JPH02285662A - 樹脂封止半導体及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体及びその製造方法Info
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- JPH02285662A JPH02285662A JP1108726A JP10872689A JPH02285662A JP H02285662 A JPH02285662 A JP H02285662A JP 1108726 A JP1108726 A JP 1108726A JP 10872689 A JP10872689 A JP 10872689A JP H02285662 A JPH02285662 A JP H02285662A
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- Japan
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- resin
- lead frame
- thin body
- hard thin
- crack
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止半導体のリードフレームの材料とそ
の表面形状に係り、特に樹脂との接着強度を強くして耐
湿性を向上するに好適な樹脂封止半導体及びその製造方
法。
の表面形状に係り、特に樹脂との接着強度を強くして耐
湿性を向上するに好適な樹脂封止半導体及びその製造方
法。
従来の樹脂封止半導体及びその製造方法に゛おいては、
リードフレームの表面形状に関し特別な配慮が加えられ
ず平坦な表面形状のまま利用されることが多く、樹脂と
熱伝導率差がなくかつ接着性が良い高価な素材が使用さ
れていた。特公昭６２０１４、７４４号公報の第１図（
イ）〜（ニ）に示されるように、樹脂とリードフレーム
との接着強度の向上を目的として、レーザービームの照
射によりオーバーハングした溝を付けることがなされて
いた。また、その他の一般的手法は、機械加工やパンチ
ング等によりリードフレームの表面に凹凸を付ける発明
も見受けられた。
リードフレームの表面形状に関し特別な配慮が加えられ
ず平坦な表面形状のまま利用されることが多く、樹脂と
熱伝導率差がなくかつ接着性が良い高価な素材が使用さ
れていた。特公昭６２０１４、７４４号公報の第１図（
イ）〜（ニ）に示されるように、樹脂とリードフレーム
との接着強度の向上を目的として、レーザービームの照
射によりオーバーハングした溝を付けることがなされて
いた。また、その他の一般的手法は、機械加工やパンチ
ング等によりリードフレームの表面に凹凸を付ける発明
も見受けられた。
そして、特公昭６０−２１２３７号公報に記載のように
、材料の表面にメッキ層を生成させ、メッキ層の内部応
力を利用したり、曲げやショットピーニング加工又は焼
鈍を行って割れを発生させる方法が知られている。
、材料の表面にメッキ層を生成させ、メッキ層の内部応
力を利用したり、曲げやショットピーニング加工又は焼
鈍を行って割れを発生させる方法が知られている。
従来の樹脂封止半導体及びその製造方法にあっては、リ
ードフレーム表層部に形成される割れ状凹凸の数や密度
が不足しており、凹凸がオーバーハングしていない形状
であったり、表層部の材料組成に配慮がなされていなか
った。そのため厳しい実使用環境下では、樹脂とリード
フレームとの間が剥離し、吸湿に伴って半導体チップ上
の配線が腐食断線する問題があった。
ードフレーム表層部に形成される割れ状凹凸の数や密度
が不足しており、凹凸がオーバーハングしていない形状
であったり、表層部の材料組成に配慮がなされていなか
った。そのため厳しい実使用環境下では、樹脂とリード
フレームとの間が剥離し、吸湿に伴って半導体チップ上
の配線が腐食断線する問題があった。
本発明の目的は、樹脂とリードフレームとの間の接着強
度が強く、半導体チップの損傷を防止する樹脂封止半導
体及びその製造方法を提供することにある。
度が強く、半導体チップの損傷を防止する樹脂封止半導
体及びその製造方法を提供することにある。
前記の目的を達成するため、本発明に係る樹脂封止半導
体及びその製造方法は、半導体チップとり−トフレーム
及びそれらを覆う樹脂部とからなる樹脂封止半導体にお
いて、リードフレームの表層部に硬質薄体を生成し、硬
質薄体に割れを発生させて微細な凹凸を形成するように
構成されている。
体及びその製造方法は、半導体チップとり−トフレーム
及びそれらを覆う樹脂部とからなる樹脂封止半導体にお
いて、リードフレームの表層部に硬質薄体を生成し、硬
質薄体に割れを発生させて微細な凹凸を形成するように
構成されている。
そしてリードフレームの基板は、３０〜６０ｗｔ％のＮ
ｉを含む鉄系材料又は少くとも８０ｗｔ％のＣｕを含む
銅系材料である構成又はリードフレームの基板は、４２
〜５２ｗｔ％残部鉄の合金又は少くとも９８ｗｔ％の純
銅で形成し、その硬質薄体はＳｎとＮｉとの合金である
構成でも良い。
ｉを含む鉄系材料又は少くとも８０ｗｔ％のＣｕを含む
銅系材料である構成又はリードフレームの基板は、４２
〜５２ｗｔ％残部鉄の合金又は少くとも９８ｗｔ％の純
銅で形成し、その硬質薄体はＳｎとＮｉとの合金である
構成でも良い。
また、硬質薄体は、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｄ。
Ｚｎ、Ｐｂおよびそれらを含む合金で生成し、そのビッ
カース硬度は少くとも４００である構成とする。
カース硬度は少くとも４００である構成とする。
さらにリードフレームの基板と硬質薄体との間にそれぞ
れの拡散合金層又は第３の軟質材を形成した構成でも良
い。
れの拡散合金層又は第３の軟質材を形成した構成でも良
い。
そして、硬質薄体に発生させた割れは、割れの平均割れ
深さｄｍと表面での割れ開口長さａとの関係がｄ ｍ
／ ａ ＞ １でかつａ ＜ １０μｍ又は近接する割
れ間のピッチＰと割れ開口長さａとの関係が５０ ＜
Ｐ ／ ａ ＜ ５でかつａ （１０μｍである構成、
硬質薄体に発生させた割れの方向は、樹脂封止されてい
ないリードフレームの足の長手方向とほぼ直角方向が多
く、直角方向の割れの投影長さＰｒｔと長手方向の割れ
の投影長さＰｒｌとの比がＰ ｒ ｔ ／ ｐ ｒ Ｑ
、） ５でかツａ ＜ １０ μｍ又は割れの１００個
中の最大割れ深さｄＭと所定断面に＝８− おける平均割れ深さｄｍとの比が平均してｄＭ／ｄ ｍ
＜ ３である構成、硬質薄体に発生させた割れは、割
れのオーバーハングした側壁長さＷｏｏと全側壁長さＷ
との比がＷｏｏ／Ｗ＞０．１である構成、硬質薄体に割
れを発生させる部分は、半導体チップの樹脂部とリード
フレームとの境界面、境界面より半導体チップ側の所定
の深さ部分又はリードフレームの足の曲げ部である構成
、硬質薄体に割れを発生する部分は、半導体チップの最
薄方向と直交する面内でかつリードフレームの平面部で
ある構成でも良い。
深さｄｍと表面での割れ開口長さａとの関係がｄ ｍ
／ ａ ＞ １でかつａ ＜ １０μｍ又は近接する割
れ間のピッチＰと割れ開口長さａとの関係が５０ ＜
Ｐ ／ ａ ＜ ５でかつａ （１０μｍである構成、
硬質薄体に発生させた割れの方向は、樹脂封止されてい
ないリードフレームの足の長手方向とほぼ直角方向が多
く、直角方向の割れの投影長さＰｒｔと長手方向の割れ
の投影長さＰｒｌとの比がＰ ｒ ｔ ／ ｐ ｒ Ｑ
、） ５でかツａ ＜ １０ μｍ又は割れの１００個
中の最大割れ深さｄＭと所定断面に＝８− おける平均割れ深さｄｍとの比が平均してｄＭ／ｄ ｍ
＜ ３である構成、硬質薄体に発生させた割れは、割
れのオーバーハングした側壁長さＷｏｏと全側壁長さＷ
との比がＷｏｏ／Ｗ＞０．１である構成、硬質薄体に割
れを発生させる部分は、半導体チップの樹脂部とリード
フレームとの境界面、境界面より半導体チップ側の所定
の深さ部分又はリードフレームの足の曲げ部である構成
、硬質薄体に割れを発生する部分は、半導体チップの最
薄方向と直交する面内でかつリードフレームの平面部で
ある構成でも良い。
そして、半導体チップとリードフレーム及びそれらを覆
う樹脂部とからなる樹脂封止半導体の製造方法において
、リードフレームの表層部に硬質薄体を生成し、硬質薄
体に割れを発生させて微細な凹凸を形成する工程は、リ
ードフレームの曲げ変形工程又は化学処理によるプロセ
スである構成とする。
う樹脂部とからなる樹脂封止半導体の製造方法において
、リードフレームの表層部に硬質薄体を生成し、硬質薄
体に割れを発生させて微細な凹凸を形成する工程は、リ
ードフレームの曲げ変形工程又は化学処理によるプロセ
スである構成とする。
また、硬質薄体をメッキ、溶射又は拡散浸透処理の物理
化学的方法で生成した構成、硬質薄体の割れは、大気中
でリードフレームを所定の曲率で変形、ショットピーニ
ング加工又は水素吸収処理後の変形、ショットピーニン
グ加工により形成する構成、硬質薄体の凹凸は、硬質薄
体に生成する溶融金属をリードフレームの基板に噴射し
て付着させた構成、硬質薄体の凹凸は、金網状の硬質薄
体をリードフレームの基板に焼成、圧延又は圧着して形
成した構成、硬質薄体の凹凸は、セラミック粒子にＡｌ
コーティングした粒状体をリードフレームの基板に圧着
又は焼成して形成した構成でも良い。
化学的方法で生成した構成、硬質薄体の割れは、大気中
でリードフレームを所定の曲率で変形、ショットピーニ
ング加工又は水素吸収処理後の変形、ショットピーニン
グ加工により形成する構成、硬質薄体の凹凸は、硬質薄
体に生成する溶融金属をリードフレームの基板に噴射し
て付着させた構成、硬質薄体の凹凸は、金網状の硬質薄
体をリードフレームの基板に焼成、圧延又は圧着して形
成した構成、硬質薄体の凹凸は、セラミック粒子にＡｌ
コーティングした粒状体をリードフレームの基板に圧着
又は焼成して形成した構成でも良い。
、〔作用〕
本発明の樹脂封止半導体及びその製造方法しこよれば、
リードフレームに硬質薄体を生成し、その硬質薄体に割
れを発生させるとともに、それぞれの材質と割れの形状
とを選択することによって、リードフレームと樹脂との
境界面に生じる残留応力や、腐食性環境中の実使用に伴
う境界面に生じる応力又は腐食作用がなくなる。つまり
各材質の種類や製造プロセスを配慮することによって、
硬質薄体の表層部に形成される割れは、オーバハングし
た形状となって最も有効なアンカー効果をもたらし、境
界面における接着強度が強くなる。
リードフレームに硬質薄体を生成し、その硬質薄体に割
れを発生させるとともに、それぞれの材質と割れの形状
とを選択することによって、リードフレームと樹脂との
境界面に生じる残留応力や、腐食性環境中の実使用に伴
う境界面に生じる応力又は腐食作用がなくなる。つまり
各材質の種類や製造プロセスを配慮することによって、
硬質薄体の表層部に形成される割れは、オーバハングし
た形状となって最も有効なアンカー効果をもたらし、境
界面における接着強度が強くなる。
本発明の実施例を第１図〜第１１図を参照しながら総括
的に説明する。第１０図、第１１図、第１図及第２図に
示されるように、半導体チップ２０とリードフレーム２
及びそれらを覆う樹脂部２２とからなる樹脂封止半導体
において、リードフレーム２の表層部に硬質薄体９を生
成し、硬質薄体９に割れ１０を発生させて微細な凹凸を
形成するように構成されている。
的に説明する。第１０図、第１１図、第１図及第２図に
示されるように、半導体チップ２０とリードフレーム２
及びそれらを覆う樹脂部２２とからなる樹脂封止半導体
において、リードフレーム２の表層部に硬質薄体９を生
成し、硬質薄体９に割れ１０を発生させて微細な凹凸を
形成するように構成されている。
そしてリードフレーム２の基板８は、３０〜６０ｗｔ％
のＮｉを含む鉄系材料又は少くとも８０ｗｔ％のＣｕを
含む銅系材料である構成又はリードフレーム２は、４２
〜５２ｗｔ％残部鉄の合金又は少くとも９８ｗｔ％の純
銅で形成し、その硬質薄体９はＳｎとＮｉとの合金であ
る構成でも良Ｖ’ａ また、硬質薄体９は、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｄ。
のＮｉを含む鉄系材料又は少くとも８０ｗｔ％のＣｕを
含む銅系材料である構成又はリードフレーム２は、４２
〜５２ｗｔ％残部鉄の合金又は少くとも９８ｗｔ％の純
銅で形成し、その硬質薄体９はＳｎとＮｉとの合金であ
る構成でも良Ｖ’ａ また、硬質薄体９は、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｄ。
Ｚｎ、Ｐｂおよびそれらを含む合金で生成し、そのビッ
カース硬度は少くとも４００である構成とする。
カース硬度は少くとも４００である構成とする。
さらにリードフレーム２の基板８と硬質薄体９との間に
それぞれの拡散合金層又は第３の軟質材を形成した構成
でも良い。
それぞれの拡散合金層又は第３の軟質材を形成した構成
でも良い。
そして、硬質薄体９に発生させた割れは、第８図に示さ
れる割れ１６．１７の平均割れ深さｄｍと表面での割れ
開口長さａとの関係がｄ ｍ ／ ａ ＞１でかつａ
＜ １０μｍ又は近接する割れ間のピッチＰと割れ開口
長さａとの関係が５０ ＜ Ｐ ／ ａ ＜５でかつａ
〈１０μｍである構成、硬質薄体９に発生させた割れの
方向は、第９図に示される樹脂封止されていないリード
フレーム２の足の長手方向とほぼ直角方向が多く、直角
方向の割れ１４の投影長さＰｒｔと長手方向の割れ１５
の投影長さＰｒＱとの比がＰ ｒ ｔ ／ ｐ ｒｎ
：＞ ５でかつａ ＜ １０μｍ又は割れ１４．１５の
１００個中の最大割れ深さｄＭと所定断面における平均
割れ深さｄｍとの比が平均してｄ Ｍ ／ ｄ ｍ ＜
３である構成、硬＝１２ 質薄体９に発生させた第８図に示される割れ１６゜１７
は、割れ１７のオーバーハングした側壁長さＷＯＨと全
側壁長さＷとの比がＷｏｏ／Ｗ＞０．１である構成、硬
質薄体に割れを発生させる部分は、第１１図に示される
半導体チップ２０の樹脂部２２とリードフレーム２との
境界面２５、境界面２５より半導体チップ側の所定の深
さ部分２４又はリードフレームの足の曲げ部１９である
構成、硬質薄体９に割れ１０を発生する部分は、半導体
チップ２０の最薄方向Ｂと直交する面Ｃ内でかつり一ド
フレーム２の平面部である構成でも良い。
れる割れ１６．１７の平均割れ深さｄｍと表面での割れ
開口長さａとの関係がｄ ｍ ／ ａ ＞１でかつａ
＜ １０μｍ又は近接する割れ間のピッチＰと割れ開口
長さａとの関係が５０ ＜ Ｐ ／ ａ ＜５でかつａ
〈１０μｍである構成、硬質薄体９に発生させた割れの
方向は、第９図に示される樹脂封止されていないリード
フレーム２の足の長手方向とほぼ直角方向が多く、直角
方向の割れ１４の投影長さＰｒｔと長手方向の割れ１５
の投影長さＰｒＱとの比がＰ ｒ ｔ ／ ｐ ｒｎ
：＞ ５でかつａ ＜ １０μｍ又は割れ１４．１５の
１００個中の最大割れ深さｄＭと所定断面における平均
割れ深さｄｍとの比が平均してｄ Ｍ ／ ｄ ｍ ＜
３である構成、硬＝１２ 質薄体９に発生させた第８図に示される割れ１６゜１７
は、割れ１７のオーバーハングした側壁長さＷＯＨと全
側壁長さＷとの比がＷｏｏ／Ｗ＞０．１である構成、硬
質薄体に割れを発生させる部分は、第１１図に示される
半導体チップ２０の樹脂部２２とリードフレーム２との
境界面２５、境界面２５より半導体チップ側の所定の深
さ部分２４又はリードフレームの足の曲げ部１９である
構成、硬質薄体９に割れ１０を発生する部分は、半導体
チップ２０の最薄方向Ｂと直交する面Ｃ内でかつり一ド
フレーム２の平面部である構成でも良い。
そして、半導体チップ２０とリードフレーム２及びそれ
らを覆う樹脂部２２とからなる樹脂封止半導体の製造方
法において、リードフレーム２の表層部に硬質薄体９を
生成し、硬質薄体９に割れを発生させて微細な凹凸を形
成する工程は、リードフレーム２の曲げ変形工程又は化
学処理によるプロセスである構成とする。
らを覆う樹脂部２２とからなる樹脂封止半導体の製造方
法において、リードフレーム２の表層部に硬質薄体９を
生成し、硬質薄体９に割れを発生させて微細な凹凸を形
成する工程は、リードフレーム２の曲げ変形工程又は化
学処理によるプロセスである構成とする。
また、硬質薄体９をメッキ、溶射又は拡散浸透処理の物
理化学的方法で生成した構成、硬質薄体９の割れ１０は
、大気中でリードフレーム２を所定の曲率で変形、ショ
ットピーニング加工又は水素吸収処理後の変形、ショッ
トピーニング加工により形成する構成、硬質薄体９の凹
凸は、硬質薄体９に生成する溶融金属をリードフレーム
２の基板８に噴射して付着させた構成、硬質薄体９の凹
凸は、金網状の硬質薄体９をリードフレーム２の基板８
に焼成、圧延又は圧着して形成した構成、硬質薄体９の
凹凸は、セラミック粒子にＡΩコーティングした粒状体
をリードフレーム２の基板８に圧着又は焼成して形成し
た構成でも良い。
理化学的方法で生成した構成、硬質薄体９の割れ１０は
、大気中でリードフレーム２を所定の曲率で変形、ショ
ットピーニング加工又は水素吸収処理後の変形、ショッ
トピーニング加工により形成する構成、硬質薄体９の凹
凸は、硬質薄体９に生成する溶融金属をリードフレーム
２の基板８に噴射して付着させた構成、硬質薄体９の凹
凸は、金網状の硬質薄体９をリードフレーム２の基板８
に焼成、圧延又は圧着して形成した構成、硬質薄体９の
凹凸は、セラミック粒子にＡΩコーティングした粒状体
をリードフレーム２の基板８に圧着又は焼成して形成し
た構成でも良い。
次に、それぞれの実施例の実験値について説明する。
（実施例１）
第１図に３００ｐｍ厚さの５ＯＮｉ合金に３μｍ厚さの
Ｓ ｎ ／ Ｎ ｉ合金メッキを両側に施こしたリード
フレーム２を、曲げ治具３および曲げ治具４にはさみ、
曲げることで、Ｓ ｎ ／ Ｎ ｉ合金層に割れを入れ
る手法の概要が示される。第２図はそのようにして得た
割れ１０の断面形状の例である。
Ｓ ｎ ／ Ｎ ｉ合金メッキを両側に施こしたリード
フレーム２を、曲げ治具３および曲げ治具４にはさみ、
曲げることで、Ｓ ｎ ／ Ｎ ｉ合金層に割れを入れ
る手法の概要が示される。第２図はそのようにして得た
割れ１０の断面形状の例である。
また第３図はその表面の拡大図である。この素材のよう
にして作成したリードフレームを用いＩＭｂｉｔ、ＤＲ
ＡＭを作成した。使用した樹脂材料はノボラック系エポ
キシ樹脂で、トランスファマシン（射出成形機）を用い
２００℃で成形した。
にして作成したリードフレームを用いＩＭｂｉｔ、ＤＲ
ＡＭを作成した。使用した樹脂材料はノボラック系エポ
キシ樹脂で、トランスファマシン（射出成形機）を用い
２００℃で成形した。
このようにして作成したＤＲＡＭを０１２１℃、ＰＣＴ
試験（圧力鍋による水蒸気加湿試験）、■３％Ｎ ａ
ＣＱ溶液中にｌｈｒ予浸漬後の６５℃／８５％ＲＨ試験
（相対湿度試験）および■６５℃／８５％ＲＨ試験を行
なった。その結果、１０００ｈｒ保持後におけるＬＳＩ
（半導体）動作故障を生じた製品の割合は、■ＰＣＴ
試験において１ケ１５００ケ試験体、■３％ＮａＣＱ予
浸漬後の６５°Ｃ／８５％ＲＨ試験では１ヶ／１０００
ケ試験体および■６５℃／８５％ＲＨ試験ではＯケ／１
０００ケ試験体であった。
試験（圧力鍋による水蒸気加湿試験）、■３％Ｎ ａ
ＣＱ溶液中にｌｈｒ予浸漬後の６５℃／８５％ＲＨ試験
（相対湿度試験）および■６５℃／８５％ＲＨ試験を行
なった。その結果、１０００ｈｒ保持後におけるＬＳＩ
（半導体）動作故障を生じた製品の割合は、■ＰＣＴ
試験において１ケ１５００ケ試験体、■３％ＮａＣＱ予
浸漬後の６５°Ｃ／８５％ＲＨ試験では１ヶ／１０００
ケ試験体および■６５℃／８５％ＲＨ試験ではＯケ／１
０００ケ試験体であった。
一方、前記の割れ発生処理をしない場合は、■。
■および■の同様な各試験法における動作故障率はそれ
ぞれ１２ケ１５００ケ、３２０ケ／１０００ケおよび３
ヶ／１０００ケ試験体であった。また、この場合の製品
を解体検査すると、故障発生品の総べておよび未故障品
の多くはリードフレムと樹脂間が剥離しており、この部
分より水分が半導体チップ上に達し半導体チップ上のＡ
ｆｌ配線が腐食断線していた。
ぞれ１２ケ１５００ケ、３２０ケ／１０００ケおよび３
ヶ／１０００ケ試験体であった。また、この場合の製品
を解体検査すると、故障発生品の総べておよび未故障品
の多くはリードフレムと樹脂間が剥離しており、この部
分より水分が半導体チップ上に達し半導体チップ上のＡ
ｆｌ配線が腐食断線していた。
一方、本発明手法に基づく製品では前記剥離がほとんど
生じてないことがわかった。
生じてないことがわかった。
以上より、請求項１が有効と判断される。
（実施例２）
前記の手法の一部において素材、処理法、割れ及び表面
状況などを第１表に示されるように変化させた。その結
果、前記■〜■の動作故障評価試験法■〜■における故
障率は表中に示す値を示した。以下詳細に説明する。
状況などを第１表に示されるように変化させた。その結
果、前記■〜■の動作故障評価試験法■〜■における故
障率は表中に示す値を示した。以下詳細に説明する。
第１表のＮα１は実施例１の場合であり、評価試験結果
（故障率）の欄中（）内の値は加工・処理を与えない場
合の値である。
（故障率）の欄中（）内の値は加工・処理を与えない場
合の値である。
Ｎα２は実施例１と同様な素材を用い同様に加工・処理
を与えた場合であるが、加工時点で第１図に示されるよ
うに、腐食液６は０．１％Ｈ２ＳＯ４溶液を用い、直流
電源５により、リードフレームに＋３ ｍ Ａ ／ ａ
Ｋの電流を合計２分間付与した。その結果、第３図に示
される微細な割れの側壁を発生しその下方が腐食浸食し
、第５図に示される断面形状が得られた。なお第４図は
本腐食処理なしの場合である。その結果、樹脂との接着
強度がＮα１の場合以上に増大することが確認された。
を与えた場合であるが、加工時点で第１図に示されるよ
うに、腐食液６は０．１％Ｈ２ＳＯ４溶液を用い、直流
電源５により、リードフレームに＋３ ｍ Ａ ／ ａ
Ｋの電流を合計２分間付与した。その結果、第３図に示
される微細な割れの側壁を発生しその下方が腐食浸食し
、第５図に示される断面形状が得られた。なお第４図は
本腐食処理なしの場合である。その結果、樹脂との接着
強度がＮα１の場合以上に増大することが確認された。
それが表中に示される故障率の低下として表われたもの
である。
である。
以上より、請求項１１が有効と判断される。なお、この
ように腐食液中において割れを入れる場合、均一な割れ
がより低い曲げ変形で得られることが確認されており、
最終的に平板に曲げ直しする作業の減少あるいは省略が
可能である。
ように腐食液中において割れを入れる場合、均一な割れ
がより低い曲げ変形で得られることが確認されており、
最終的に平板に曲げ直しする作業の減少あるいは省略が
可能である。
次に第１表のＮα３はリードフレームの素材の化学組成
を変化させた場合であり、表中に示した範囲の材料を準
備して、その他は実施例１と同様にして試験した。その
結果■Ｎｉ含有量が３０ｗｔ％以下、６０ｗｔ％以上の
場合および■Ｃｕ含有量が８０ｗｔ％以下の場合は、そ
れぞれＰＣＴ試験による故障率がＮα１を上回り、０．
５〜１．５％を示した。一方、Ｎｉ含有量が３０〜６０
ｗｔ％残部Ｆｅの場合およびＣｕ含有量が８０ｗｔ％以
上の場合は故障率が０．２〜０．３％を示し、Ｎｉ含有
量が４２〜５２ｗｔ％の場合およびＣｕ含有量が９８ｗ
ｔ％の場合の故障率０．１５〜０゜２％に近い値を示し
た。よって、請求項２が有効と判断される。また請求項
３が更に有効と判断される。
を変化させた場合であり、表中に示した範囲の材料を準
備して、その他は実施例１と同様にして試験した。その
結果■Ｎｉ含有量が３０ｗｔ％以下、６０ｗｔ％以上の
場合および■Ｃｕ含有量が８０ｗｔ％以下の場合は、そ
れぞれＰＣＴ試験による故障率がＮα１を上回り、０．
５〜１．５％を示した。一方、Ｎｉ含有量が３０〜６０
ｗｔ％残部Ｆｅの場合およびＣｕ含有量が８０ｗｔ％以
上の場合は故障率が０．２〜０．３％を示し、Ｎｉ含有
量が４２〜５２ｗｔ％の場合およびＣｕ含有量が９８ｗ
ｔ％の場合の故障率０．１５〜０゜２％に近い値を示し
た。よって、請求項２が有効と判断される。また請求項
３が更に有効と判断される。
ここで、前記化学組成が良い理由は、素材の熱膨張率が
シリコンチップ、樹脂との関係から、パッケージングス
トレスが大きいために起因するものと考えられる。
シリコンチップ、樹脂との関係から、パッケージングス
トレスが大きいために起因するものと考えられる。
次に第１表Ｎα４は実施例１のＳ ｎ ／ Ｎ ｉ合金
メッキに代えて、純りｎ、純Ｎｉ、純Ｃｒ、純Ｃｄ。
メッキに代えて、純りｎ、純Ｎｉ、純Ｃｒ、純Ｃｄ。
純Ｚｎおよび純ｐｂそれらの合金メッキ、たとえば３０
Ｓｎ−７ＯＮｉ、Ｐｂ−８ｂ及びＮ１−Ｐなどを用いた
。その結果、いずれの場合においても、メッキ層に割れ
が生じた場合は接着力の増大が見られた。しかし硬質薄
体の硬さがＨｖ≦４゜０の場合は、割れを入れるために
リードフレームの変形量が大きくなり、その後の曲げ修
正作業が手間を要し能率的でない。したがって、その硬
さをＨｖ≧４００とする材料を選択することが有効であ
る。
Ｓｎ−７ＯＮｉ、Ｐｂ−８ｂ及びＮ１−Ｐなどを用いた
。その結果、いずれの場合においても、メッキ層に割れ
が生じた場合は接着力の増大が見られた。しかし硬質薄
体の硬さがＨｖ≦４゜０の場合は、割れを入れるために
リードフレームの変形量が大きくなり、その後の曲げ修
正作業が手間を要し能率的でない。したがって、その硬
さをＨｖ≧４００とする材料を選択することが有効であ
る。
以上より請求項４が有効と判断される。
次に第１表のＮα６は、Ｎα１においてＳ ｎ ／ Ｎ
ｉ層を蒸着により５μｍ厚さで付与後、３５０°Ｃ×
１ ／ ４ ｈ ｒの焼鈍を行ない５ＯＮｉ合金とＳｎ
／Ｎｉ合金層間に拡散合金層を与えた場合である。
ｉ層を蒸着により５μｍ厚さで付与後、３５０°Ｃ×
１ ／ ４ ｈ ｒの焼鈍を行ない５ＯＮｉ合金とＳｎ
／Ｎｉ合金層間に拡散合金層を与えた場合である。
ここでこれらの硬質薄体をそのまま曲げ変形すると第６
図に示されるようにリードフレームと接合が不十分であ
るためか、曲げ変形により硬質薄体の一部が脱落して、
実用に供しにくい表面となるのに対し、前記の焼鈍を与
えた場合は、第７図に示されるように割れが拡散合金層
の手前あるいはその中間で停止し、硬質薄体の脱落は生
じなかった。これらの手法は請求項１，３あるいは４に
ついても有効と確認された。以上より、請求項５もまた
有効と判断される。
図に示されるようにリードフレームと接合が不十分であ
るためか、曲げ変形により硬質薄体の一部が脱落して、
実用に供しにくい表面となるのに対し、前記の焼鈍を与
えた場合は、第７図に示されるように割れが拡散合金層
の手前あるいはその中間で停止し、硬質薄体の脱落は生
じなかった。これらの手法は請求項１，３あるいは４に
ついても有効と確認された。以上より、請求項５もまた
有効と判断される。
次に第１表のＮα７はＮα１においてＳ ｎ ／ Ｎ
ｉ合金メッキ層に代えてＳ ｎ ３０ ／ Ｎ ｉ ７
０合金のフレーム溶射、およびＳｎメッキ後における８
００℃Ｘ３／２分の拡散浸透処理を行った場合である。
ｉ合金メッキ層に代えてＳ ｎ ３０ ／ Ｎ ｉ ７
０合金のフレーム溶射、およびＳｎメッキ後における８
００℃Ｘ３／２分の拡散浸透処理を行った場合である。
そして、前者の平均膜厚を３０μｍ、後者を３μｍ、そ
の他は実施例１と同様である。
の他は実施例１と同様である。
この場合はＳ ｎ ／ Ｎ ｉ合金メッキに比べ、割れ
の発生密度やその分布にばらつきが大きいものの、故障
率の改善効果は明確に存在する。
の発生密度やその分布にばらつきが大きいものの、故障
率の改善効果は明確に存在する。
よって、請求項１２が有効と判断される。
次に第１表のＮα８はＮα１における割れ発生加工をａ
）所定曲率での変形、ｂ）ワイヤーピーニング加工、Ｃ
）水素吸収処理後のショットピーニングとした。ａ）で
は第１図に示されるように曲げ治具３と曲げ治具４の加
工面の曲率をリードフレムの上下にフィツト（密着）す
るように設定し、リードフレームに上下から強くおしつ
けることで所定の変形を与える手法を取った。
）所定曲率での変形、ｂ）ワイヤーピーニング加工、Ｃ
）水素吸収処理後のショットピーニングとした。ａ）で
は第１図に示されるように曲げ治具３と曲げ治具４の加
工面の曲率をリードフレムの上下にフィツト（密着）す
るように設定し、リードフレームに上下から強くおしつ
けることで所定の変形を与える手法を取った。
ｂ）ではリードフレームを移動させながら、レベラーを
用いφ３Ｘ１０００Ｑの棒鋼のたばを圧縮空気力により
激しく加工面に打ちつける手法をとった。
用いφ３Ｘ１０００Ｑの棒鋼のたばを圧縮空気力により
激しく加工面に打ちつける手法をとった。
Ｃ）では第１図におけるタンク７中での変形は行なわず
、０．１％Ｈ２ＳＯ４溶液中で−３，０ｍＡ／ｃＪのカ
ソード水素吸収処理を合計１０分間与えた直後、２５０
μｍ粒径のＳｉＮ砂粒を圧縮空気流により高速でリード
フレーム上にふきつけた。
、０．１％Ｈ２ＳＯ４溶液中で−３，０ｍＡ／ｃＪのカ
ソード水素吸収処理を合計１０分間与えた直後、２５０
μｍ粒径のＳｉＮ砂粒を圧縮空気流により高速でリード
フレーム上にふきつけた。
これらの結果、前記ａ）では従来、偶発的に又は部分的
に生じていた硬質薄体の脱落がほとんど生じなくなった
。また前記ｂ）では加工処理後のりドフレームに曲りや
変形がなく、その後の曲げ直しく曲がり取り）が不要と
なった。また、前記Ｃ）では硬質薄体中に水素が吸収さ
れ脆くなることで、わずかなショットピーニング加工に
より割れを入れることが可能となった。このようにして
作成した製品の故障率は従来のものと同様に優れていた
。以上より、本加工法による処理は加工の容易さの他に
その後の加工・処置も容易となり、請求項１３が有効と
判断される。
に生じていた硬質薄体の脱落がほとんど生じなくなった
。また前記ｂ）では加工処理後のりドフレームに曲りや
変形がなく、その後の曲げ直しく曲がり取り）が不要と
なった。また、前記Ｃ）では硬質薄体中に水素が吸収さ
れ脆くなることで、わずかなショットピーニング加工に
より割れを入れることが可能となった。このようにして
作成した製品の故障率は従来のものと同様に優れていた
。以上より、本加工法による処理は加工の容易さの他に
その後の加工・処置も容易となり、請求項１３が有効と
判断される。
次に第１−表のＮα９−１〜Ｎα９−４は、Ｎα１にお
いて作成した多数の試験体について検討したものであり
、故障率と割れの形態について検討したものである。Ｎ
α９−１は平均割れ深さｄｍと割れ開口長さａおよびａ
の絶対値に関するもので、当初ａは大きい程優れた樹脂
接着特性を示すように考えられたが、ａが１０μｍ以上
では割れ数の密度や分布が粗くなり、実質的な効果が減
少した。またその深さｄｍあるいはピッチＰについては
表中に示される関係を満足した方が故障率は小さい傾向
を示した。
いて作成した多数の試験体について検討したものであり
、故障率と割れの形態について検討したものである。Ｎ
α９−１は平均割れ深さｄｍと割れ開口長さａおよびａ
の絶対値に関するもので、当初ａは大きい程優れた樹脂
接着特性を示すように考えられたが、ａが１０μｍ以上
では割れ数の密度や分布が粗くなり、実質的な効果が減
少した。またその深さｄｍあるいはピッチＰについては
表中に示される関係を満足した方が故障率は小さい傾向
を示した。
同様に、Ｎｎ ９−２では割れの平面形態がリードフレ
ームの足の長手方向（樹脂中への水分の拡散侵入Ａ方向
）と直角な割れの全投影長さ平面から見た長さＰｒｌと
、リードフレームの足の長手方向の全投影長さＰｒＱ、
が表中に示される関係を満足し、ａ〈１０μｍの場合が
故障率は小□さくなる傾向を示した。
ームの足の長手方向（樹脂中への水分の拡散侵入Ａ方向
）と直角な割れの全投影長さ平面から見た長さＰｒｌと
、リードフレームの足の長手方向の全投影長さＰｒＱ、
が表中に示される関係を満足し、ａ〈１０μｍの場合が
故障率は小□さくなる傾向を示した。
同様にＮα９−３より任意断面における最大割れ深さｄ
Ｍとｄｍとの比が３以下の場合は、前記の割れ発生処理
又は半導体のリードフレームの足の曲げ加工において、
多数の割れが均質に出てスムスに曲げることが可能にな
るものの、ｄＭ／ｄｍ ＞ ３では均質な密度分布の割
れが得られず、同時に前記のリードフレームの足曲げ加
工でわずかな頻度ではあるが足が折れるものがあった。
Ｍとｄｍとの比が３以下の場合は、前記の割れ発生処理
又は半導体のリードフレームの足の曲げ加工において、
多数の割れが均質に出てスムスに曲げることが可能にな
るものの、ｄＭ／ｄｍ ＞ ３では均質な密度分布の割
れが得られず、同時に前記のリードフレームの足曲げ加
工でわずかな頻度ではあるが足が折れるものがあった。
同様にＮα９−４より、任意断面における割れ形態を第
８図に示されるように、オーバハングしていない割れ側
壁１６の長さＷとオーバハングした割れ側壁１７の長さ
ＷＯＨとを分類した場合、Ｗｏ。
８図に示されるように、オーバハングしていない割れ側
壁１６の長さＷとオーバハングした割れ側壁１７の長さ
ＷＯＨとを分類した場合、Ｗｏ。
の全側壁Ｗにおける割合いが０．１以上の場合は前記故
障率が小さい傾向を示した。そして、第１表中に示した
関係を満足した製品は確実に優れていた。一方、表中の
関係を満足しない製品の多くは故障率が表中の値の３〜
８倍を示すものが散在していた。
障率が小さい傾向を示した。そして、第１表中に示した
関係を満足した製品は確実に優れていた。一方、表中の
関係を満足しない製品の多くは故障率が表中の値の３〜
８倍を示すものが散在していた。
以上より、請求項６が有効と判断される。
（実施例３）
第１０図及び第１１図に示されるように前記の割れ発生
部分（斜線部分）１９をリードフレームの一部分に特定
した。すなわち、半導体形状の最も薄いＢ方向に直角な
面Ｃのリードフレームの足部分で封止樹脂との接合部の
端面の内側直下りおよび外側直下Ｆである。
部分（斜線部分）１９をリードフレームの一部分に特定
した。すなわち、半導体形状の最も薄いＢ方向に直角な
面Ｃのリードフレームの足部分で封止樹脂との接合部の
端面の内側直下りおよび外側直下Ｆである。
ここで内側直下りは樹脂かり−１くフレームより剥離し
始める部分であり、この部分の接合が十分であれば、そ
の他の部分は不要になるはずである。
始める部分であり、この部分の接合が十分であれば、そ
の他の部分は不要になるはずである。
また半導体形状の最も薄いＢ方向に直角な面Ｃはパッケ
ージングの際のストレスが最も大きく、剥離しやすい部
分である。次に外側直下Ｆは第１１図より明らかなよう
にリードフレームの足を曲げる部分に相当し、この曲げ
応力が小さければ地点２４に樹脂とり−トフレームとの
境界面が開口あるいは機械的損傷を受けにくくなること
が期待される。このような期待より、第１０図における
割れ発生部分１９のみに前記の表面割れ処理を施こした
。その結果、第１表Ｎα１０に示されるように、全面に
表面割れ処理した場合と大差のないことが明らかになっ
た。
ージングの際のストレスが最も大きく、剥離しやすい部
分である。次に外側直下Ｆは第１１図より明らかなよう
にリードフレームの足を曲げる部分に相当し、この曲げ
応力が小さければ地点２４に樹脂とり−トフレームとの
境界面が開口あるいは機械的損傷を受けにくくなること
が期待される。このような期待より、第１０図における
割れ発生部分１９のみに前記の表面割れ処理を施こした
。その結果、第１表Ｎα１０に示されるように、全面に
表面割れ処理した場合と大差のないことが明らかになっ
た。
以上より、請求項９が有効と判断される。
ここで、本手法を適用することにより、各種処理におけ
る素材の利用や加工範囲が縮小されるため、原価低下、
省力化が得られる効果もある。
る素材の利用や加工範囲が縮小されるため、原価低下、
省力化が得られる効果もある。
本発明によれば、樹脂封止半導体のリードフレームに硬
質薄体を生成し、その表層部に割れを発生させることに
よって、樹脂のリードフレームに対する接着強度が向上
して耐湿性に優れた半導体が得られるため、厳しい腐食
性環境中においても半導体の使用が可能になるとともに
、故障し難くなることで機器の信頼性が向上し、半導体
の使用範囲及び適用範囲が拡大される効果がある。
質薄体を生成し、その表層部に割れを発生させることに
よって、樹脂のリードフレームに対する接着強度が向上
して耐湿性に優れた半導体が得られるため、厳しい腐食
性環境中においても半導体の使用が可能になるとともに
、故障し難くなることで機器の信頼性が向上し、半導体
の使用範囲及び適用範囲が拡大される効果がある。
一方、本発明により、高価な素材や、加工法及びプロセ
スなどが省力化されるため、安価な半導体が製造可能と
なる効果もある。
スなどが省力化されるため、安価な半導体が製造可能と
なる効果もある。
第１図は本発明の一実施例の製造方法を示す縦断面図、
第２図は第１図の一部を拡大した縦断面図、第３図は第
２図の■方向より割れ形状を示す図、第４図〜第７図は
割れ形状を示す縦断面図、第８図及び第９図は割れ形状
の一部拡大図、第１０図は半導体のリードフレームの割
れ部分を示す平面図、第１１図は樹脂とリードフレーム
の境界面を説明する一部縦断面図である。 ２・・リードフレーム、５・・直流電源、６・・・腐食
処理液、８・・基板、９・・硬質薄板、１０・・・割れ
。
第２図は第１図の一部を拡大した縦断面図、第３図は第
２図の■方向より割れ形状を示す図、第４図〜第７図は
割れ形状を示す縦断面図、第８図及び第９図は割れ形状
の一部拡大図、第１０図は半導体のリードフレームの割
れ部分を示す平面図、第１１図は樹脂とリードフレーム
の境界面を説明する一部縦断面図である。 ２・・リードフレーム、５・・直流電源、６・・・腐食
処理液、８・・基板、９・・硬質薄板、１０・・・割れ
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップとリードフレーム及びそれらを覆う樹
脂部とからなる樹脂封止半導体において、前記リードフ
レームの表層部に硬質薄体を生成し、該硬質薄体に割れ
を発生させて微細な凹凸を形成したことを特徴とする樹
脂封止半導体。 ２、リードフレームの基板は、３０〜６０ｗｔ％のＮｉ
を含む鉄系材料又は少くとも８０ｗｔ％のＣｕを含む銅
系材料であることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止
半導体。 ３、リードフレームの基板は、４２〜５２ｗｔ％残部鉄
の合金又は少くとも９８ｗｔ％の純銅で形成し、その硬
質薄体はＳｎとＮｉとの合金であることを特徴とする請
求項１又は２記載の樹脂封止半導体。 ４、硬質薄体は、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｐｂ
およびそれらを含む合金で生成し、そのビッカース硬度
は少くとも４００であることを特徴とする請求項１、２
又は３記載の樹脂封止半導体。 ５、リードフレームの基板と硬質薄体との間にそれぞれ
の拡散合金層又は第３の軟質材を形成したことを特徴と
する請求項１〜４のいずれか１項記載の樹脂封止半導体
。 ６、硬質薄体に発生させた割れは、該割れの平均割れ深
さｄｍと表面での割れ開口長さａとの関係がｄｍ／ａ＞
１でかつａ＜１０μｍ又は近接する割れ間のピッチＰと
前記割れ開口長さａとの関係が５０＜Ｐ／ａ＜５でかつ
ａ＜１０μｍであることを特徴とする請求項１〜５のい
ずれか１項記載の樹脂封止半導体。 ７、硬質薄体に発生させた割れの方向は、樹脂封止され
ていないリードフレームの足の長手方向とほぼ直角方向
が多く、該直角方向の割れの投影長さＰｒｔと前記長手
方向の割れの投影長さＰｒｌとの比がＰｒｔ／ｐｒｌ＞
５でかつａ＜１０μｍ又は前記割れの１００個中の最大
割れ深さｄＭと所定断面における平均割れ深さｄｍとの
比が平均してｄＭ／ｄｍ＜３であることを特徴とする請
求項１〜６のいずれか１項記載の樹脂封止半導体。 ８、硬質薄体に発生させた割れは、該割れのオーバーハ
ングした側壁長さＷ＿Ｏ＿Ｈと全側壁長さＷとの比がＷ
＿Ｏ＿Ｈ／Ｗ＞０．１であることを特徴とする請求項１
〜７のいずれか１項記載の樹脂封止半導体。 ９、硬質薄体に割れを発生させる部分は、半導体チップ
の樹脂部とリードフレームとの境界面、該境界面より前
記半導体チップ側の所定の深さ部分又はリードフレーム
の足の曲げ部であることを特徴とする請求項１〜８のい
ずれか１項記載の樹脂封止半導体。 １０、硬質薄体に割れを発生する部分は、半導体チップ
の最薄方向と直交する面内でかつリードフレームの平面
部であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項
記載の樹脂封止半導体。 １１、半導体チップとリードフレーム及びそれらを覆う
樹脂部とからなる樹脂封止半導体の製造方法において、
前記リードフレームの表層部に硬質薄体を生成し、該硬
質薄体に割れを発生させて微細な凹凸を形成する工程は
、前記リードフレームの曲げ変形工程又は化学処理によ
るプロセスであることを特徴とする樹脂封止半導体の製
造方法。 １２、硬質薄体をメッキ、溶射又は拡散浸透処理の物理
化学的方法で生成したことを特徴とする請求項１１記載
の樹脂封止半導体の製造方法。 １３、硬質薄体の割れは、大気中でリードフレームを所
定の曲率で変形、ショットピーニング加工又は水素吸収
処理後の前記変形、前記ショットピーニング加工により
形成することを特徴とする請求項１１又は１２記載の樹
脂封止半導体の製造方法。 １４、硬質薄体の凹凸は、該硬質薄体に生成する溶融金
属をリードフレームの基板に噴射して付着させ形成させ
たことを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項記
載の樹脂封止半導体の製造方法。 １５、硬質薄体の凹凸は、金網状の該硬質薄体をリード
フレームの基板に焼成、圧延又は圧着して形成したこと
を特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項記載の樹
脂封止半導体の製造方法。 １６、硬質薄体の凹凸は、セラミック粒子にＡｌコーテ
ィングした粒状体をリードフレームの基板に圧着又は焼
成して形成したことを特徴とする請求項１１〜１３のい
ずれか１項記載の樹脂封止半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1108726A JP2651868B2 (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 樹脂封止半導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1108726A JP2651868B2 (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 樹脂封止半導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02285662A true JPH02285662A (ja) | 1990-11-22 |
| JP2651868B2 JP2651868B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=14491990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1108726A Expired - Lifetime JP2651868B2 (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 樹脂封止半導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2651868B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0621981A4 (en) * | 1992-01-17 | 1995-05-17 | Olin Corp | Lead frames with improved adhesion. |
| JPH08503423A (ja) * | 1992-11-23 | 1996-04-16 | ギューリング，ヨーク | 交換可能な切削チップを備えたドリル |
| WO1999043032A3 (de) * | 1998-02-20 | 1999-11-25 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit strukturiertem leadframe und verfahren zu dessen herstellung |
| JP2007266047A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Denso Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009032906A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置パッケージ |
| JP2012116126A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Hitachi Ltd | 金属樹脂複合構造体及びその製造方法、並びにバスバ、モジュールケース及び樹脂製コネクタ部品 |
| JP2013243394A (ja) * | 2013-07-25 | 2013-12-05 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置パッケージ |
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| JPS63181357A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hitachi Ltd | 面装着型半導体プラスチツクパツケ−ジ |
| JPS63180935U (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-22 | ||
| JPS63185250U (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-29 |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP1108726A patent/JP2651868B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| CN102529224A (zh) * | 2010-12-01 | 2012-07-04 | 株式会社日立制作所 | 金属树脂复合结构体及其制造方法、以及母线、模块壳体及树脂制连接器零件 |
| US9209044B2 (en) | 2010-12-01 | 2015-12-08 | Hitachi, Ltd. | Metal-resin composite, method for producing the same, busbar, module case, and resinous connector part |
| JP2013243394A (ja) * | 2013-07-25 | 2013-12-05 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置パッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2651868B2 (ja) | 1997-09-10 |
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