JPH02283610A - 六弗化二ケイ素の製造方法 - Google Patents
六弗化二ケイ素の製造方法Info
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- JPH02283610A JPH02283610A JP10455689A JP10455689A JPH02283610A JP H02283610 A JPH02283610 A JP H02283610A JP 10455689 A JP10455689 A JP 10455689A JP 10455689 A JP10455689 A JP 10455689A JP H02283610 A JPH02283610 A JP H02283610A
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- reaction
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、六弗化二ケイ素(SiJ&)の製造方法に関
する。更に詳しくは、溶媒を用いたハロゲン交換法によ
る5ilF4の製造方法に関する。
する。更に詳しくは、溶媒を用いたハロゲン交換法によ
る5ilF4の製造方法に関する。
St!F、は弗素化アモルファスシリコン薄11りを形
成させる材料ガスとして近年注目されている。
成させる材料ガスとして近年注目されている。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕5i
xFiの製造方法としては、六塩化二ケイ素(SiIC
I&)を弗素化剤で弗素化する、いわゆるハロゲン交換
法が知られている。その際使用される弗素化剤は、三弗
化アンチモン(sbps>、三弗化砒素(Δ5pff)
、四弗化チタン(T i F 、 )、四弗化錫(Sn
F4)、弗化鋼(CuFg)、弗化亜鉛(ZnFz)な
どが知られているが、1佼り扱い易さの点からZnF
1を使用するのが一般的である。
xFiの製造方法としては、六塩化二ケイ素(SiIC
I&)を弗素化剤で弗素化する、いわゆるハロゲン交換
法が知られている。その際使用される弗素化剤は、三弗
化アンチモン(sbps>、三弗化砒素(Δ5pff)
、四弗化チタン(T i F 、 )、四弗化錫(Sn
F4)、弗化鋼(CuFg)、弗化亜鉛(ZnFz)な
どが知られているが、1佼り扱い易さの点からZnF
1を使用するのが一般的である。
これら固体状の弗素化剤と5izC1,を反応させる方
法としては、上記、弗素化剤に接触させる方法が一般的
であるがSi zF*の反応収率が低いという問題点が
ある。
法としては、上記、弗素化剤に接触させる方法が一般的
であるがSi zF*の反応収率が低いという問題点が
ある。
本発明者らは、上記問題点に迄み、特定の溶媒に弗素化
剤を懸濁させた後、5izCIiと反応させる方法を見
出し、本発明によって反応収率が大きく向上した。
剤を懸濁させた後、5izCIiと反応させる方法を見
出し、本発明によって反応収率が大きく向上した。
これらに使用される溶媒は比較的高価であるためばかり
でなく、場合によっては環境問題にも悪影響を及ぼすの
で、反応後回収して再使用する必要がある0回収する方
法としては、反応後の溶媒スラリーを濾過し、固形物を
除去して、該溶媒を再び、弗素化剤と懸濁させSiミオ
C1iの反応を行なう方法がある。
でなく、場合によっては環境問題にも悪影響を及ぼすの
で、反応後回収して再使用する必要がある0回収する方
法としては、反応後の溶媒スラリーを濾過し、固形物を
除去して、該溶媒を再び、弗素化剤と懸濁させSiミオ
C1iの反応を行なう方法がある。
しかしながら、上記で回収した溶媒を使用して、Si富
CIiとの反応を行なったところ、未使用の溶媒を使用
したものに比べ反応収率が大きく低下するという問題を
生じた。
CIiとの反応を行なったところ、未使用の溶媒を使用
したものに比べ反応収率が大きく低下するという問題を
生じた。
また、濾過による回収操作では、ケーキとなる未反応の
弗素化剤または反応によって生成する塩化物の固体層に
大量の溶媒が付着しており、該溶媒の回収率も十分とは
いえない、したがって、該溶媒の回収方法の改善が望ま
れていた。
弗素化剤または反応によって生成する塩化物の固体層に
大量の溶媒が付着しており、該溶媒の回収率も十分とは
いえない、したがって、該溶媒の回収方法の改善が望ま
れていた。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明者らは
、上記問題点に鑑み、再使用溶媒に於けるSigmaの
反応収率が低下することなく、また、溶媒の回収率を向
上させる回収方法について鋭意検討を重ねた結果、この
溶媒スラリーに水及び、アルカリ水溶液を加えて十分攪
拌した後、溶媒を回収し、更に、水分を実質的に完全に
除去すれば、上記目的が達成することを見出し本発明を
完成するに到ったのである。
、上記問題点に鑑み、再使用溶媒に於けるSigmaの
反応収率が低下することなく、また、溶媒の回収率を向
上させる回収方法について鋭意検討を重ねた結果、この
溶媒スラリーに水及び、アルカリ水溶液を加えて十分攪
拌した後、溶媒を回収し、更に、水分を実質的に完全に
除去すれば、上記目的が達成することを見出し本発明を
完成するに到ったのである。
即ち、5ilC1&と溶媒に懸濁させた弗素化剤(金属
弗化物)との反応で、Sighsを製造する方法におい
て、反応後の溶媒スラリーに水を加え攪拌した後、溶媒
を分離し、該溶媒を攪拌しながら、円1が7を越えない
ように、アルカリ水溶液を加え、溶媒を分離し、蒸留も
しくは吸着剤で溶媒中の水分を0.1%以下に除去して
、再使用することを特徴とするSighsの製造方法で
あって、溶媒が一般式C−11g−+CI(ただし1.
3〜8の整数)で表される塩化アルキル、およびエーテ
ル、ペンクン、アニソール、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼン、クロロベンゼンの一種以上を用
いる方法である。
弗化物)との反応で、Sighsを製造する方法におい
て、反応後の溶媒スラリーに水を加え攪拌した後、溶媒
を分離し、該溶媒を攪拌しながら、円1が7を越えない
ように、アルカリ水溶液を加え、溶媒を分離し、蒸留も
しくは吸着剤で溶媒中の水分を0.1%以下に除去して
、再使用することを特徴とするSighsの製造方法で
あって、溶媒が一般式C−11g−+CI(ただし1.
3〜8の整数)で表される塩化アルキル、およびエーテ
ル、ペンクン、アニソール、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼン、クロロベンゼンの一種以上を用
いる方法である。
本発明を更に詳細に説明する。
本発明で使用する弗素化剤としては、三弗化アンチモン
(SbFs)、三弗化砒素(八sF、)、四弗化チタン
(TiFa)、四弗化錫(SIIF4)、弗化$14(
CuFt)、弗化亜鉛(ZnFt)などの金属弗化物で
ある従来公知の弗素化剤が使用出来るが、価格面及び取
り扱い易さの点からZnFgを用いるのが好ましい。
(SbFs)、三弗化砒素(八sF、)、四弗化チタン
(TiFa)、四弗化錫(SIIF4)、弗化$14(
CuFt)、弗化亜鉛(ZnFt)などの金属弗化物で
ある従来公知の弗素化剤が使用出来るが、価格面及び取
り扱い易さの点からZnFgを用いるのが好ましい。
51gC1h及び5itF&は、何れも水が存在すると
容易に加水分解する性質をもっているので、反応に使用
する溶媒、金属弗化物はもちろん反応装置も水分を十分
除去しておく必要がある0例えば、金属弗化物は使用前
に200℃、4時間程度加熱処理するなどによって完全
に脱水しておくのが、高収率に製品を得る上で好ましい
。
容易に加水分解する性質をもっているので、反応に使用
する溶媒、金属弗化物はもちろん反応装置も水分を十分
除去しておく必要がある0例えば、金属弗化物は使用前
に200℃、4時間程度加熱処理するなどによって完全
に脱水しておくのが、高収率に製品を得る上で好ましい
。
本発明において使用する溶媒としては、金属弗化物及び
Sigmaに対する溶解度が低く、かつ、5ttc1h
並びに反応によって生成する金属塩化物に対する溶解度
が高い性質を示す溶媒を用いる必要がある。
Sigmaに対する溶解度が低く、かつ、5ttc1h
並びに反応によって生成する金属塩化物に対する溶解度
が高い性質を示す溶媒を用いる必要がある。
このような具体的な溶媒としては、一般式C−11*−
−+CI(ただし、、3〜8の整数)で表される塩化ア
ルキル、または/およびエーテル、ペンタン、アニソー
ル、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、
クロロベンゼンなどが挙げられる。塩化アルキルの具体
的な例としては、塩化n−プロピル、塩化イソプロピル
、塩化s−フチル、塩化ドブチル、塩化n−ペンチル、
塩化ローヘキシルなどを挙げることが出来る。キシレン
はオルソ、メタ、バラの3種の異性体があるが、その何
れでも良くまた混合物でも差し支えない。
−+CI(ただし、、3〜8の整数)で表される塩化ア
ルキル、または/およびエーテル、ペンタン、アニソー
ル、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、
クロロベンゼンなどが挙げられる。塩化アルキルの具体
的な例としては、塩化n−プロピル、塩化イソプロピル
、塩化s−フチル、塩化ドブチル、塩化n−ペンチル、
塩化ローヘキシルなどを挙げることが出来る。キシレン
はオルソ、メタ、バラの3種の異性体があるが、その何
れでも良くまた混合物でも差し支えない。
反応温度は本発明では重要であり、ハロゲン交換の反応
性あるいは生成する5ilF6も熱安定性を考慮して決
められるが、通常0〜50°Cで実施される0反応温度
が高すぎると副反応生成物を生じ易くなり、従って製品
の純度が低下する。逆に、反応温度が低すぎるとハロゲ
ン交換の反応の反応率が低下する。
性あるいは生成する5ilF6も熱安定性を考慮して決
められるが、通常0〜50°Cで実施される0反応温度
が高すぎると副反応生成物を生じ易くなり、従って製品
の純度が低下する。逆に、反応温度が低すぎるとハロゲ
ン交換の反応の反応率が低下する。
本発明による反応を行う場合の、溶媒中に懸濁させる金
属弗化物のスラリー濃度は、通常20〜50重泣%(以
下単に%と示ず)であり、5LlC1,を添加して反応
を終了した後の溶媒スラリーは粘性があり、使用する溶
媒、金属弗化物及び濃度によって異なるが、100〜8
00 cp/25°C程度の粘度がある。
属弗化物のスラリー濃度は、通常20〜50重泣%(以
下単に%と示ず)であり、5LlC1,を添加して反応
を終了した後の溶媒スラリーは粘性があり、使用する溶
媒、金属弗化物及び濃度によって異なるが、100〜8
00 cp/25°C程度の粘度がある。
したがって、まず反応終了後の溶媒スラリーに、反応に
使用した溶媒と同程度の水を加えて、よく撹拌し静止さ
せる。静止させることにより、上層に溶媒、中層に酸性
水溶液、及び下層に固形物と3層に分離する。
使用した溶媒と同程度の水を加えて、よく撹拌し静止さ
せる。静止させることにより、上層に溶媒、中層に酸性
水溶液、及び下層に固形物と3層に分離する。
反応終了後の溶媒スラリーに加える水量が少■では、上
記のように溶媒、酸性水溶液、及び固形物の31!に分
離しないので、十分に水を加えることが望ましい、また
、攪拌する場合も溶媒スラリーと水を十分に接触させる
ように、強力に撹1↑することが望ましく、固形物に付
着する溶媒を完全に分に1させ、回収率を向上させるこ
とができる。
記のように溶媒、酸性水溶液、及び固形物の31!に分
離しないので、十分に水を加えることが望ましい、また
、攪拌する場合も溶媒スラリーと水を十分に接触させる
ように、強力に撹1↑することが望ましく、固形物に付
着する溶媒を完全に分に1させ、回収率を向上させるこ
とができる。
上記の曝作後、上層の溶媒は半透明であるので、該溶媒
を回収して攪拌しながらアルカリ水溶液を加え溶媒の円
1が7以下、好ましくは4〜6の範囲に調整する。
を回収して攪拌しながらアルカリ水溶液を加え溶媒の円
1が7以下、好ましくは4〜6の範囲に調整する。
このようにして溶媒のI’11を’ANした後静止する
と、」−層に溶媒、下層にアルカリ水溶液が分離する。
と、」−層に溶媒、下層にアルカリ水溶液が分離する。
本発明で使用するアルカリ水溶液は、特に限定するもの
ではないが、通常の場合、安価なNa0ll、Koll
の水溶液が使用される。またアルカリ水溶液の濃度も特
に限定されるものではないが、0.5〜5%程度がI’
11の調整および取り扱い易さの点から好ましい。
ではないが、通常の場合、安価なNa0ll、Koll
の水溶液が使用される。またアルカリ水溶液の濃度も特
に限定されるものではないが、0.5〜5%程度がI’
11の調整および取り扱い易さの点から好ましい。
これら、アルカリを示す薬剤は、市販される工業用で十
分であり、溶解する水も市水で十分である。
分であり、溶解する水も市水で十分である。
I’ll調整を行なった溶媒の上層は白濁しており、濾
紙等で濾過して透明な溶媒にして回収する。
紙等で濾過して透明な溶媒にして回収する。
なお、反応終了後の溶媒スラリーに直)妾アルカリ水溶
液を加えて攪拌し、溶媒スラリー0円1を7以下にする
ことも可能であるが、アルカリ水溶液を多量に必要とす
るので、コメ1−アップとなり好ましくない。
液を加えて攪拌し、溶媒スラリー0円1を7以下にする
ことも可能であるが、アルカリ水溶液を多量に必要とす
るので、コメ1−アップとなり好ましくない。
更に、81□C1,及び5izesは何れも水が存在す
ると容易に加水分解する性質をもっていることはすでに
述べた。従って反応に使用する溶媒も水は十分に除去し
ておく必要がある。
ると容易に加水分解する性質をもっていることはすでに
述べた。従って反応に使用する溶媒も水は十分に除去し
ておく必要がある。
上記操作で回収した溶媒は使用する溶媒により異なるが
、微量の水分を含んでいるので、011%以下まで除去
しなければならない。
、微量の水分を含んでいるので、011%以下まで除去
しなければならない。
溶媒中の水分を除去する方法は、−船釣な蒸留方法や吸
着剤を用いる方法が前便で最も効率よく、除去できるの
で好ましく、上記の水分濃度まで除去することができる
。
着剤を用いる方法が前便で最も効率よく、除去できるの
で好ましく、上記の水分濃度まで除去することができる
。
吸着剤は市販される、モレキュラシーフ、シリカゲル及
び活性炭等が使用できる。
び活性炭等が使用できる。
以下、実施例及び比較例によって本発明を具体的に説明
する。
する。
実施例1
200℃で4時間脱水処理したZr+Ft 2 kgを
、還流コンデンサーを取りつけた1ONの)Q 74!
a付き反応容器(材質ステンレス製)に入れ、未使用
の工業用アニソール37!に懸濁させた0反応容器を完
全にシーールしたのら、反応温度を20゛Cに維持する
とともに、還流コンデンサーに冷媒を流して溶媒である
アニソールの蒸発を防止した。
、還流コンデンサーを取りつけた1ONの)Q 74!
a付き反応容器(材質ステンレス製)に入れ、未使用
の工業用アニソール37!に懸濁させた0反応容器を完
全にシーールしたのら、反応温度を20゛Cに維持する
とともに、還流コンデンサーに冷媒を流して溶媒である
アニソールの蒸発を防止した。
次に系内を窒素ガスで十分に置換させたのち、攪拌しな
がら5ilC1,を15I!/ll1inの速度で合8
11.4層反応容器内にフィードし、フィード完了後更
に3時間反応させた。尚、反応中はキャリアーガスとし
て窒素ガスを500m1/+winの流星で反応容器中
にフィードした。
がら5ilC1,を15I!/ll1inの速度で合8
11.4層反応容器内にフィードし、フィード完了後更
に3時間反応させた。尚、反応中はキャリアーガスとし
て窒素ガスを500m1/+winの流星で反応容器中
にフィードした。
反応容器から発生した反応生成ガスとキャリアーガスは
、−15°Cの冷媒トラップで不純物を除去した後、ド
ライアイス−アセトントラップ中に回収した。更に、ド
ライアイス−アセトントラップ内を真空ポンプで真空排
気し、キャリアーガスとして使用した窒素ガスを除去し
た。
、−15°Cの冷媒トラップで不純物を除去した後、ド
ライアイス−アセトントラップ中に回収した。更に、ド
ライアイス−アセトントラップ内を真空ポンプで真空排
気し、キャリアーガスとして使用した窒素ガスを除去し
た。
回収批は0.53kg (回収率60%)で、このもの
はIR吸収チャートからSi2F6と同定された。
はIR吸収チャートからSi2F6と同定された。
反応後の溶媒スラリーを、別の15/、の反応容器に移
した後、水31.を加え約30分間攪拌を行なった。撹
拌後約1時間静止した。静止後の)宕媒スラリーは、上
層にアニソール、中層に酸性水溶液、下層には固形物が
それぞれ分離しているので、上層のアニソールを別の容
器に回収し、1%に011水溶液を約100m1加えP
l+を5.57メーターに調整した後、再度30分間攪
拌し、更に、30分間静止した。
した後、水31.を加え約30分間攪拌を行なった。撹
拌後約1時間静止した。静止後の)宕媒スラリーは、上
層にアニソール、中層に酸性水溶液、下層には固形物が
それぞれ分離しているので、上層のアニソールを別の容
器に回収し、1%に011水溶液を約100m1加えP
l+を5.57メーターに調整した後、再度30分間攪
拌し、更に、30分間静止した。
次に上層のアニソールをNo、(i濾紙を使用して濾過
し、透明なアニソールを得た。仝蛋をlOl、の大型ロ
ータリーエバポレーターにより、温度80℃、圧力20
torrで減圧蒸留を約4時間行ない脱水した。
し、透明なアニソールを得た。仝蛋をlOl、の大型ロ
ータリーエバポレーターにより、温度80℃、圧力20
torrで減圧蒸留を約4時間行ない脱水した。
上記方法により回収したアニソールは収率97%、含水
率0.03%であった。
率0.03%であった。
以上の方法で回収したアニソールを、上記と同じ方法で
5ixFiの製造を行なった結果、5ixFiの収率は
60%であり、未使用の工業用アニソールと同等の結果
を得た。
5ixFiの製造を行なった結果、5ixFiの収率は
60%であり、未使用の工業用アニソールと同等の結果
を得た。
実施例2
200°Cで4時間脱水処理したCuFz 3 kgを
、還流コンデンサーを取りつけたlOlの攪拌機付き反
応容器に入れ、未使用の工業用塩化n−ブチル3j!に
懸濁させた0反応容器を完全にシールしたのち、反応温
度を30°Cに維持するとともに、還流コンデンサーに
冷媒を流して溶媒である塩化n−ブチルの蒸発を防止し
た。
、還流コンデンサーを取りつけたlOlの攪拌機付き反
応容器に入れ、未使用の工業用塩化n−ブチル3j!に
懸濁させた0反応容器を完全にシールしたのち、反応温
度を30°Cに維持するとともに、還流コンデンサーに
冷媒を流して溶媒である塩化n−ブチルの蒸発を防止し
た。
次に系内を窒素ガスで十分にrIL換させたのち、攪拌
しなから5i1CI4を20g/minの速度で合計2
.0に、反応容器内にフィードし、フィード完了後更に
2時間反応させた。尚、反応中はキャリアーガスとして
窒素ガスを500m1/sinの流量で反応容器中にフ
ィードした。
しなから5i1CI4を20g/minの速度で合計2
.0に、反応容器内にフィードし、フィード完了後更に
2時間反応させた。尚、反応中はキャリアーガスとして
窒素ガスを500m1/sinの流量で反応容器中にフ
ィードした。
反応容器から発生した反応生成ガスとキャリアーガスは
、−15°Cの冷媒トラップで不純物を除去した後、ド
ライアイス−アセトントラップ中に回収した。更に、ド
ライアイス−アセトントラップ内を真空ポンプで真空排
気し、キャリアーガスとして使用した窒素ガスを除去し
た。
、−15°Cの冷媒トラップで不純物を除去した後、ド
ライアイス−アセトントラップ中に回収した。更に、ド
ライアイス−アセトントラップ内を真空ポンプで真空排
気し、キャリアーガスとして使用した窒素ガスを除去し
た。
回収量は0.(i95kg (回収率55%)で、この
ものはIR吸収チャートから5ilF、と同定された。
ものはIR吸収チャートから5ilF、と同定された。
反応後の溶媒スラリーを、別の151.の反応容器に移
した後、水41を加え約60分間攪拌を行なった。撹拌
後約2時間静止した。静止後の溶媒スラリーは、上層に
塩化n−ブチル、中層に酸性水溶液、下層には固形物が
それぞれ分離しているので、上層の塩化n−ブチルを別
の容器に回収し、1%Na011水溶液を約150m1
加え円1を6.O/メーターに調整した後、再度30分
間1豐拌し、更に、60分間静止した。
した後、水41を加え約60分間攪拌を行なった。撹拌
後約2時間静止した。静止後の溶媒スラリーは、上層に
塩化n−ブチル、中層に酸性水溶液、下層には固形物が
それぞれ分離しているので、上層の塩化n−ブチルを別
の容器に回収し、1%Na011水溶液を約150m1
加え円1を6.O/メーターに調整した後、再度30分
間1豐拌し、更に、60分間静止した。
次に上層の塩化i−ブチルを別の容2:に取り出し、こ
れにあらかじめ脱水した10〜20メツシユのモレキュ
ラシーブ3^200m1を加え、30分間撹1↑した後
、約10時間密閉状態で放置した。その後、NO,6濾
紙を使用しこれを濾過して透明な塩化n−ブチルを得た
。
れにあらかじめ脱水した10〜20メツシユのモレキュ
ラシーブ3^200m1を加え、30分間撹1↑した後
、約10時間密閉状態で放置した。その後、NO,6濾
紙を使用しこれを濾過して透明な塩化n−ブチルを得た
。
上記方法により回収した塩化n−ブチルは、収■95%
、含水率0.05%であった。
、含水率0.05%であった。
以上の方法で回収した塩化n−ブチルを、上記と同じ方
法で5ixFiの製造を行なった結果、St*Fiの収
率は54%であり、未使用の工業用塩化n−ブチルと同
等の結果を得た。
法で5ixFiの製造を行なった結果、St*Fiの収
率は54%であり、未使用の工業用塩化n−ブチルと同
等の結果を得た。
実施例3〜5
第1表に示す溶媒及び金属弗化物を用いて実施例1の方
法に従って、5izF4の製造を行なった。
法に従って、5izF4の製造を行なった。
反応終了後の溶媒スラリーを、実施例1の方法と同じ操
作で溶媒を回収した。
作で溶媒を回収した。
回収した溶媒を再使用して、再び実施例1の方法で5i
2F、の製造を行なった結果、第1表に示す如く回収し
て溶媒を再使用して製造した5ixF*の収率は、未使
用の溶媒を使用したものと同等であった。
2F、の製造を行なった結果、第1表に示す如く回収し
て溶媒を再使用して製造した5ixF*の収率は、未使
用の溶媒を使用したものと同等であった。
比較例1〜3
第2表に示す溶媒及び金属弗化物を用いて実施例1の方
法に従って、5izF、の製造を行なった。
法に従って、5izF、の製造を行なった。
反応後の溶媒スラリーをアスピレークーを用い減圧下で
濾過し溶媒を回収した。
濾過し溶媒を回収した。
回収した溶媒を用いて上記と同じように、実施例1の方
法に従って、si、I+、の!!!造を行なった結果、
第2表に示すように回収した溶媒の収率、及び溶媒を再
使用して製造したSi、F、の収率は大きく低下するこ
とが判明した。
法に従って、si、I+、の!!!造を行なった結果、
第2表に示すように回収した溶媒の収率、及び溶媒を再
使用して製造したSi、F、の収率は大きく低下するこ
とが判明した。
〔発明の効果]
以上詳細に説明したように、本発明は溶媒に懸濁させた
金属弗化物を使用し、ハロゲン交換法による弗素化反応
により5izF、を製造するに際し、反応後の溶媒を回
収して再使用するきいう方法であるが、この方法により
反応収率に悪影♂を及ぼすことなく、更に、溶媒を再使
用するという経済的効果は大なるものがあり、大幅なコ
ストダウンとなるのである。
金属弗化物を使用し、ハロゲン交換法による弗素化反応
により5izF、を製造するに際し、反応後の溶媒を回
収して再使用するきいう方法であるが、この方法により
反応収率に悪影♂を及ぼすことなく、更に、溶媒を再使
用するという経済的効果は大なるものがあり、大幅なコ
ストダウンとなるのである。
特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)六塩化二ケイ素と溶媒に懸濁させた弗素化剤との反
応で、六弗化二ケイ素を製造する方法において、反応後
の溶媒スラリーに水を加え攪拌した後、溶媒を分離し、
該溶媒を攪拌しながら、PHが7を越えないように、ア
ルカリ水溶液を加え、溶媒を分離し、蒸留もしくは吸着
剤で溶媒中の水分を0.1%以下に除去して、再使用す
ることを特徴とする六弗化二ケイ素の製造方法。 2)溶媒が一般式C_nH_2_n_+_1Cl(ただ
しn=3〜8の整数)で表わされる塩化アルキル、およ
びエーテル、ペンタン、アニソール、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼンの1種
以上である特許請求の範囲第1項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10455689A JPH02283610A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 六弗化二ケイ素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10455689A JPH02283610A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 六弗化二ケイ素の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02283610A true JPH02283610A (ja) | 1990-11-21 |
Family
ID=14383740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10455689A Pending JPH02283610A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 六弗化二ケイ素の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02283610A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5711925A (en) * | 1995-03-27 | 1998-01-27 | National Research Institute For Metals | Synthesis of pure disilicon hexafluoride |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP10455689A patent/JPH02283610A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5711925A (en) * | 1995-03-27 | 1998-01-27 | National Research Institute For Metals | Synthesis of pure disilicon hexafluoride |
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