JPH0228277B2 - Denshibuhinnohandashorihoho - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、例えばLSIのような電子部品をプリ
ント基板に取付ける工程の前処理に関し、より具
体的にいえば、運搬用基板に半田付けされた電子
部品を取外す際における、残留半田の突起の処理
に関するものである。

〔発明の背景〕

通常、第２図に示すように、LSIのような電子
部品１は、そのリ−ド２の端部が運搬用基板（し
ばしばベビ−ボ−ドと呼ばれる）３に半田付けさ
れた状態で、部品実装工程の現場に搬入される。
したがつて、実装工程の前に、運搬用基板３をホ
ツトプレ−トで加熱したり、あるいは半田浴に浸
したりして、半田を融解し、次いで、チヤツク等
により電子部品を引上げて運搬用基板から取外す
工程が、必要である。ところが、このようにして
取外した電子部品のリ−ド端下側部（接着面）に
は、第３図に示すように、かなりの量の半田が突
起４を形成して残留し、凝固するのが普通であ
る。この残留半田の突起４は、その大きさも形状
もまちまちであるから、これをそのままにしてお
いたのでは、電子部品をプリント基板に半田付け
するに当つて、プリント基板上の取付端子面と全
リ−ド端面との一様な接触状態が得られず、その
結果、リ−ド浮きによる接続不良が多発する。そ
して、このリ−ド浮き不良を防ぐためにプリント
基板側に塗布する半田ペ−ストの量を増すと、今
度は過多な半田によるリ−ド間の橋絡という不良
を生じやすい。この残留半田の突起４を除去する
には、むかえ半田処理などの特別な工程によらな
ければならない。

これらの問題を回避するために従来多用されて
いた方法は、電子部品の引外しに際して、半田付
け部にフラツクスを塗布することにより、残留半
田の突起を極力小さく抑えるものである。この方
法は、残留半田の突起防止の面ではそれなりの効
果があるけれども、フラツクス塗布工程に加え
て、プリント基板への実装の前に、このフラツク
スを除去するためのリ−ド洗浄工程を必要とす
る。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、フラツクスを用いることなく
残留半田突起を除去するとともに、除去した残留
半田突起の活用の途を開く、従来とは全く別の観
点に立つた半田処理方法を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の本質的特徴は、加熱された運搬用基板
から取外した電子部品のリ−ドの半田付け部に対
して、加熱した不活性ガスを吹付けて、残留半田
突起を融解するとともにリ−ドの接着面とは反対
側の面に回り込ませるところにある。この回り込
んだ残留半田の旧突起部分は、電子部品をプリン
ト基板に実装する際の接着用半田の一部として利
用することができる。

〔発明の実施例〕

電子部品１が半田付けされている運搬用基板３
は、搬送機構に乗せられて、半田浴中あるいは発
熱体近傍を移動し、その間に半田が融解する。続
いて、チヤツク等で電子部品１をつかんで（ある
いは、最初からチヤツクで把持して前記移動を行
なつてもよい）、基板３から引離す。前記工程に
おける加熱条件（温度及び時間）と引離し速度
は、残留半田の突起４が適当な大きさになるよう
に調整する。

次に、加熱した不活性ガスの吹付けを行なう。
第１図ａに示すように、電子部品１を、チヤツク
５でつかんだまま、ノズル６の上方に保持する。
一方、不活性ガス、例えばN₂ガスをヒ−タ７で
適当な温度に加熱した後、ノズル６の先端から、
リ−ド２の半田付け部に対してその斜め下方から
吹付ける(8)。このときの不活性ガスの温度及び風
速並びにその吹付角度を適当に選ぶと、残留半田
の突起４は融解し、しかも飛散することなく、第
１図ｂに４ａとして示すように、リ−ド２の上面
（接着面とは反対側の面）に回り込み、吹付けが
終るとその位置で凝固する。具体例を示すと、第
１図ａにおける角度θを55゜にとり、300℃のN₂
ガスを120ｍ／ｓの風速で吹付けることにより、
処理後におけるリ−ド下面の残留半田突起の高さ
を20μ以下とし、その余の残留半田の旧突起部分
を、第１図ｂの４ａのように回り込ませることが
できた。

多数のリ−ドに対して上記のような処理を行な
うためには、１個又は少数のノズルを設けて、適
当な運搬機構により、ノズルと電子部品の相対的
移動を行なわせてもよいし、あるいは、全部のリ
−ドを同時に処理できるように、多数のノズルを
並設するか、１個又は少数のスリツト状の吹出口
を設けてもよい。リ−ドが電子部品の四方に出て
いる場合には、左右辺のリ−ド群の処理と前後辺
のリ−ド群の処理との２段工程に分けるのもよ
い。

前記のように処理された電子部品は、リ−ド変
位の検査、不良品排除又は矯正などの工程を必要
に応じて経た後に、プリント基板に実装される。
実装工程においては各種のリフロ−（半田付け）
法を使用することができるが、いずれの方法によ
つても、前記の処理によりリ−ドの接着面とは反
対側の面に移されていた残留半田の旧突起部分
は、融解して、再び接着面側に回り込み、接着用
半田の一部として作用する。特に、高温の不活性
ガス（例えばN₂）を吹付けるリフロ−法は、前
記の再回り込み現象を助長するから、効果的であ
る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、フラツクスを用いず、したが
つてフラツクス除去工程の必要もなしに、電子部
品のリ−ドの残留半田突起を接着面から除くこと
ができるから、電子部品取外し工程の自動化が容
易になる。のみならず、リ−ドの接着面と反対側
の面に移動した残留半田の旧突起部分は、電子部
品実装工程において接着用半田の一部として寄与
するから、接続を一層確実なものとし、ひいて、
プリント基板側に塗布すべき半田ペ−ストの量の
節約をもたらす。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明におけるガス吹付工程の一実施
例を示す模式図、第２図は運搬用基板に半田付け
された電子部品の斜視図、第３図はリ−ドに半田
が残留して突起を形成している電子部品の部分的
正面図である。 １……電子部品、２……リ−ド、４……残留半
田の突起、４ａ……回り込んだ残留半田の旧突起
部分、５……チヤツク、６……ノズル、７……ヒ
−タ、８……加熱不活性ガス。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 電子部品をそのリ−ド端部の半田付けによつ
   て保持している基板を加熱して前記半田を融解さ
   せる工程と、前記工程により加熱された基板から
   前記電子部品を取外す工程と、前記工程により取
   外した電子部品のリ−ドの半田付け部に加熱した
   不活性ガスを吹付けて残留半田の突起を融解する
   とともにリ−ドの接着面とは反対側の面に回り込
   ませる工程とを含む、電子部品の半田処理方法。