JPH0228945B2 - - Google Patents
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- JPH0228945B2 JPH0228945B2 JP59073560A JP7356084A JPH0228945B2 JP H0228945 B2 JPH0228945 B2 JP H0228945B2 JP 59073560 A JP59073560 A JP 59073560A JP 7356084 A JP7356084 A JP 7356084A JP H0228945 B2 JPH0228945 B2 JP H0228945B2
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- Japan
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- ccd sensor
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
この発明は画像読取装置のクロストーク補正回
路に関し、特に、複数の素子が高密度で集積され
たCCDセンサを用い、螢光灯を光源としてCCD
センサの走査周期に合わせて順次点滅し、画像か
らの反射光をCCDセンサによつて検出し、色分
解を行なうような画像読取装置において、CCD
センサにおける隣接素子間に生じるクロストーク
成分を補正するようなクロストーク補正回路に関
する。
路に関し、特に、複数の素子が高密度で集積され
たCCDセンサを用い、螢光灯を光源としてCCD
センサの走査周期に合わせて順次点滅し、画像か
らの反射光をCCDセンサによつて検出し、色分
解を行なうような画像読取装置において、CCD
センサにおける隣接素子間に生じるクロストーク
成分を補正するようなクロストーク補正回路に関
する。
従来技術
第１図ないし第３図は、この発明の背景となる
画像読取装置における光学系を示す図である。
画像読取装置における光学系を示す図である。
第１図に示す例は、カラー原稿１に対して、赤
色の光を照射するＲ螢光灯２と、緑色の光を照射
するＧ螢光灯３と、青色の光を照射するＢ螢光灯
４とが設けられる。これらの螢光灯２ないし４か
らの光に基づくカラー原稿１からの反射光は、ミ
ラー５を介してレンズ６によつて収束され、
CCDセンサ７に入力される。
色の光を照射するＲ螢光灯２と、緑色の光を照射
するＧ螢光灯３と、青色の光を照射するＢ螢光灯
４とが設けられる。これらの螢光灯２ないし４か
らの光に基づくカラー原稿１からの反射光は、ミ
ラー５を介してレンズ６によつて収束され、
CCDセンサ７に入力される。
第２図に示す例は、カラー原稿１に対して普通
色の螢光灯８のみが設けられ、この螢光灯８から
の光に基づくカラー原稿１からの反射光はミラー
５によつて反射され、フイルタ円板９によつてカ
ラー原稿１の赤、緑、青のそれぞれの光成分に分
離され、レンズ６を介してCCDセンサ７に入力
される。
色の螢光灯８のみが設けられ、この螢光灯８から
の光に基づくカラー原稿１からの反射光はミラー
５によつて反射され、フイルタ円板９によつてカ
ラー原稿１の赤、緑、青のそれぞれの光成分に分
離され、レンズ６を介してCCDセンサ７に入力
される。
第３図に示す例は、第２図に示したフイルタ円
板９に代えて、レンズ６の後方にダイクロイツク
ミラー１０を配置し、このダイクロイツクミラー
１０によつてカラー原稿１の赤、緑、青の光成分
を分離し、それぞれをＲ読取CCDセンサ１１と、
Ｇ読取CCDセンサ１２と、Ｂ読取CCDセンサ１
３に入力される。
板９に代えて、レンズ６の後方にダイクロイツク
ミラー１０を配置し、このダイクロイツクミラー
１０によつてカラー原稿１の赤、緑、青の光成分
を分離し、それぞれをＲ読取CCDセンサ１１と、
Ｇ読取CCDセンサ１２と、Ｂ読取CCDセンサ１
３に入力される。
第４図は前述の第１図ないし第３図に示した
CCDセンサ７，１１，１２，１３のそれぞれの
要部断面図である。この第４図はCCDセンサ７
に入力される光源からの光の波長が長くなると、
光子による電子の発生がCCDチツプのより奥深
いところで行なわれることを示している。すなわ
ち、たとえば波長λ＝450nmの光がCCDセンサ
７に入力されると、その光子による電子はCCD
チツプの比較的浅いところで発生する。ところ
が、光の波長がλ＝550nmになると、電子は
CCDチツプよりも深いところで発生し、波長λ
＝650nmになると、さらにCCDチツプより奥深
いところで電子が発生するようになる。このよう
に、光の波長が長くなるに従つて電子がCCDチ
ツプよりも奥深いところで発生するために、発生
した電子は真上の素子によつてとらえられずに、
両隣りのセンサによつてとらえられる確率が大き
くなる。このために、CCDセンサにおける各素
子間においてクロストーク現象を生じることとな
る。CCDセンサにおいて、各素子間でクロスト
ークを生じると、画像からの反射光を読取つたと
きに、明瞭な読取データを出力できなくなるとい
う問題点があつた。
CCDセンサ７，１１，１２，１３のそれぞれの
要部断面図である。この第４図はCCDセンサ７
に入力される光源からの光の波長が長くなると、
光子による電子の発生がCCDチツプのより奥深
いところで行なわれることを示している。すなわ
ち、たとえば波長λ＝450nmの光がCCDセンサ
７に入力されると、その光子による電子はCCD
チツプの比較的浅いところで発生する。ところ
が、光の波長がλ＝550nmになると、電子は
CCDチツプよりも深いところで発生し、波長λ
＝650nmになると、さらにCCDチツプより奥深
いところで電子が発生するようになる。このよう
に、光の波長が長くなるに従つて電子がCCDチ
ツプよりも奥深いところで発生するために、発生
した電子は真上の素子によつてとらえられずに、
両隣りのセンサによつてとらえられる確率が大き
くなる。このために、CCDセンサにおける各素
子間においてクロストーク現象を生じることとな
る。CCDセンサにおいて、各素子間でクロスト
ークを生じると、画像からの反射光を読取つたと
きに、明瞭な読取データを出力できなくなるとい
う問題点があつた。
発明の目的
それゆえに、この発明の主たる目的は、CCD
センサにおける隣接素子間の隣接クロストーク成
分を補正して明瞭な読取データを出力し得る画像
読取装置のクロストーク補正回路を提供すること
である。
センサにおける隣接素子間の隣接クロストーク成
分を補正して明瞭な読取データを出力し得る画像
読取装置のクロストーク補正回路を提供すること
である。
発明の構成
この発明を要約すれば、CCDセンサの各素子
から出力されるアナログ信号を読取データとして
デイジタル信号に変換して記憶し、記憶した
CCDセンサの各素子ごとのデータを第１のタイ
ミングで第の一時記憶手段に一時記憶し、さらに
第２のタイミングで第１の一時記憶手段に記憶し
た各素子ごとのデータを第２の一時記憶手段に記
憶する。そして、記憶手段から読出される或る素
子の読取データと、第１の一時記憶手段出力とし
ての隣接する素子の読取データと、さらに第２の
一時記憶手段から出力される隣接する素子の読取
データを予め定める定数に基づいてそれぞれのク
ロストーク成分を補正するように構成したもので
ある。
から出力されるアナログ信号を読取データとして
デイジタル信号に変換して記憶し、記憶した
CCDセンサの各素子ごとのデータを第１のタイ
ミングで第の一時記憶手段に一時記憶し、さらに
第２のタイミングで第１の一時記憶手段に記憶し
た各素子ごとのデータを第２の一時記憶手段に記
憶する。そして、記憶手段から読出される或る素
子の読取データと、第１の一時記憶手段出力とし
ての隣接する素子の読取データと、さらに第２の
一時記憶手段から出力される隣接する素子の読取
データを予め定める定数に基づいてそれぞれのク
ロストーク成分を補正するように構成したもので
ある。
この発明の上述の目的およびその他の目的と特
徴は以下に図面を参照して行なう詳細な説明から
一層明らかとなろう。
徴は以下に図面を参照して行なう詳細な説明から
一層明らかとなろう。
実施例の説明
第５図はこの発明の一実施例の概略ブロツク図
である。まず、第５図を参照してこの発明の一実
施例の構成について説明する。CCDセンサ２１
はたとえばＭ個の受光素子が集積されたものであ
つて、赤色、緑色、青色のそれぞれに対応する読
取信号をアナログ信号として出力する。この
CCDセンサ２１の出力は、A/Dコンバータ２２
に与えられ、アナログ信号としての読取出力がＮ
ビツトのデイジタル信号に変換される。このＮビ
ツトのデータはＲメモリ２３とＧメモリ２４とＢ
メモリ２５とに与えられる。Ｒメモリ２３は赤色
の読取データを記憶するものであり、Ｇメモリ２
４は緑色の読取データを記憶するものであり、Ｂ
メモリ２５は青色の読取データを記憶するもので
ある。
である。まず、第５図を参照してこの発明の一実
施例の構成について説明する。CCDセンサ２１
はたとえばＭ個の受光素子が集積されたものであ
つて、赤色、緑色、青色のそれぞれに対応する読
取信号をアナログ信号として出力する。この
CCDセンサ２１の出力は、A/Dコンバータ２２
に与えられ、アナログ信号としての読取出力がＮ
ビツトのデイジタル信号に変換される。このＮビ
ツトのデータはＲメモリ２３とＧメモリ２４とＢ
メモリ２５とに与えられる。Ｒメモリ２３は赤色
の読取データを記憶するものであり、Ｇメモリ２
４は緑色の読取データを記憶するものであり、Ｂ
メモリ２５は青色の読取データを記憶するもので
ある。
Ｒメモリ２３、Ｇメモリ２４およびＢメモリ２
５には、制御回路２６からアドレス信号とリード
ライト信号が与えられ、この制御回路２６によつ
てリード／ライト制御がなされる。すなわち、Ｒ
メモリ２３に赤色の読取データが書込まれている
ときには、Ｇメモリ２４から緑色の読取データが
読出される。これらのメモリ２３，２４および２
５から順次読出されたＮビツトの読取データは制
御回路２６から出力されるタイミング信号TLに
よつて第１のタイミングで第１の一時記憶手段と
してのラツチ回路２７に一時記憶され、このラツ
チ回路２７に一時記憶された読取データは第２の
タイミングで第２の一時記憶手段としてのラツチ
回路２８に一時記憶される。すなわち、Ｒメモリ
２３からCCDセンサ２１の或る素子におけるＮ
ビツトの読取データが読出されたときには、ラツ
チ回路２７にはＲメモリ２３から読出された読取
データに対応する素子に隣接する素子の読取デー
タがラツチ回路２７に一時記憶されていて、ラツ
チ回路２８にはラツチ回路２７に一時記憶された
読取データに対応する素子に隣接する素子の読取
データが一時記憶されることとなる。
５には、制御回路２６からアドレス信号とリード
ライト信号が与えられ、この制御回路２６によつ
てリード／ライト制御がなされる。すなわち、Ｒ
メモリ２３に赤色の読取データが書込まれている
ときには、Ｇメモリ２４から緑色の読取データが
読出される。これらのメモリ２３，２４および２
５から順次読出されたＮビツトの読取データは制
御回路２６から出力されるタイミング信号TLに
よつて第１のタイミングで第１の一時記憶手段と
してのラツチ回路２７に一時記憶され、このラツ
チ回路２７に一時記憶された読取データは第２の
タイミングで第２の一時記憶手段としてのラツチ
回路２８に一時記憶される。すなわち、Ｒメモリ
２３からCCDセンサ２１の或る素子におけるＮ
ビツトの読取データが読出されたときには、ラツ
チ回路２７にはＲメモリ２３から読出された読取
データに対応する素子に隣接する素子の読取デー
タがラツチ回路２７に一時記憶されていて、ラツ
チ回路２８にはラツチ回路２７に一時記憶された
読取データに対応する素子に隣接する素子の読取
データが一時記憶されることとなる。
Ｒメモリ２３、Ｇメモリ２４およびＢメモリ２
５のいずれかから読出されたＮビツトの読取デー
タと、ラツチ回路２７に一時記憶された読取デー
タと、ラツチ回路２８に一時記憶された読取デー
タは補正回路２９に与えられる。補正回路２９は
制御回路２６から与えられる補正係数切換用信号
T0，T1によつてそれぞれのクロストーク成分が
補正される。
５のいずれかから読出されたＮビツトの読取デー
タと、ラツチ回路２７に一時記憶された読取デー
タと、ラツチ回路２８に一時記憶された読取デー
タは補正回路２９に与えられる。補正回路２９は
制御回路２６から与えられる補正係数切換用信号
T0，T1によつてそれぞれのクロストーク成分が
補正される。
第６図は第５図に示すクロストーク補正回路に
よつてクロストーク成分を補正する場合の動作を
説明するための図である。
よつてクロストーク成分を補正する場合の動作を
説明するための図である。
次に、第６図を参照して第５図の動作について
説明する。たとえば、青、緑、赤の代表的な波長
450nm、550nm、650nmの光を用いて、CCDセン
サ２１の出力が第６図ａに示すようにレベル１に
なるような光量を、たとえばCCDセンサ２１の
ｎ番目の受光素子に照射したとする。すると、波
長450nmの光を照射した場合には、CCDセンサ
２１におけるｎ番目の受光素子の出力レベルは
0.9となり、両隣りのｎ−１、ｎ＋１番目の受光
素子にはそれぞれ0.05分だけ漏れる。また、波長
550nmの光を照射した場合には、第６図ｄに示す
ような、ｎ番目の受光素子の出力レベルは0.85と
なり、両隣りのｎ−１、ｎ＋１番目の受光素子に
は0.075分だけ漏れる。さらに、波長650nmの光
の場合には、第６図ｆに示すようにｎ番目の受光
素子の出力レベルは0.8となり、両隣りのｎ−１、
ｎ＋１番目の受光素子には0.1分だけ漏れる。
説明する。たとえば、青、緑、赤の代表的な波長
450nm、550nm、650nmの光を用いて、CCDセン
サ２１の出力が第６図ａに示すようにレベル１に
なるような光量を、たとえばCCDセンサ２１の
ｎ番目の受光素子に照射したとする。すると、波
長450nmの光を照射した場合には、CCDセンサ
２１におけるｎ番目の受光素子の出力レベルは
0.9となり、両隣りのｎ−１、ｎ＋１番目の受光
素子にはそれぞれ0.05分だけ漏れる。また、波長
550nmの光を照射した場合には、第６図ｄに示す
ような、ｎ番目の受光素子の出力レベルは0.85と
なり、両隣りのｎ−１、ｎ＋１番目の受光素子に
は0.075分だけ漏れる。さらに、波長650nmの光
の場合には、第６図ｆに示すようにｎ番目の受光
素子の出力レベルは0.8となり、両隣りのｎ−１、
ｎ＋１番目の受光素子には0.1分だけ漏れる。
従来よりこのようなクロストーク現象による
CCDセンサの出力を注目する受光素子の出力を
voとし、この素子の両隣りの素子の出力をvo-1、
vo+1とし、補正後における注目素子の出力レベル
をVoとすると、次の式によつて補正することが
よく知られている。
CCDセンサの出力を注目する受光素子の出力を
voとし、この素子の両隣りの素子の出力をvo-1、
vo+1とし、補正後における注目素子の出力レベル
をVoとすると、次の式によつて補正することが
よく知られている。
Vo＝vo／（１−α）−（vo-1＋vo+1）α／２（１−α
） この発明は上述の式における補正係数αを赤、
緑、青色のデータを読取る際に、それぞれ補正値
を変えて補正するようにする。たとえば、読取デ
ータが青であればα＝0.1とし、この場合には第
６図ｂに示す受光素子の出力は第６図ｃに示すよ
うに補正される。また、読取データが緑色であれ
ばα＝0.15とし、この場合には第６図ｄに示す受
光素子の出力レベルが第６図ｅに示すように補正
される。さらに、読取データが赤色であれば、α
＝0.2とし、この場合には第６図ｆに示す受光素
子の出力レベルが第６図ｇに示すように補正され
る。
） この発明は上述の式における補正係数αを赤、
緑、青色のデータを読取る際に、それぞれ補正値
を変えて補正するようにする。たとえば、読取デ
ータが青であればα＝0.1とし、この場合には第
６図ｂに示す受光素子の出力は第６図ｃに示すよ
うに補正される。また、読取データが緑色であれ
ばα＝0.15とし、この場合には第６図ｄに示す受
光素子の出力レベルが第６図ｅに示すように補正
される。さらに、読取データが赤色であれば、α
＝0.2とし、この場合には第６図ｆに示す受光素
子の出力レベルが第６図ｇに示すように補正され
る。
このために、第５図に示す補正回路２９はたと
えば大容量のROMにより構成されていて、その
出力Voは前述の補正式に基づいて補正するよう
に予め補正データが書込まれている。そして、制
御回路２６から補正回路２９に与えられる補正係
数切換信号T0，T1がともに“０”であればα＝
0.1に基づく補正係数によつてデータが補正され
て出力される。また、補正係数切換用信号T0が
“１”であり、T1が“０”であればα＝0.15に基
づいて補正される。さらに、補正係数切換用信号
T0が“１”でありかつT1が“１”であればα＝
0.2の係数で補正される。
えば大容量のROMにより構成されていて、その
出力Voは前述の補正式に基づいて補正するよう
に予め補正データが書込まれている。そして、制
御回路２６から補正回路２９に与えられる補正係
数切換信号T0，T1がともに“０”であればα＝
0.1に基づく補正係数によつてデータが補正され
て出力される。また、補正係数切換用信号T0が
“１”であり、T1が“０”であればα＝0.15に基
づいて補正される。さらに、補正係数切換用信号
T0が“１”でありかつT1が“１”であればα＝
0.2の係数で補正される。
発明の効果
以上のように、この発明によれば、CCDセン
サの各素子から出力されるアナログ信号を読取デ
ータとしてのデイジタル信号に変換して記憶し、
記憶されたCCDセンサにおける各素子ごとのデ
ータを第１のタイミングで第１の一時記憶手段に
一時記憶し、さらに第２のタイミングで第１の一
時記憶手段の出力を第２の一時記憶手段に一時記
憶し、記憶手段から読出される素子のデータと第
１の一時記憶手段出力としての隣接する素子のデ
ータと第２の一時記憶手段出力としてのさらに隣
りの素子のデータを予め定める定数に基づいて補
正するように構成したので、CCDセンサの隣接
素子間で生じるクロストーク成分を補正できる。
したがつて、この補正出力により明瞭な画像デー
タを出力することができる。
サの各素子から出力されるアナログ信号を読取デ
ータとしてのデイジタル信号に変換して記憶し、
記憶されたCCDセンサにおける各素子ごとのデ
ータを第１のタイミングで第１の一時記憶手段に
一時記憶し、さらに第２のタイミングで第１の一
時記憶手段の出力を第２の一時記憶手段に一時記
憶し、記憶手段から読出される素子のデータと第
１の一時記憶手段出力としての隣接する素子のデ
ータと第２の一時記憶手段出力としてのさらに隣
りの素子のデータを予め定める定数に基づいて補
正するように構成したので、CCDセンサの隣接
素子間で生じるクロストーク成分を補正できる。
したがつて、この補正出力により明瞭な画像デー
タを出力することができる。
第１図、第２図および第３図はこの発明の背景
となる画像読取装置における光学系を示す図であ
る。第４図は前述の第１図ないし第３図に示した
CCDセンサの要部断面図である。第５図はこの
発明の一実施例の概略ブロツク図である。第６図
はこの発明の一実施例によつてクロストーク成分
を補正するための動作を説明する図である。 図において、２１はCCDセンサ、２２はA/D
コンバータ、２３はＲメモリ、２４はＧメモリ、
２５はＢメモリ、２６は制御回路、２７，２８は
ラツチ回路、２９は補正回路を示す。
となる画像読取装置における光学系を示す図であ
る。第４図は前述の第１図ないし第３図に示した
CCDセンサの要部断面図である。第５図はこの
発明の一実施例の概略ブロツク図である。第６図
はこの発明の一実施例によつてクロストーク成分
を補正するための動作を説明する図である。 図において、２１はCCDセンサ、２２はA/D
コンバータ、２３はＲメモリ、２４はＧメモリ、
２５はＢメモリ、２６は制御回路、２７，２８は
ラツチ回路、２９は補正回路を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 画像で反射された光源からの光を複数の素子
が高密度で集積されたCCDセンサで検出し、そ
れによつて画像を読取る画像読取装置において、
前記CCDセンサにおける隣接素子間のクロスト
ークを補正するためのクロストーク補正回路であ
つて、 前記CCDセンサの各素子から出力されるアナ
ログ信号を読取データとしてのデイジタル信号に
変換するA/D変換手段、 前記A/D変換手段から順次出力される読取デ
ータを記憶する記憶手段、 前記記憶手段から読出される前記CCDの各素
子ごとのデータを第１のタイミングで一時記憶す
る第１の一時記憶手段、 前記第１の一時記憶手段出力を第２のタイミン
グで一時記憶する第２の一時記憶手段、および 前記記憶手段から読出される前記CCDセンサ
の各素子ごとのデータと、前記第１の一時記憶手
段出力と、前記第２の一時記憶手段出力とが与え
られ、それぞれから与えられた読取データのうち
隣接素子間に生じるクロストーク成分を予め定め
る定数に基づいて補正するための補正手段を備え
た、画像読取装置のクロストーク補正回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073560A JPS60216666A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 画像読取装置のクロスト−ク補正回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073560A JPS60216666A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 画像読取装置のクロスト−ク補正回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60216666A JPS60216666A (ja) | 1985-10-30 |
| JPH0228945B2 true JPH0228945B2 (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=13521759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59073560A Granted JPS60216666A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 画像読取装置のクロスト−ク補正回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60216666A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3308592B2 (ja) * | 1992-06-17 | 2002-07-29 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその信号処理方法 |
| FR2727589B1 (fr) * | 1994-11-25 | 1997-01-03 | Thomson Csf | Dispositif et systeme de lecture |
| US6330081B1 (en) * | 1998-11-20 | 2001-12-11 | Agfa Corporation | Crosstalk cancellation in a multi-color CCD signal processor |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59073560A patent/JPS60216666A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60216666A (ja) | 1985-10-30 |
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