脂、７は硬化封止樹脂、８は穴、
８′は切欠部、９，１０，１１，１２，１３，１
４，１５は外部端子である。なお、図中の同一符
号は同一または相当部分を示す。
図と、第１図の要部を拡大して示す断面図、第３
図、第４図はこの発明の一実施例を示す斜視図と
第３図の要部を拡大して示す断面図、第５図はこ
の発明の他の実施例を示す要部の斜視図である。 図中、１は放熱板、２は絶縁基板、３Ｂはベー
ス電極、３Ｃはコレクタ電極、３Ｅはエミツタ電
極、４はトランジスタ素子、５は外装容器、６は
ゲル状封止樹脂、７は硬化封止樹脂、８は穴、
８′は切欠部、９，１０，１１，１２，１３，１
４，１５は外部端子である。なお、図中の同一符
号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 放熱板上に絶縁基板を固着し、この絶縁基板
上に複数種の電極を配置して固着し、これらの電
極のうち所定の電極上に半導体チツプを装着し、
前記各所定の電極から上方に外部端子を引出し、
前記放熱板上の周縁部に沿つて固着され、この周
縁部に上面部が枠状に一体に形成された絶縁材か
らなる外装容器の内部の下層にはゲル状封止樹脂
を封入し、前記外装容器の上層には前記外部端子
固定のための硬化封止樹脂で封止した半導体装置
において、前記外装容器の前記枠状の上面部に前
記各外部端子を所定の位置に位置決めをするため
の穴または切欠部を設けた事を特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59013719A JPS60157243A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59013719A JPS60157243A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157243A JPS60157243A (ja) | 1985-08-17 |
| JPH0228261B2 true JPH0228261B2 (ja) | 1990-06-22 |
Family
ID=11841048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59013719A Granted JPS60157243A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157243A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0342685Y2 (ja) * | 1984-10-12 | 1991-09-06 | ||
| JPH0611537Y2 (ja) * | 1989-03-03 | 1994-03-23 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型電子回路装置 |
| US5285106A (en) * | 1990-01-18 | 1994-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device parts |
| DE19719703C5 (de) * | 1997-05-09 | 2005-11-17 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul mit Keramiksubstrat |
| CN101933139B (zh) | 2007-12-20 | 2012-11-07 | 爱信艾达株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP6028592B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2016-11-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435666B2 (ja) * | 1975-02-11 | 1979-11-05 | ||
| JPS5412386A (en) * | 1977-06-28 | 1979-01-30 | Teijin Ltd | Isocarbostyril derivative |
| JPS5923496B2 (ja) * | 1977-08-25 | 1984-06-02 | 富士通株式会社 | タイミング抽出方式 |
| JPS56145850U (ja) * | 1980-04-02 | 1981-11-04 | ||
| FR2503932A1 (fr) * | 1981-04-08 | 1982-10-15 | Thomson Csf | Boitiers a cosses plates pour composants semi-conducteurs de moyenne puissance et procede de fabrication |
| JPS587346A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | 株式会社東海理化電機製作所 | プラスチツク積層体 |
-
1984
- 1984-01-25 JP JP59013719A patent/JPS60157243A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60157243A (ja) | 1985-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6261865B1 (en) | Multi chip semiconductor package and method of construction | |
| JP3425202B2 (ja) | 電子装置パッケージ・アセンブリー | |
| TWI272705B (en) | Heat spreader and package structure utilizing the same | |
| JP2001110926A (ja) | フリップチップパッケージ | |
| JP2895920B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| CN103531581B (zh) | 多芯片模块 | |
| JPS62202548A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10335577A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR102371636B1 (ko) | 양면 기판 반도체 제조 방법 | |
| JPS60157243A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0418694B2 (ja) | ||
| JPH10335366A (ja) | 半導体装置 | |
| KR101008534B1 (ko) | 전력용 반도체모듈패키지 및 그 제조방법 | |
| JP3670371B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2975782B2 (ja) | 混成集積回路装置およびこれに用いるケース材 | |
| JPH08153826A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3295987B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR900001744B1 (ko) | 반도체장치 | |
| JPS6219063B2 (ja) | ||
| JPH06241889A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4123131B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0543485Y2 (ja) | ||
| JPH0797616B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11219969A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS615535A (ja) | 半導体装置 |