JPH02287647A - Storage device - Google Patents

Storage device

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Publication number
JPH02287647A
JPH02287647A JP10890789A JP10890789A JPH02287647A JP H02287647 A JPH02287647 A JP H02287647A JP 10890789 A JP10890789 A JP 10890789A JP 10890789 A JP10890789 A JP 10890789A JP H02287647 A JPH02287647 A JP H02287647A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
write data
registers
write
banks
clock period
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10890789A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tokunori Okuya
奥谷 徳典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP10890789A priority Critical patent/JPH02287647A/en
Publication of JPH02287647A publication Critical patent/JPH02287647A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To reduce the hardware quantity of a write data register and to reduce the cost by following it by providing plural pieces of OR gates, and using each write data resister in common between plural pieces of write data. CONSTITUTION:In the case the operation command is a block write command, a bank control circuit 2 generates a command at 1 clock period interval to write data registers 5a, 5b through timing generating circuits 3a - 3d, address registers 4a - 4d and OR gates 7, 8. The circuits 3a - 3d sent out operation start signals SRT delayed by 1 clock period each and write instruction signals WE delayed by 1 clock period from the signals SRT to the corresponding banks 1a - 1d. Also, plural pieces of write data transferred at 1 clock period interval onto a write data line D are held extending over a period of 2 clocks in the registers 5a, 5b, and written in the banks 1a - 1d by synchronizing with the signals SRT, WE. In such a way, the hardware quantity of the registers 5a, 5b can be reduced, therefore, the cost can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、データ処理装置内に設置される記憶装置に関
するものであり、特に、ブロック転送されてくる書込み
データを順次複数のバンクに書込んでゆく記憶装置に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a storage device installed in a data processing device, and particularly to a storage device that sequentially writes block-transferred write data to a plurality of banks. This is related to storage devices.

(従来の技術) データ処理装置内に設置される記憶装置には、n個のバ
ンクから構成され、ブロック転送されてくるn個のデー
タのそれぞれを順次それぞれのバンクに書込んでゆく形
態のものがある。
(Prior Art) A storage device installed in a data processing device is composed of n banks, and each of the n data transferred in blocks is sequentially written to each bank. There is.

第3図は、そのような記憶装置の構成をバンクが4個の
場合について例示するブロック図であり、11a〜li
dはバンク、12はバンク制御回路、138〜13dは
タイミング発生回路、14a〜14dはアドレスレジス
タ、15a〜15dは書込みデータレジスタである。
FIG. 3 is a block diagram illustrating the configuration of such a storage device in the case of four banks, 11a to li.
d is a bank, 12 is a bank control circuit, 138 to 13d are timing generation circuits, 14a to 14d are address registers, and 15a to 15d are write data registers.

バンク制御回路12は、中央処理装置などの他装置から
動作指令線Cを介して送出されてくる動作指令を解読し
、これがブロック書込み指令であれば、タイミング発生
回路13a〜13dと、アドレスレジスタ14a〜14
dと、書込みデータレジスタ15a〜15dのそれぞれ
に1クロック周期Tの間隔で順次動作指令を発する。タ
イミング発生回路13a〜13dは、第4図のタイミン
グチャートに示すように、対応のバンクlla〜lid
に1クロック周期Tずつ遅延した動作開始信号SRTと
書込み指示信号WEを送出する。デ−タ線り上にクロッ
ク周期Tの間隔で転送されてくる書込みデータWD (
Do、Di、D2.D3)は、順次書込みデータレジス
タ15a〜15dに保持され4クロック周期4Tの期間
にわたって保持されつつ対応のバンクlla〜lidに
順次書込まれる。なお、図示は省略されているが、アド
レス信号4iA上に1クロック周期Tの間隔で転送され
てくるアドレスは、対応のアドレスレジスタ143〜1
4dに対応の動作開始信号SRTと同一のタイミングで
4Tの期間にわたって保持され、対応のバンクlla〜
lidのアドレス端子に供給される。
The bank control circuit 12 decodes an operation command sent from another device such as a central processing unit via the operation command line C, and if it is a block write command, it decodes the operation command sent from another device such as a central processing unit, and if it is a block write command, it decodes the operation command sent from another device such as a central processing unit. ~14
d and each of the write data registers 15a to 15d, operation commands are sequentially issued at intervals of one clock period T. As shown in the timing chart of FIG.
The operation start signal SRT and the write instruction signal WE are sent out delayed by one clock period T. Write data WD (
Do, Di, D2. D3) are sequentially held in the write data registers 15a to 15d and are sequentially written to the corresponding banks lla to lid while being held for a period of 4 clock cycles 4T. Although not shown in the figure, the addresses transferred on the address signal 4iA at intervals of one clock period T are transferred to the corresponding address registers 143-1.
It is held for a period of 4T at the same timing as the operation start signal SRT corresponding to 4d, and the corresponding bank lla~
is supplied to the address terminal of the lid.

書込みデータレジスタ15a〜15dに4Tの期間にわ
たって保持される各書込みデータは、実際には、対応の
動作開始信号SRTがローに立下がってから対応の書込
み指令WEがハイ状態に復帰するまでの2Tの期間だけ
有効であればよい。
Each write data held in the write data registers 15a to 15d for a period of 4T is actually 2T from when the corresponding operation start signal SRT falls to low until the corresponding write command WE returns to high state. It only needs to be valid for a period of .

(発明が解決しようとする課題) 第3図と第4図によって説明した従来の記憶装置では、
バンクごとにタイミング発生回路とアドレスレジスタと
書込みデータレジスタとを設置しているため、ハードウ
ェア量が増大するという間■がある。タイミング発生回
路とアドレスレジスタについては高集積化やアドレスの
ビット幅が比較的小さいことからハードウェア量の増大
はそれほどの問題とはならないが、ビット幅の大きな書
込みデータレジスタではバンク数の増加やデータビット
幅の増加につれてそのハードウェア量が増加し、コスト
高になるという問題がある。
(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional storage device explained in FIGS. 3 and 4,
Since a timing generation circuit, an address register, and a write data register are provided for each bank, the amount of hardware increases. For timing generation circuits and address registers, an increase in the amount of hardware is not a major problem because of high integration and relatively small address bit widths, but for write data registers with large bit widths, the increase in the number of banks and the data There is a problem in that as the bit width increases, the amount of hardware increases, resulting in higher costs.

(課題を解決するための手段) 本発明の記憶装置は、各書込みデータレジスタは複数個
の書込みデータ間で共用することにより、書込みデータ
レジスタのハードウェア量の低′滅と、これに伴う低コ
スト化を実現するように構成されている。
(Means for Solving the Problems) In the storage device of the present invention, each write data register is shared among multiple pieces of write data, thereby reducing the amount of hardware for the write data register and the associated cost reduction. It is configured to realize cost reduction.

以下、本発明の作用を実施例と共に詳細に説明する。Hereinafter, the operation of the present invention will be explained in detail together with examples.

(実施例) 第1図は本発明の一実施例に係わる記憶装置の構成を示
すブロック図である。
(Embodiment) FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a storage device according to an embodiment of the present invention.

この記憶装置は、4個のバンク1a〜1dと、バンク制
御回路2と、4個のバンクに対応して設置されているタ
イミング発生回路3a〜3d及びアドレスレジスタ4a
〜4dと、それぞれが2個のバンクに共用される書込み
データレジスタ5a。
This storage device includes four banks 1a to 1d, a bank control circuit 2, timing generation circuits 3a to 3d installed corresponding to the four banks, and an address register 4a.
~4d, and write data registers 5a each shared by two banks.

5bと、オアゲート7.8と、関連の入出力信号線とを
備えている。
5b, an OR gate 7.8, and related input/output signal lines.

バンク制御回路2は、中央処理装置などの他装置から動
作指令線Cを介して送出されてくる動作指令を解読する
。バンク制御回路2は、動作指令がブロック書込み指令
であれば、タイミング発生回路33〜3dと、アドレス
レジスタ4a〜4dと、オアゲート5a、5bのそれぞ
れに1クロック周期Tの間隔で順次指令を発する。タイ
ミング発生回路3a〜3dは、第2図のタイミングチャ
ートに示すように、対応のバンクla〜1dに1クロッ
ク周MTずつ遅延した動作開始信号SRTを供給すると
共に、この動作開始信号SRTから更に1クロック周期
Tだけ遅延した書込み指示信号WEを送出する。データ
線り上にクロック周期Tの間隔で転送されてくる書込み
データWD (DO,Dl、D2.D3)は、第2図の
タイミングチャートに示すように、先頭の書込みデータ
DOが書込みデータレジスタ5aに2Tの期間にわたっ
て保持され、次のデータD1が書込みデータレジスタ5
bに2Tの期間にわたって保持される。
The bank control circuit 2 decodes an operation command sent from another device such as a central processing unit via an operation command line C. If the operation command is a block write command, the bank control circuit 2 sequentially issues commands to each of the timing generation circuits 33 to 3d, address registers 4a to 4d, and OR gates 5a and 5b at intervals of one clock period T. As shown in the timing chart of FIG. 2, the timing generation circuits 3a to 3d supply the corresponding banks la to 1d with an operation start signal SRT delayed by one clock cycle MT, and also supply an operation start signal SRT delayed by one clock cycle MT. A write instruction signal WE delayed by a clock period T is sent out. As shown in the timing chart of FIG. 2, the write data WD (DO, Dl, D2, D3) transferred on the data line at intervals of the clock cycle T are such that the first write data DO is transferred to the write data register 5a. is held for a period of 2T, and the next data D1 is stored in the write data register 5.
b for a period of 2T.

また、3番目のデータD2は書込みデータレジスタ5a
に2Tの期間にわたって保持され、最後のデータD3は
書込みデータレジスタ5bに2Tの期間にわたって保持
される。書込みデータレジスタ5aと5bとに2Tの期
間にわたって保持された書込みデータDo−D3は、対
応のタイミング発生回路3a〜3dから順次供給される
動作開始信号SRTと書込み指示信号WEに同期して順
次バンク1a〜1dに書込まれてゆく。
Also, the third data D2 is the write data register 5a.
The last data D3 is held in the write data register 5b for a period of 2T. The write data Do-D3 held in the write data registers 5a and 5b for a period of 2T is sequentially transferred to the banks in synchronization with the operation start signal SRT and write instruction signal WE sequentially supplied from the corresponding timing generation circuits 3a to 3d. 1a to 1d.

なお、図示は省略されているが、アドレス信号線A上に
1クロック周期Tの間隔で転送されてくるアドレスは、
対応のアドレスレジスタ4a〜4dに対応の動作開始信
号SRTと同一のタイミングで4Tの期間にわたって保
持され、対応のバンり1a〜1dのアドレス端子に供給
される。
Although not shown in the figure, the addresses transferred onto the address signal line A at intervals of one clock cycle T are:
It is held in the corresponding address registers 4a to 4d for a period of 4T at the same timing as the corresponding operation start signal SRT, and is supplied to the address terminals of the corresponding banks 1a to 1d.

このように、データのブロック書込みに際しては、一方
の書込みデータレジスタ5aがバンクlaとICとの間
で共用されると共に、他方の書込みデータレジスタ5b
がバンク1bと1dとの間で共用される。
In this way, when writing a block of data, one write data register 5a is shared between bank la and the IC, and the other write data register 5b
is shared between banks 1b and 1d.

ブロック読出しの場合には、タイミング発生回路で書込
み指示信号WEが発生されない点を除き叙述したブロッ
ク書込みの動作と同様である。また各バンクl a−m
l dから読出される読出しデータは、バンク制御回路
2の制御のちとにセレクタ6で順次選択され、4個の連
続データした読出しデータとして読出しデータ線0上に
出力される。
In the case of block reading, the operation is similar to the block writing described above except that the timing generation circuit does not generate the write instruction signal WE. Also, each bank l a-m
The read data read from ld is sequentially selected by the selector 6 under the control of the bank control circuit 2, and outputted onto the read data line 0 as four consecutive read data.

(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明の記憶装置は、書込
みデータレジスタを複数個の書込みデータ間で共用させ
る構成であるから、書込みデータレジスタのハードウェ
ア量が低減され、これに伴う低コスト化が実現される。
(Effects of the Invention) As described above in detail, the storage device of the present invention has a configuration in which the write data register is shared among multiple pieces of write data, so the amount of hardware for the write data register is reduced. This will result in lower costs.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係わる記憶装置の構成を示
すブロック図、第2図は第1図の動作を説明するための
タイミングチャート、第3図は従来の記憶装置の構成を
示すブロック図、第4図は第3図の動作を説明するため
のタイミングチャートである。 1a〜1b−・・バンク、2・・・バンク制御回路、3
a〜3d・・・タイミング発生回路、4a〜4d・・・
アドレスレジスタ、5a・・・バンク0と2とで共用さ
れる書込みデータレジスタ、5b・・・バンク1と3と
で共用される書込みデータレジスタ、6・・・セレクタ
、C・・・動作指令信号線、A・・・アドレス線、D・
・・書込みデータ線、O・・・読出しデータ線。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a storage device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of FIG. 1, and FIG. 3 shows the configuration of a conventional storage device. The block diagram and FIG. 4 are timing charts for explaining the operation of FIG. 3. 1a to 1b--Bank, 2-Bank control circuit, 3
a to 3d...timing generation circuit, 4a to 4d...
Address register, 5a...Write data register shared by banks 0 and 2, 5b...Write data register shared by banks 1 and 3, 6...Selector, C...operation command signal Line, A...Address line, D...
...Write data line, O...Read data line.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 連続して転送されてくるn個(nは整数)の書込みデー
タのそれぞれを転送間隔よりも長い時間にわたって複数
個の書込みデータレジスタに保持しつつ順次n個のバン
クに書込んでゆく記憶装置において、 前記各書込みデータレジスタは複数個の書込みデータ間
で共用されることを特徴とする記憶装置。
[Scope of Claims] Each of n pieces of write data (n is an integer) that are continuously transferred is held in a plurality of write data registers for a time longer than the transfer interval, and sequentially written to n banks. 1. A storage device in which each write data register is shared among a plurality of pieces of write data.
JP10890789A 1989-04-27 1989-04-27 Storage device Pending JPH02287647A (en)

Priority Applications (1)

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JP10890789A JPH02287647A (en) 1989-04-27 1989-04-27 Storage device

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