JPS58113706A - 水平位置検出装置 - Google Patents
水平位置検出装置Info
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- JPS58113706A JPS58113706A JP56211130A JP21113081A JPS58113706A JP S58113706 A JPS58113706 A JP S58113706A JP 56211130 A JP56211130 A JP 56211130A JP 21113081 A JP21113081 A JP 21113081A JP S58113706 A JPS58113706 A JP S58113706A
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- light
- optical system
- irradiation
- wafer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F9/7034—Leveling
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は対物レンズの光軸に対してウェハ爾や被検物体
面を喬直位置に正確に設置するための基準位置検出装置
特に水平位置検出装置に関する。
面を喬直位置に正確に設置するための基準位置検出装置
特に水平位置検出装置に関する。
一般に、集積回路製造用の縮小投影臘露光装置には大き
な開口数(N、A、)を有する投影、対物レンズが用い
られているため、許容焦点@IIが非常に小さい。この
丸め、ウェハの露光領域を投影対物レンズの光軸に対し
て正確な垂直位置に維持しない限り、露光領域金体にわ
たって鮮明なパターンの露光を行なうことができない。
な開口数(N、A、)を有する投影、対物レンズが用い
られているため、許容焦点@IIが非常に小さい。この
丸め、ウェハの露光領域を投影対物レンズの光軸に対し
て正確な垂直位置に維持しない限り、露光領域金体にわ
たって鮮明なパターンの露光を行なうことができない。
ウニ八全体は別途に設けられたオートフォーカス機構に
よりウェハ面上3点の検出によって対物レンズの光軸に
対してほぼ垂直に位置合せされ得るが、ウニノ・の大蓋
化やシリコンに換わるガリウム、ヒ素等の新材料ではウ
ェハ自体の平面性が不安定になるためウェハの部分的な
垂直位置検出が必要になる。そして、各回の露光と化学
処11によりさらにウニノーの変形が増大されるだめ、
露光領域の正確な水平検出が不可欠となってきている。
よりウェハ面上3点の検出によって対物レンズの光軸に
対してほぼ垂直に位置合せされ得るが、ウニノ・の大蓋
化やシリコンに換わるガリウム、ヒ素等の新材料ではウ
ェハ自体の平面性が不安定になるためウェハの部分的な
垂直位置検出が必要になる。そして、各回の露光と化学
処11によりさらにウニノーの変形が増大されるだめ、
露光領域の正確な水平検出が不可欠となってきている。
本発明の目的は対物レンズによる被検領域或は露光領域
が対物レンズの光軸に対して正確な垂直位置にあること
を非接触で検出することのできる検出装置を提供するこ
とにある。
が対物レンズの光軸に対して正確な垂直位置にあること
を非接触で検出することのできる検出装置を提供するこ
とにある。
本発明による水平位置検出装置は主対物レンズに関して
所定の共役関係になる領域へ微小開口から発する平行光
束を該対物レンズの光軸に対して斜め方向より供給する
照射光学系と、該照射光学系から供給され前記共役領域
で反射される光束を受光素子上に集光する集光光学系と
を設け、該両光学系の光軸を前記主対物レンズの光軸に
関して対称に配置したもので、受光素子の出力により主
対物レンズに関する共役領域がこの主対物レンズの光軸
に垂直であるか否かを判別するものである。
所定の共役関係になる領域へ微小開口から発する平行光
束を該対物レンズの光軸に対して斜め方向より供給する
照射光学系と、該照射光学系から供給され前記共役領域
で反射される光束を受光素子上に集光する集光光学系と
を設け、該両光学系の光軸を前記主対物レンズの光軸に
関して対称に配置したもので、受光素子の出力により主
対物レンズに関する共役領域がこの主対物レンズの光軸
に垂直であるか否かを判別するものである。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。第1図は本
発明を縮小投影膳露光装置に適用した第1実施例の概略
光路図である。投影対物レンズ(1)に関してレティク
ル(2)とウェハ(5)とが共役に維持され、図示なき
照明光学系によって照明されたレティクル(2)上のパ
ターンがウェハ(6)上に縮小投影される。このような
ウェハの飾付露光はステップ、アンド、リピートと呼ば
れるようにウェハを所定量だけ移動させて繰り返され、
異なるパターンを有するレティクルに交換するごとく同
様の操作が繰シ返される。照射光学系(10)は光源(
11)、コンデンサーレンズ(12)、微小円形開口を
有する絞り (1!t)、照射対物レンズ(14)から
なり、コンデンサーレンズ(12)は光源(11)の像
な絞り (13)上に形成し、絞り (15)上に焦点
を有する照射対物レンズ(14)Kより平行光束がウェ
ハ(5)上に供給される。照射光学系(1o)から供給
する光はウェハ(′5)上のレジストを感光させないた
めに、露光光と異なる波長の光である。また集光光学系
(20)は受光対物レンズ(21)と4分割受光素子(
22) とからな抄、照射光学系(1o)から供給され
ウェハ(5)で反射された光束は受光対物レンズ(21
)により受光対物レンズ(21)の焦点位置に設けられ
た4分割受光素子(22)上に集光される。ここで、投
影対物レンズ(1)の光軸(1a)に関して、照射光学
系(1o) の光軸(10a)と受光光学系(20)の
光軸(20a)とは対称である。従って、投影対物レン
ズの光軸(1a)K対してウェハ(3)の露光領域が垂
直を保っているならば、照射光学系(10)からの光束
は4分割受光素子(22)の中心位置に集光される。を
九ウェハ(5)の露光領域が垂直から0だけ傾いている
ならば、ウェハ(5)で反射される照射光学系(1o)
からの平行光束は受光光学系の光軸(20a)K対して
2θ傾くため、4分割受光素子(22)上で中心から外
れた位置に集光される。4分割受光素子(22)上での
集光点の位置からウェハ(5)の露光領域の傾き方向が
検出され、制御手段(31)は4分割受光素子上の集光
点の変位方向及び量に対応する制御信号を発生し、駆動
手段(52)により支持装置(55) を移動させて、
ウェハ(5)が載置されたステージ(54)がウェハ(
5)の露光領域表面の傾きを補正するように移動される
0 このような構成によれば、照射光学系(10)Cよって
照射される範囲のウェハ面について部分的な傾き検出が
なされ、ウェハ(5)上への照射領域を投影対物レンズ
(1)による露光領域とほぼ同じ大きさとすることによ
って、露光領域を投影対物レンズ(1)の光軸(1a)
に対して平均的に正確な垂直位置を、自動的に設定す
ることができる。
発明を縮小投影膳露光装置に適用した第1実施例の概略
光路図である。投影対物レンズ(1)に関してレティク
ル(2)とウェハ(5)とが共役に維持され、図示なき
照明光学系によって照明されたレティクル(2)上のパ
ターンがウェハ(6)上に縮小投影される。このような
ウェハの飾付露光はステップ、アンド、リピートと呼ば
れるようにウェハを所定量だけ移動させて繰り返され、
異なるパターンを有するレティクルに交換するごとく同
様の操作が繰シ返される。照射光学系(10)は光源(
11)、コンデンサーレンズ(12)、微小円形開口を
有する絞り (1!t)、照射対物レンズ(14)から
なり、コンデンサーレンズ(12)は光源(11)の像
な絞り (13)上に形成し、絞り (15)上に焦点
を有する照射対物レンズ(14)Kより平行光束がウェ
ハ(5)上に供給される。照射光学系(1o)から供給
する光はウェハ(′5)上のレジストを感光させないた
めに、露光光と異なる波長の光である。また集光光学系
(20)は受光対物レンズ(21)と4分割受光素子(
22) とからな抄、照射光学系(1o)から供給され
ウェハ(5)で反射された光束は受光対物レンズ(21
)により受光対物レンズ(21)の焦点位置に設けられ
た4分割受光素子(22)上に集光される。ここで、投
影対物レンズ(1)の光軸(1a)に関して、照射光学
系(1o) の光軸(10a)と受光光学系(20)の
光軸(20a)とは対称である。従って、投影対物レン
ズの光軸(1a)K対してウェハ(3)の露光領域が垂
直を保っているならば、照射光学系(10)からの光束
は4分割受光素子(22)の中心位置に集光される。を
九ウェハ(5)の露光領域が垂直から0だけ傾いている
ならば、ウェハ(5)で反射される照射光学系(1o)
からの平行光束は受光光学系の光軸(20a)K対して
2θ傾くため、4分割受光素子(22)上で中心から外
れた位置に集光される。4分割受光素子(22)上での
集光点の位置からウェハ(5)の露光領域の傾き方向が
検出され、制御手段(31)は4分割受光素子上の集光
点の変位方向及び量に対応する制御信号を発生し、駆動
手段(52)により支持装置(55) を移動させて、
ウェハ(5)が載置されたステージ(54)がウェハ(
5)の露光領域表面の傾きを補正するように移動される
0 このような構成によれば、照射光学系(10)Cよって
照射される範囲のウェハ面について部分的な傾き検出が
なされ、ウェハ(5)上への照射領域を投影対物レンズ
(1)による露光領域とほぼ同じ大きさとすることによ
って、露光領域を投影対物レンズ(1)の光軸(1a)
に対して平均的に正確な垂直位置を、自動的に設定す
ることができる。
本発明による1/IE2実施例は菖2図に示すごとく、
受光光学系(20) K円形開口を有する絞り(2s)
とコンデンサーレンズ(24)とを追加し丸ものであシ
、他の構成はJ11図に示し九第1夾施例と同様である
。このため、図では制御手段、駆動手段、支持装置等を
省略した。照射光学系(10)から供給されウェハ(′
5)で反射された平行光束は、集光対物レンズ(21)
によ松その焦点位tK配置された絞や(25)上に集
光され、コンデンサーレンズ(24) に関してこの絞
り (23)と共役な位置に配置された4分割受光素子
(22)上でウェハ(3)の照射領域の傾きに対応した
変位位置に集光される。
受光光学系(20) K円形開口を有する絞り(2s)
とコンデンサーレンズ(24)とを追加し丸ものであシ
、他の構成はJ11図に示し九第1夾施例と同様である
。このため、図では制御手段、駆動手段、支持装置等を
省略した。照射光学系(10)から供給されウェハ(′
5)で反射された平行光束は、集光対物レンズ(21)
によ松その焦点位tK配置された絞や(25)上に集
光され、コンデンサーレンズ(24) に関してこの絞
り (23)と共役な位置に配置された4分割受光素子
(22)上でウェハ(3)の照射領域の傾きに対応した
変位位置に集光される。
一般にウェハ(6)上に形成される所定の回踏パターン
には黴細な矩形パターンがあるI!度の規則性を持って
形成されているため照射光束の直接反射光に加えて回折
光が発生するが、本実施例においては、絞り(23)に
より回折光が除去されるため受光素子(22)でのノイ
ズの発生が少なくより正確な検出を行なうことができる
。
には黴細な矩形パターンがあるI!度の規則性を持って
形成されているため照射光束の直接反射光に加えて回折
光が発生するが、本実施例においては、絞り(23)に
より回折光が除去されるため受光素子(22)でのノイ
ズの発生が少なくより正確な検出を行なうことができる
。
本発明による第5夾施例は第5図に示すごとく帥述した
第1実施例の構成に、焦点検出装置を組合せたものであ
る。図中制御手段(51)駆動手段(52) 、ステー
ジ(54)は省略され前記と同様の機能を有する部材に
は同一の番号を符した。照射光学系(10)と受光光学
系(20) とは第1実施例と同一であるが、照射光学
系(10)中の照射対物レンズ(14) と絞#)(1
5)との関[j11ダイクPイックミラー(41)が斜
設され、受光光学系(20)中の受光対物レンズ(21
) と4分割受光素子(22)との関Ka12ダイクロ
イックミラー(41’)が斜設されている。第2の光源
(42)は照射光学系(10)中の光源1月) とけ異
なる光を発生し、この光は投影対物レンズ(1)によっ
てウニノ(3)を焼付露光するための光とも異なる!1
g5の光である。′に2の光源(42)からの光束はコ
ンダンす−レンズ(4’5”)により線状開口を有する
紋り (44)上に集光され、コリメーターレンズ(4
5)により平行光束となって第1グイクロイツクミラー
に達する。第1ダイクロイツクミラー(41)で反射さ
れ九平行光束は、照射対物レンズ(14)によりその焦
点位置に集光されウェハ(3)で反射された後集光対物
レンズ(21)″に入射する。集光対物レンズ(14)
を通抄嬉2ダイクロイツタミラー(42)で反射された
光束はコンデンサーレンズ(46) 、振動1ラー(4
7)を介して線状開口を有する絞り(48)の後方に隣
接する第2の受光素子(49)上に集光される。ここで
、ウェハ(3)が照射対物レンズ(14)及び集光対物
レンズ(21) との両者の焦点位置に合致している場
合には、集光対物レンズ(21) を射出する光束は平
行光束となり線状開口を有する絞り(48)上に絞り(
44)の線状開口像が形成される。振動ミラー (47
) Fi絞り(44)及び(48)の線状開口に直角な
方向で光束を振動させる機能を有する。絞り(44)
の像はコリメーターレンズ(45)及ヒ照射対物レンズ
(14)によりウニ八面上に投影され、またウェハ面は
集光対物レンズ(21)とコンダンす−レンズ(46)
とに関して絞り (48) と共役になるように配置
されるならば、各レンズのパワーは任意であり、コリメ
ーターレンズ(45) トコンデンサーレンズ(46)
を削除することも可能である。これらの焦点検出機構に
ついては411開昭56−42205号公報等に詳述さ
れており、自動合焦もC1rl@である。第3図では、
水平位置検出用光束を実線で、また焦点検出用の光束を
点線で示したO 尚、自動合焦用の光は水平位置検出用の光と異なる光を
用い、4分割受光素子(22) と受光素子(49)と
は異なる感度特性を有することが望ましく、これKより
両者を同時に機能させても互いの信号を独立に扱うこと
ができるが、両者を同時に機能させないならば、同一波
長の光であってもよい。この場合@Lg2のダイクロイ
ックミラー(41) 、(42)はそれぞれ半透過鏡等
のビームスプリッタ−を用いればより0いずれにしろ、
照射対物レンズ(14)と集光対物レンズ(21)とが
それぞれ2つの機能を有しており、ウェハ(3)に関し
て焦点検出の場合には両対物レンズの間の光束が結像系
であるのに対し、水平位置検出の場合には平行系である
ことが特徴である。
第1実施例の構成に、焦点検出装置を組合せたものであ
る。図中制御手段(51)駆動手段(52) 、ステー
ジ(54)は省略され前記と同様の機能を有する部材に
は同一の番号を符した。照射光学系(10)と受光光学
系(20) とは第1実施例と同一であるが、照射光学
系(10)中の照射対物レンズ(14) と絞#)(1
5)との関[j11ダイクPイックミラー(41)が斜
設され、受光光学系(20)中の受光対物レンズ(21
) と4分割受光素子(22)との関Ka12ダイクロ
イックミラー(41’)が斜設されている。第2の光源
(42)は照射光学系(10)中の光源1月) とけ異
なる光を発生し、この光は投影対物レンズ(1)によっ
てウニノ(3)を焼付露光するための光とも異なる!1
g5の光である。′に2の光源(42)からの光束はコ
ンダンす−レンズ(4’5”)により線状開口を有する
紋り (44)上に集光され、コリメーターレンズ(4
5)により平行光束となって第1グイクロイツクミラー
に達する。第1ダイクロイツクミラー(41)で反射さ
れ九平行光束は、照射対物レンズ(14)によりその焦
点位置に集光されウェハ(3)で反射された後集光対物
レンズ(21)″に入射する。集光対物レンズ(14)
を通抄嬉2ダイクロイツタミラー(42)で反射された
光束はコンデンサーレンズ(46) 、振動1ラー(4
7)を介して線状開口を有する絞り(48)の後方に隣
接する第2の受光素子(49)上に集光される。ここで
、ウェハ(3)が照射対物レンズ(14)及び集光対物
レンズ(21) との両者の焦点位置に合致している場
合には、集光対物レンズ(21) を射出する光束は平
行光束となり線状開口を有する絞り(48)上に絞り(
44)の線状開口像が形成される。振動ミラー (47
) Fi絞り(44)及び(48)の線状開口に直角な
方向で光束を振動させる機能を有する。絞り(44)
の像はコリメーターレンズ(45)及ヒ照射対物レンズ
(14)によりウニ八面上に投影され、またウェハ面は
集光対物レンズ(21)とコンダンす−レンズ(46)
とに関して絞り (48) と共役になるように配置
されるならば、各レンズのパワーは任意であり、コリメ
ーターレンズ(45) トコンデンサーレンズ(46)
を削除することも可能である。これらの焦点検出機構に
ついては411開昭56−42205号公報等に詳述さ
れており、自動合焦もC1rl@である。第3図では、
水平位置検出用光束を実線で、また焦点検出用の光束を
点線で示したO 尚、自動合焦用の光は水平位置検出用の光と異なる光を
用い、4分割受光素子(22) と受光素子(49)と
は異なる感度特性を有することが望ましく、これKより
両者を同時に機能させても互いの信号を独立に扱うこと
ができるが、両者を同時に機能させないならば、同一波
長の光であってもよい。この場合@Lg2のダイクロイ
ックミラー(41) 、(42)はそれぞれ半透過鏡等
のビームスプリッタ−を用いればより0いずれにしろ、
照射対物レンズ(14)と集光対物レンズ(21)とが
それぞれ2つの機能を有しており、ウェハ(3)に関し
て焦点検出の場合には両対物レンズの間の光束が結像系
であるのに対し、水平位置検出の場合には平行系である
ことが特徴である。
このような第5実施例の構成によれば、水平位置検出用
の2つの対物レンズ(14)と(21) カ焦点検出用
にも共用されるため、2つの検出光学系を簡単に構成で
き、投影対物レンズ(1)の周囲を複雑化することがな
り。41に、集IIF回路製造用の縮小投影蓋露光装置
では、マスクの全体的位置合せの複数本の願黴鏡やマス
クの自動的移送機構等が投影対物レンズの周囲に設ゆら
れているため、新たな光学系のための光路を設けること
は空間的に大きな制約を受けるが、本実施例の構成は従
来の自動合焦機構の光学系に組み込むことができ、極め
て有用である。
の2つの対物レンズ(14)と(21) カ焦点検出用
にも共用されるため、2つの検出光学系を簡単に構成で
き、投影対物レンズ(1)の周囲を複雑化することがな
り。41に、集IIF回路製造用の縮小投影蓋露光装置
では、マスクの全体的位置合せの複数本の願黴鏡やマス
クの自動的移送機構等が投影対物レンズの周囲に設ゆら
れているため、新たな光学系のための光路を設けること
は空間的に大きな制約を受けるが、本実施例の構成は従
来の自動合焦機構の光学系に組み込むことができ、極め
て有用である。
以上のごとく、本発明によれば、縮小投影対物レンズに
よるウェハの露光領域など、対物レンズと所定の共役関
係を持つ部分領域を対物レンズの光軸に対して正確な垂
直位置に設定されていることを非接触で容易に検出する
ことができる。そして平行光束が照射される部分領域に
微小な凹凸があってもこの部分領域の平均的平面が対物
レンズ光軸に対して−直に配置できるため、対物レンズ
の貯容焦点範囲が非常に挾い場合にもこの部分領域全体
にわたって最嵐の像を得ることができる。
よるウェハの露光領域など、対物レンズと所定の共役関
係を持つ部分領域を対物レンズの光軸に対して正確な垂
直位置に設定されていることを非接触で容易に検出する
ことができる。そして平行光束が照射される部分領域に
微小な凹凸があってもこの部分領域の平均的平面が対物
レンズ光軸に対して−直に配置できるため、対物レンズ
の貯容焦点範囲が非常に挾い場合にもこの部分領域全体
にわたって最嵐の像を得ることができる。
崗、本発明は実施例に示した縮小投影−露光装置に限ら
ず、−黴鐘にも用いることができることはいうまでもな
い。
ず、−黴鐘にも用いることができることはいうまでもな
い。
第1図、第2図、第3図はそれぞれ本発明による第1、
第2、第5実施例の構成を示す概略光路図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1・・・投1対物レンズ、 2・・・レティクル6・
・・ウェハ、 10−・・照射光学系11−・
・光源、 20−・集光光学系22・・・4
分割受光素子 出願人 日本光学工業株式★社 鵠人 渡辺鍮男 −A=1図 第2図
第2、第5実施例の構成を示す概略光路図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1・・・投1対物レンズ、 2・・・レティクル6・
・・ウェハ、 10−・・照射光学系11−・
・光源、 20−・集光光学系22・・・4
分割受光素子 出願人 日本光学工業株式★社 鵠人 渡辺鍮男 −A=1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、主対物レンズに関して所定の共役関係になる領域へ
微小開口から発する平行光束を該対物レンズの光軸に対
して斜め方向より供給する照射光学系と、#照射光学系
から供給され前記共レンズの光軸に関して対称に配置し
たことを特徴とする水平位置検出装置。 Z 主対物レンズに関して所定の共役関係になる領域へ
平行光束を供給するために、光源と照射対物レンズと金
有する照射光学系、及び皺照射光学系から供給され前記
共役領域で反射される光束を第1受光素子へ集光するた
めの集光対物レンズを有する集光光学系を設け、該両光
学系の光軸を曽紀主対物レンズの光−KIIして対称に
配置するとともに、前記照射対物レンズと前記光源との
間に第1のビームスプリッタ−を斜設し、該第1ビーム
スプリッタ−と前記照射対物レンズとを介して前記共役
領域へ線状開口像を投射し、また前記集光対物レンズと
前記第1受光素子との間に第2のビームスジ11ツタ−
を斜設し、該第2ビームスプリッタ−を介して前記共役
領域に投射され反射された線状開口像をJI2の受光素
子上に集光し、該第2受光素子の出力信号により焦点検
出を行ない、前記嬉1受光素子の出力信号により前記共
役領域の水平位置検出を行なうことを特徴とする水平位
置検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211130A JPS58113706A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 水平位置検出装置 |
| US06/419,514 US4558949A (en) | 1981-12-26 | 1982-09-17 | Horizontal position detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211130A JPS58113706A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 水平位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58113706A true JPS58113706A (ja) | 1983-07-06 |
| JPH0442601B2 JPH0442601B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=16600877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56211130A Granted JPS58113706A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 水平位置検出装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4558949A (ja) |
| JP (1) | JPS58113706A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258624A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| JPS63255916A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-24 | Nikon Corp | 投影光学装置 |
| JPH01161832A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
| JPH0210250A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Kanto Auto Works Ltd | 塗装面の欠陥検査装置用姿勢制御方法及び装置 |
| US5488230A (en) * | 1992-07-15 | 1996-01-30 | Nikon Corporation | Double-beam light source apparatus, position detecting apparatus and aligning apparatus |
| US8323536B2 (en) | 2010-11-12 | 2012-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Near-infrared absorbing dye, near-infrared absorptive film-forming composition, and near-infrared absorptive film |
| CN102997869A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-03-27 | 南京东利来光电实业有限责任公司 | 光纤端面垂直度检查仪及检查方法 |
| US8722307B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-05-13 | International Business Machines Corporation | Near-infrared absorptive layer-forming composition and multilayer film comprising near-infrared absorptive layer |
| US9069245B2 (en) | 2010-04-22 | 2015-06-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Near-infrared absorptive layer-forming composition and multilayer film |
| JP2019516136A (ja) * | 2016-05-31 | 2019-06-13 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント(グループ)カンパニー リミティド | フォーカスレベリング測定装置および方法 |
| CN119715387A (zh) * | 2025-01-17 | 2025-03-28 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 一种光学检测系统及检测方法 |
Families Citing this family (99)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4708484A (en) * | 1984-10-24 | 1987-11-24 | Hitachi, Ltd. | Projection alignment method and apparatus |
| US4936676A (en) * | 1984-11-28 | 1990-06-26 | Honeywell Inc. | Surface position sensor |
| US4690563A (en) * | 1985-08-16 | 1987-09-01 | Grumman Aerospace Corporation | Hole centration gage |
| WO1989000675A1 (en) * | 1985-08-16 | 1989-01-26 | Grumman Aerospace Corporation | Hole centration gage |
| JPH0721586B2 (ja) * | 1985-09-30 | 1995-03-08 | 株式会社ニコン | 像形成光学装置 |
| US5162642A (en) * | 1985-11-18 | 1992-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for detecting the position of a surface |
| US4810077A (en) * | 1986-02-13 | 1989-03-07 | Spectra-Tech, Inc. | Grazing angle microscope |
| JPH0658410B2 (ja) * | 1986-05-23 | 1994-08-03 | 株式会社ニコン | ステ−ジ装置 |
| US4796997A (en) * | 1986-05-27 | 1989-01-10 | Synthetic Vision Systems, Inc. | Method and system for high-speed, 3-D imaging of an object at a vision station |
| US4814829A (en) * | 1986-06-12 | 1989-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
| JPH07107481B2 (ja) * | 1987-05-21 | 1995-11-15 | アンリツ株式会社 | 変位測定装置 |
| US4902900A (en) * | 1987-12-21 | 1990-02-20 | Nikon Corporation | Device for detecting the levelling of the surface of an object |
| US4886958A (en) * | 1988-03-25 | 1989-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Autofocus system for scanning laser inspector or writer |
| US4952815A (en) * | 1988-04-14 | 1990-08-28 | Nikon Corporation | Focusing device for projection exposure apparatus |
| US5218415A (en) * | 1988-05-31 | 1993-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for optically detecting inclination of a surface |
| JPH0228312A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2679186B2 (ja) * | 1988-12-05 | 1997-11-19 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
| US5124562A (en) * | 1989-01-27 | 1992-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface position detecting method at a predetermined and plurality of adjacent points |
| US6094268A (en) * | 1989-04-21 | 2000-07-25 | Hitachi, Ltd. | Projection exposure apparatus and projection exposure method |
| US5101226A (en) * | 1990-10-22 | 1992-03-31 | General Signal Corporation | Distance and tilt sensing apparatus |
| JP3158446B2 (ja) * | 1990-12-13 | 2001-04-23 | 株式会社ニコン | 表面位置検出装置及び表面位置検出方法、並びに露光装置、露光方法及び半導体製造方法 |
| JP2830492B2 (ja) | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| US5424552A (en) * | 1991-07-09 | 1995-06-13 | Nikon Corporation | Projection exposing apparatus |
| US6078380A (en) * | 1991-10-08 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure |
| US5216235A (en) * | 1992-04-24 | 1993-06-01 | Amray, Inc. | Opto-mechanical automatic focusing system and method |
| JP3384038B2 (ja) * | 1992-06-15 | 2003-03-10 | 株式会社ニコン | 面位置検出光学装置 |
| JP3275368B2 (ja) * | 1992-07-09 | 2002-04-15 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
| US5521036A (en) * | 1992-07-27 | 1996-05-28 | Nikon Corporation | Positioning method and apparatus |
| EP0585041B1 (en) * | 1992-08-19 | 2000-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Registration method usable with a projection optical system, exposure apparatus therefor and method of manufacturing a semiconductor device by using such exposure apparatus |
| US5559582A (en) * | 1992-08-28 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US6404482B1 (en) | 1992-10-01 | 2002-06-11 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
| US5510892A (en) * | 1992-11-25 | 1996-04-23 | Nikon Corporation | Inclination detecting apparatus and method |
| KR100300618B1 (ko) * | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
| JP3265668B2 (ja) * | 1993-01-13 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | ベストフォーカス位置の算出方法 |
| JP3271348B2 (ja) * | 1993-01-14 | 2002-04-02 | 株式会社ニコン | レベリング合わせ面計測方法及び露光装置 |
| JP3291818B2 (ja) * | 1993-03-16 | 2002-06-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法 |
| US5461237A (en) * | 1993-03-26 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Surface-position setting apparatus |
| JP3301153B2 (ja) * | 1993-04-06 | 2002-07-15 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、露光方法、及び素子製造方法 |
| US6753948B2 (en) | 1993-04-27 | 2004-06-22 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
| US5654553A (en) * | 1993-06-10 | 1997-08-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an alignment sensor for aligning a mask image with a substrate |
| US5581324A (en) * | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
| US5602399A (en) * | 1993-06-23 | 1997-02-11 | Nikon Corporation | Surface position detecting apparatus and method |
| USRE37359E1 (en) * | 1993-07-01 | 2001-09-11 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus capable of performing focus detection with high accuracy |
| US5635722A (en) * | 1993-07-01 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus capable of performing focus detection with high accuracy |
| JPH0784357A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光マスクおよび投影露光方法 |
| JP3395280B2 (ja) * | 1993-09-21 | 2003-04-07 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
| US6122036A (en) * | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| JPH07128035A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Nikon Corp | 水平位置検出装置 |
| JP3453818B2 (ja) * | 1993-11-08 | 2003-10-06 | 株式会社ニコン | 基板の高さ位置検出装置及び方法 |
| US5640227A (en) * | 1993-12-06 | 1997-06-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method for minimizing defocusing of the transferred pattern |
| JP3401769B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2003-04-28 | 株式会社ニコン | 露光方法、ステージ装置、及び露光装置 |
| US6271916B1 (en) * | 1994-03-24 | 2001-08-07 | Kla-Tencor Corporation | Process and assembly for non-destructive surface inspections |
| JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JPH08145645A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-07 | Nikon Corp | 傾き検出装置 |
| JP3572430B2 (ja) * | 1994-11-29 | 2004-10-06 | 株式会社ニコン | 露光方法及びその装置 |
| JP3634068B2 (ja) | 1995-07-13 | 2005-03-30 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
| JP3376179B2 (ja) * | 1995-08-03 | 2003-02-10 | キヤノン株式会社 | 面位置検出方法 |
| JPH09138117A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 光学測定装置 |
| JP3689949B2 (ja) * | 1995-12-19 | 2005-08-31 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び該投影露光装置を用いたパターン形成方法 |
| US5770337A (en) * | 1996-03-22 | 1998-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of inspection to determine reticle pitch |
| JPH1038513A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Nikon Corp | 表面高さ計測装置及び、これを用いた露光装置 |
| KR19980019031A (ko) | 1996-08-27 | 1998-06-05 | 고노 시게오 | 스테이지 장치(a stage apparatus) |
| US5917580A (en) * | 1996-08-29 | 1999-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan exposure method and apparatus |
| JPH10112433A (ja) * | 1996-10-04 | 1998-04-28 | Nikon Corp | 除振装置及び露光装置 |
| US6166808A (en) * | 1996-12-24 | 2000-12-26 | U.S. Philips Corporation | Optical height meter, surface-inspection device provided with such a height meter, and lithographic apparatus provided with the inspection device |
| US20040057045A1 (en) * | 2000-12-21 | 2004-03-25 | Mehdi Vaez-Iravani | Sample inspection system |
| US6956644B2 (en) * | 1997-09-19 | 2005-10-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Systems and methods for a wafer inspection system using multiple angles and multiple wavelength illumination |
| US6201601B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Sample inspection system |
| EP0950881A3 (de) * | 1998-04-17 | 2000-08-16 | NanoPhotonics AG | Verfahren und Vorrichtung zur automatischen relativen Justierung von Proben bezüglich eines Ellipsometers |
| US20050134841A1 (en) * | 1998-09-18 | 2005-06-23 | Mehdi Vacz-Iravani | Sample inspection system |
| JP4434372B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2010-03-17 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
| US6621089B1 (en) * | 1999-10-19 | 2003-09-16 | Nikon Corporation | Reticle-focus detector, and charged-particle-beam microlithography apparatus and methods comprising same |
| US6768124B2 (en) * | 1999-10-19 | 2004-07-27 | Nikon Corporation | Reticle-focus detector, and charged-particle-beam microlithography apparatus and methods comprising same |
| JP2001144168A (ja) | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Nikon Corp | 静電チャック、それを有する荷電粒子線露光装置、ウエハ保持方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| US7505134B1 (en) * | 2001-01-16 | 2009-03-17 | J.A. Woollam Co., Inc | Automated ellipsometer and the like systems |
| JPWO2002075246A1 (ja) * | 2001-03-16 | 2004-07-08 | 株式会社日立製作所 | パターン寸法測定方法 |
| US7136172B1 (en) * | 2002-01-15 | 2006-11-14 | J.A. Woollam Co., Inc. | System and method for setting and compensating errors in AOI and POI of a beam of EM radiation |
| DE10239858B4 (de) * | 2002-08-29 | 2005-08-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Anordnung zur Kompensation von Unebenheiten in der Oberfläche eines Substrates |
| SG125101A1 (en) * | 2003-01-14 | 2006-09-29 | Asml Netherlands Bv | Level sensor for lithographic apparatus |
| EP1439428A3 (en) * | 2003-01-14 | 2009-05-13 | ASML Netherlands B.V. | Level sensor for lithographic apparatus |
| US6781103B1 (en) * | 2003-04-02 | 2004-08-24 | Candela Instruments | Method of automatically focusing an optical beam on transparent or reflective thin film wafers or disks |
| WO2008051211A1 (en) * | 2006-10-23 | 2008-05-02 | J.A. Woollam Co., Inc. | System and method for setting and compensating errors in aoi and poi of a beam of em radiation |
| US8638437B2 (en) | 2008-02-14 | 2014-01-28 | J.A. Woollam Co., Inc. | System and method of aligning a sample |
| US8064055B2 (en) * | 2008-02-14 | 2011-11-22 | J.A. Woollam Co., Inc. | System and method of aligning a sample |
| US8983787B1 (en) | 2008-12-12 | 2015-03-17 | Martin M. Liphardt | Method of evaluating data quality |
| US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
| CN103365099B (zh) * | 2012-03-31 | 2015-02-11 | 上海微电子装备有限公司 | 一种调焦调平信号处理方法 |
| CN103389623B (zh) * | 2012-05-11 | 2015-03-25 | 上海微电子装备有限公司 | 一种调焦调平装置 |
| US9772564B2 (en) | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| CN104133345B (zh) * | 2013-05-03 | 2016-12-07 | 上海微电子装备有限公司 | 一种调焦调平装置及方法 |
| CN105700297B (zh) | 2014-11-27 | 2018-01-26 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 振幅监测系统、调焦调平装置及离焦量探测方法 |
| CN105807570B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-03-02 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 自适应沟槽的调焦调平装置及其方法 |
| EP3394563A1 (en) * | 2015-12-22 | 2018-10-31 | ASML Netherlands B.V. | Topography measurement system |
| CN106933044B (zh) * | 2015-12-30 | 2019-03-12 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 调焦调平的离焦倾斜补偿装置与方法 |
| CN106997152B (zh) * | 2016-01-26 | 2019-11-26 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 扫描反射镜监测系统及方法、调焦调平系统 |
| CN107664922B (zh) * | 2016-07-29 | 2019-09-17 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 扫描反射镜振幅测量装置及测量方法 |
| CN108121179A (zh) | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种调焦调平装置 |
| CN109426093B (zh) * | 2017-08-31 | 2020-12-11 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种调焦调平检测装置 |
| CN111272153A (zh) * | 2020-03-03 | 2020-06-12 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种被动调平结构的检平装置与方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49120787A (ja) * | 1973-03-24 | 1974-11-19 | ||
| JPS55124002A (en) * | 1979-03-17 | 1980-09-24 | Tokyo Optical Co Ltd | Optical position detector |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3541338A (en) * | 1967-01-12 | 1970-11-17 | Ibm | Positioning system |
| US3645623A (en) * | 1970-09-25 | 1972-02-29 | Raymond A Patten | Apparatus for monitoring film thickness by reflecting a light beam from the film surface |
| US3880524A (en) * | 1973-06-25 | 1975-04-29 | Ibm | Automatic ellipsometer |
| NL186353C (nl) * | 1979-06-12 | 1990-11-01 | Philips Nv | Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat voorzien van een opto-elektronisch detektiestelsel voor het bepalen van een afwijking tussen het beeldvlak van een projektielenzenstelsel en het substraatvlak. |
| FR2504281A1 (fr) * | 1981-04-16 | 1982-10-22 | Euromask | Appareil de projection a dispositif de mise au point |
| JPS57197402A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 | Nec Home Electronics Ltd | Position detector |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP56211130A patent/JPS58113706A/ja active Granted
-
1982
- 1982-09-17 US US06/419,514 patent/US4558949A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49120787A (ja) * | 1973-03-24 | 1974-11-19 | ||
| JPS55124002A (en) * | 1979-03-17 | 1980-09-24 | Tokyo Optical Co Ltd | Optical position detector |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258624A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| JPS63255916A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-24 | Nikon Corp | 投影光学装置 |
| JPH01161832A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
| JPH0210250A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Kanto Auto Works Ltd | 塗装面の欠陥検査装置用姿勢制御方法及び装置 |
| US5488230A (en) * | 1992-07-15 | 1996-01-30 | Nikon Corporation | Double-beam light source apparatus, position detecting apparatus and aligning apparatus |
| US9069245B2 (en) | 2010-04-22 | 2015-06-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Near-infrared absorptive layer-forming composition and multilayer film |
| US8323536B2 (en) | 2010-11-12 | 2012-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Near-infrared absorbing dye, near-infrared absorptive film-forming composition, and near-infrared absorptive film |
| US8722307B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-05-13 | International Business Machines Corporation | Near-infrared absorptive layer-forming composition and multilayer film comprising near-infrared absorptive layer |
| CN102997869A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-03-27 | 南京东利来光电实业有限责任公司 | 光纤端面垂直度检查仪及检查方法 |
| JP2019516136A (ja) * | 2016-05-31 | 2019-06-13 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント(グループ)カンパニー リミティド | フォーカスレベリング測定装置および方法 |
| CN119715387A (zh) * | 2025-01-17 | 2025-03-28 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 一种光学检测系统及检测方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442601B2 (ja) | 1992-07-14 |
| US4558949A (en) | 1985-12-17 |
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