JPH02288392A - 電気的に隔離された受像面上の調色されたパターンの作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、一般に高濃度像の受像面への高解像静電転写
方法に関する。さらにとりわけ、本発明は、乾式粉末電
子写真トーナーを、ホトポリマー材料から製造された永
久マスターと共に用いて、現像された像を反転写真プロ
セスによりマスターから受像基体に転写することに関す
る。永久マスターは、繰り返し使用して、印刷回路板の
ような受像面上に乾式粉末トーナーを用いて、高解像お
よび高濃度像を生成できる。

印刷回路板を生成する光像形成および他の技術の使用に
より、乾式フィルムレジストを用いる絶縁基体上の導電
性配線パターンの生成は、代表的には５工程プロセスを
用いる。テンティング（ｊｃｎ口１１り方法または孔閉
塞の方法を用いるかに拘らず、絶縁性基体の少なくとも
１つの導電面上にホトポリマー乾式フィルムレジストを
積層または被覆し、アートワークまたはホトツールを用
いて乾式フィルムレジスト上に配線°パターンを形成し
、次いで乾式フィルムレジストをホトツールの透明部分
を通して化学線に露光し、ネガ加工乾式フィルムレジス
トの未露光部分を除くことによって回路板を現像し、な
お乾式フィルムレジストで被覆された望まれる導電性配
線パターン下にないすべての像未形成部分の回路板から
導電性基体をエツチングし、次いで最後に望まれる配線
パターンを被覆している乾式フィルムレジストを、導電
性基体の非エツチング部分から剥離または除去する異な
った５工程が含まれる。この５工程プロセスは、生成さ
れた各回路板について繰り返されなければならない。

標準乾式フィルムプロセスにおける露光工程中に、乾燥
フィルムにおける重合体の架橋のパターンの結果である
乾式フィルムレジストの直線側壁を生成するのに十分な
放射線露光レベルおよび露光時間が望まれる。これらの
直線側壁は、導電体面に対して垂直でなければならない
。しかしながら、実際には、例えば標準ネガ加工乾式フ
ィルムホトレジストプリントおよびエツチングプロセス
において、望まれるレジストパターンをアンダーカット
する側壁縁を生じる露出不足が起こるか、またはレジス
トの基底および導体の表面に乾式フィルムホトレジスト
の幅を増大して足を生じる乾式フィルムホトレジストの
側壁縁を生じる露出過度が起こる。これらの両条件によ
り、極限導電パターンは、望まれるものから、導体面の
線幅の計画および工作された許容量または過剰量を越え
て変化する。

このプロセス中の現像工程は、理想的には、ネガ加工乾
式フィルムレジストの未露光、従って未架橋部分を溶解
して除き、幅がホトツール上のパターンと等しくしかも
導体面に垂直の導体面上の乾式フィルムレジストの縁を
生じなければならない。しかしながら、実際には、乾式
フィルムホトレジストの現像不足または現像過度が起こ
る。現像不足により、隣接側壁に向かって傾斜する側壁
帯域または現像された溝にレジスト残留物の堆積が生じ
、望まれるものよりも小さい隣接線間の間隔となる。現
像過度が起こると、未露光フィルムレジスト縁がアンダ
ーカットされ、望まれるものよりも大きい隣接線間の間
隔が生じる。さらに、レジスト表面側壁縁の頂部に若干
丸みをつける可能性がある。

乾式フィルムレジストの厚さにわたってホトツールの正
確な再生不能によって、再生された回路パターンの細線
解像および再生特性は影響される。

回路板が一層複雑になり、しかも多重板の積み重ねが優
先すると、−層高密度、−層細かい解像回路パターンの
必要が生じる。解像は、前記の５工程処理中に確実に実
施できる隣接線間に最小の線および間隔を確実に生じる
能力として見られている。現像を存続し得る線の太さま
たは細かさおよび回路パターンの隣接線間の間隙または
間隔の狭さは、回路板の所望の密度を規定するのに用い
られる印刷回路板工業の細線解像および再生基準に至る
。望まれる密度は、線引および空間寸法または毎ｍ１１
当たりの線対の特別の数によって表わされる。回路板が
銅のような金属またはマイラー（Ｍ　Ｙ　Ｌ　Ａ　Ｒ）
の商品名の下に販売されているポリエステルフィルムの
ようなプラスチックなどの非孔質または非吸収性基体か
らなることによって、ゼログラフィーの原理を適用して
、高解像および高濃度像を現像された静電潜像から回路
板のような受像面への転写を行うことが困難になる。こ
の非孔質よび非吸収性受像面により、特に液体トーナー
で試みた場合には、像が転写されて、変形または「押し
つぶされる」ようになる。

また、非孔質受像基体について、高解像の転写像を得る
ためには、光導電体または静電像形成可能面および受像
導電面はトーナー像の転写の点で静止しなければならな
いことも分かった。

現像された潜像を銅のような非吸収性基体へ転写するに
は、これ以上の問題が生じる。静電像形成可能面および
導電受像面の間の間隔が、光導電体と導電性受像面の凹
凸面の間の接触を避けるに十分でなければならないよう
に導電性受像面を形成する金属または銅表面および静電
像形成面は凹凸である。

乾式粉末電子写真トーナーを永久マスターと併用すると
、特に未露光部分に永久マスターとして用いられるホト
ポリマー材料の通常は軟質面の故にこれ以上の問題が生
じる。乾式粉末トーナーはこれらの一層軟かい部分に付
着する。しかも、これらの部分は露光されない背景部分
である故に、通常軟質かつ粘着性ホトポリマーをやや硬
化させる架橋現象さえも存在しない。繰り返し使用する
と、乾式粉末トーナーは背景部分に堆積する。なぜなら
ば、後の転写に先立ち、マスターの軟質面の付着物を除
くのが困難だからである。あるいは、軟質面は、清浄化
の試みの間に迅速に摩滅される。

潜像または潜像が形成される基体の有効寿命を延長させ
る試みには、かつて光導電体材料上に材料の保護絶縁層
を用いている。このアプローチを用いる代表的なプロセ
スには、キャノン（ｃａｎｏｎ）ＮＰプロセスおよび桂
用（Ｋ！ｌｓａｒｚｇｘｖ１）プロセスがある。これら
のプロセスには、透明保護絶縁層を用いているが、露光
して永久マスターを形成できるホトポリマーと共には用
いない。これらのプロセスには、硫化カドミウムドラム
上の耐溶媒層としてポリエチレンテレフタレート、また
はエラストマー状樹脂状結合剤中の硫化カドミウムの微
粒子が利用された。

これらの問題は、本発明の方法において、液体または乾
式フィルムレジストのようなホトポリマーマスター材料
上の保護オーバーコート材料を用いることによって、永
久マスター上に永久潜像を作製する方法を提供すること
によって解決される。

ホトポリマー材料上の永久潜像を用いて、乾式粉末電子
写真的に現像された静電潜像を永久マスターの静電的に
像形成された表面から受像面に転写する。受像面は、好
ましくは、独占的ではないが望まれる導電性パターンを
有する多重印刷回路板を生成するために用いられる型の
導電、非吸収性かつ非孔質受像面である。またこの方法
を用いて紙にも転写できる。

発明の要約 本発明の目的は、乾式粉末電子写真トーナー現像高濃度
静電潜像の永久マスターから直接受像基体への高解像静
電転写の実施方法を提供することである。

本発明の他の目的は、乾式粉末電子写真トーナーを、永
久および再使用可能マスターとして働く乾式フィルムレ
ジストと共に用いることによって、静電的に像形成可能
表面上に高濃度静電潜像を得ることである。

本発明の他の目的は、静電転写の方法が、静電的に像形
成可能面として働く永久マスター上に乾式粉末電子写真
トーナーを用いて利用できることである。

本発明のさらに他の目的は、永久マスターおよび印刷回
路板上に導電性回路配線パターンを生成するためにエツ
チングの準備に導電性基体上に望まれるレジストパター
ンの多数の複写を生成する乾式粉末電子写真トーナーと
共に使用できる永久マスターの製造方法を提供すること
である。

本発明の特徴は、耐摩耗性かつ低摩擦表面である保護オ
ーバーコートされた材料を、永久マスターのホトポリマ
ー材料に適用することである。

本発明の他の特徴は、化学線に露光することによって潜
像が形成された後に永久マスターの保護オーバーコート
されたホトポリマー材料を帯電し、次いでこの電荷を未
露光部分上の保護オーバーコートされた材料上に保持す
ることである。

本発明のさらに他の特徴は、永久マスターを支持する導
電性裏打ち材料または基体が電気的に接地され、しかも
静電転写の間に導電性受像面が電気的に接地されること
である。

本発明のさらに他の特徴は、マスター上の像形成および
像未形成部分の間の、乾式フィルムホトレジストのよう
なホトポリマーの導電率の差を用いて、露光されたまた
は像形成された部分が一層抵抗性であり、かつ未露光ま
たは像未形成の部分が余り抵抗性でない永久静電潜像を
形成することである。

本発明の他の特徴は、永久潜像および保護オーバーコー
トされた材料が静電的に帯電し、保護オーバーコートさ
れた材料に適用された乾式粉末電子写真トーナーをもっ
て現像され、乾式粉末トーナーが、ホトレジストの未露
光部分上に保たれ、次いで受像面に転写されることであ
る。

本発明の他の特徴は、乾式粉末電子写真トーナーの転写
が、保護オーバーコートされた材料から、導電性または
非導性であり得る受像基体への接触転写であることであ
る。

本発明のさらに他の特徴は、静電像形成可能面として、
永久マスターを用いて、静電的に像形成可能面上の静電
潜像が永久であり、しかもホトポリマーの再露光の必要
なしにマスターとして再使用可能であり大量の印刷回路
板を生産することである。

本発明のこれ以上の特徴は、乾式粉末電子写真トーナー
を、ホトレジスト材料の未露光部分上の電荷を保つ保護
オーバーコートされた材料の表面上に保たれることであ
る。

本発明の方法の利点は、転写された像を形成する乾式粉
末電子写真トーナー粒子の高解像転写が、像ひずみなし
に受像面上に得られることである。

本発明の他の利点は、表面が絶えず再使用されるように
、乾式粉末電子写真トーナーを用いる転写プロセス中に
静電的に像形成された表面である永久マスターに損傷ま
たは摩耗がないことである。

本発明のさらに他の利点は、永久マスター上に適用され
た保護オーバーコートされた材料上の乾式粉末電子写真
トーナー粒子の使用によって繰り返し高解像転写が行わ
れることである。

本発明のなお他の利点は、永久マスターの形成に用いる
軟質ホトポリマー材料を、保護オーバーコートされた材
料による物理的損傷から保護することである。

本発明のさらに他の利点は、印刷回路板の一層迅速かつ
一層低コスト製造方法が、各回路板用の乾燥フィルムま
たは液体ホトレジストに必要な繰り返し露光および現像
工程を除くことにより実施されることである。

これらの目的および他の目的、特徴および利点は永久マ
スターおよびまず永久マスターとして使用されるホトポ
リマー材料または静電的に像形成可能面上に静電潜像を
確立することによって電気的に隔離された受像面上に調
色されたパターンを作製する方法の使用によって得られ
る。静電的に形成可能面は、保護オーバーコートされた
材料で被覆され次いで帯電される。帯電されたトーナー
粒子は、次いでマスターの未露光ホトポリマー材料を覆
う保護オーバーコートされた材料上の部分に現像され、
次いで受像面に転写される。

図面の簡単な説明 本発明の目的、特徴および利点は下記の本発明の詳細な
開示を添付図面、 第１図は、先行技術プリントおよびエッチ印刷回路板作
製工程の図示であり、 第２図は帯電されたトーナー粒子がどのように位置し、
しかもマスタータから受像面に転写されるかを示す、保
護オーバーコートされない永久マスターを用いる本発明
の方法の図示であり、第３図は、帯電されたトーナー粒
子が未露光ホトポリマ一部分上のオーバーコートされた
材料上にどのように位置し、しかもマスターから導電性
受像面に転写されるかを示す、保護オーバーコートされ
た永久マスターを用いる本発明の方法の図示であり、か
つ 第４図は、永久マスターの作製に用いるホトポリマー材
料を被覆する保護オーバーコートされた材料の露光部分
および未露光部分上の電荷の図示である と共に用いた場合に特に下記の本発明の詳細な開示を考
えて明らかになる。

好ましい実施態様の詳細な説明 第１図は、印刷回路板の製造に、かつて用いられた標準
５工程プロセスを示す。生成された回路板の各１つには
、熱圧によりガラス繊維エポキシのような非導電性基体
に積層された銅のような導電性基体への乾燥フィルムの
適用が通常必要である。次いで、マスクを乾燥フィルム
上に適用して、光源または他の化学線源からの選択的露
光をして、望まれるパターンを生成できる。現像は、未
架橋乾燥フィルムを除き、望まれるパターンを有する架
橋された乾燥フィルムのみを残すことによって起こる。

酸エツチング剤によるエツチングによって、架橋された
乾燥フルイムの部分の間から導電性銅基体が除かれる。

最後に、残留する導電性銅基体から乾燥フィルムを剥離
することによって、望まれる回路パターンが露出する。

これは、通常プリントおよびエツチングプロセスとして
知られる。

しかしながら、本発明の方法により、導電性基体上に乾
燥フィルムまたは液体ホトレジストのようなホトポリマ
ー材料または被覆の使用によって、乾式粉末電子写真ト
ーナーと共に用いる永久マスターを生成する。保護オー
バーコートされた材料をホトポリマー材料上に適用する
。その後、乾燥フルイムまたは液体ホトレジストを用い
ず、製品回路板上に永久マスターから望まれる導電性配
線パターンを生成する。

永久マスターを、第２図および第３図に示すように静電
的に像形成可能面として用いる。導電性裏打ちは、少な
くとも１面に導電性裏打ちに適用された乾燥フィルムま
たは液体ホトレジストのようなホトポリマー材料を有す
る。このホトポリマー材料は、材料中の重合体が架橋す
る故に、化学線に露光すると抵抗率が変化する。永久潜
像は、マスクを通して化学線を放射することによって、
または望まれるパターンをディジタルレーザーペンをも
って「書き込む」によってホトポリマー材料上に形成さ
れる。何れかの方法により、ホトポリマー材料に像形成
されたおよび像未形成部分の間に抵抗率の差が生じる。

第３図に示すように、保護オーバーコートされた材料を
有する静電的に像形成可能面を下地から隔離し、次いで
コロナ放電装置で帯電して、未被覆マスターを帯電した
場合に第２図に示すように未被覆マスターで得られるも
のの反転である電荷保持のパターンを生じる。

電荷は、未露光または余り抵抗性でない部分に第３図の
保護オーバーコートされた材料上に保持される。

保護オーバーコートされた材料は高誘電率、装着された
表面に適合するに十分な可撓性、溶媒作用に対する抵抗
性、摩耗に抵抗性の硬質表面および低表面エネルギー（
摩擦）の性質を有する材料力や好ましい。好ましい材料
はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）であるが、他
の適当な材料としてはポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビ
ニリデン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオキシメ
チレン、適切なポリエーテルイミドおよびポリエーテル
エーテルケトン（ＰＥＥＫ）がある。材料の適切な厚さ
は約０．５ミル〜約１０ミルの範囲であり得る。好まし
い厚さ範囲は、約１ミル〜３ミルである。材料が薄けれ
ば薄い程、永久潜像の解像は一層良好である。既に適所
にある保護オーバーコートされた材料で露光が起こる場
合には、材料は、化学線が、永久マスターを形成する下
にあるホトポリマー材料を通過できるように透明でなけ
ればならない。

あるいは、保護オーバーコートされた材料は、この材料
を露光後にホトポリマー材料に適用して、永久潜像を形
成できる。このアプローチにおいて、保護オーバーコー
トされた材料は透明である必要はない。なぜならば、露
光は積層によるような保護オーバーコートされた材料の
適用前に起こるからである°。この場合の保護オーバー
コートされた材料としては、ホトポリマーを起こり得る
紫外線の作用から保護する紫外線吸収剤があり得る。

この性質を有する適当な市販品は、商品名ＴＥＤＬＡＲ
の下に販売されているデュポンのポリフッ化ビニルフィ
ルムである。露光後に保護オーバーコートされた材料の
適用は、直接レーザー像形成を用いる場合′に好ましい
技術である。

用いる保護オーバーコートされた材料の型の決定におけ
る制御因子およびその適用のタイミングはマスターにお
いて得られる静電コントラストである。この静電コント
ラストは、ホトポリマー層に比べて保護オーバーコート
された材料の厚さおよび誘電率によって決まる。最も薄
い保護オーバーコートされた材料と組み合せたマスター
用の最も薄い厚さを有するホトポリマーを用いることに
よって最適の解像品質が得られる。

次いで、露光後の静電的に像形成可能面は、この静電的
に像形成可能面を覆う保護オーバーコートされた材料上
の電荷と逆に帯電された乾式粉末電子写真トーナー粒子
の適用によって現像される。

帯電後に電荷基が、トーナー粒子の適用前にホトポリマ
ー材料の露光された部分の上から消失するのに十分な時
間待つ必要がある。帯電された乾式粉末電子写真トーナ
ー粒子は、静電像形成可能面の未露光部分上に保護オー
バーコートされた材料の帯電された部分に指向されて潜
像を形成または現像する。保護オーバーコートされた材
料は、層軟質のホトポリマー材料を物理的損傷から保護
する。

このように現像されると、像は、永久マスター上の永久
潜像のパターンにより、静電的に像形成可能面を覆う保
護オーバーコートされた材料の表面上に形成される。こ
のように、現像された像は、電気的に融離された導電性
受像面に容易に転写されて、望まれる導電性配線パター
ンを有する回路板を生成する。あるいは、現像された像
は、紙のような非導電性受像面に転写できる。

適切な乾式粉末電子写真ト＝ナーは、磁性１成分、摩擦
電気１成分または２成分トーナーから選択できる。磁性
１成分トーナーは、代表的には、スチレンアクリレート
のような熱可塑性重合体結合剤約３０重量％〜約４０重
量％、染料／顔料着色剤約１０重量％未満およびニグロ
シンのような電荷誘導剤約０重量％〜約６重量％および
熱可塑性カプセル化されたコアーとしての酸化鉄または
フェライト約５０重量％〜約６０重量を有する。

摩擦電気１成分乾式トーナーは、代表的には熱可塑性重
合体結合剤約８０重量％〜約９０重量％、染料／顔料着
色剤約１０重量％未満および電荷誘導剤的０．　５重量
％〜約３重量％を有する。摩擦電気１成分乾式トーナー
はまた流動向上のためのシリカのような添加剤、オフセ
ットを防止するポリプロピレン約３重量％〜約１０重量
％および潤滑剤用途のためのステアリン酸亜鉛のような
添加剤も有する。２成分乾式トーナーは、代表的には、
熱可塑性重合体結合剤約８０重量％〜約９０重量％、染
料／顔料着色剤約１０重量％未満、ニグロシンのような
電荷誘導剤約２重量％〜約６重量％および流動増進用の
シリカ約０．　５重量％、オフセラ小を防止するポリプ
ロピレン約３重量％〜約１０重量％および潤滑剤として
のステアリン酸亜鉛約０．３６重母方のような添加剤を
有する。

現像された像の受像面への転写は、像を電圧約６．５ｋ
Ｖを有する正に帯電されたコロナをもってコロナ帯電す
ることによって行われる。電荷分布パターンを第４図に
示す。次いで受像面を帯電され調色された像と接触させ
る。受像面が導電性の場合、受像面はマスターの導電性
基体に電気的に接続される。正に帯電された乾式トーナ
ー粉末トーナー粒子によって発生した電場は、トーナー
粒子を自己反発して、トーナー粒子が同様の電荷によっ
て受像面に反発される。この転写は、関連部分において
、本明細書に特に参照されたＧｏｎｄｌｚｃｂに特許証
の発行された米国特許第３，００４．８６０号明細書に
一層十分に説明される。

コロナ転写またはバイアスローラー転写の伝統的技術に
よって、乾式粉末粒子トーナー像を紙またはプラスチッ
クフィルムのような多孔性およびまたは非導電性受像面
に転写できる。

静電的に像形成可能面および受像面は、導電性または非
導電性であれ、転写点においてこれらの間に起こる相対
運動を有してはならないが、転写点は転写の静止点また
はローリング点であり得よう。ドラムまたはウェブある
いは静止平面を静電的に像形成可能面に使用して、現像
された像をマスターから平坦および静止または移動受像
面に転写できるであろう。移動受像面は、ローリングド
ラムまたはウェブあるいは他の適切な手段であり得よう
。静電的に像形成可能かつ受像面は真空によるように、
転写点で適所に保持されなければならないかまたは表面
を磁気的または静電的に保持することによって行うこと
ができるであろう。

第３図に図示するように、帯電された乾式粉末電子写真
トーナー粒子は、その予め決められた電荷と共に静電的
に像形成可能面上のホトポリマー材料の未架橋部分上の
逆帯電された保護オーバーコートされた材料から個々の
または群分けされた粒子として導電性受像面に移動する
。導電性受像面は、ガラス繊維エポキシのような絶縁誘
電体層上に積層される。

静電的に像形成可能面上の乾燥フィルムまたは液体ホト
レジストのようなホトポリマー材料は、マスター静電像
板として働き、しかも静電的に像形成可能面上の像形成
されたまたは像未形成部分の間の抵抗率差は、多くの場
合、使用するホトレジストによって長時間の間相対的に
一定である故に、静電転写方法によって多数の複写を作
製できる。操作を繰り返すために、静電的に像形成可能
部分上の任意の残留電荷はホトポリマー材料の表面を交
流コロナで帯電することによるように放電されなければ
ならない。

化学線に露光後比較的長期間、抵抗率の差を保つ、ホト
ポリマーの能力を用いることによって、望まれる静電潜
像パターンはホトポリマー材料に留まり、増大した抵抗
率の架橋部分および化学線に未露光の、それ程抵抗性で
ないかまたは背景部分を形成する。乾式フィルムレジス
トのようなホトポリマー材料は、代表的には、架橋され
るようになり、像転写のプロセス速度によって、背景ま
たは未露光部分よりも１桁またはそれ以上大きい誘電性
の一層大きい電気抵抗率の像形成部分を形成する重合体
から形成される。−層迅速なプロセス速度には、−層大
きい抵抗率差が必要である。

適当な乾式フィルムホトレジストとしては、デュポンに
よる商品名リストン（Ｒｉｔｌｏ＊）　１２１５および
リストン３６１５およびＷＮ−００３８の名称の下に供
給されるＢＡＳＦの厚さ３８ミクロンのフィルムがある
。

また液体ホトポリマーは、溶媒をもって導電性基体に適
用して、乾燥するまで硬化し、次いで保護オーバーコー
トされた材料で積層できるであろう。

特別のホトポリマーの選択における実際の制限は、電荷
が露光された部分においてホトポリマーの基体からホト
ポリマー−保護オーバーコートされた材料の界面に移動
するに必要な時間である。この時間は、約１．２５秒〜
約１０秒のように比較的短かいのが好ましい。

線像用の良好な静電コントラストを得るために、ホトポ
リマー材料の抵抗率は　１０１２Ω・σ未満でなければ
ならない。背景または像未形成部分は、代表的には電気
抵抗率１０１３Ω−■を有しなければならない。比較の
ために、若干の伝統的に絶縁材料として考えられるもの
を初め種々の材料の抵抗率が知られている。電子グレー
ドのマイラー（ＭＹＬＡＲ）ポリエステルフィルムは、
抵抗率約１０１７Ω−ω、酸化アルミニウムセラミック
は抵抗率約、０１６Ω−の、種々のグレードの雲母は抵
抗率１０　Ω−ｃｍ〜１０１７Ω−国、未露光グイナケ
ム（Ｄ７ｎｚｃｈｅｍ）　Ａ　Ｘ乾燥フィルムは抵抗率
約１０１３Ω−国および種々のグレードのユニオン・カ
ーバイドのベークライト共重合体プラスチックスは、抵
抗率約１０　Ω−ｃＪ１１〜１０１６Ω−画を有する。

デュポンのリストン３６１５乾燥フイルムは抵抗率約１
０１０Ω−（至）を有する。

ホトポリマー材料の科学線への露光によって形成された
これらの像形成された部分は、導電性裏打ちが電気的に
接地されたならば、直流電荷コロナによって帯電された
場合に高電圧電荷を保持する増大した抵抗率の部分のみ
である。−層少ない電気抵抗率を有する保護オーバーコ
ートされた材料の下の像未形成または背景部分は導電性
である。

得られたコロナの電荷電位は、保護オーバーコートされ
た層および未露光ホトポリマー層の組み合せにわたって
現れる。１秒〜２秒のような短い適当な時間遅れの後に
、保護オーバーコートされた層の下の露光されたホトポ
リマー層にわたる電位は、崩壊または消散し、像未形成
部分に保護オーバーコートされた層にわたって初期の電
荷電圧または電位の１部分のみを残す。

像形成された部分は、全電荷電圧を有し、しかも像未形
成部分は全電荷電圧または電位の少部分のみを有する故
に、像形成された部分と像未形成部分の間に静電コント
ラストが確立された。このコントラストは、ホトポリマ
ー材料および保護オーバーコートされた材料の相対厚さ
および誘電率を変化させることによって最大にできる。

帯電された乾式粉末電子写真トーナー粒子は、未露光ホ
トポリマー上の保護オーバーコートされた材料の電荷保
持部分に対して逆に帯電されるので帯電されたトーナー
粒子はこれらの粒子に引きつけられる。次いで、このこ
とによって、これらの帯電されたトーナー粒子は、前記
のように静電的に像形成可能面から受像面に転写できる
。

トーナー像が受像面上の像形成された部分のトーナー粒
子によって形成されると直ちに第２図および第３図に図
示されるように、粒子は加熱によって導電性受像面に融
着される。熱はエアオーブンまたはエアスロットを通る
指向温風の使用によって与えることができるので、熱は
トーナー粒子を形成する結合剤または重合体が転写され
た像中に伴出される液体に溶媒和する温度に達するに十
分な一定の時間供給される。例えば、融着は、約１００
℃より高温〜約１８０℃までの温度において約１５秒〜
約２０秒起こり得る。

その後、導電性受像面については、像未形成部分をエツ
チングして、トーナー粒子によってオーバーコートされ
た未エツチング導電性受像面に望まれる導電性配線パタ
ーンを生成する。エツチング工程では、トーナー粒子に
よって保護された導電性受像面の部分から導電性材料を
除去できないが、トーナー粒子によって保護されない部
分から導電性材料に作用し、しかも除去する。用いる特
別の型のエツチング剤は、１部分、エツチングされる導
電性材料および使用するレジストの型によって決まるの
で、酸および非常に温和なアルカリエツチング液の両者
を使用できる。例えば、導電性受像面が銅の場合、酸性
塩化第２銅を含むエツチング剤を用いるのが好ましい。

導電性受像面上に複写を形成する静電転写プロセスにお
ける最終工程は剥離工程である。この工程の間、トーナ
ー粒子は塩化メチレン、アセトン、アルカリ性水溶液ま
たは他の適当な溶液をもってすすぐことによるように、
像形成された部分から適当に除去または剥離される。

得られた結果を例示するために、下記の例は、本発明の
範囲を本明細書の論議に限定する意図なしに提供される
。例は、静電的に像形成可能面上に永久潜像を有する永
久マスターを得ることができる様式を具体的に説明する
ことを意図している。

また、例は乾式粉末電子写真トーナーと共に永久マスタ
ーとしてネガ加工乾式フィルムホトレジストを使用して
、非導電性受像面および導電性受像面上に多数の複写を
生成することをも説明する。

静電的に像形成可能面を覆う保護オーバーコートされた
材料から現像された潜像を転写する前に各導電性受像面
に乾燥フィルムまたは液体レジストを適用する必要はな
い。

例１ 厚さ約１．５ミルのデュポン　リストン３６１５乾式フ
ィルムホトレジストが、ダイナケム・オブ・タステイン
（Ｄ７ａｘｃｈｅｍ　ｏｆ　Ｔａ５ｔｉｎ）　、カリフ
ォルニア州所在製のウェスターン・マグナム（Ｗｃｓｌ
ｅｒｎ　Ｍｘｇｎａｍ）　Ｘ　ＲＬ　−３５Ｑ型貼合せ
機を用いて、エポキシガラス上の厚さ約１．３５ミルの
銅層からなる金属基体に積層された。積層は、速度毎分
約６フイートにおいてロール温度約２２０°Ｆで行った
。金属基体は電気的に接地された。

積層された生成物は、米空軍１９５１解像ターゲットの
ポジホトツールを用いて約２３０ミリジュ−ル／ｃｍ２
の水準に露光される。厚さ約１．０ミルのポリエチレン
テレフタレート（以下ＰＥＴと云う）のフィルムの上部
保護層は、リストン材料から除去されなかった。

次いで、露光されたリストン乾燥フィルムのマスタープ
レートは、電圧的６．５ｋＶのポジコロナ帯電ユニット
を用いることによって帯電された。

約２秒〜３秒の遅れの後、ＰＥＴの保護的にオーバーコ
ートされたリストン３６１５プレートを棒磁石手持磁石
ブラシをもって手作業で現像した。

現像トーナーには、５ｌｅｖｔｒｄ　ＮＱＩ　２４００
　ＬＲフェライト担体ビーズ約１００ｇと混合されたゼ
ロックス３１００２成分トーナー約２ｇを利用した。

次イで、トーナー現像された像を１枚のゼロ複写紙に静
電接触転写した。転写によって、解像約５．６線対／順
で紙上に高品質の像を生成した。

転写は、１枚の紙をマスター上に載置し、次いでコロナ
を紙上に通すことにより、紙の裏面を約６．５ｋＶにお
いてポジコロナ帯電することによって行った。この紙を
剥離した。これを、さらに５回繰り返して、複写された
紙各枚葉に同じ高品質像および約５．６線対／ｌｌｌｆ
ｆ＋の高解像を生じた。

像を、オーブン中で、約１０５℃において約６０秒融着
した。

例２ 例１と同じ操作を用い、エポキシガラス上の厚さ約１．
３５ミルの銅層を用いて厚さ約１．５ミルのデュポンリ
ストン３６１５乾燥フイルムを金属基体に積層した。こ
の金属基体は電気的に接地された。積層は、同じ温度設
定および速度を用いて同じウェスターン・マグナムＸＲ
Ｌ−３６０型貼合せ機を用いて行った。積層された基体
を米空軍１９５１解像ターゲットポジホトツールをもっ
て約２３０ミリジユール／ｃｌｌ＋２の水準に露光した
。

再び、上面保護ＰＥＴ層は、リストン乾燥フィルム材料
から除去されなかった。

次いで、このように形成されたマスター積層板を、電圧
水準的５．５ｋＶにおいてポジコロナユニットによって
帯電した。約２秒〜３秒の遅れの後に、棒磁石手持磁気
ブラシをもって手作業によりＰＥＴ／リストンプレート
を現像した。使用したトーナーは、例１において用いた
と同じ２成分トーナーであった。トーナー現像された像
を、機械的支持体用の厚さ約０．００５インチのポリエ
ステルフィルムに接着された厚さ約０．０００３５イン
チのアルミニウム箔に接触転写した。転写方法の基本原
理は、一般にＪｏｈｎＨ，ＤｅｓｕａｅｒおよびＨＩｒ
ｏｌｄ　Ｅ、Ｃ１ｘｔｋによる［ゼログラフィー・アン
ド・リレーテッド・プロセシズ（Ｘｅｔｏ（＋５ｐｂｙ
　ｘｎｄ　Ｒｅ１ｘｌｅｄ　Ｐｒ＋ｃｅｓｓｅｓ）　］
と題する本文における「ト・ランスファーズ・トウ・メ
タル・シーツ（Ｔ＋！ｎ５ｌｅ＋ｓ　Ｔｏ　Ｍｅｔｚｌ
　５ｈｅｃｌｓ　）　Ｊと題する１４．４．２節に一般
に記載されている。

とりわけ、リストン乾燥フィルム上の保護オーバーコー
トされたＰＥＴ材料を、約６．５ｋＶコロナ帯電ユニツ
トをもって正に再帯電した。これによって、ＰＥＴの表
面上および像未形成部分の露光されたマスター上のトー
ナーに正電荷が与えられる。可撓性アルミニウム面をマ
スターの裏打ちに電気的に接続し、次いでアルミニウム
面をトーナー現像された像と事実上接触して載置した。

次いで、金属シートとマスタープレートの間に誘導され
た電場がトーナー粒子を金属シートに転写するのに十分
になった後に、アルミニウム面を剥離した。全トーナー
がアルミニウム面に転写されて、高品質の像を与え、若
干の線は解像約４．０線対／Ｗを有した。この像をオー
ブン中で約１０５℃において約６０秒融着した。

本発明の原理がとり入れられている好ましい方法が前記
に示されかつ記載されているが、本発明は、このように
示された特別の詳細および方法に限定されず、事実本発
明の一層広い面の実施において、大いに異なった手段お
よび方法を使用できることを理解されたい。

【図面の簡単な説明】

第１図は先行技術プリントおよびエッチ印刷回路板作製
工程の図示である。 第２図は帯電されたトーナー粒子がどのように位置し、
しかもマスターから受像面に転写されるかを示す。保護
オーバーコートされない永久マスターを用いる本発明の
図示であり、 第３図は、帯電されたトーナー粒子が未露光ホトポリマ
一部分上のオーバーコートされた材料上にどのように位
置し、しかもマスターから導電性受像面に転写されるか
を示す、保護オーバーコートされた永久マスターを用い
る本発明の方法の図示であり、かつ 第４図は永久マスターの製作に用いるホトポリマー材料
を覆う保護オーバーコートされた材料の露光部分および
未露光部分上の電荷の図示である。

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. （１）（ａ）導電性基体を、化学線源に露光すると抵抗
   率を増大するホトポリマー材料をもつて被覆し、（ｂ）
   化学線源に露光することによつてホトポリマー材料上に
   永久潜像を形成して、静電的にコントラストをつけた像
   未形成部分および露光された潜像を形成し、 （ｃ）ホトポリマー材料を低摩擦保護オーバーコートさ
   れた材料で被覆し、 （ｄ）保護オーバーコートされた材料を帯電して、電荷
   をホトポリマー材料の未露光部分上に保持し、 （ｅ）帯電された乾式粉末電子写真トーナー粒子を保護
   オーバーコートされた材料に適用し、帯電された乾式粉
   末電子写真トーナー粒子はホトポリマー材料の未露光部
   分上の保護透明オーバーコートされた材料に指向されて
   現像された像を形成し、 （ｆ）ホトポリマー材料と受像面の間に電場を確立し、 （ｇ）ホトポリマー材料に隣接して受像面を載置し、 （ｈ）現像された像を、接触転写点において、保護オー
   バーコートされた材料から受像面に転写して、像未形成
   部分および像形成された部分に転写されたトーナー粒子
   像を形成し、次いで （ｉ）転写されたトーナー粒子像を受像面に融着するこ
   とを特徴とする、電気的に隔離された受像面上の調色さ
   れたパターンの作製方法。
2. （２）（ａ）導電面の像未形成部分をエッチングして、
   受像面の像未形成部分を除き、次いで （ｂ）トーナ粒子を受像面の像形成された部分から除く
   ことをさらに特徴とする、特許請求の範囲第６項に記載
   の方法。
3. （３）化学線源に露光する前に、ホトポリマー材料を透
   明保護オーバーコートされた材料をもって被覆すること
   をさらに特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の方
   法。
4. （４）保護オーバーコートされた材料中に紫外線吸収剤
   を含んで、下にあるホトポリマー材料を紫外線作用から
   保護することをさらに特徴とする、特許請求の範囲第１
   項に記載の方法。
5. （５）受像面を装着している非導電性積層品を用いるこ
   とをさらに特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の
   方法。
6. （６）導電性受像面を受像面として用いることをさらに
   特徴とする、特許請求の範囲第５項に記載の方法。
7. （７）非導電性受像面を受像面として用いることをさら
   に特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の方法。
8. （８）液体ホトポリマーをホトポリマー材料として用い
   、しかも導電性基体の被覆前にこの液体ホトポリマーを
   乾燥することをさらに特徴とする、特許請求の範囲第１
   項に記載の方法。
9. （９）乾式フィルムホトレジストをホトポリマー材料と
   して用いることをさらに特徴とする、特許請求の範囲第
   １項に記載の方法。
10. （１０）ポリエチレンテレフタレートを保護透明オーバ
    ーコートされた材料として用いることをさらに特徴とす
    る、特許請求の範囲第１項に記載の方法。
11. （１１）（ａ）導電性基体を、化学線源に露光すると抵
    抗率を増大するホトポリマー材料をもつて被覆し、（ｂ
    ）化学線源に露光することによつてホトポリマー材料上
    に永久潜像を形成して、静電的にコントラストをつけた
    未露光の像未形成部分および露光された潜像部分を形成
    し、 （ｃ）ホトポリマー材料を低摩擦保護透明オーバーコー
    トされた材料で被覆し、 （ｄ）保護透明オーバーコートされた材料を帯電して、
    電荷をホトポリマー材料の未露光部分上に保持し、 （ｅ）帯電された乾式粉末電子写真トーナー粒子を保護
    透明オーバーコートされた材料に適用し、帯電された乾
    式粉末電子写真トーナー粒子はホトポリマー材料の未露
    光部分上に保護透明オーバーコート材料に指向されて、
    現像された像を形成し、（ｆ）ホトポリマー材料と受像
    面の間に電場を確立し、 （ｇ）オーバーコートされたホトポリマーに隣接および
    接触して、受像面を載置し、 （ｈ）（ｈ）現像された像を、接触転写点において、保
    護透明オーバーコートされた材料から受像面に転写して
    、像未形成部分および像形成された部分に転写されたト
    ーナー粒子像を形成し、 （ｉ）転写工程の間に転写点において、オーバーコート
    されたホトポリマー材料と受像面の間に相対運動を維持
    せず、次いで （ｊ）転写されたトーナー粒子像を受像面に融着するこ
    とを特徴とする、電気的に隔離された受像面上の調色さ
    れたパターンの作製方法。
12. （１２）導電性受像面を受像面として用いることをさら
    に特徴とする、特許請求の範囲第１１項に記載の方法。
13. （１３）（ａ）導電面の像未形成部分をエッチングして
    、受像面の像未形成部分を除き、次いで （ｂ）トーナー粒子を受像面の像形成された部分から除
    くことをさらに特徴とする、特許請求の範囲第１１項に
    記載の方法。
14. （１４）化学線源に露光する前に、ホトポリマー材料を
    透明保護オーバーコートされた材料をもって被覆するこ
    とをさらに特徴とする、特許請求の範囲第１３項に記載
    の方法。
15. （１５）導電性受像面上に装着された非導電性積層品を
    用いることをさらに特徴とする、特許請求の範囲第１２
    項に記載の方法。
16. （１６）ポリエチレンテレフタレートを保護オーバーコ
    ートされた材料として用いることをさらに特徴とする、
    特許請求の範囲第１１項に記載の方法。
17. （１７）保護オーバーコートされた材料に紫外線吸収剤
    を含んで、下にあるホトポリマー材料を紫外線作用から
    保護することを、さらに特徴とする、特許請求の範囲第
    １１項に記載の方法。
18. （１８）非導電性受像面を受像面として用いることをさ
    らに特徴とする、特許請求の範囲第１１項に記載の方法
    。