JPH0229009A - 電圧制御発振回路 - Google Patents
電圧制御発振回路Info
- Publication number
- JPH0229009A JPH0229009A JP1106663A JP10666389A JPH0229009A JP H0229009 A JPH0229009 A JP H0229009A JP 1106663 A JP1106663 A JP 1106663A JP 10666389 A JP10666389 A JP 10666389A JP H0229009 A JPH0229009 A JP H0229009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- vco
- variable reactance
- reactance circuit
- capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 23
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000000306 recurrent effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L5/00—Automatic control of voltage, current, or power
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1209—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier having two current paths operating in a differential manner and a current source or degeneration circuit in common to both paths, e.g. a long-tailed pair.
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電圧制御発振器（ＶＣＯ）に関し、特に自走発
振周波数の調整が不要なりＣＯに関する。
振周波数の調整が不要なりＣＯに関する。
ｖＣＯは各種システムに多用されているが、ＰＬＬ（位
相同期ループ）回路で用いられるｖＣＯでは、その自走
発振周波数がＰＬＬ回路のキャッチャレンジの中心周波
数をとることが望ましい。
相同期ループ）回路で用いられるｖＣＯでは、その自走
発振周波数がＰＬＬ回路のキャッチャレンジの中心周波
数をとることが望ましい。
この目的のために、抵抗、コンデンサの共振回路を用い
たＶＣＯでは、抵抗および／又はコンデンサの値を調整
して自走発振周波数をその中心周波数に合わせている。
たＶＣＯでは、抵抗および／又はコンデンサの値を調整
して自走発振周波数をその中心周波数に合わせている。
しかしながら、このような調整はかなりの工数２時間を
要するため、自走発振周波数を無調整化したＶＣＯが提
案されている。
要するため、自走発振周波数を無調整化したＶＣＯが提
案されている。
第２図にそのようなＶＣＯのブロック図を示す。
このｖＣＯは、増幅器８．セラミック共振子１０および
可変リアクタンス回路１１を有する。増幅器８の出力は
正帰還され、さらに増幅器８の出力はセラミック共振子
１０と可変リアクタンス回路１１に接続されている。増
幅器８の出力をＶＣＯの出力端子９とする。可変リアク
タンス回路１１の等価容量は端子１２に印加される制御
電圧に応じて変化する。その等価容量をＣｖとする。セ
ラミック共振子１０は、図示のように、並列容量Ｃａ。
可変リアクタンス回路１１を有する。増幅器８の出力は
正帰還され、さらに増幅器８の出力はセラミック共振子
１０と可変リアクタンス回路１１に接続されている。増
幅器８の出力をＶＣＯの出力端子９とする。可変リアク
タンス回路１１の等価容量は端子１２に印加される制御
電圧に応じて変化する。その等価容量をＣｖとする。セ
ラミック共振子１０は、図示のように、並列容量Ｃａ。
直列容＃ｃｒ、直列インダクタンスＬおよび直列抵抗ｒ
でなる等何回路として示すことができる。
でなる等何回路として示すことができる。
したがって、出力端子９から得られる発振周波数、ｆ
ｏは（１）式で示される。
ｏは（１）式で示される。
可変リアクタンス回路１１の等価容量Ｃｖを制御端子１
２への制御電圧により変化することで、出力端子９から
の発振周波数ｆ。を制御することができる。しかも、可
変リアクタンス回路１１は、Ｖ ＣＯの自走発振時、す
なわち無制御時は、その容量Ｃｖが零となるように構成
されているので、ＶＣＯの自走発振周波数はセラミック
共振子１１の固有の共振周波数となり、同共振周波数が
上記中心周波数をもつ共振子を用いることで、自走発振
周波数の調整が不要となる。可変リアクタンス回路１】
は前述のとおり無制御時における容量成分Ｃｖは零であ
るが、制御時には負の容量から正の容量まで可変できる
特性を有する。
２への制御電圧により変化することで、出力端子９から
の発振周波数ｆ。を制御することができる。しかも、可
変リアクタンス回路１１は、Ｖ ＣＯの自走発振時、す
なわち無制御時は、その容量Ｃｖが零となるように構成
されているので、ＶＣＯの自走発振周波数はセラミック
共振子１１の固有の共振周波数となり、同共振周波数が
上記中心周波数をもつ共振子を用いることで、自走発振
周波数の調整が不要となる。可変リアクタンス回路１】
は前述のとおり無制御時における容量成分Ｃｖは零であ
るが、制御時には負の容量から正の容量まで可変できる
特性を有する。
かくして、自走発振周波数が無調整のＶＣＯが構成され
る。しか■ながら、かかる構成では電源投入時等の過渡
応答時に異常発振を起こすことがある。
る。しか■ながら、かかる構成では電源投入時等の過渡
応答時に異常発振を起こすことがある。
すなわち、（・干ミック共振子１０は、その周波数対イ
ンピーダンス特性を第３図に示すように、構造十三つの
ス゛７°リアスを有する。通常動作では第１スプリアス
の低い周波数にて発生させているが、第２スブリアクが
存在する周波数（第１スフリアス周波数の１０倍程度）
にお５・でもＶ ＣＯは安定発振を行なう。（１）式か
られかるように、可変リアクタンス回路１１の等価容量
成分Ｃｖが一〇ａに近づく七、発振周波数１０は高くな
り第：゛スフリアスの周波数に近づく。通常動作におい
ては、可変りアクタンス回路１１の等価容量Ｃｖの可変
範囲は一〇ａに近づかないように制御されているが、電
源投入時等の過渡応答時にはその制御が充分に働かず、
その結果、ＶＣＯは第２スプリアスの周波数で安定発振
することになる。さらには、セラミック共振子１０を含
めた発振ループが働かず、増幅器８と可変リアクタンス
回路１１とのみによって決まる回路固有の発振が生じて
しまうことがある。これらいずれの場合においても、所
期の自走発振周波数が得られず、ＰＬＬ回路が動作しな
い結果をもたらす。
ンピーダンス特性を第３図に示すように、構造十三つの
ス゛７°リアスを有する。通常動作では第１スプリアス
の低い周波数にて発生させているが、第２スブリアクが
存在する周波数（第１スフリアス周波数の１０倍程度）
にお５・でもＶ ＣＯは安定発振を行なう。（１）式か
られかるように、可変リアクタンス回路１１の等価容量
成分Ｃｖが一〇ａに近づく七、発振周波数１０は高くな
り第：゛スフリアスの周波数に近づく。通常動作におい
ては、可変りアクタンス回路１１の等価容量Ｃｖの可変
範囲は一〇ａに近づかないように制御されているが、電
源投入時等の過渡応答時にはその制御が充分に働かず、
その結果、ＶＣＯは第２スプリアスの周波数で安定発振
することになる。さらには、セラミック共振子１０を含
めた発振ループが働かず、増幅器８と可変リアクタンス
回路１１とのみによって決まる回路固有の発振が生じて
しまうことがある。これらいずれの場合においても、所
期の自走発振周波数が得られず、ＰＬＬ回路が動作しな
い結果をもたらす。
したがって、本発明の目的は異常発振を防止した自走発
振周波数無調整のＶＣＯを提供することにある。
振周波数無調整のＶＣＯを提供することにある。
本発明によるＶＣＯは、少なくとも、可変リアクタンス
回路内にロウバスフィルタを設けたことを特徴とする。
回路内にロウバスフィルタを設けたことを特徴とする。
好ましい実施例では、正帰還ループにバイパスフィルタ
を設けている。
を設けている。
このロウパスフィルタはセラミック共振子の第２スプリ
アスでの異常発振を防止する。また、バイパスフィルタ
は増幅器と可変リアクタンス回路で決まる周波数での発
振を防止している。
アスでの異常発振を防止する。また、バイパスフィルタ
は増幅器と可変リアクタンス回路で決まる周波数での発
振を防止している。
以下、図面を用いて本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例によるブロック図である。こ
のＶＣＯ５０は、増幅器１、バイパスフィルタ４．セラ
ミック共振子５．ロウパスフィルタ７、可変リアクタン
ス回路６．およびバイアス電圧源８を有する。増幅器１
の出力２は発振出力端子２として取り出され、さらにバ
イパスフィルター４を通して非反転（＋）入力端子に正
帰還されている。反転（−）入力端子にはバイアス源８
がらバイアス電圧が与えられている。さらに出力２には
、セラミック共振子５と、ロウパスフィルタ７を有する
可変リアクタンス回路６とが接続されている。セラミッ
ク共振子５は、等何回路的には図示のとおり、並列容量
Ｃａ、直列容量Ｃｒ、直列インダクタンスＬ、および直
列抵抗ｒで構成される。
のＶＣＯ５０は、増幅器１、バイパスフィルタ４．セラ
ミック共振子５．ロウパスフィルタ７、可変リアクタン
ス回路６．およびバイアス電圧源８を有する。増幅器１
の出力２は発振出力端子２として取り出され、さらにバ
イパスフィルター４を通して非反転（＋）入力端子に正
帰還されている。反転（−）入力端子にはバイアス源８
がらバイアス電圧が与えられている。さらに出力２には
、セラミック共振子５と、ロウパスフィルタ７を有する
可変リアクタンス回路６とが接続されている。セラミッ
ク共振子５は、等何回路的には図示のとおり、並列容量
Ｃａ、直列容量Ｃｒ、直列インダクタンスＬ、および直
列抵抗ｒで構成される。
ロウパスフィルタ７の遮断周波数は、セラミック共振子
５の第３図に示す第１および第２スプリアスの周波数の
間の周波数に設定され、バイパスフィルタ４は第１スプ
リアスの周波数よりも低い周波数に設定されている。し
たがって本実施例のＶＣＯ５０の出力端子２から得る信
号の発振周波数ｆ。も（１）式で示される。ＶＣＯ５０
の自走発振時、すなわち無制御時は、可変リアクタンス
回路６はその容量Ｃｖが零となるように構成されている
ので、自走発振周波数はセラミック共振子５の固有の共
振周波数となり、無調整化が実現される。発振制御時は
、端子３への制御電圧に応じて可変りアクタンス回路６
の容量Ｃｖは負の容量値から正の容量値まで変化するの
で、出力端子２の発振周波数はそれに応じて変化する。
５の第３図に示す第１および第２スプリアスの周波数の
間の周波数に設定され、バイパスフィルタ４は第１スプ
リアスの周波数よりも低い周波数に設定されている。し
たがって本実施例のＶＣＯ５０の出力端子２から得る信
号の発振周波数ｆ。も（１）式で示される。ＶＣＯ５０
の自走発振時、すなわち無制御時は、可変リアクタンス
回路６はその容量Ｃｖが零となるように構成されている
ので、自走発振周波数はセラミック共振子５の固有の共
振周波数となり、無調整化が実現される。発振制御時は
、端子３への制御電圧に応じて可変りアクタンス回路６
の容量Ｃｖは負の容量値から正の容量値まで変化するの
で、出力端子２の発振周波数はそれに応じて変化する。
しかも、ロウパスフィルタ７は、その遮断周波数が第１
および第２スプリアス周波数の間に設定されており、Ｖ
ＣＯ５０に要求される周波数可変範囲よりも高い周波数
をしゃ断しており、可変リアクタンス回路６の負の容量
域に制限を設けている。したがって、セラミック共振子
５の第２スプリアスでの異常発振を防ぐことができる。
および第２スプリアス周波数の間に設定されており、Ｖ
ＣＯ５０に要求される周波数可変範囲よりも高い周波数
をしゃ断しており、可変リアクタンス回路６の負の容量
域に制限を設けている。したがって、セラミック共振子
５の第２スプリアスでの異常発振を防ぐことができる。
また、増幅器１の正帰還ループに設けられたバイパスフ
ィルタ４はＶＣＯ５０における必要な低域可変範囲より
も低い周波数をしゃ断している。したがって、増幅器１
と可変リアクタンス回路６とによってのみ決まる固有の
周波数での発振も防止することができる。
ィルタ４はＶＣＯ５０における必要な低域可変範囲より
も低い周波数をしゃ断している。したがって、増幅器１
と可変リアクタンス回路６とによってのみ決まる固有の
周波数での発振も防止することができる。
かくして、ロウパスフィルタ７およびバイパスフィルタ
４により、ｖＣＯは、セラミック共振子５の第１スプリ
アス付近でもっとも安定な発振が可能となり、電源投入
時等の過渡応答時における異常発振を防止することがで
きる。
４により、ｖＣＯは、セラミック共振子５の第１スプリ
アス付近でもっとも安定な発振が可能となり、電源投入
時等の過渡応答時における異常発振を防止することがで
きる。
第４図に本発明の他の実施例によるＶＣＯ５０’を用い
たＰＬＬ回路を示す。このＰＬＬ回路は、ＦＭ信号のス
テレオ復調回路として用いられる。すなわち、右（Ｒ）
および左（Ｌ）チャンネルの和信号（Ｒ＋Ｌ）、３８Ｋ
Ｈｚの副搬送波信号で抑圧変調された差信号（Ｒ−Ｌ）
ならびに１９ＫＨｚのパイロット信号を含むＦＭコンポ
ジット信号は位相比較器４０の一方の入力端子に供給さ
れ、同比較器４０の他方の入力端子には後述する第２の
分周器４２から１９ＫＨｚの信号が供給される。位相比
較器４０はＦＭコンポジット信号内の１９ＫＨｚパイロ
ット信号と分周器４２からの１９ＫＨｚ信号との位相を
比較し、これらの位相差に応じた直流電圧信号を真補の
形式で出力端子４１．４２にそれぞれ発生する。位相差
信号は本実施例によるＶＣ０５０′の発振周波数を制御
する。ＶＣＯ５０’ の出力は第１の分周器４１で分周
されて３８ＫＨｚの信号となり、同信号は第２の分周器
４２で１／２に分周されて１９ＫＨｚの信号となる。分
局器４１からの３８ＫＨｚ信号はステレオ復調器４３に
供給され、同復調器４３にはＦＭコンポジット信号がさ
らに供給されている。
たＰＬＬ回路を示す。このＰＬＬ回路は、ＦＭ信号のス
テレオ復調回路として用いられる。すなわち、右（Ｒ）
および左（Ｌ）チャンネルの和信号（Ｒ＋Ｌ）、３８Ｋ
Ｈｚの副搬送波信号で抑圧変調された差信号（Ｒ−Ｌ）
ならびに１９ＫＨｚのパイロット信号を含むＦＭコンポ
ジット信号は位相比較器４０の一方の入力端子に供給さ
れ、同比較器４０の他方の入力端子には後述する第２の
分周器４２から１９ＫＨｚの信号が供給される。位相比
較器４０はＦＭコンポジット信号内の１９ＫＨｚパイロ
ット信号と分周器４２からの１９ＫＨｚ信号との位相を
比較し、これらの位相差に応じた直流電圧信号を真補の
形式で出力端子４１．４２にそれぞれ発生する。位相差
信号は本実施例によるＶＣ０５０′の発振周波数を制御
する。ＶＣＯ５０’ の出力は第１の分周器４１で分周
されて３８ＫＨｚの信号となり、同信号は第２の分周器
４２で１／２に分周されて１９ＫＨｚの信号となる。分
局器４１からの３８ＫＨｚ信号はステレオ復調器４３に
供給され、同復調器４３にはＦＭコンポジット信号がさ
らに供給されている。
さて、ＶＣ０５０′は、第１図と同様に、増幅器１′、
バイアス源８′ バイパスフィルタ４′セラミツク共振
子５１．および、ロウパスフィルタ７′を有する可変リ
アクタンス回路６′で構成されている。増幅器１′は、
差動型式に接続されたトランジスタＱ＋＋、Ｑ＋□、電
流源工１０．それぞレカカレントミラーな構成する３対
のトランジスタ（Ｑ ｌ ３ 、 Ｑ ｌ ４ ） 、
（Ｑ ＋ ｓ 、 Ｑ １ａ ） 、 （Ｑ １ア、
Ｑ＋ｓ）を有し、図示のように接続されている。トラン
ジスタＱ１□のベースは増幅器１′の反転（−）入力端
子であり、バイアス源８′から抵抗Ｒ１□を介してバイ
アス電圧が与えられている。トランジスタＱ１４゜Ｑ１
８の接続点が増幅器１′の出力端子２′であり、コンデ
ンサＣ４１および抵抗Ｒ４１でなるバイパスフィルタ４
′を介して非反転（＋）入力端子であるトランジスタＱ
１１のベースに正帰還されている。非反転（＋）入力端
子には抵抗Ｒ１□を介してバイアス源８′が接続される
。出力端子２′にはセラミック共振子５′が接続され、
さらに可変リアクタンス回路６′が接続されている。同
回路６′は、トランジスタＱ６．乃至Ｑ８７、電流源工
。□乃至工。５、コンデンサＣ８１および抵抗’Ｒ６１
を有し、図示のように接続されている。特に、増幅器１
′の出力２′はトランジスタ０６ｆと、抵抗Ｒｔｌおよ
びコンデンサＣ７１でなるロウパスフィルタ７′ とを
介してトランジスタＱ６２のベースに供給され、同トラ
ンジスタＱ６□のエミッタとコンデンサＣａｒを介して
接続されたトランジスタＱ６．のベースは抵抗Ｒ８１を
介してバイアス源８′に接続されている。位相比較器４
０の第１出力端子４１はトランジスタ０６３１ Ｑ８６
のベース、第２出力端子４２はトランジスタＱ６４．
Ｃ６５のベースに接続されている。トランジスタＱＢ、
、ＱａｓのコレクタはトランジスタＱ１５のコレクタに
、トランジスタＱ、、、Ｑ、、のコレクタはトランジス
タＱ１３のコレクタにそれぞれ共通接続されている。
バイアス源８′ バイパスフィルタ４′セラミツク共振
子５１．および、ロウパスフィルタ７′を有する可変リ
アクタンス回路６′で構成されている。増幅器１′は、
差動型式に接続されたトランジスタＱ＋＋、Ｑ＋□、電
流源工１０．それぞレカカレントミラーな構成する３対
のトランジスタ（Ｑ ｌ ３ 、 Ｑ ｌ ４ ） 、
（Ｑ ＋ ｓ 、 Ｑ １ａ ） 、 （Ｑ １ア、
Ｑ＋ｓ）を有し、図示のように接続されている。トラン
ジスタＱ１□のベースは増幅器１′の反転（−）入力端
子であり、バイアス源８′から抵抗Ｒ１□を介してバイ
アス電圧が与えられている。トランジスタＱ１４゜Ｑ１
８の接続点が増幅器１′の出力端子２′であり、コンデ
ンサＣ４１および抵抗Ｒ４１でなるバイパスフィルタ４
′を介して非反転（＋）入力端子であるトランジスタＱ
１１のベースに正帰還されている。非反転（＋）入力端
子には抵抗Ｒ１□を介してバイアス源８′が接続される
。出力端子２′にはセラミック共振子５′が接続され、
さらに可変リアクタンス回路６′が接続されている。同
回路６′は、トランジスタＱ６．乃至Ｑ８７、電流源工
。□乃至工。５、コンデンサＣ８１および抵抗’Ｒ６１
を有し、図示のように接続されている。特に、増幅器１
′の出力２′はトランジスタ０６ｆと、抵抗Ｒｔｌおよ
びコンデンサＣ７１でなるロウパスフィルタ７′ とを
介してトランジスタＱ６２のベースに供給され、同トラ
ンジスタＱ６□のエミッタとコンデンサＣａｒを介して
接続されたトランジスタＱ６．のベースは抵抗Ｒ８１を
介してバイアス源８′に接続されている。位相比較器４
０の第１出力端子４１はトランジスタ０６３１ Ｑ８６
のベース、第２出力端子４２はトランジスタＱ６４．
Ｃ６５のベースに接続されている。トランジスタＱＢ、
、ＱａｓのコレクタはトランジスタＱ１５のコレクタに
、トランジスタＱ、、、Ｑ、、のコレクタはトランジス
タＱ１３のコレクタにそれぞれ共通接続されている。
かかる構成において、無制御的、すなわち自走発振時は
位相比較器４ｏはその出力端子４１゜４２に同一電圧を
発生するので、可変リアクタンス回路６′の等価容量は
零となる。したがって、ＶＣＯ５０’はセラミック共振
子５′の第１スプリアス周波数の周波数で自走発振する
。本実施例では、自走発振周波数は４５６ＫＨｚに設定
されており、セラミック共振子５′の並列容量Ｃａはほ
ぼ３００ｐＦ’である。したがって、第２スプリアス周
波数は４乃至６ＭＨｚ付近である。ロウバスフィルタ７
′におけるコンデンサｃｒ＋の容量値および抵抗Ｒｒｌ
の抵抗値をそれぞれ１６ｐＦおよびＩＯＫΩに設定して
おり、したがってその遮断周波数はほぼＩＭＨｚである
。したがって、ＶＣ０５０′が第２スプリアス周波数（
４〜６ＭＨｚ）で異常発振することが防止される。
位相比較器４ｏはその出力端子４１゜４２に同一電圧を
発生するので、可変リアクタンス回路６′の等価容量は
零となる。したがって、ＶＣＯ５０’はセラミック共振
子５′の第１スプリアス周波数の周波数で自走発振する
。本実施例では、自走発振周波数は４５６ＫＨｚに設定
されており、セラミック共振子５′の並列容量Ｃａはほ
ぼ３００ｐＦ’である。したがって、第２スプリアス周
波数は４乃至６ＭＨｚ付近である。ロウバスフィルタ７
′におけるコンデンサｃｒ＋の容量値および抵抗Ｒｒｌ
の抵抗値をそれぞれ１６ｐＦおよびＩＯＫΩに設定して
おり、したがってその遮断周波数はほぼＩＭＨｚである
。したがって、ＶＣ０５０′が第２スプリアス周波数（
４〜６ＭＨｚ）で異常発振することが防止される。
ＶＣＯ５０’の自走発振周波数が４５６ＫＨｚであるの
で、分周器４１の分周比は１／１２に設定され、３８Ｋ
Ｈｚの信号が得られる。位相比較器４０は、入力された
１９ＫＨｚパイロット信号と分周器４２からの１９ＫＨ
ｚ信号とを位相比較し、その比較結果で、トランジスタ
Ｑ ａ ｓ （Ｑ ｓ ｓ ）、Ｑａ＜ （Ｑａｓ）間
のベース電圧差を制御する。可変リアクタンス回路６′
からはダブルエンド型式で出力が取り出されているので
、コンデンサＣＳ＋の容量値をＣ８１１とすると、その
等価容量Ｃｖは一２Ｃａ＋＋から＋２０６４まで可変で
きる。本実施例では容量値Ｃ８１１は１００ｐＦである
。この結果、１９ＫＨｚパイロット信号と分周器４２か
らの１９ＫＨｚ信号が所定の位相差となるように、ＶＣ
０５０′の発振周波数が制御される。かくして、ステレ
オ復調器４３は分周器４１からの３８ＫＨｚ信号を用い
てＦＭコンポジット信号をステレオ復調し、右チャンネ
ル信号Ｒおよび左チャンネル信号りを発生する。バイパ
スフィルタ４′におけるコンデンサＣ４１および抵抗Ｒ
４１の値はそれぞれ３３ｐＦおよび１５にΩに設定され
ている。したがって、その遮断周波数はほぼ１００Ｈｚ
であり、増幅器１′と可変リアクタンス回路６′とのみ
によって決まる固有の周波数でＶＣＯ５０′が発生する
ことが防止できる。
で、分周器４１の分周比は１／１２に設定され、３８Ｋ
Ｈｚの信号が得られる。位相比較器４０は、入力された
１９ＫＨｚパイロット信号と分周器４２からの１９ＫＨ
ｚ信号とを位相比較し、その比較結果で、トランジスタ
Ｑ ａ ｓ （Ｑ ｓ ｓ ）、Ｑａ＜ （Ｑａｓ）間
のベース電圧差を制御する。可変リアクタンス回路６′
からはダブルエンド型式で出力が取り出されているので
、コンデンサＣＳ＋の容量値をＣ８１１とすると、その
等価容量Ｃｖは一２Ｃａ＋＋から＋２０６４まで可変で
きる。本実施例では容量値Ｃ８１１は１００ｐＦである
。この結果、１９ＫＨｚパイロット信号と分周器４２か
らの１９ＫＨｚ信号が所定の位相差となるように、ＶＣ
０５０′の発振周波数が制御される。かくして、ステレ
オ復調器４３は分周器４１からの３８ＫＨｚ信号を用い
てＦＭコンポジット信号をステレオ復調し、右チャンネ
ル信号Ｒおよび左チャンネル信号りを発生する。バイパ
スフィルタ４′におけるコンデンサＣ４１および抵抗Ｒ
４１の値はそれぞれ３３ｐＦおよび１５にΩに設定され
ている。したがって、その遮断周波数はほぼ１００Ｈｚ
であり、増幅器１′と可変リアクタンス回路６′とのみ
によって決まる固有の周波数でＶＣＯ５０′が発生する
ことが防止できる。
かくして、ＰＬＬ回路を用いたＦＭステレオ復調回路の
ためのＶＣＯが提供される。
ためのＶＣＯが提供される。
以上説明したように、本発明のＶＣＯでは、増幅器の正
帰還による発振周波数をセラミック共振子の並列共振周
波数付近に設定して、発振安定を図り、セラミック共振
子の第２スプリアスでの可変リアクタンス回路の利得を
下げ異常発振を防ぐ効果がある。
帰還による発振周波数をセラミック共振子の並列共振周
波数付近に設定して、発振安定を図り、セラミック共振
子の第２スプリアスでの可変リアクタンス回路の利得を
下げ異常発振を防ぐ効果がある。
発明の他の実施例によるＶＣＯを用いたステレオ復調回
路の回路図である。
路の回路図である。
１・・・・・・増幅器、２・・・・・・出力端子、３・
・・・・・電圧制御端子、４・・・・・・バイパスフィ
ルタ、５・・・・・・セラミック共振子、６・・・・・
・可変リアクタンス回路、７・・・・・・ロウパスフィ
ルタ。
・・・・・電圧制御端子、４・・・・・・バイパスフィ
ルタ、５・・・・・・セラミック共振子、６・・・・・
・可変リアクタンス回路、７・・・・・・ロウパスフィ
ルタ。
代理人 弁理士 内 原 晋
第１図は本発明一実施例のブロック図、第２図は従来例
のブロック図、第３図はセラミック共振子のインピーダ
ンス対周波数特性図、第４図は本第 乙 図 囚し良校 痢 図
のブロック図、第３図はセラミック共振子のインピーダ
ンス対周波数特性図、第４図は本第 乙 図 囚し良校 痢 図
Claims (1)
- 増幅器と、この増幅器の出力を入力に正帰還する手段と
、前記増幅器の出力に接続された共振素子と、ロウパス
フィルタを有し前記増幅器の出力に接続された可変リア
クタンス回路とを備え、前記可変リアクタンス回路に印
加する制御電圧によって発振周波数を制御することを特
徴とする電圧制御発振回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-103287 | 1988-04-25 | ||
| JP10328788 | 1988-04-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229009A true JPH0229009A (ja) | 1990-01-31 |
| JP2680890B2 JP2680890B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=14350098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1106663A Expired - Fee Related JP2680890B2 (ja) | 1988-04-25 | 1989-04-25 | 電圧制御発振回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4914406A (ja) |
| EP (1) | EP0339925B1 (ja) |
| JP (1) | JP2680890B2 (ja) |
| KR (1) | KR920003470B1 (ja) |
| DE (1) | DE68916841T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6657500B1 (en) * | 2002-01-08 | 2003-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method and system of characterization and behavioral modeling of a phase-locked loop for fast mixed signal simulation |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5430342A (en) | 1993-04-27 | 1995-07-04 | Watson Industries, Inc. | Single bar type vibrating element angular rate sensor system |
| US5416448A (en) * | 1993-08-18 | 1995-05-16 | Sandia Corporation | Oscillator circuit for use with high loss quartz resonator sensors |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226908A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Nec Corp | 電圧制御発振回路 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6030125B2 (ja) * | 1974-07-04 | 1985-07-15 | ソニー株式会社 | 可変リアクタンス回路 |
| JPS5957515A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 可変リアクタンス回路 |
| JPH061853B2 (ja) * | 1985-12-20 | 1994-01-05 | 株式会社東芝 | 可変周波数発振回路 |
-
1989
- 1989-04-19 US US07/340,427 patent/US4914406A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-25 DE DE68916841T patent/DE68916841T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-25 JP JP1106663A patent/JP2680890B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-25 EP EP89304096A patent/EP0339925B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-25 KR KR8905411A patent/KR920003470B1/ko not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226908A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Nec Corp | 電圧制御発振回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6657500B1 (en) * | 2002-01-08 | 2003-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method and system of characterization and behavioral modeling of a phase-locked loop for fast mixed signal simulation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4914406A (en) | 1990-04-03 |
| DE68916841T2 (de) | 1994-12-08 |
| EP0339925A3 (en) | 1990-09-19 |
| JP2680890B2 (ja) | 1997-11-19 |
| KR900017303A (ko) | 1990-11-16 |
| DE68916841D1 (de) | 1994-08-25 |
| KR920003470B1 (en) | 1992-05-01 |
| EP0339925A2 (en) | 1989-11-02 |
| EP0339925B1 (en) | 1994-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5631587A (en) | Frequency synthesizer with adaptive loop bandwidth | |
| JP2729028B2 (ja) | Ｆｍ搬送波の復調方法および復調回路 | |
| JPH027718A (ja) | 高速位相同期電流低下及びクランプ回路を具備する位相同期ループ回路 | |
| EP0787382B1 (en) | A second generation low noise microwave voltage controlled oscillator | |
| JPS6224974B2 (ja) | ||
| JP2000513534A (ja) | ブリッジ安定化発振回路及び方法 | |
| JPS6349935B2 (ja) | ||
| JPH0229009A (ja) | 電圧制御発振回路 | |
| KR100282193B1 (ko) | 스테레오신호복조회로 및 이것을 이용한 스테레오신호복조장치 | |
| JP3001284B2 (ja) | 電圧制御発振システム | |
| JP3115412B2 (ja) | 受信機 | |
| JP3281466B2 (ja) | Ｆｍ受信機 | |
| JP3715335B2 (ja) | Ｐｌｌシンセサイザ回路 | |
| JPH0851336A (ja) | 自動校正可能低域通過フィルタ装置 | |
| JPH0156580B2 (ja) | ||
| JPS5952852B2 (ja) | 周波数シンセサイザ | |
| JPS58209207A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JPS6226907A (ja) | 角度変調器 | |
| JP2966639B2 (ja) | 電圧制御発振回路 | |
| JPH0323007B2 (ja) | ||
| JPS62118615A (ja) | 周波数シンセサイザの変調回路 | |
| JPS61276408A (ja) | フイルタ回路 | |
| JPH05191278A (ja) | Ｐｌｌ回路 | |
| JPS6156893B2 (ja) | ||
| JPS6031330A (ja) | Ｆｍステレオ復調回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070801 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080801 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |