JPH02289682A - 液晶組成物 - Google Patents

液晶組成物

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JPH02289682A JP1215793A JP21579389A JPH02289682A JP H02289682 A JPH02289682 A JP H02289682A JP 1215793 A JP1215793 A JP 1215793A JP 21579389 A JP21579389 A JP 21579389A JP H02289682 A JPH02289682 A JP H02289682A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は液晶表示素子用の液晶組成物およびこれを用い
る液晶表示素子K関する。さらに詳しくは高信頼性を要
するパッシブ方式およびアクティブマ11ツクス方式の
液晶表示素子用ネマチック液晶組成物およびこれを用い
る液晶表示素子に関する。
(従来の技術) 従来のパッシブ方式の液晶表示素子、たとえば90″ツ
イストネマチック方式、ゲスト・ホスト方式、スーパー
ツイスト方式、SBE方式等の液晶表示素子に用いられ
る液晶組成物、さらにアクティブマトリックス方式の液
晶表゜示素子、たとえばスイッチング素子としてダイオ
ード等の非線形2端子素子または薄膜トランジスタ(以
降TPTと略記することがある。)等の3端子素子に用
いられる液晶組成物は末端基もしくは側鎖にCN基を有
する化合物を正もしくは負の誘電異方性(以降Δeと略
記することがある。)を発現させるために用いた混合物
である。その最大の理由はCN基によって誘起される化
合物の誘電異方性が末端基にある場合は正に大きく、側
鎖忙ある場合は負に大きくなるからに他ならない。たと
えば市販されている液晶表示素子の大部分を占める90
’ツイストネマチック方式液晶表示素子を例にとると、
電気一容量特性におけるしきい値電圧は誘電異方性Δε
と弾性率K1いK2いKasを含む次式で与えられる。
それ故、Δεが正で大きい化合物すなわちCN基を末端
基に有する化合物を組成物の構成成分として含有するこ
とによシしきい値電圧VCの低下に有効であることが判
る。他方式においても同様にΔeの値はしきい値電圧の
値を左右する、すなわち−1Δε1,が大なるほどvc
は低下する。っまシ、従来の液晶組成物は前述した諸方
式KおいてCN基を末端または側鎖に有する化合物の含
有量を調整することKよって液晶表示素子の最大の特徴
であるたとえば数Vの低電圧駆動を可能ならしめている
さて、近年液晶表示素子の応用範囲拡大に伴い、パッシ
ブ方式、アクティブマトリックス方式等Kおいて、液晶
組成物の低消費電流、高比抵抗化等の高信頼性、高表示
コントラスト等を要求する液晶表示素子が増加しつつあ
る。
しかしながらCN基のような分極性の強い基は前述の誘
電異方性に対する寄与とは逆に上述した消費電流、比抵
抗ひいては表示コントラストに間頂があった。この理由
Kついて当業者間Kおいても明確に解明されているわけ
ではないが、当発明者等は末端基もしくは側鎖のCN基
が表示素子内に存在するイオン性不純物と何らかの相互
作用をもつことによシ電流値、比抵抗値ひいては表示コ
ントラストに悪影響を及ぼしていると考えている。
このCN基を有する化合物の欠点は、パッシブ方式の場
合、素子Kおける信頼性の低下として、すなわち消費電
流の増大、比抵抗率の低下を導き、表示特性的には表示
ムラ、コントラスト低下を引き起こし、さらにアクティ
ブ表示素子の塙合、2端子、3端子スイッチ素子の駆動
電流と相まって表示素子の信頼性の低下K与える影響は
パッシブ表示素子以上に大きく、消費電流の増加および
比抵抗値の低下を持たらす。特に比抵抗の低下はさらに
表示コントラストの低下へと2次的悪影響をおよぼす。
たとえば図1に示すTPT表示素子におけるコントラス
トはその信号電圧保持特性と密接に関係している。信号
電圧保持特性とは所定のフレーム周期内Kおいて液晶を
含むTPT画素に印加される信号電圧の低下の度合を示
す。したがって信号電圧の低下がない場合はコントラス
ト低下は発生しない。さらに信号保持特性は液晶と並列
に設けられる蓄積容量<CS>と液晶(LC)の比抵抗
が小さくなるほど相乗的に電圧保持特性を悪くする。
特に液晶の比抵抗がある下限値以下になると指数関数的
に電圧保持特性を劣化せしめ極端なコントラスト低下を
持たらす。特にTPT製造工程簡略化等の理由Kよシ蓄
積容量を付加しない場合においては、蓄積容量の寄与を
期待できないだけに特に比抵抗の高い液晶組成物が必要
となる。
以上によシ、パッシブ、アクティブ方式液晶表示素子に
おいて高信頼性ひいては高コントラストを保証するため
K1低消費電流、高比抵抗の液晶組成物が要求される。
(発明が解決しようとする課題) 本発明の目的は前述したように低消費電流、高比抵抗の
すなわち高信頼性の液晶組成物およびこれを用いた高信
頼性ひいては高表示コントラストの液晶表示装置を提供
することにある。
本発明の液晶組成物は、一般式 p を含有することを特徴とする。更に詳しくは、(1冫 
 一般式(1)で示される化合物を15〜80重量部お
よび一般式 p で示される化合物25〜65重量部からなる一般式(I
)、(If)の化合物を主成分とする液晶組成物、好ま
しくは一般式(1)、(II)の化合物が60%以上、
よシ好ましくは70%以上含む液晶組成物。
{2}  一般式(1)で示される化合物、15〜80
重量部および一般式 R,−(C ) −X−(D )−R4       
      (m )pq で表わされる少くとも一つの化合物10〜40重量部か
らなる一般式(1)、(I[[)の化合物を含有する液
晶組成物、好ましくは一般式(1)、(III)の化合
物が20%以上、よシ好ましくは30%以上含有する液
晶組成物。
(3)  一般式(1)で示される少くとも一つの化合
物15〜80重量部、一般式(II)で示される少くと
も一つの化合物65重量部以下、一般式(III)で示
一般式(1)、(II)、(III)の化合物を含有す
る液晶組成物。好ましくは、(1)の化合物15〜80
重量部、(II)の化合物25〜65重量部、(III
)の化合物10〜40重量部からなる一般式(1)、(
II)、(III)の化合物を60重量係以上含有する
液晶組成物。
(4)一般式 P で表わされる少くとも一つの化合物もしくは/および一
般式 p を示す。lは1または2の整数、mはOまたは1の整数
としl + m = 2とする。また、pとqは1もし
くは2の整数としP+Q≦3とする。A,B、結合、−
CM,CH,−  −COO−  −CTC−を示す。
本発明の液晶組成物を構成する化合物について説明する
本発明の一般式(1)で表わされる化合物としては、 で表わされる少くとも一つの化合物を5〜30重量係含
有する前記(1)、(2)、(3)項記載の液晶組成物
などをあげることができる。
前記(1)〜(V)式において、R,、R,、R,, 
R,はそれぞれ炭素数1〜10のアルキル基、R3は炭
素数1〜10のアルキル基、アルコキシメチル基、R4
は炭素数1〜10のアルキル基、アルコキシ基これらの
化合物についてのべると、式(I,)のR,が炭素数2
. 3. 5のアルキル基である化合物を重量比1:1
:1で混合したもの(以下A,とする。)、式(I2)
のR,が炭素数2. 3. 5のアルキル基である化合
物を重量比1:1:1で混合したもの(以下A,とする
。)、式(I,)のR1が炭素数2. 3. 4のアル
キル基である化合物を重量比1:1:1で混合したもの
(以下A,とする。)の三種類の化合物の混合物のそれ
ぞれと市販のシクロヘキサンベンザAt(P)、A,(
P )とし、その物性値を表1に示す。
表1の外挿値に明らかなように4.1〜7.8の正の誘
電異方性、67.0〜102.8℃の高い透明点、さら
に3環系の材料ながら、24.3〜32.2cpの低粘
性を有する等、物性的にも共通した性質を示す。
表2は、一般式A, , A,、A,の各々の3成分,
からなる共融組成( Schr’cider −Van
 Laarの式よシ導出)のDSCKよる結晶−ネマチ
ツク転移点( C N C’C) )とネマチツクーア
イントロピック転移点すなわち透明点( N I (”
C) )の表であl) 、A,(E)は式(■!)のR
1が炭素数2. 3. 5のアルキルである化合物30
.3 : 52.9 :16.8の比率からなる共融組
成物、A, (E)は式(11)のR,が炭素数2,3
,5のアルキルである化合物64.6 : 24.9 
:10.5の比率からなる共融組成物、AS(E)は式
(I,)のR,が炭素数2. 3. 5のアルキルであ
る化合物53.2:21.7:25.1の比率からなる
共融組成物を示す。
表2から明らかなように一般式(1)で表わされる化合
物はわずか3成分の使用でも広い液晶温度範囲をとシう
ろことが判る。
表   2 本発明の一般式(n)で表わされる化合物は、p これらの化合物についてのべると、表3に、式(■,)
のR,が炭素数2. 3. 5のアルキル基である化合
物を1:1:1の比率で混合したものを市販液晶83に
80重量係溶解した時の物性値を示す。
表号の外挿値に明らかなように5.8の正の誘電異方性
、105.4℃の高い透明点および−30℃以下の融点
という広い液晶温度範囲を有する。さらK3環系ながら
21.6epの低粘性を有する。
()内は外挿値 本発明の一般式(III)で表わされる化合物は、たと
えば をあげることができる。これらの化合物の特徴はCN基
を有する化合物等と異なり、誘電異方性が負か弱い正を
有することにある。特に末端基にFを有するものは弱い
正値を持つものが多い。たとえば容量(C)を持つTN
方式液晶表示素子に周波数(f)の交流電圧<V>を印
加して情報表示をさせたときの消費電流値は次式で示さ
れる。
i =2πf−C−voc2πf・Δε・■なぜなら容
量Cは比銹電率に比例し、さらに比誘電率は誘電異方性
(Δε)に比例するからである。
故に誘電異方性が負または弱い正の一般式(1)の化合
物は一般式(1)、(II)に混合されて一般式(1)
または(n)の化合物によって誘起される強い正の銹電
異方性を減じる作用を行い、ひいては消費電流を減少さ
せる。さらに後記の実施例から明らかなように一般式(
II[)の化合物は低消費電流はもちろん高比抵抗化に
非常に寄与する。実用上、これらの化合物の本願の組成
物における含有量は本化合物添加に伴うしきい値電圧の
上昇等を考慮すれば40重量係以下が適当である。
本発明の一般式(IV)、(V)で表わされる化合物は P 表   4 で示される。
これらの化合物についてのべると、シクロヘキサンベン
ゾニ} IJル系市販液晶Zli− 1132, (メ
ルク社製)〔以下市販液晶32と略す。〕に式(It/
)、(V)のR.、R7 が炭素数5のアルキル基であ
る化合物を各々15重量係溶解したときの混合物をIt
/ (P)、v(p)とし、その物性値を表4に示す。
表4に明らかなよ,一うに共に11.0の正の誘電異方
性および大きな減粘効果を示す等物性的にも共通した性
質を示す。実用上これら化合物の本願の組成物における
含有量は本化合物添加に伴う透明点降下等を考慮すれば
30重量係以下が適当である。
本発明の液晶組成物は使用される液晶表示素子の目的に
応じて、上記式(1)〜(V)で示される化合物のほか
、電圧一透過率特性におけるしきい値電圧、液晶温度範
囲、屈折率異方性、誘電率異方性、粘度等を調整する目
的で他の液晶化合物まだは液晶性化合物を本発明の目的
を害さない範囲で適当量含有することができる。このよ
うな化合物の例として以下のものをあげることができる
(ここで、R , R’はアルキル基、アルコキシ基ま
たはFを示す。) 本発明の液晶組成物は後記の実施例で明らかになるよう
に低消費電流および高比抵抗という特性の他に、低い粘
性、適度の正の誘電異方性をもつという特徴を示すと同
時に信頼性の高い、ひいては表示コントラストの高い液
晶表示素子を与える。
(実施例) 以下に実施例によυ本発明を詳述するが、本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。
本発明において、電圧一透過率特性のしきい値電圧とは
ディスプレイ表示面に対して垂直な光軸方向の光の透過
率が10係になるときの電圧をいい、v1。で表わす。
液晶の消費電流値は透明電極面積1d、電極間距離10
μmを有するガラスセルに液晶を注入したのち、3v、
32HZの矩形波を印加したときの25゜Cにおける電
極間に流れる電流値をいい初期値を■o(μA /cr
rt )、80゜C加熱試験後(1000時間)をI}
+(μA/.−m)と表わす。液晶の比抵抗は安藤電気
製液体セル(型式LE−21)に液晶を注入したのち、
HP社製PAメータ、DCボルテージ・ソース(型式H
P 4140B)において直流電圧10Vを印加して得
られる値をいい、初期値をρ。(ΩcrrL)、80°
C加熱試験後(1000時間)を/)y(Ωcr!L)
と表わす。加熱試験用液晶はパイレツクス製ガラス容器
中に、N2ガス雰囲気下、80°Cで保存された。加熱
試験時間の期間としてiooo時間は試料が飽和値に近
い値を示す時間として一般的に妥当と考えられる。本発
明の信頼性試験において耐光性、特に耐紫外光試験は除
外した。その理由は最近の紫外光カットフィルターの発
達により耐光劣化の問題は十分に解決されると考えられ
ることによる。
比較例として、誘電異方性が正で従来品の中では信頼性
が最も高いシクロヘキサンベンゾニトリル系の液晶組成
物を用い、実施例1の組成物と比較した。以降、比較例
、実施例1を含み全ての実施例は同一の処方に基づいて
調製された。さらに組成比は重量係を以って表わされる
実施例1 一般式(!)の化合物としてつぎの6つの化合物P 一般式(IV)の化合物としてつぎの2つの化合物から
なる液晶組成物を調製し. その特性を測定し 実施例2 た。
その結果を表5に示す。
一般式(1)の化合物と してつぎの6つの化合物 比較例1 P 従来公知のシクロヘキサンベンゾニト リル系の4 つの化合物 からなる液晶組成物を調製した。
その特性を表5 に示す。
比較例と実施例1の消費電流値、 比抵抗値の経 一般式(1)〜(V) 以外の化合物としてつぎの化合 時変化について図2、 図3に示す。
実施例1は比 物 較例1に比べて消費電流値で半分以下の値を、比 抵抗値で 102オーダー高い値を示していることがからなる液晶
組成物を調製し、 その特性を測定し わかる。
た。
その結果を表5に示す。
実施例3 一般式(1)の化合物としてつぎの3つの化合物F からなる液晶組成物を調製し、 その特性を測定し た。
その結果を表5に示す。
実施例4 一般式(1)の化合物としてつぎの3つの化合物一般式
(II)の化合物としてつぎの3つの化合物一般式(I
I)の化合物としてつぎ03つの化合物p 一般式(DI)の化合物と してつぎの4つの化合物 一般式(III)の化合物と してつぎの化合物 一般式(If)の化合物としてつぎの3つの化合物一般
式(1)〜(III)以外の化合物としてつぎの2つの
化合物 10.0 一般式(III)の化合物としてつぎ03つの化合物か
らなる液晶組成物を調製し、 その特性を測定し た。
その結果を表5に示す。
実施例5 一般式(1)の化合物としてつぎの3つの化合物P 一般式(IV)の化合物としてつぎの化合物一般式(I
II)の化合物としてつぎの2つの化合物からなる液晶
組成物を調製し、 その特性を測定し た。
その結果を表5に示す。
実施例6 一般式(IV)の化合物としてつぎの化合物一般式(1
)の化合物としてつぎの3つの化合物からなる液晶組成
物を調製し、 その特性を測定し た。
その結果を表5に示す。
実施例7 一般式(1)の化合物としてつぎ03つの化合物一般式
(It)の化合物と してつぎの3つの化合物 一般式(If)の化合物としてつぎの3つの化合物一般
式(II)の化合物としてつぎの3つの化合物一般式(
Ill)の化合物としてつぎの化合物一般式(V)の化
合物と してつぎの化合物 一般式(II[)の化合物としてつぎの2つの化合物か
らなる液晶組成物を調製し、 その特性を測定し た。
その結果を表5に示す。
実施例8 一般式(v)の化合物としてクぎの化合物一般式(1)
の化合物としてつぎの3つの化合物からなる液晶組成物
を調製し、 その特性を測定し た。
その結果を表5に示す。
実施例9 た。
その結果を表5に示す。
一般式(1)の化合物としてっぎの3つの化合物実施例
10 一般式(1)の化合物としてつぎの5つの化合物一般式
(It)の化合物としてつぎ03つの化合物p 一般式(11)の化合物としてつぎ03つの化合物一般
式(■)の化合物としてつぎの化合物からなる液晶組成
物を調製し、 その特性を測定し 一般式(IV)の化合物としてつぎの化合物一般式(V
)の化合物としてつぎの化合物からなる液晶組成物を調
製し、 その特性を測定し からなる液晶組成物を調製し、 その特性を測定し た。
その結果を表5に示す。
た。
その結果を表5に示す。
実施例11 実施例12 一般式(1)の化合物としてつぎの3つの化合物一般式
(1)の化合物としてつぎの4つの化合物一般式(II
)の化合物としてつぎの3つの化合物一般式(n)の化
合物としてつぎの3つの化合物一般式(V)の化合物と
してつぎの2つの化合物P 一般式(1)〜(III)以外の化合物としてつぎの2
つから,なる液晶組成物を調製した。
その特性を測定 の化合物 し、 結果を表5に示す。
実施例13 一般式(1)の化合物としてつぎの3つの化合物一般式
(V)の化合物としてつぎの化合物からなる液晶組成物
を調製し、 その特性を測定し た。
その結果を表5に示す。
一般式(II)の化合物としてつぎ03つの化合物実施
例1 一般式(1)の化合物としてつぎ02つの化合物F 一般式(n)の化合物としてつぎの3つの化合物p からなる液晶組成物を調整し、 その特性を測定し た。
その結果を表6に示す。
一般式(n)の化合物としてつぎの3つの化合物実施例
1 P 一般式(1)の化合物としてつぎ08つの化合物W 一般式(V)の化合物としてつぎの2つの化合物V 一般式(If)の化合物としてつぎの3つの化合物から
なる液晶組成物を調整し、 その特性を測定し た。
その結果を表6に示す。
実施例1 一般式(I)の化合物としてつぎの6つの化合物一般式
(III)の化合物としてつぎの化合物一般式(■)の
化合物としてつぎの化合物F 一般式(V)の化合物としてつぎの化合物からなる液晶
組成物を調整し、 その特性を測定し た。
その結果を表6に示す。
実施例1 一般式(1)の化合物としてつぎ03つの化合物一般式
(III)の化合物としてつぎの化合物一般式(IV)
の化合物としてつぎの化合物一般式(II)の化合物と
してつぎの6つの化合物その他の化合物としてつぎの化
合物 からなる液晶組成物を調整し、 その特性を測定し た。
その結果を表6に示す。
(発明の効果) 本発明のもたらす効果は、パッシブ方式、アクティブマ
トリックス方式を問わず液晶表示素子に用いられる液晶
組成物の低消費電流化および高比抵抗化等の高信頼性化
を達成するとともに、これらの液晶組成物を用いた液晶
表示素子の信頼性向上およびそれに伴う表示コントラス
トの向上を可能ならしめる点にある。
図2、3の比較例と実施例1との比較において端的に示
される如く、さらに表5および表6の実施例に示される
如く、本発明の液晶組成物は消費電流値、比抵抗値の初
期値および加熱試験後の値のいずれにおいても従来の液
晶組成物の特性を著しく改善するものである。これには
一般式(1)、(It)、(nl)、(R/) , (
V)の化合物が大きく寄与しておシ、中でも(1)の化
合物が大きく寄与していると考えられる。さらに(I)
、(It)、(ill)、(IV)、(V)式の化合物
を主成分として混合することによシ、表示素子の実用に
適した特性、たとえば適当な透明点、しきい値電圧およ
び低粘性等を有する液晶組成物を得ることができる。
本発明の液晶組成物は前述したような特性を有している
ので、該組成物を用いることによシパッシブ方式、アク
ティブマトリックス方式を問わず液晶組成物およびこれ
を用いる液晶表示素子の高信頼性化とともにひいては表
示コントラストの向上を可能とする。
【図面の簡単な説明】
図1はTPT表示素子の等価回路を示す。 Gはゲート電極、  Sはソース電極、Dはドレイン電
極、 C8は蓄積容量、LCは液晶、     v0は
走査信号、■.は表示信号、   vcは直流電圧 を
示す。 図2は実施例1、比較例1の液晶組成物の消費電流値を
示す。 図3は比抵抗値を示す。 以上

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は炭素数1〜10のアルキル基を示し、
    lは1または2の整数、mは0または1の整数を示し、
    l+m=2とする。Aは▲数式、化学式、表等がありま
    す▼または▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 ) で表わされる少くとも一つの化合物を含有することを特
    徴とする液晶組成物。
  2. (2)一般式  ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は炭素数1〜10のアルキル基を示し、
    lは1または2の整数、mは0または1の整数を示し、
    l+m=2とする。Aは▲数式、化学式、表等がありま
    す▼または▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 ) で表わされる少くとも一つの化合物15〜80重量部お
    よび一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R_2は炭素数1〜10のアルキル基、Bは▲
    数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式
    、表等があります▼を示す。) で表わされる少くとも一つの化合物25〜65重量部か
    らなる一般式( I )、(II)の化合物を主成分とする
    請求項(1)記載の液晶組成物。
  3. (3)一般式  ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は炭素数1〜10のアルキル基を示し、
    lは1または2の整数、mは0または1の整数を示し、
    l+m=2とする。Aは▲数式、化学式、表等がありま
    す▼または▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 ) で表わされる少くとも一つの化合物15〜80重量部お
    よび一般式 R_3−(C)_p−X−(D)_q−R_4(III)
    (式中、R_3は炭素数1〜10のアルキル基、アルコ
    キシメチル基、R_4は炭素数1〜10のアルキル基、
    アルコキシ基もしくはFを示す。また、p、qは1また
    は2の整数を示し、p+q≦3とする。 C、Dは▲数式、化学式、表等があります▼または▲数
    式、化学式、表等があります▼を示す。Xは単結合、−
    CH_2CH_2−、−COO−、−C≡C−を示す。 )で表わされる少くとも一つの化合物10〜40重量部
    からなる一般式( I )、(III)の化合物を含有する請
    求項(1)記載の液晶組成物。
  4. (4)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は炭素数1〜10のアルキル基を示す。 lは1または2の整数、mは0または1の整数を示し、
    l+m=2とする。Aは▲数式、化学式、表等がありま
    す▼または▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 ) で表わされる少くとも一つの化合物15〜80重量部、
    一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R_2は炭素数1〜10のアルキル基、Bは▲
    数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式
    、表等があります▼を示す。) で表わされる少くとも一つの化合物65重量部以下、一
    般式 R_3−(C)_p−X−(D)_q−R_4(III)
    (式中、R_3は炭素数1〜10のアルキル基、アルコ
    キシメチル基を示し、R_4は炭素数1〜10のアルキ
    ル基、アルコキシ基もしくはFを示す。p、qは1また
    は2の整数を示し、p+q=≦3とする。C、Dは▲数
    式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、
    表等があります▼を示す。また、Xは単結合、−CH_
    2CH_2−、−COO−、−C≡C−を示す。) で表わされる少くとも一つの化合物40重量部以下から
    なる一般式( I )、(II)、(III)の化合物を合計し
    て60重量%以上含有することを特徴とする液晶組成物
  5. (5)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は炭素数1〜10のアルキル基を示し、
    lは1または2の整数、mは0または1の整数を示し、
    l+m=2とする。Aは▲数式、化学式、表等がありま
    す▼または▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 ) で表わされる少くとも一つの化合物15〜80重量部、
    一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R_2は炭素数1〜10のアルキル基、Bは▲
    数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式
    、表等があります▼を示す。) で表わされる少くとも一つの化合物25〜65重量部、
    一般式 R_3−(C)_p−X−(D)_q−R_4(III)
    (式中、R_3は炭素数1〜10のアルキル基、アルコ
    キシメチル基、R_4は炭素数1〜10のアルキル基、
    アルコキシ基もしくはFを示す。p、qは1または2の
    整数を示し、p+q≦3とする。C、Dは▲数式、化学
    式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等があ
    ります▼を示す。また、Xは単結合、−CH_2CH_
    2−、−COO−、−C≡C−を示す。)で表わされる
    少くとも一つの化合物10〜40重量部からなる一般式
    ( I )、(II)、(III)の化合物を合計して60重量
    %以上含有する請求項(4)記載の液晶組成物。
  6. (6)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、R_5は炭素数1〜10のアルキル基を示す。 )で表わされる少くとも一つの化合物、もしくは/およ
    び一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (式中、R_7は炭素数1〜10のアルキル基を示す。 )で表わされる少くとも一つの化合物5〜30重量%含
    有する請求項(1)、(2)、(3)、(4)もしくは
    (5)記載の液晶組成物。
  7. (7)請求項(1)、(2)、(3)、(4)、(5)
    もしくは(6)記載の液晶組成物からなる液晶表示素子
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