JPH022839B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH022839B2 JPH022839B2 JP59166842A JP16684284A JPH022839B2 JP H022839 B2 JPH022839 B2 JP H022839B2 JP 59166842 A JP59166842 A JP 59166842A JP 16684284 A JP16684284 A JP 16684284A JP H022839 B2 JPH022839 B2 JP H022839B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- silicon single
- crucible
- single crystal
- silicon
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン単結晶の引上装置の炭素ルツ
ボに関するものである。
ボに関するものである。
従来シリコン単結晶は主にチヨコラルスキー法
（CZ法）によつて製造されている。この方法は石
英ルツボ内にシリコン多結晶原料を入れ、周囲か
ら加熱して該シリコン多結晶を溶融させ、その溶
融物を種結晶により上方に引上げ、シリコン単結
晶をつくるものである。
（CZ法）によつて製造されている。この方法は石
英ルツボ内にシリコン多結晶原料を入れ、周囲か
ら加熱して該シリコン多結晶を溶融させ、その溶
融物を種結晶により上方に引上げ、シリコン単結
晶をつくるものである。
例えば第１図に示すように、チヤンバー１内に
炭素ヒータ２を設置するとともに、その内側には
炭素ルツボ３と石英ルツボ４があり、石英ルツボ
４の中にシリコン多結晶を入れて溶融し、その溶
融物５を種結晶により上方に引上げ、シリコン単
結晶６をつくつているものである。
炭素ヒータ２を設置するとともに、その内側には
炭素ルツボ３と石英ルツボ４があり、石英ルツボ
４の中にシリコン多結晶を入れて溶融し、その溶
融物５を種結晶により上方に引上げ、シリコン単
結晶６をつくつているものである。
この際シリコン単結晶に不純物が含まれるのを
防止するためにチヤンバー１内にアルゴン等の不
活性ガスを上方より供給し、下方より引出す方法
がとられている。
防止するためにチヤンバー１内にアルゴン等の不
活性ガスを上方より供給し、下方より引出す方法
がとられている。
このようにチヤンバー１内にアルゴン等の不活
性ガスを導入することによりシリコン単結晶をつ
くつていた。
性ガスを導入することによりシリコン単結晶をつ
くつていた。
また、公知の方法として炭素ルツボのシリコン
溶融面以上の部分において、その周辺にそつて複
数個の貫通孔を設けて引上速度を増大させて生産
量を増加させ、かつ引上装置の消費電力を減少さ
せるものが知られているが、このものはシリコン
溶融面以上の部分に孔を穿孔したもので、シリコ
ン単結晶の冷却効果を目的とするものである。
溶融面以上の部分において、その周辺にそつて複
数個の貫通孔を設けて引上速度を増大させて生産
量を増加させ、かつ引上装置の消費電力を減少さ
せるものが知られているが、このものはシリコン
溶融面以上の部分に孔を穿孔したもので、シリコ
ン単結晶の冷却効果を目的とするものである。
本発明はシリコン単結晶の冷却効果を目的とす
るものでなく、石英ルツボのサセプターとして使
用している炭素ルツボの炭素が、石英ルツボの
SiO2のO2と化学反応を起して一部がCOガスとな
つて、シリコン融液中に混入してシリコン単結晶
中に炭素が数ppm含まれるという欠陥を防止する
ものである。
るものでなく、石英ルツボのサセプターとして使
用している炭素ルツボの炭素が、石英ルツボの
SiO2のO2と化学反応を起して一部がCOガスとな
つて、シリコン融液中に混入してシリコン単結晶
中に炭素が数ppm含まれるという欠陥を防止する
ものである。
本発明を図面について説明する。
第２図において２は炭素ヒータであり、その内
側に炭素ルツボ３と石英ルツボ４があるは従来の
ものと同じ、炭素ルツボ３のＣと石英ルツボ４の
SiO2とが化学反応即ち、SiO2のO2が遊離して 2C＋SiO2＝Si＋2CO となり、このCOガスがシリコン融液に混入し、
シリコン単結晶中に炭素が数ppm含まれる。この
炭素がシリコン単結晶の欠陥を発生するものであ
る。
側に炭素ルツボ３と石英ルツボ４があるは従来の
ものと同じ、炭素ルツボ３のＣと石英ルツボ４の
SiO2とが化学反応即ち、SiO2のO2が遊離して 2C＋SiO2＝Si＋2CO となり、このCOガスがシリコン融液に混入し、
シリコン単結晶中に炭素が数ppm含まれる。この
炭素がシリコン単結晶の欠陥を発生するものであ
る。
そこで、上方から下方部にアルゴンのような不
活性ガスが流れているので、この不活性ガスを利
用して排出する方法を考えたもので、ヒーター２
の側壁を流れるアルゴン等の不活性ガス流に炭素
と石英間で反応するCOガスをのせて強制的に炉
外へ排出するために、炭素ルツボ３に小孔７を穿
孔し、該小孔７は炭素ルツボ３の内側から外側に
向けて稍下向きのテーパをつける。
活性ガスが流れているので、この不活性ガスを利
用して排出する方法を考えたもので、ヒーター２
の側壁を流れるアルゴン等の不活性ガス流に炭素
と石英間で反応するCOガスをのせて強制的に炉
外へ排出するために、炭素ルツボ３に小孔７を穿
孔し、該小孔７は炭素ルツボ３の内側から外側に
向けて稍下向きのテーパをつける。
また、該小孔７は炭素ルツボの下方部の周壁に
複数個設けるのがよい。
複数個設けるのがよい。
本発明は複数個の小孔を炭素ルツボの下方部に
設けたことにより、石英ルツボ４と炭素ルツボ３
との間を流れるアルゴン流によりCOガスをチヤ
ンバー１外に排出するもので、シリコン融液中に
炭素を混入しない。
設けたことにより、石英ルツボ４と炭素ルツボ３
との間を流れるアルゴン流によりCOガスをチヤ
ンバー１外に排出するもので、シリコン融液中に
炭素を混入しない。
また本発明の小孔は、炭素ルツボ３の側壁の内
側から外側に下向きのテーパをつけてあり、アル
ゴン流の流れをスムースにしてあるので効果的に
排出できるものである。
側から外側に下向きのテーパをつけてあり、アル
ゴン流の流れをスムースにしてあるので効果的に
排出できるものである。
第１図は従来のシリコン単結晶の引上装置の断
面図、第２図は本発明の要部の断面図である。 ２…炭素ヒーター、３…炭素ルツボ、４…石英
ルツボ、７…小孔。
面図、第２図は本発明の要部の断面図である。 ２…炭素ヒーター、３…炭素ルツボ、４…石英
ルツボ、７…小孔。
Claims (1)
- １ アルゴンの如き不活性ガスをチヤンバー内の
上方から下方に流すシリコン単結晶引上装置の炭
素ルツボの下方部に複数個の小孔を穿孔し、該小
孔を内側から外側に下向きにテーパーをつけたこ
とを特徴とするシリコン単結晶引上装置の炭素ル
ツボ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16684284A JPS6144791A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | シリコン単結晶引上装置の炭素ルツボ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16684284A JPS6144791A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | シリコン単結晶引上装置の炭素ルツボ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144791A JPS6144791A (ja) | 1986-03-04 |
| JPH022839B2 true JPH022839B2 (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15838658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16684284A Granted JPS6144791A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | シリコン単結晶引上装置の炭素ルツボ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144791A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4962414B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2012-06-27 | 富士電機株式会社 | パワー電子機器 |
| JP4918130B2 (ja) | 2009-12-11 | 2012-04-18 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | 黒鉛ルツボ及びシリコン単結晶製造装置 |
| CN102206855A (zh) * | 2010-03-29 | 2011-10-05 | 上海杰姆斯电子材料有限公司 | 直拉单晶炉石墨坩埚 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58140392A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-20 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | シリコン単結晶引上方法およびその装置 |
-
1984
- 1984-08-09 JP JP16684284A patent/JPS6144791A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6144791A (ja) | 1986-03-04 |
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