JPH02285247A - 感湿素子 - Google Patents
感湿素子Info
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- JPH02285247A JPH02285247A JP10459489A JP10459489A JPH02285247A JP H02285247 A JPH02285247 A JP H02285247A JP 10459489 A JP10459489 A JP 10459489A JP 10459489 A JP10459489 A JP 10459489A JP H02285247 A JPH02285247 A JP H02285247A
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- humidity
- temperature
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は・有機高分子を感湿膜の感湿材料として用いて
なる感湿素子に関するものである。
なる感湿素子に関するものである。
従来よシこの種の感湿素子としては、例えばセルロース
アセテートブチレート（以下ＣＡＤと称する）高分子を
感湿材料として用い、この感湿材料によシ形成される感
湿膜の電気容量値変化を湿度検出に利用し九感湿容量素
子が例えば特開昭６２−８８９５１号公報などにより提
案されている。
アセテートブチレート（以下ＣＡＤと称する）高分子を
感湿材料として用い、この感湿材料によシ形成される感
湿膜の電気容量値変化を湿度検出に利用し九感湿容量素
子が例えば特開昭６２−８８９５１号公報などにより提
案されている。
この種の感湿素子において、感湿材料であるＣＡＨの収
着水分量は、ブチリル基１７％のＣＡＢでは第５図に示
すように温度３０℃、相対湿度９０ＳＲＨにおける平衡
状態でポリマ１？当り、約７０〜９０ＴＲ９／Ｌ？であ
った。
着水分量は、ブチリル基１７％のＣＡＢでは第５図に示
すように温度３０℃、相対湿度９０ＳＲＨにおける平衡
状態でポリマ１？当り、約７０〜９０ＴＲ９／Ｌ？であ
った。
しかしながら、このように構成される感湿素子は、感湿
膜の高分子材料としてＣＡＢを用いているので、ヒステ
リシス（吸湿過程と脱湿過程とでの感湿特性の差）が２
〜４％ＲＨ（約２５℃、測定間隔５分）であり、理想的
な１＊ＲＨ以下のヒステリシスが達成できないという問
題があった。また、ヒステリシスには湿度依存性があシ
、約４０℃程度の高温度で同一条件で測定すると、高温
度となることによシ、ヒステリシスが２〜３％ＲＨ程度
増加するという問題があつな。さらに長時間同一雰囲気
中に放置されると、湿度履歴の効果がちシ、ヒステリシ
スの変化、感湿特性の変化がある。
膜の高分子材料としてＣＡＢを用いているので、ヒステ
リシス（吸湿過程と脱湿過程とでの感湿特性の差）が２
〜４％ＲＨ（約２５℃、測定間隔５分）であり、理想的
な１＊ＲＨ以下のヒステリシスが達成できないという問
題があった。また、ヒステリシスには湿度依存性があシ
、約４０℃程度の高温度で同一条件で測定すると、高温
度となることによシ、ヒステリシスが２〜３％ＲＨ程度
増加するという問題があつな。さらに長時間同一雰囲気
中に放置されると、湿度履歴の効果がちシ、ヒステリシ
スの変化、感湿特性の変化がある。
例えば相対湿度１１ＳＲＨの常温度で長時間にわたって
放置すると、初期にヒステリシスが２ＳＲＨの感湿素子
が４〜６％ＲＨと大きくなる。さらに約８４ｅｓＲＨの
常温度で長期間にわたって放置すると、初期のヒステリ
シス２ＳＲＨの感湿素子が１％ＲＨＱ度と小さくなるが
、感湿特性は１０〜９０％ＲＨにおいて、５〜７１Ｈ程
度出力が犬きくな９、ドリフトする。また、相対湿度９
０１Ｈでの電気容量値と１０チＲＨでの電気容量値との
比（Ｃｓｏ／Ｃｉｏ ）が変化するという問題があった
。さらに温度４０℃。
放置すると、初期にヒステリシスが２ＳＲＨの感湿素子
が４〜６％ＲＨと大きくなる。さらに約８４ｅｓＲＨの
常温度で長期間にわたって放置すると、初期のヒステリ
シス２ＳＲＨの感湿素子が１％ＲＨＱ度と小さくなるが
、感湿特性は１０〜９０％ＲＨにおいて、５〜７１Ｈ程
度出力が犬きくな９、ドリフトする。また、相対湿度９
０１Ｈでの電気容量値と１０チＲＨでの電気容量値との
比（Ｃｓｏ／Ｃｉｏ ）が変化するという問題があった
。さらに温度４０℃。
相対湿度９０チＲＨ程度の高温高湿度条件、結露。
水中浸漬、温度−湿度サイクルなどにより、感湿特性が
＋側に大きくドリフトするなどの問題があった。
＋側に大きくドリフトするなどの問題があった。
これらの問題点の発生は、感湿膜として感湿材料の収着
水分量（吸水率）が理想的な容量式もしくはインピーダ
ンス式感湿素子としては大きすぎることにより、感湿膜
中の水分子同志の相互作用により応答性が変化したシ、
測定湿度雰囲気での平衡収着水分量が変化し、出力ドリ
フトを生じるものであつな。
水分量（吸水率）が理想的な容量式もしくはインピーダ
ンス式感湿素子としては大きすぎることにより、感湿膜
中の水分子同志の相互作用により応答性が変化したシ、
測定湿度雰囲気での平衡収着水分量が変化し、出力ドリ
フトを生じるものであつな。
したがって本発−明は、前述した従来の問題に鑑みてな
されたものであシ、その目的は、低温度から高温度およ
び低湿度から高湿度までの各種の使用範囲において、ヒ
ステリシスが小さり、マた、高湿度、高温高湿度、湿度
サイクル、低湿度放置。
されたものであシ、その目的は、低温度から高温度およ
び低湿度から高湿度までの各種の使用範囲において、ヒ
ステリシスが小さり、マた、高湿度、高温高湿度、湿度
サイクル、低湿度放置。
結露もしくは水浸漬などの各種の使用奈件に長期間にわ
たって晒されても安定した出力値が得られる感湿素子を
提供することにある。
たって晒されても安定した出力値が得られる感湿素子を
提供することにある。
本発明による感湿素子は、温度３０℃、相対湿度９０Ｓ
ＲＨにおける平衡収着水分量が高分子１％ｒ当９１０〜
４０η含む高分子を用いて感湿膜を形成するものである
。
ＲＨにおける平衡収着水分量が高分子１％ｒ当９１０〜
４０η含む高分子を用いて感湿膜を形成するものである
。
本発明による他の感湿素子は、高分子として熱変形温度
が１２０℃以上もしくは連続使用温度が１００℃以上の
非結晶性高分子を用いて感湿膜を形成するものである。
が１２０℃以上もしくは連続使用温度が１００℃以上の
非結晶性高分子を用いて感湿膜を形成するものである。
本発明によるさらに他の感湿素子は、高分子としてガラ
ス転移点が１００℃もしくは融点が１５０℃以上の結晶
性高分子を用いて感湿膜を形成するものである。
ス転移点が１００℃もしくは融点が１５０℃以上の結晶
性高分子を用いて感湿膜を形成するものである。
本発明による他の感湿素子は、絶縁破壊の強さが１４Ｋ
Ｖ／■以上の高分子を用いて感湿膜を形成するものであ
る。
Ｖ／■以上の高分子を用いて感湿膜を形成するものであ
る。
本発明による他の感湿素子は、体積固有抵抗が１０１４
０／ａｎ ”以上の高分子を用いて感湿膜を形成するも
のである。
０／ａｎ ”以上の高分子を用いて感湿膜を形成するも
のである。
本発明による感湿素子においては、感湿膜に高分子材料
を用いることによシ、収着水分量が低くなシ、ヒステリ
シスが小さくなって感湿素子としての感度の確保を図っ
てその感湿特性の改善が促される。
を用いることによシ、収着水分量が低くなシ、ヒステリ
シスが小さくなって感湿素子としての感度の確保を図っ
てその感湿特性の改善が促される。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明による感湿素子の一実施例を示す斜視図
、第２図はその平面図である。これらの図において、１
は例えばアルミナ基板、ガラス基板、熱酸化シリコン基
板などからなる絶縁性基板、２はこの絶縁性基板１の上
面部に形成された例えば白金などからなる下部電極、３
はこの下部電極２に交差するように積層塗着された感湿
膜、４はこの感湿膜３上に形成された例えば金などから
なる上部電極である。すなわち、感湿膜３ｔ−下部電極
２と上部電極４とでサンドインチ状に挾み込み、この感
湿膜３の相対湿度に対する電気容量値変化を検出すべく
、下部電極２および上部電極４にそれぞれリード線２ａ
および４ａが接続されている。
、第２図はその平面図である。これらの図において、１
は例えばアルミナ基板、ガラス基板、熱酸化シリコン基
板などからなる絶縁性基板、２はこの絶縁性基板１の上
面部に形成された例えば白金などからなる下部電極、３
はこの下部電極２に交差するように積層塗着された感湿
膜、４はこの感湿膜３上に形成された例えば金などから
なる上部電極である。すなわち、感湿膜３ｔ−下部電極
２と上部電極４とでサンドインチ状に挾み込み、この感
湿膜３の相対湿度に対する電気容量値変化を検出すべく
、下部電極２および上部電極４にそれぞれリード線２ａ
および４ａが接続されている。
このように構成される感湿素子において、その感湿膜３
は、ポリサルフオン、ポリエーテルサルフオン、ポリエ
ーテルイミド、ポリフェニレンオキサイド、ポリカーボ
ネート、ボリアリレート。
は、ポリサルフオン、ポリエーテルサルフオン、ポリエ
ーテルイミド、ポリフェニレンオキサイド、ポリカーボ
ネート、ボリアリレート。
ポリメタクリル酸メチル、ポリアクリロニトリル。
ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエーテルエーテルケント、ポリエーテルケン
トもしくはポリアセタールを主成分とする高分子の感湿
材料によシ形成される。
ート、ポリエーテルエーテルケント、ポリエーテルケン
トもしくはポリアセタールを主成分とする高分子の感湿
材料によシ形成される。
次にこのように構成された感湿素子について説明する。
まず、水晶撮動子上に上述した高分子材料を約１０μｍ
以下に薄く塗布して感湿膜を形成し、恒温度雰囲気中に
挿入して水晶振動子の発掘周波数の変化によυこの感湿
膜に収着した水の質量を約３０℃で測定した。ま九、同
一の高分子材料を前記絶縁性基板１上に形成した下側電
極２上に約１０μｍ以下に薄く塗布して感湿膜３′ｔ−
形成し、さらに上側電極４を形成して電気容量比と相対
湿度との関係を約３０℃で測定した。この結果、感湿膜
３を形成する高分子材料をセルロースアセテートブチレ
ート（ブチル基１７チ）とした場合は、高分子膜の形成
方法、膜厚、熱処理方法もしくは上側電極４の形成方法
により、収着水分量および感湿特性は第６図に示すよう
に微妙に変化するが、収着水分量は７０〜９０■で６１
、ヒステリシスは２〜４＊ＲＨ＋ Ｃｏｏ／Ｃｏｏは１
．２１〜１．４１であった。これに比較して高分子材料
をセルロースアセテートブチレート（ブチリル基５０％
）とした場合は、収着水分量は４０〜６０叩であシ、ヒ
ステリシスは１〜２ ’％ ＲＨ、Ｃ９０／ ＣＩＯは
１．１０〜１．２０であった。
以下に薄く塗布して感湿膜を形成し、恒温度雰囲気中に
挿入して水晶振動子の発掘周波数の変化によυこの感湿
膜に収着した水の質量を約３０℃で測定した。ま九、同
一の高分子材料を前記絶縁性基板１上に形成した下側電
極２上に約１０μｍ以下に薄く塗布して感湿膜３′ｔ−
形成し、さらに上側電極４を形成して電気容量比と相対
湿度との関係を約３０℃で測定した。この結果、感湿膜
３を形成する高分子材料をセルロースアセテートブチレ
ート（ブチル基１７チ）とした場合は、高分子膜の形成
方法、膜厚、熱処理方法もしくは上側電極４の形成方法
により、収着水分量および感湿特性は第６図に示すよう
に微妙に変化するが、収着水分量は７０〜９０■で６１
、ヒステリシスは２〜４＊ＲＨ＋ Ｃｏｏ／Ｃｏｏは１
．２１〜１．４１であった。これに比較して高分子材料
をセルロースアセテートブチレート（ブチリル基５０％
）とした場合は、収着水分量は４０〜６０叩であシ、ヒ
ステリシスは１〜２ ’％ ＲＨ、Ｃ９０／ ＣＩＯは
１．１０〜１．２０であった。
また、高分子材料をポリメタクリル酸メチルとした場合
は、収着水分量は１０〜３０ｍ９であり、ヒステリシス
は０．５〜１ チＲＨ、Ｃ９０／Ｃ１０は１．０６〜１
．１５ と良好であった。さらに同様にポリエーテルサ
ルフオンとした場合は収着水分量は１０〜３０■であシ
、ヒステリシスは０．５〜１．５％ＲＨ、Ｃ９０／ＣＩ
Ｏは１．１２〜１．１７と良好であった。また同様にポ
リサルフオンとした場合は収着水分量はｌＯ〜１５■で
あり、ヒステリシスは０．２〜１．（ＩＲＨ。
は、収着水分量は１０〜３０ｍ９であり、ヒステリシス
は０．５〜１ チＲＨ、Ｃ９０／Ｃ１０は１．０６〜１
．１５ と良好であった。さらに同様にポリエーテルサ
ルフオンとした場合は収着水分量は１０〜３０■であシ
、ヒステリシスは０．５〜１．５％ＲＨ、Ｃ９０／ＣＩ
Ｏは１．１２〜１．１７と良好であった。また同様にポ
リサルフオンとした場合は収着水分量はｌＯ〜１５■で
あり、ヒステリシスは０．２〜１．（ＩＲＨ。
Ｃｓｏ／Ｃｘｏは１．０５〜１．０８と良好であった。
また、セルロースアセテートブチレート（ブチリル１フ
チ）の収着水分量と感湿特性との関係と、相対湿度１０
％ＲＨ→６０チＲＨ→１０チＲＨと測定湿度を変えて測
定し九データと、相対湿度６０１ＲＨ以上に測定領域を
増やした場合とのヒステリシスの変化からも、高分子材
料中に存在する水分子の量が感湿特性を大きく変えてい
ることが明らかである。
チ）の収着水分量と感湿特性との関係と、相対湿度１０
％ＲＨ→６０チＲＨ→１０チＲＨと測定湿度を変えて測
定し九データと、相対湿度６０１ＲＨ以上に測定領域を
増やした場合とのヒステリシスの変化からも、高分子材
料中に存在する水分子の量が感湿特性を大きく変えてい
ることが明らかである。
すなわち、相対湿度６０％ＲＨ以下では、収着水分量が
３５〜４０ｍ９／９−程度であるため、ヒステリシスは
０．３〜０．４＊ＲＨとなり、感湿特性の直線性が極め
て良好である。ところが、相対湿度６０％ＲＨ以上では
収着水分量が４０’９．Ｑ−と超えてしまうため、水分
子間のインタラクションが起シ、徐々にヒステリシスが
大きくなる。例えば相対湿度１０％ＲＨ→７０チＲ１（
−＋１０％ＲＨと測定した場合、最大収着水分量は４０
〜４５ダ／Ｐ程度であり、ヒステリシスは１．２〜１．
５チＲＨ、相対湿度１０％ＲＨ→８０％ＲＨ→１０％Ｒ
Ｈと測定した場合、最大の収着水分量は５０〜５５〜／
ｙ−程度であシ、ヒステリシスは１．５〜２．１＊ＲＨ
であった。すなわち、収着水分量が増加するにつれてヒ
ステリシスが大きくなシ、直線性が低下している。これ
らのデータから感湿特性が高分子材料の収着水分量と大
きな相関があることが明らかであり、ヒステリシスの目
標仕様をｌ５ＲＨ以下と設定した場合、収着水分量は４
０■／Ｐ以下としなければならない。ここで示したデー
タは代表的なものであり、ヒステリシスは製造方法およ
びその条件により変化するものである。
３５〜４０ｍ９／９−程度であるため、ヒステリシスは
０．３〜０．４＊ＲＨとなり、感湿特性の直線性が極め
て良好である。ところが、相対湿度６０％ＲＨ以上では
収着水分量が４０’９．Ｑ−と超えてしまうため、水分
子間のインタラクションが起シ、徐々にヒステリシスが
大きくなる。例えば相対湿度１０％ＲＨ→７０チＲ１（
−＋１０％ＲＨと測定した場合、最大収着水分量は４０
〜４５ダ／Ｐ程度であり、ヒステリシスは１．２〜１．
５チＲＨ、相対湿度１０％ＲＨ→８０％ＲＨ→１０％Ｒ
Ｈと測定した場合、最大の収着水分量は５０〜５５〜／
ｙ−程度であシ、ヒステリシスは１．５〜２．１＊ＲＨ
であった。すなわち、収着水分量が増加するにつれてヒ
ステリシスが大きくなシ、直線性が低下している。これ
らのデータから感湿特性が高分子材料の収着水分量と大
きな相関があることが明らかであり、ヒステリシスの目
標仕様をｌ５ＲＨ以下と設定した場合、収着水分量は４
０■／Ｐ以下としなければならない。ここで示したデー
タは代表的なものであり、ヒステリシスは製造方法およ
びその条件により変化するものである。
また、測定法、その条件およびセンサの温湿度履歴によ
シ変化するものである。したがって第３図および第４図
に示す特性曲線はある幅を有することになる。また、相
対湿度９０１Ｈにおける収着水分量１０〜４０〜／？な
る高分子材料を用い、第１図および第２図に示す感湿素
子を製作した場合、その容量比Ｃｏｏ／Ｃｓｏは１．０
５〜１．２０であった。
シ変化するものである。したがって第３図および第４図
に示す特性曲線はある幅を有することになる。また、相
対湿度９０１Ｈにおける収着水分量１０〜４０〜／？な
る高分子材料を用い、第１図および第２図に示す感湿素
子を製作した場合、その容量比Ｃｏｏ／Ｃｓｏは１．０
５〜１．２０であった。
なお、前述した実施例において、感湿膜３を構成する高
分子材料の熱的特性については、湿度センサの使用温度
範囲が通常−３０〜１００℃であることから、上部電極
４が破壊されたシ、センサ特性に大きな変化が発生する
ことは全くない。ま念、絶縁破壊強度については、高分
子材料膜厚０．５〜１０μｍにおいて、±１．５〜±５
ｖの電圧を連続して印加しても全く問題がなかった。さ
らに体積固有抵抗についても見損回路と組合せて測定し
ても何ら全く問題が発生しなかつ九。
分子材料の熱的特性については、湿度センサの使用温度
範囲が通常−３０〜１００℃であることから、上部電極
４が破壊されたシ、センサ特性に大きな変化が発生する
ことは全くない。ま念、絶縁破壊強度については、高分
子材料膜厚０．５〜１０μｍにおいて、±１．５〜±５
ｖの電圧を連続して印加しても全く問題がなかった。さ
らに体積固有抵抗についても見損回路と組合せて測定し
ても何ら全く問題が発生しなかつ九。
以上説明したように本発明による感湿素子によれば、ヒ
ステリシスはＩＪＲＨ以下が達成されるとともに温度依
存性もなくなった。また、長時間にわたって同一雰囲気
中に放置されても出力ドリフトが小さく、容量比変化も
小さい。さらに高温高湿放置、結露、水中浸漬、温湿度
サイクルなどによっても感湿特性のドリフトが小さい。
ステリシスはＩＪＲＨ以下が達成されるとともに温度依
存性もなくなった。また、長時間にわたって同一雰囲気
中に放置されても出力ドリフトが小さく、容量比変化も
小さい。さらに高温高湿放置、結露、水中浸漬、温湿度
サイクルなどによっても感湿特性のドリフトが小さい。
さらに湿度センナの使用雰囲気に合わせた耐薬品、耐環
境性の良いセンサを供給することができる。また、高分
子材料の合成などによる材料設計が可能となるなどの極
めて優れた効果が得られる。
境性の良いセンサを供給することができる。また、高分
子材料の合成などによる材料設計が可能となるなどの極
めて優れた効果が得られる。
第１図は本発明による感湿素子の一実施例を示す斜視図
、第２図はこの感湿素子の平面図、第３図は本発明によ
る感湿素子の吸着水分量とヒステリシスとの関係を示す
図、第４図は本発明による感湿素子の吸着水分量と容量
比との関係を示す図、第５図は従来の感湿素子（ブチリ
ル基１７％のＣＡＢ ）の収着水分量と相対湿度との関
係を示す図、第６図は従来の感湿素子（ブチリル基１７
％のＣＡＢ）の感湿特性を示す図である。 １・・・・絶縁性基板、２・・・・下部電極、３・−・
・感湿膜、４１１・拳・上部電極、２ａ、４ａ嘩・拳・
リード線。
、第２図はこの感湿素子の平面図、第３図は本発明によ
る感湿素子の吸着水分量とヒステリシスとの関係を示す
図、第４図は本発明による感湿素子の吸着水分量と容量
比との関係を示す図、第５図は従来の感湿素子（ブチリ
ル基１７％のＣＡＢ ）の収着水分量と相対湿度との関
係を示す図、第６図は従来の感湿素子（ブチリル基１７
％のＣＡＢ）の感湿特性を示す図である。 １・・・・絶縁性基板、２・・・・下部電極、３・−・
・感湿膜、４１１・拳・上部電極、２ａ、４ａ嘩・拳・
リード線。
Claims (5)
- （１）温度３０℃，相対湿度９０％ＲＨにおける平衡収
着水分量が高分子１ｇｒ当１０〜４０ｍｇ含む高分子材
料を感湿膜として備えてなる感湿素子。 - （２）請求項１記載の感湿素子において、高分子材料を
、熱変形温度が１２０℃以上もしくは連続使用温度が１
００℃以上の高分子とした感湿素子。 - （３）請求項１記載の感湿素子において、高分子材料を
、ガラス転移点が１００℃もしくは融点が１５０℃以上
の高分子とした感湿素子。 - （４）請求項１記載の感湿素子において、高分子材料を
、体積固有抵抗が１０＾１＾４Ω／ｃｍ＾３以上の高分
子とした感湿素子。 - （５）請求項１記載の感湿素子において、高分子材料を
、絶縁破壊強度が１４ＫＶ／ｍｍ以上の高分子とした感
湿素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10459489A JP2719830B2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 感湿素子 |
| DE69021925T DE69021925T3 (de) | 1989-04-26 | 1990-04-24 | Feuchtigkeitsempfindliches Element. |
| EP90304370A EP0395349B2 (en) | 1989-04-26 | 1990-04-24 | Moisture sensitive element |
| US07/515,096 US5069069A (en) | 1989-04-26 | 1990-04-26 | Moisture-sensitive element for moisture sensors |
| FI902096A FI99054C (fi) | 1989-04-26 | 1990-04-26 | Kapasitiivinen kosteusanturi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10459489A JP2719830B2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 感湿素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02285247A true JPH02285247A (ja) | 1990-11-22 |
| JP2719830B2 JP2719830B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=14384755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10459489A Expired - Lifetime JP2719830B2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 感湿素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2719830B2 (ja) |
| FI (1) | FI99054C (ja) |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP10459489A patent/JP2719830B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-04-26 FI FI902096A patent/FI99054C/fi active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2719830B2 (ja) | 1998-02-25 |
| FI99054B (fi) | 1997-06-13 |
| FI902096A0 (fi) | 1990-04-26 |
| FI99054C (fi) | 1997-09-25 |
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