JPH0228312A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH0228312A
JPH0228312A JP63178560A JP17856088A JPH0228312A JP H0228312 A JPH0228312 A JP H0228312A JP 63178560 A JP63178560 A JP 63178560A JP 17856088 A JP17856088 A JP 17856088A JP H0228312 A JPH0228312 A JP H0228312A
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JP
Japan
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leveling
wafer
stage
exposure
reference plane
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JP63178560A
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English (en)
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Hideaki Sakamoto
英昭 坂本
Kesayoshi Amano
天野 今朝芳
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路製造用の露光装置に関し、特
にウェハを傾斜させて所定の露光基準面、例えば投影型
露光装置におけるマスクパターンの投影像面と、ウェハ
の表面とを正確に一致させるレベリング機構に関するも
のである。
〔従来の技術〕
半導体集積回路の製造におけるリソグラフィー工程にお
いて、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型露
光装置、所謂ステッパーは゛中心的役割を担うようにな
っている。このステッパーでは、サブ・ミクロン程度で
形成される回路の最小線幅に対応して、投影レンズの解
像限界を年々高める必要があり、大きい開口数(N、A
、)と広い露光フィールドとを同時に満足する要求が高
まっている。しかしながら、大きい開口数(N、A、)
で広い露光フィールドの投影レンズは必然的に焦点深度
が浅くなるため、ウェハ上の任意のショット領域の一部
で所定の露光基準面に対する傾きが生じると、露光フィ
ールド内の全面で常に正確な焦点合わせを行うことが困
難になる。そこで、例えば本願出願人が先に出願した特
開昭58−113706号公報等に開示されている水平
位置検出系を用い、ウェハ上のショソHM域毎に露光基
準面に対する傾きを検出する。そして、同様に特開昭6
2−274201号公報に開示されているステージ装置
(ウェハステージ)を用い、レベリングステージの所定
の複数点(例えば、3つの動作点)を駆動することによ
って、ショット領域の傾きが零となるようにレベリング
ステージの傾斜角が制御される。尚、レベリングステー
ジを露光基準面に対して任意方向に傾斜させる際、主に
1つの動作点を固定点とし、残り2つの動作点を駆動す
る2点駆動方弐が用いられている。
ここで、上述のウェハステージにおいては、所定のニュ
ートラル状態(例えば、動作点がZ方向の移動ストロー
クの中心にある状態)の時、レベリングステージの複数
点がウェハステージのレーザ干渉計の測長軸(レーザ光
束の中心)を含む露光基準面内に位置するように構成さ
れると共に、露光基準面がレベリングステージ上に載置
される基準ウェハの表面と一致し、且つ投影レンズによ
るマスクパターンの投影像面(結像面)とも一致するよ
うに構成されている。
この結果、上述した水平位置検出系とウェハステージと
から成るレベリング機構を用い、露光基準面、即ち結像
面とショット領域の表面とを正確に一致させることによ
って、露光フィールド内で部分的な焦点ずれ等が生じる
ことなく、高解像にマスク或いはレチクル(以下、レチ
クルと呼ぶ)の回路パターンの投影像がウェハ上に露光
される。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、この種のレベリング機構を有するステッ
パーにおいてウェハやウェハ・ホルダの交換等を行った
場合、製造上の公差によるウェハ自体の厚さ変動(To
tal Th1ckness Variation=T
TVと呼ぶ)の増大や製造誤差等によって、ウェハとウ
ェハ・ホルダの厚さ、つまりレベリングステージより上
の部分の厚さが変動し得る。このため、結像面とウェハ
の表面との間にZ方向のずれ(焦点ずれ)が生じると共
に、レベリングステージの複数点によって決定されるレ
ベリングステージの傾斜動作の基準となる所定のレベリ
ング作動面(以下、レベリング基準作動面と呼ぶ)と、
ウェハの表面との間でZ方向にずれが生じる。この2つ
のZ方向のずれのうち、焦点ずれについてはZステージ
を移動することにより一致させることができるが、レベ
リング基準作動面とウェハの表面とのずれは残留してし
まう。このずれが残留した状態で、例えば角度θだけレ
ベリングステージを傾けて、ウェハ上の任意のショッl
pJ域のレベリングを行った場合、このショット領域の
中心点とレベリングステージの見掛は上の回転中心点と
の距離δを要因とするショット領域の中心の座標系XY
に対する横ずれ、所謂コサイン誤差ΔCe(ΔCe=δ
・(L−cosθ))と、シミツト領域の中心点とレベ
リングステージの回転中心点との高さのずれ量νを要因
とする横ずれ、所謂サイン誤差ΔSe(ΔS e = 
y/2  ・sinθ)とが生じてしまうという問題点
があった。ここで、通常ウェハの傾斜角θは最大で1′
、距離δは最大で220mm(8インチの場合)程度で
あるから、最大で0.011!m程度のコサイン誤差Δ
Ceが生じることになる。また、ウェハとウェハ・ホル
ダの厚み変動の許容差は±75μm、TTVは20μm
程度であるから、最大で0.028μm程度のサイン誤
差ΔSeが生じる。これらの誤差を合わせた横ずれ量は
、この種のステッパーのウェハステージに要求される位
置決め精度(0,03μm程度)に対して大き過ぎる。
しかし、これらの誤差を補正するためには、各ショット
領域でレベリングを行った後に再びレチクルの回路パタ
ーンの投影像と、ウェハ上にすでに形成されている回路
パターンとのアライメントを行わなければならず、スル
ープットが低下してしまうという問題点があった。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、レベリン
グ基準作動面とウェハの表面とにずれが生じても、コサ
イン誤差とサイン誤差を合わせた横ずれ量を所定の許容
値以下、若しくは零に抑え、ウェハステージの位置決め
精度、スループット等を低下させることなく露光を行う
ことができる高精度のレベリング機構を有するステッパ
ーを得ることを目的としている。
〔課題を解決する為の手段〕
かかる問題点を解決するため本発明においては、所定の
露光基準面としての投影レンズ1の結像面IMに対する
ウェハWの傾きを検出する水平位置検出系12を有し、
水平位置検出系12の検出信号に応じてウェハWの表面
と結像面IMとを一致させることによって、レチクルに
形成された回路パターンを投影レンズ1を介してウェハ
W上に露光する装置において、ウェハWを保持して結像
面1M内で2次元的に移動するX−Yステージ6と、X
−Yステージ6に設けられ、結像面IMと垂直な方向(
Z方向)に移動するZステージ4と、Zステージ4に設
けられ、ウェハWを結像面IMに対して任意方向に傾斜
可能なレベリングステージ3と、所定の駆動点としての
ピボット25を含む3つのピボットをZ方向に駆動して
、レベリングステージ3をZステージ4に支承する板ば
ね22a、22b、22cを弾性変形させ、レベリング
ステージ3の仮想的な回転支点となる複数点としての板
ばね22a〜22Cの変形基準点0A10B、QCの各
々をZ方向に移動し、レベリングステージ3の所定の傾
斜基準面としての変形基準点OA、OB、QCによって
決定されるレベリング基準作動面3fに対するウェハW
の表面の位置設定を行う駆動量’fl 20 a、20
b、20cと、レベリング基準作動面3fとウェハWの
表面とのZ方向の位置ずれを検出する焦点検出系11と
、焦点検出系11の検出信号から3つのピボット(25
等)の駆動量を算出し、レベリング基準作動面3rとウ
ェハWの表面とが略一致するように、駆動装置20a、
20b、20cを制御Iする主制御装置15とを設ける
さらに特定の実施態様によれば、駆動装置20a、20
b、20cは3つのピボット(25等)のZ方向への変
位量をそれぞれ検出する3つのポテンショメータ(30
等)を有し、これらのポテンショメータ(30等)の検
出信号と焦点検出系11の検出信号とに基づいて、レベ
リング基準作動面3fとウェハWの表面とを略一致させ
るように、この3つのピボット(25等)がサーボ制御
される。
〔作用〕
本発明によれば、レベリング基準作動面とウェハの表面
とにずれが生じても、焦点検出系の検出信号に基づいて
レベリングステージの駆動装置、即ち3つのピボットを
同量だけZ方向に駆動し、レベリング基準作動面とウェ
ハセンタの製画とを略一致させ、その後にレベリングを
行うように構成している。従って、レベリングに伴って
発生するコサイン誤差、サイン誤差を合わせた横ずれ量
を、所定の許容値以下、即ちレーザ干渉計の分解能(0
,02μm)以下、若しくは零とすることができる。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の実施例について詳述する
。第1図は本発明の第1の実施例によるレベリング機構
を備えたステッパーの概略的な構成を示す図、第2図は
ウェハステージの概略的な構成を示す図である。
第1図において、ウェハWのXY移動平面(座標系XY
)に対して垂直な光軸AXを有する片側(若しくは両側
)テレセンドリンクな投影レンズIは、レチクル(不図
示)に描かれた回路パターンの投影像を、装置上予め定
められた露光基準面、即ち結像面IMに形成する。露光
すべきウェハWは結像面IMに対して任意方向に傾斜可
能なレベリングステージ3上に、ウェハ・ホルダ2を介
して保持される。レベリングステージ3はZステージ4
上に設けられ、さらにZステージ4は結像面IMに沿っ
てX、Y方向に移動するX−Yステージ6上に設けられ
ている。また、2ステージ4はX−Yステージ6に対し
て、駆動部5によりZ方向(光軸AX方向)にのみ移動
するように構成され、Zステージ4の端部にはX方向の
位置を検出するレーザ干渉計7用の平面鏡8と、第2図
に示すようにY方向の位置を検出するレーザ干渉計9用
の平面鏡lOとが設けられている。このレーザ干渉計7
.9から照射されるレーザビームの中心線がそれぞれX
、Y方向の測定軸LX、L4であり、この測定軸Lx、
t、yは点Qで直交すると共に、この点Qを光軸AXが
通るように定められている。尚、第1図、第2図ともウ
ェハWの中心点(ウェハセンタWC)を点Qに合わせた
時の状態を示し、ウェハWにはTTVによって【だけの
厚みむらがあるものとする。
さて、第2図に示すようにレベリングステージ3には放
射状に伸びたアーム部21a、21b。
21cが、レベリングステージ3のウェハ載置中心に関
して約120度の角度間隔で一体に設けられている。各
アーム部21 a、 2 l b、 21 cのそれぞ
れの上面にはZ方向には弾性変形できるが、XSY方向
に関しては全く変位しない円板状の同一の板ばね22a
、22b、22cが設けられ、板ばね22a (22b
122cについても同41)は互いに180度離れた2
カ所23a、23bでアーム部21aと固定(ビス止め
)されている。
また、板ばね22aの固定点23a、23bから互いに
約90度離れた2カ所23c、23dは、Zステージ4
と一体の固定部材24に固定(ビス止め)されている、
他の仮ばね22b、22Cについても同様の構成である
。従って、レベリングステージ3は3カ所の板ばね22
a、22b、22cを介してZステージ4上に支承され
ている。
また、第1図中に示したようにアーム部21aの下部に
は、作用点(ピボット)25を介してラジアルベアリン
グ(ローラ)26が回転自在・に軸支されている。ラジ
アルベアリング26はテーパ付のナツト27に当接し、
ナツト27はZステージ4に固定されたモータ29によ
り回転する送りねじ28に螺合している。従って、モー
タ29の回転によりラジアルベアリング26のナフト2
7のテーパ部との当接位置が変化し、ピボット25がZ
方向に移動する。尚、アーム部21aの下部のピボット
25、モータ29等を、以下まとめて駆動装置20aと
呼ぶことにする。さらに、この駆動装置20aはポテン
ショメータ30を有し、ピボット25の変位量はZステ
ージ4に設けられたこのポテンショメータ30により検
出される。同様に、他の2つの板ばね22b、22cの
下部にも、全く同じ構成のポテンショメータを有する駆
動装置20b、20cが組み込まれている。このように
3カ所に設けられた駆動装置20a、20b、20cを
互いに独立に駆動することによって、レベリングステー
ジ3を結像面IMに対して任意方向に傾斜させることが
でき、さらに各ビポソトを同量ずつZ方向に駆動すれば
、結像面IMと平行のままウェハ・ホルダ2上のウェハ
載置面(または、レベリングステージ3上のウェハ・ホ
ルダ保持面)をZ方向に移動することができるように構
成されている。
ここで、ステッパーの初期調整時には第3a図に示すよ
うに上下面間の平行度が極めて良好で、厚み許容公差の
中央値をその厚みとする基準ウェハWa及び基準ウェハ
・ホルダ2aを用い、仮ばね22aの変形基準点OA及
び他の板ばね22b、22Cの変形基準点OB、OCか
ら決定されるレベリング基準作動面3fを、予め結像面
IM及び基準ウェハWaの表面と一致させるように調整
される。第3b図は板ばね22aのA視断面図である。
同図に示すように、板ばね22aには全くテンションが
加わっておらず(板ばね22b、22Cについても同P
1)、その状態でピボット25の変位量を検出するポテ
ンショメータ30の検出値を零にリセット(若しくは、
この検出値を初期値として記憶)シ、同様に他の2つの
ポテンショメータの検出値も零にリセット(若しくは、
初期値を記憶)しておく。
さて、第1図中には投影レンズ1の結像面■Mに向けて
ピンホール或いはスリットの像を形成するための結像光
束を、ビームスプリンター13を介して光軸AXに対し
て斜め方向より供給する照射光学系11aと、その結像
光束のウェハWの表面での反射光束をビームスプリンタ
ー14を介して受光する受光光学系11bから成る斜入
射方式の焦点検出系11が設けられている。この焦点検
出系11の構成等については、例えば本願出願人が先に
出願した特開昭60−168112号公報に開示されて
おり、ウェハ表面の結像面IMに対する上下方向(Z方
向)の位置を検出し、ウェハWと投影レンズ1との合焦
状態を検出するものである。尚、本実施例では第3a図
に示したレベリング基準作動面3f等の位置設定動作と
並行して、結像面IMが零点基準となるように、予め受
光光学系11bの内部に設けられた不図示の平行平板ガ
ラス(プレーンパラレル)の角度が調整され、焦点検出
系11のキャリブレーションが行われるものとする。さ
らに、平行光束をビームスプリンター13を介して光軸
AXに対して斜め方向より供給する照射光学系12aと
、その平行光束のウェハWの表面での反射光束をビーム
スプリッタ−14を介して受光する受光光学系12bか
ら成る水平位置検出系12が設けられている。この水平
位置検出系12の構成等については、例えば本願出願人
が先に出願した特開昭58−113706号公報に開示
されており、ウェハW上の所定領域の結像面IMに対す
る傾きを検出するものである。
尚、本実施例では第3a図に示したように基準ウェハW
aの表面と結像面rMとが一致した時、照射光学系12
aからの光束が受光光学系12bの内部の4分割受光素
子(不図示)の中心位置に集光されるように、水平位置
検出系12のキャリブレーションが行われるものとする
。また、主制御装置15は焦点検出系11、水平位置検
出系12、及びポテンショメータ30を含む3つのポテ
ンショメータの検出信号に基づいて、駆動部5と駆動装
置20a、20b、20cをサーボ(クローズトループ
)制御する他、装置全体の動作を統括制御する。
次に、本実施例のように構成された装置の動作について
説明する。尚、主制御装置15は第3a図に示したよう
にレベリング基準作動面3f、結像面IM及び基準ウェ
ハWaの表面を全て一致させた時のZステージ4の位置
を、予め基準値ZOとして記憶しているものとする。
さて、主制御装置!15はまず露光すべきウェハWをウ
ェハ・ホルダ2に真空吸着するが、ウェハWやウェハ・
ホルダ2の厚さ変動等によって、第1図に示したように
レベリング基準作動面3fとウェハWの表面とにずれが
生じ得る。そこで、主制御装置15は焦点検出系11を
用い、この焦点検出系11の検出値が零となるように駆
動部5を介してZステージ4を駆動し、第4図に示すよ
うにウェハセンタWCの表面を結像面IMと一致させる
。そして、この時のZステージ4の高さ位置Zcを検出
し、この高さ位置Zcと基準値ZOに基づいて、レベリ
ング基準作動面3fとウェハセンタWCの表面とのずれ
量λ (λ−20−Zc)を算出する。尚、Zステージ
4を所定位置く基準値zO)の高さに位置決めした時、
結像面[Mに対するウェハセンタWCの表面のずれを焦
点検出系11を用いて検出し、この検出値と基準(iZ
とに基づいてずれ量λを算出しても良い。
ここで、第4図に示したようにウェハセンタWCは結像
面IMとは一致しているが、レベリング基準作動面3f
とはλだけずれている。そこで、主制御装置15はずれ
量λに基づいてレベリング基準作動面3fとウェハセン
タWCの表面とを一致させるためのピボット25を含む
3つのピボットの駆動量r (λ)を算出する。そして
、3つのピボットが同量f (λ)だけZ方向に移動す
るように、ポテンショメータ30等からのピボットの変
位量の検出信号に基づいて、駆動装置20a、20b、
20cをサーボ制御する。この結果、第5a図に示すよ
うにレベリング基準作動面3rとウェハセンタWCの表
面とが正確に一致する。第5b図に板ばね22aのB視
断面図を示す。同図に示すように、ピボット25の移動
に伴って板ばね22aの変形基準点OAも所定量だけZ
方向に移動することになる。この際、変形基準点OA及
び他の変形基準点OB、、OCと、ウェハセンタWCの
表面とを相対的にZ方向に移動させ、レベリング基準作
動面3rとウェハセンタWCの表面とを−敗させている
。このため、第5a図に示したようにウェハセンタWC
の表面と結像面IMとのずれ、即ち焦点ずれが生じる。
そこで、主側in装置15は結像面IMに対するウェハ
センタWCのずれ量f (λ)に基づいて、Zステージ
4の駆動部5をサーボ制御する。つまり、ウェハセンタ
WCの表面と結像面IMとが一致するように、焦点検出
系llを用いて駆動部5をサーボ制御し、Zステージ4
をf (λ)だけZ方向に移動させる。
これより、レベリング基準作動面3f、結像面IM及び
ウェハセンタWCの表面が全て−敗したことになる。
次に、主制御装置15はX−Yステージ6を駆動じてウ
ェハWを所定の露光開始位置にセットした後、水平位置
検出系12を用いて結像面!Mに対するショッl+fl
域の傾斜角を検出する。そして、ウェハセンタWCの表
面とレベリング基準作動面3fとがずれることなく、シ
ョット領域の傾きが。
零となるように、ウェハセンタWCをレベリングステー
ジ3の見掛は上の回転中心点とする3つのピボットの駆
動量をショソ)2N域の傾斜角から算出する0次に、3
つのポテンショメータと水平位置検出系12とを用い、
上述の3つのピボ・7トの駆動量に基づいて駆動装置2
0a、20b、20Cをサーボ制御nすると共に、焦点
ずれが生じないように焦点検出系11を用いて駆動部5
をサーボ制御する。これより、ショット領域と結像面I
Mとが正確に−敗し、焦点ずれ等が生しることなく露光
が行われる。以下、ウェハW上のショット領域毎に上述
した動作を繰り返し行うことにより、コサイン誤差、サ
イン誤差を合わせた横ずれ量を所定の許容値(レーザ干
渉計の分解能)以下に抑え、スループット等を低下させ
ることなく露光を行うことができる。
尚、本実施例ではウェハセンタWCの表面とレベリング
基準作動面3rとを一致させ、ウェハセンタWCをレベ
リングステージ3の見掛は上の回転中心点としてレベリ
ングを行っているため、レベリングに伴って発生するコ
サイン誤差ΔCeをウェハWの全面で最小にすることが
できる。例えば、第6図に示すようにレベリングステー
ジ3の回転中心点、即ちウェハセンタWCと、ウェハW
の外周付近に位置するショット領域の中心点Pとの距離
δは最大で100mm程度(8インチウェハの場合)で
あるが、コサイン誤差ΔCeを最悪でもΔCe=0.0
04μm程度に抑えることができる。また、サイン誤差
についてはレベリング基準作動面3rとウェハセンタW
Cとの高さのずれ量λは零であるため、ウェハWやウェ
ハ・ホルダ2の厚み変動の要因を取り除くことができる
このため、TTVによる厚さむらtがなければサイン誤
差は零となるが、第6図に示したように厚さむ・らt、
つまりウェハセンタWCとシッソト令頁域の中心点Pと
の高さのずれ量νのみを要因とするサイン誤差ΔSeが
生し得る。しかし、前述した通りTTVはt=20μm
程度であるので、ウェハWの傾斜角θ−1′に対してサ
イン誤差ΔSeを最悪でもΔ36=Q、006μm程度
に抑えることができる。従って、上述した2つの誤差を
加算してもレベリングに伴って発生する横ずれ量は0.
01μm程度であり、十分にウェハステージの位置決め
精度を満足させることができる。
以上のことから、レベリング基準作動面3fとウェハW
の表面との間にずれが生じた場合は、適宜上述と同様の
動作を繰り返し、レベリング基準作動面3fとウェハセ
ンタWCの表面とを一致させた後にレベリングを行うこ
とによって、ウェハステージの位置決め精度、スルーブ
ツト等を低下させることなく露光を行うことが可能とな
る。
以上の通り、本実施例においてはコサイン誤差ΔCeを
0.004μm程度に抑えることができたが、必ずしも
零にすることはできなかった。しかし、上述のようにレ
ベリング基準作動面3fとウェハセンタWCの表面とを
ずらすことな・くレベリングを行っているため、ウェハ
センタWCをレベリングステージ3の回転中心点として
特定できる。そこで、ウェハセンタWCとウェハW上の
任意のショット領域の中心点Pとの距離δからコサイン
誤差ΔCeを算出し、この横ずれ量に応じてレベリング
後にX−Yステージ6を微動させれば、このコサイン誤
差ΔCeを零とすることができる。
また、本実施例ではウェハセンタWCの表面とレベリン
グ基準作動面3fとを常に一致させながらレベリングを
行っていたが、予め焦点検出系11を用いてウェハWの
中心及び周辺の複数の位置での高さ(Z方向の位置)を
検出し、これらの検出値に重みづけをしてウェハWの仮
想的な基準表面を求める。そして、この基準表面とレベ
リング基準作動面3fとを基準表面のセンタにおいて常
に一致させながら、この基準表面のセンタをレベリング
ステージ3の回転中心点とし、上述と同様の動作でレベ
リングを行えば、3つのピボットの駆動量を少なくする
ことができ、レベリングに要する時間を短縮することが
可能となるのは明らがである。
さらに、本実施例では予めレベリング基準作動面3fと
ウェハセンタWCの表面とを一致させ、ショソH1域毎
にレベリングを行っていたが、本発明によるレベリング
の方法は本実施例に限られるものではない。例えば、露
光を行う前に予め水平位置検出系12を用いてウェハW
上の複数の位置におけるショット領域の傾斜角を検出し
ておき、これらの傾斜角からウェハWの全面での平均的
な傾斜角を求める。そして、ウェハセンタWCを回転中
心点とし、この平均的な傾斜角に基づいて露光前に一回
だけレベリングステージ3を傾ける、所謂グローバル・
レベリングでも同様の効果を得ることができる。或いは
、ウェハW上のショット領域をいくつかのブロックに分
け、各ブロック毎に求めた平均的な傾斜角に基づいて、
各ブロックの中心点を回転中心点とし、ブロック毎に一
回ずつレベリングステージ3を傾ける、所謂ブロック・
レベリング等を行う場合でも、上述の実施例と同様の効
果を得ることができる。
また、レベリング基準作動面3fとウェハセンタWCの
表面とを一致させた後、ショット領域毎にレベリングを
行うのではなく、本実施例と同様の動作でショット領域
の中心点Pとレベリング基準作動面3fとをショット領
域毎に一致させ、その後にショット領域の中心点Pとレ
ベリング基準作動面3fとをずらすことなくレベリング
を行えば、TTVによるサイン誤差ΔSeを零にするこ
とができる。この時、ショット領域の中心点Pがレベリ
ングステージ3の回転中心点になるため、コサイン誤差
ΔCeも零となる。従って、より高精度にレチクルの回
路パターンの投影像とウェハW上にすでに形成されてい
る回路パターンとを重ね合わせて露光することが可能と
なる。尚、焦点検出系11と水平位置検出系12を用い
、ショソHJ域毎にレベリング基準作動面3fとショッ
ト領域の中心点Pとを合致させるためのピボットの駆動
量と、シッソHI域の表面と結像面IMとを合致させる
(レベリング)のためのピボットの駆動量とをソフトウ
ェア的に合わせて求める。そして、この駆動量に応じて
3つのピボットを一度だけ駆動制御してレベリングを行
うように構成すれば、スループントを低下させることな
く、より高精度に重ね合わせ露光を行うことができるの
は明らかである。
尚、本実施例においては投影型の露光装置(ステッパー
)について述べたが、プロキシミティ方式の露光装置等
でも同様の効果を得ることができる。また、本実施例で
は3点駆動方式でレベリングを行っていたが、本発明に
よるレベリング方式はこの方式に限られるものではない
。しかし、レベリングや制御時間等から考えると、3点
駆動方式が望ましい。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、ウェハやウェハホルダの
厚さが変動し、レベリング基準作動面とウェハ表面とに
ずれが生じても、このずれを補正した後にレベリングを
行うように構成しているため、コサイン誤差とサイン誤
差を合わせた横ずれ量を実用上無視し得る程度(レーザ
干渉計の分解能以下)に小さく、若しくは零にすること
ができ、例えばオフ・アクシス方式としてレチクルと投
影レンズlとの間から、投影レンズlを介してウェハW
のみを観察するアライメント系(所謂レーザ・ステップ
・アライメント系)等を用い、レベリング後に再びファ
イン・アライメントを行う必要がない、また、3点駆動
方式でレベリングを行っているため、仮ばねの弾性変形
量を小さくすることができ、板ばねの弾性変形の絶対量
から考えてレベリングステージの傾斜制御の上で有利と
なると共に、3つのピボットの上下動の絶対量も小さく
することができ、レベリングの制御時間を短縮すること
が可能となる。この結果、スループントを低下させるこ
となく露光を行うことができる高精度のレベリング機構
を有する露光装置を実現し得る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるレベリング機能を有す
るステッパーの概略的な構成を示す図、第2図はウェハ
ステージの概略的な構成を示す平面図、第3a図はレベ
リング基準作動面とウェハ表面との位置ずれの補正の説
明に供する図、第3b図は板ばねの状態の説明に供する
A挽断面図、第4図、第5a図は本発明の一実施例の動
作の説明に供する図、第5b図は板ばねの状態の説明に
供するB挽断面図、第6図はコサイン誤差、サイン誤差
の説明に供する概略的な平面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 ■・・・投影レンズ、2・・・ウェハ・ホルダ、3・・
・レベリングステージ、3f・・・レベリング基準作動
面、11a、llb・・・焦点検出系、12a、12b
・・・水平位置検出系、15・・・主制御装置、20a
、20b、20c・・・駆動装置、22a、22b、2
2C・・・板ばね、25・・・ピボット、30・・・ポ
テンショメータ、W・・・ウェハ、IM・・・結像面、
OA、OB。 OC・・・変形基準点、WC・・・ウェハセンタ。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)所定の露光基準面に対する感光基板の傾きを検出
    する水平位置検出系を有し、該水平位置検出系の検出信
    号に応じて前記感光基板の表面と前記露光基準面とを一
    致させることによって、マスクに形成されたパターンを
    前記感光基板上に露光する装置において、 前記感光基板を保持して前記露光基準面内で2次元的に
    移動するX−Yステージと;該X−Yステージに設けら
    れ、前記露光基準面と略垂直な方向に移動するZステー
    ジと;該Zステージに設けられ、前記感光基板を前記露
    光基準面に対して任意方向に傾斜可能なレベリングステ
    ージと;該レベリングステージの所定の複数点の各々を
    前記露光基準面と略垂直な方向に駆動し、前記感光基板
    の表面の位置設定を行う手段と;前記レベリングステー
    ジの所定の傾斜基準面と前記感光基板の表面との前記露
    光基準面と略垂直な方向の位置ずれを検出するずれ検出
    手段と;該ずれ検出手段の検出信号に基づいて、前記傾
    斜基準面と前記感光基板の表面とが略一致するように、
    前記位置設定手段を制御する制御手段とを備えたことを
    特徴とする露光装置。
  2. (2)前記レベリングステージの複数点は、前記位置設
    定手段によって前記露光基準面と略垂直な方向に弾性変
    形する複数のばね部材の変形基準点であり、前記傾斜基
    準面は該変形基準点によって定められることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の露光装置。
  3. (3)前記位置設定手段は、3つのばね部材の変形基準
    点の各々を駆動することによって、前記傾斜基準面に対
    する前記感光基板の表面の位置設定を行うことを特徴と
    する特許請求の範囲第2項記載の露光装置。
  4. (4)前記位置設定手段は、前記変形基準点を移動させ
    る所定の駆動点の変位量を検出する変位量検出手段を有
    し、該変位量検出手段の検出信号と前記ずれ検出手段の
    検出信号とに基づいて、該所定の駆動点が閉回路制御さ
    れることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の露光
    装置。
  5. (5)前記ずれ検出手段は、前記露光基準面と前記感光
    基板の表面との間隔を検出して、該間隔が所定の設定値
    である時に前記露光基準面と前記感光基板の表面とが一
    致したと判断し得るような検出信号を出力する焦点検出
    手段であることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至
    第4項記載の露光装置。
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