JPH022907A - 光パルス試験器 - Google Patents
光パルス試験器Info
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- JPH022907A JPH022907A JP14799588A JP14799588A JPH022907A JP H022907 A JPH022907 A JP H022907A JP 14799588 A JP14799588 A JP 14799588A JP 14799588 A JP14799588 A JP 14799588A JP H022907 A JPH022907 A JP H022907A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/30—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides
- G01M11/31—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides with a light emitter and a light receiver being disposed at the same side of a fibre or waveguide end-face, e.g. reflectometers
- G01M11/3172—Reflectometers detecting the back-scattered light in the frequency-domain, e.g. OFDR, FMCW, heterodyne detection
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の目的
［産業上の利用分野］
本発明は簡便にして被測定用光ファイバの人！）１端に
於ける反射光によって光学的または電気的に光パルス試
験器の回路が一時的に飽和する時間が極めて小さく低価
格化が可能な光パルス試験器に関するものである。
於ける反射光によって光学的または電気的に光パルス試
験器の回路が一時的に飽和する時間が極めて小さく低価
格化が可能な光パルス試験器に関するものである。
［従来の技術］
後方散乱光を使ってファイバ破断点の位置、ファイバロ
スを測定する光パルス試験器において、被測定用光ファ
イバの入射端（主に光パルス試験器と被測定用光ファイ
バとのコネクタ接続部）で生じる反射光によって光学的
または電気的に光パルス試験器の回路が一時的に飽和し
、被測定用光ファイバの入射端付近でデッドゾーンと呼
ばれる観測不能となる領域が生じ、このことが大きな問
題であった。このため、デッドゾーンを解消することを
目的とした光パルス処理系ＡＬを備えた光パルス試験器
Ａとしては、従来第７図に示すように光スイッチを使っ
たものがよく知られている。同図で１は信号光用光源、
２は光スィッチ、３は信号光用光源１と光スィッチ２の
動作タイミングを合わせる制御系、４は光／電気変換器
、５は電気信号処理系、６はコネクタ、７．８．９は結
合用単一モード光ファイバ、１０は被測定用単一モード
光ファイバである。電気信号処理系５でメモリに蓄えら
れた波形はＳ／Ｎ比改善のため平均化処理される。
スを測定する光パルス試験器において、被測定用光ファ
イバの入射端（主に光パルス試験器と被測定用光ファイ
バとのコネクタ接続部）で生じる反射光によって光学的
または電気的に光パルス試験器の回路が一時的に飽和し
、被測定用光ファイバの入射端付近でデッドゾーンと呼
ばれる観測不能となる領域が生じ、このことが大きな問
題であった。このため、デッドゾーンを解消することを
目的とした光パルス処理系ＡＬを備えた光パルス試験器
Ａとしては、従来第７図に示すように光スイッチを使っ
たものがよく知られている。同図で１は信号光用光源、
２は光スィッチ、３は信号光用光源１と光スィッチ２の
動作タイミングを合わせる制御系、４は光／電気変換器
、５は電気信号処理系、６はコネクタ、７．８．９は結
合用単一モード光ファイバ、１０は被測定用単一モード
光ファイバである。電気信号処理系５でメモリに蓄えら
れた波形はＳ／Ｎ比改善のため平均化処理される。
これはパルス強度変調による光源を用い後方散乱光が光
ファイバ人ｌ）ｌ端での反射光に対して時間的に遅れる
ことを利用し一定時間光路を切り換えることにより反射
光と後方散乱光とを分離することを狙っている。ここで
信号光用光源１の光の振幅は第８図に示すようにパルス
状に変化する。信号充用光ｆ２１により発せられた単一
光パルスｌ−ｐは、光スイッチ２を通過し、被測定用光
ファイバ１０に励振され、光フアイバ１０中を伝搬する
。光パルスｌ、ｐの伝搬中に発生した後方散乱光Ｌ ｐ
ａ’や反射光Ｌ ｐｂ’は被測定用光ファイバ１０の入
射端まで逆戻り伝搬し、光スィッチ２で後方散乱光Ｌ
Ｏａ’ は光／電気変換器４に分岐結合される。光／電
気変換器４で電気的信号ＥＳに変換した後、電気信号処
理系５でＳ／Ｎ改善のための平均化処理が行なわれる。
ファイバ人ｌ）ｌ端での反射光に対して時間的に遅れる
ことを利用し一定時間光路を切り換えることにより反射
光と後方散乱光とを分離することを狙っている。ここで
信号光用光源１の光の振幅は第８図に示すようにパルス
状に変化する。信号充用光ｆ２１により発せられた単一
光パルスｌ−ｐは、光スイッチ２を通過し、被測定用光
ファイバ１０に励振され、光フアイバ１０中を伝搬する
。光パルスｌ、ｐの伝搬中に発生した後方散乱光Ｌ ｐ
ａ’や反射光Ｌ ｐｂ’は被測定用光ファイバ１０の入
射端まで逆戻り伝搬し、光スィッチ２で後方散乱光Ｌ
Ｏａ’ は光／電気変換器４に分岐結合される。光／電
気変換器４で電気的信号ＥＳに変換した後、電気信号処
理系５でＳ／Ｎ改善のための平均化処理が行なわれる。
光スイッチ２は電気的に光・の進路を切り換えることに
より戻り光を受光部たる光／Ｎ気変換器４に導くため、
戻り波形の任意の部分を抽出することができる。従って
光フアイバ１０入射端で生じる過大な反射信号Ｌ ｐｂ
’をマスクすることができるため、受光部及び電気系の
飽和を防止でき、デッド、ゾーンを縮小することが可能
となる。
より戻り光を受光部たる光／Ｎ気変換器４に導くため、
戻り波形の任意の部分を抽出することができる。従って
光フアイバ１０入射端で生じる過大な反射信号Ｌ ｐｂ
’をマスクすることができるため、受光部及び電気系の
飽和を防止でき、デッド、ゾーンを縮小することが可能
となる。
しかしながら従来の光スィッチ２を使った光パルス試験
器Ａに於ける光スイッチ２の切り換え時間は約１μｓで
あり、光スィッチ２による光路の切り換えにより観測不
能となる被測定用光ファイバ１０の領域は近端からおよ
そ１００ｍ以上となり被測定用光フアイバ１０人ｇ４端
での反射による影響を回避できたとしても光スィッチ２
の切替時間に基づくデッドゾーンは信号光用光源１の分
解能によらず存在してしまい、高精度な損失測定ができ
ないという欠点があった。
器Ａに於ける光スイッチ２の切り換え時間は約１μｓで
あり、光スィッチ２による光路の切り換えにより観測不
能となる被測定用光ファイバ１０の領域は近端からおよ
そ１００ｍ以上となり被測定用光フアイバ１０人ｇ４端
での反射による影響を回避できたとしても光スィッチ２
の切替時間に基づくデッドゾーンは信号光用光源１の分
解能によらず存在してしまい、高精度な損失測定ができ
ないという欠点があった。
超音波を利用、した音響光学効果を用いた光スィッチよ
りも速い切り換え速度を持つ光スィッチとしては半導体
光スィッチがあるが、導波路ロスが大きく且つクロスト
ークが大きいため光パルス試験器に用いることは困難で
ある。
りも速い切り換え速度を持つ光スィッチとしては半導体
光スィッチがあるが、導波路ロスが大きく且つクロスト
ークが大きいため光パルス試験器に用いることは困難で
ある。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の反射光によるデッドゾーンを被測定用光ファイ
バでの後方散乱光の距離分解能と同程度に大幅に低減で
きる光パルス試験器を提供せんとするものである。
バでの後方散乱光の距離分解能と同程度に大幅に低減で
きる光パルス試験器を提供せんとするものである。
（２）発明の構成
［問題点を解決するための手段］
本発明は光源の発光周波数をパルス状に変えるＦＳＫヘ
テロダイン検波方式を取り入れ、反射光と後方散乱光で
光／電気変換後のビート周波数に差を設けることにより
、光スィッチを用いることなく反射光と後方散乱光の完
全な分離を図って光パルス試験器の距離分解能と同程度
にデッドゾーンを縮小することを主要な特徴とする。
テロダイン検波方式を取り入れ、反射光と後方散乱光で
光／電気変換後のビート周波数に差を設けることにより
、光スィッチを用いることなく反射光と後方散乱光の完
全な分離を図って光パルス試験器の距離分解能と同程度
にデッドゾーンを縮小することを主要な特徴とする。
し実 施 例１］
本発明の第１実施例を第１図について説明する。
第１図は光パルス処理系Ｂ［をそなえた本発明Ｂの概略
構成図であって、第７図の前記従来例Ａと同一素子は同
一符号を付した。
構成図であって、第７図の前記従来例Ａと同一素子は同
一符号を付した。
図中１１は局発光用光源、１２は２個の光源１．１１ｅ
作の同期タイミングを合わせる制御系、１３．１４は方
向性結合器、１５はバンドパスフィルタ、１６．１７は
結合用単一モード光ファイバである。
作の同期タイミングを合わせる制御系、１３．１４は方
向性結合器、１５はバンドパスフィルタ、１６．１７は
結合用単一モード光ファイバである。
制御系１２では、信号光用光源１と局発光用光源１１の
それぞれの出射光が方向竹結合鼎１４に入射される場合
のそれぞれの伝搬光の光路差が補正されるので、本実施
例では装置内部の光路は０と考える。
それぞれの出射光が方向竹結合鼎１４に入射される場合
のそれぞれの伝搬光の光路差が補正されるので、本実施
例では装置内部の光路は０と考える。
一般にヘテロダイン検波に於て、局発光ＬＯのパワーを
ＰＬ、信号光ＬＳのパワーをＰ、。
ＰＬ、信号光ＬＳのパワーをＰ、。
局発光ＬＯの周波数をｆ４．信号光Ｌｓの周波数をｆＳ
１局発光しＯと信号光ｌ−ｓの位相差をφとすると、光
／電気変換後の出力電流ｉ ｃ（１）は次式で与えられ
る。
１局発光しＯと信号光ｌ−ｓの位相差をφとすると、光
／電気変換後の出力電流ｉ ｃ（１）は次式で与えられ
る。
ｉ （１）＝ａＰ１ ｐ、ｃｏｓ （２７ｒ （ｆＬ−
ｆ、）＋φ） ・・・・・・・・・・・・
（１）上式でａは光源素子に特有の比例定数、ｆ。
ｆ、）＋φ） ・・・・・・・・・・・・
（１）上式でａは光源素子に特有の比例定数、ｆ。
ｆＳはビート周波数である。
ここで、光１１．１１はそれぞれ第２図（ａ）。
（ｂ）に示すような周波数変調を受は一定振幅で発光す
る。同図で、相互にｆＳ〉ｆ２〉ｆ４〉ｆｌの関係であ
る。本方式では周波数「３の成分に注目することで後方
散乱光Ｌ ｓａ’を観測する。ここで、周波数ｆ３の成
分のみを検波するなら、信号光用光源１による発光電力
は時刻ｔ１からｔ２までの間でのみ振幅を持つ単一光パ
ルスと考えられる。ゆえに、１１−１２は通常の光パル
ス試験器Ａでのパルス幅に相当するもので、光パルス試
験器Ａの距離分解能を決定する。時刻ｔ１以前では局発
光しＯの周波数はｆｌであり、信号光ＬＳの周波数は反
射光Ｌ ｓｂ’後方散乱光Ｌ ｓａ’共にｆ２である。
る。同図で、相互にｆＳ〉ｆ２〉ｆ４〉ｆｌの関係であ
る。本方式では周波数「３の成分に注目することで後方
散乱光Ｌ ｓａ’を観測する。ここで、周波数ｆ３の成
分のみを検波するなら、信号光用光源１による発光電力
は時刻ｔ１からｔ２までの間でのみ振幅を持つ単一光パ
ルスと考えられる。ゆえに、１１−１２は通常の光パル
ス試験器Ａでのパルス幅に相当するもので、光パルス試
験器Ａの距離分解能を決定する。時刻ｔ１以前では局発
光しＯの周波数はｆｌであり、信号光ＬＳの周波数は反
射光Ｌ ｓｂ’後方散乱光Ｌ ｓａ’共にｆ２である。
従って第３図（ａ）に示すようにコネクタ６での反射光
ＬＳｂ′及び後方散乱光Ｌ ｓａ’のビート周波数はい
ずれもｆ２−ｆｌとなる。
ＬＳｂ′及び後方散乱光Ｌ ｓａ’のビート周波数はい
ずれもｆ２−ｆｌとなる。
時刻ｔ からｔ２までの間の局発光ＬＯの周波数はｆ４
であり、信号光Ｉｓの周波数は反射光Ｌ ｓｂ’がｆ
であり、時刻ｔ１以前で発生しｔ１以後受光される反射
点以遠からの後方散乱光Ｌ ｓａ’がｆ２であり、時刻
ｔ１１以後生し受光される後方散乱光Ｌ ｓａ’ がｆ
Ｓである。第３図（ｂ）に示すようにこのとき反射光Ｌ
ｓｂ’ のビート周波数はｆ −ｆ４であり、後方
散乱光しｓａ’のビート周波数はｆ −ｆ 及びｆ
Ｓ−ｆ４である。
であり、信号光Ｉｓの周波数は反射光Ｌ ｓｂ’がｆ
であり、時刻ｔ１以前で発生しｔ１以後受光される反射
点以遠からの後方散乱光Ｌ ｓａ’がｆ２であり、時刻
ｔ１１以後生し受光される後方散乱光Ｌ ｓａ’ がｆ
Ｓである。第３図（ｂ）に示すようにこのとき反射光Ｌ
ｓｂ’ のビート周波数はｆ −ｆ４であり、後方
散乱光しｓａ’のビート周波数はｆ −ｆ 及びｆ
Ｓ−ｆ４である。
時刻ｔ 以降の局発光しＯの周波数はｆｌであり、信号
光ＬＳの周波数は反射光Ｌ ｓｂ’ がｆ２であり、時
刻ｔ 以前に発生しｔ２以後に受光される反射点以遠か
らの後方散乱光Ｌ ｓａ’ がｆ であり、時刻ｔ か
ら１２までの間に発生しｔ 以後受光される後方散乱光
Ｌ ｓａ’ がｆ３であり、時刻ｔ２以後に発生し受光
される後方散乱光１ ｓａ’がｆｌである。第３図（Ｃ
）に示すようにこのとぎ反射光Ｌ ｓｂ’のビート周波
数はｆｌ−ｆ、、後方散乱光Ｌ ｓａ’のビート周波数
はｆ −ｆ 及びｆ３−ｆｌである。１受光成分の
うち、周波数ｆ３の反射光Ｌ ｓｂ’の成分を含むビー
ト周波数はｆ３−ｆ４であり、周波数ｆ３の後方散乱光
Ｌ ｓａ’の成分を含むビート周波数はｆ３−ｆ４及び
ｆ３−ｆｌであり、以上からいずれの時点においても反
射光Ｌ ｓｂ’と局発光しＯとのビート周波数はｆ３−
ｆ１成分は存在しないので、ビート周波数はｆ３−ｆ１
成分のみをバンドパスフィルター５で濾波しておけば完
全に反射光Ｌ ｓｂ’を阻止することができる。前記で
後方散乱光Ｌ ｓａ’のうちビート周波数がｆ３−ｆ４
である成分を阻止することにより新たに生じるデッドゾ
ーンは、従来技術において反射光１ｓｂ’をマスクする
ために存在していたデッドゾーンに比べ大幅に低減する
ことが可能である。
光ＬＳの周波数は反射光Ｌ ｓｂ’ がｆ２であり、時
刻ｔ 以前に発生しｔ２以後に受光される反射点以遠か
らの後方散乱光Ｌ ｓａ’ がｆ であり、時刻ｔ か
ら１２までの間に発生しｔ 以後受光される後方散乱光
Ｌ ｓａ’ がｆ３であり、時刻ｔ２以後に発生し受光
される後方散乱光１ ｓａ’がｆｌである。第３図（Ｃ
）に示すようにこのとぎ反射光Ｌ ｓｂ’のビート周波
数はｆｌ−ｆ、、後方散乱光Ｌ ｓａ’のビート周波数
はｆ −ｆ 及びｆ３−ｆｌである。１受光成分の
うち、周波数ｆ３の反射光Ｌ ｓｂ’の成分を含むビー
ト周波数はｆ３−ｆ４であり、周波数ｆ３の後方散乱光
Ｌ ｓａ’の成分を含むビート周波数はｆ３−ｆ４及び
ｆ３−ｆｌであり、以上からいずれの時点においても反
射光Ｌ ｓｂ’と局発光しＯとのビート周波数はｆ３−
ｆ１成分は存在しないので、ビート周波数はｆ３−ｆ１
成分のみをバンドパスフィルター５で濾波しておけば完
全に反射光Ｌ ｓｂ’を阻止することができる。前記で
後方散乱光Ｌ ｓａ’のうちビート周波数がｆ３−ｆ４
である成分を阻止することにより新たに生じるデッドゾ
ーンは、従来技術において反射光１ｓｂ’をマスクする
ために存在していたデッドゾーンに比べ大幅に低減する
ことが可能である。
ここでデッドゾーンｄは次式で与えられる。
（ｊ＝Ｃ，（ｔ２−ｔｌ） ・・・・・・（３
）法式でＣｆは光フアイバ中の光速である。なお、本方
式において分解能はデッドゾーンと同程度になる。
）法式でＣｆは光フアイバ中の光速である。なお、本方
式において分解能はデッドゾーンと同程度になる。
［実 施 例２］
本発明の第２実施例を第４図について説明する。
第４図は光パルス処理系Ｃ［を備えた本発明Ｃの概略構
成図であり、第１図の前記第１実施例と同一素子は同一
符号を付した。
成図であり、第１図の前記第１実施例と同一素子は同一
符号を付した。
図中信号用光源１はそれぞれ第５図に示すような周波数
変調を受は一定振幅で発光する。同図で相互にｆ’
＞ｆｌ＞ｆ、の関係がある。
変調を受は一定振幅で発光する。同図で相互にｆ’
＞ｆｌ＞ｆ、の関係がある。
本実施例では、被測定用光ファイバ１０の入射端での反
射光Ｌ ｓｂ’の強度が後方散乱光１ｓａの強度に比べ
きわめて大きいため、前記第１実施例の局発光用光源１
１を省略し反射光しｓｂ’ を局発光しＯと考える。
射光Ｌ ｓｂ’の強度が後方散乱光１ｓａの強度に比べ
きわめて大きいため、前記第１実施例の局発光用光源１
１を省略し反射光しｓｂ’ を局発光しＯと考える。
時刻ｔ１以前では局発光である反射光Ｌ ３１）’の周
波数はｆｌであり、信号光Ｌｓの周波数は後方散乱光Ｉ
Ｓａ’がｆｌである。従って後方散乱光Ｌ ｓａ’の
ビート周波数は０となる。
波数はｆｌであり、信号光Ｌｓの周波数は後方散乱光Ｉ
Ｓａ’がｆｌである。従って後方散乱光Ｌ ｓａ’の
ビート周波数は０となる。
時刻ｔ からｔ２までの間の局発光である反射光Ｌ ｓ
ｂ’の周波数はｆ３であり、信号光［Ｓの周波数は時刻
ｔ１以前に発生しｔ１以復受光される後り散乱光Ｌ ｓ
ａ’がｆｌであり、時刻ｔ１以後に発生し受光される後
方散乱光Ｌ ｓａ’ はｆ３である。このとき後方散乱
光Ｌ ｓａ’のビート周波数はｆ３−ｆｌ及びＯである
。
ｂ’の周波数はｆ３であり、信号光［Ｓの周波数は時刻
ｔ１以前に発生しｔ１以復受光される後り散乱光Ｌ ｓ
ａ’がｆｌであり、時刻ｔ１以後に発生し受光される後
方散乱光Ｌ ｓａ’ はｆ３である。このとき後方散乱
光Ｌ ｓａ’のビート周波数はｆ３−ｆｌ及びＯである
。
時刻ｔ２以降の局発光である反射光Ｌ ｓｂ’の周波数
はｆｌであり、信号光ＬＳの周波数は時刻ｔ、以前に発
生しｔ２以後に受光される後方散乱光Ｌ ｓａ’がｆ
であり、時刻ｔ１からｔ２までの間に発生しｔ２以後に
受光される後方散乱光Ｌ ｓａ’が局発光である反射光
Ｌ ｓｂ’の周波数はｆ３であり、時刻ｔ２以降に発生
し受光される後方散乱光１ ｓａ’がｆｌである。この
とき後方散乱光１ ｓａ’ のビート周波数はｔ’
−ｒ 、 ｔ’ −ｆ’１及ヒＯｒアｉ１ここでビ
ート周波数ｆ −ｆｌの成分のみをバンドパスフィル
タで濾波しておけば完全に反射光Ｌ ｓｂ’ を分離す
ることができ分解能力ｔ２−ｔ１と同程度に大幅にデッ
ドゾーンを狭くすることがｎｌ能となる。
はｆｌであり、信号光ＬＳの周波数は時刻ｔ、以前に発
生しｔ２以後に受光される後方散乱光Ｌ ｓａ’がｆ
であり、時刻ｔ１からｔ２までの間に発生しｔ２以後に
受光される後方散乱光Ｌ ｓａ’が局発光である反射光
Ｌ ｓｂ’の周波数はｆ３であり、時刻ｔ２以降に発生
し受光される後方散乱光１ ｓａ’がｆｌである。この
とき後方散乱光１ ｓａ’ のビート周波数はｔ’
−ｒ 、 ｔ’ −ｆ’１及ヒＯｒアｉ１ここでビ
ート周波数ｆ −ｆｌの成分のみをバンドパスフィル
タで濾波しておけば完全に反射光Ｌ ｓｂ’ を分離す
ることができ分解能力ｔ２−ｔ１と同程度に大幅にデッ
ドゾーンを狭くすることがｎｌ能となる。
ここでデッドゾーンｄは前記（３）式で与えられ分解能
はデッドゾーンと同程度になる。
はデッドゾーンと同程度になる。
［実 施 例３］
本発明の第３実施例を第６図について説明する。
第６図は光パルス処理系Ｄ［を備えた本発明りの概略構
成図であって、第４図の前記第２実施例と同一素子は同
一符号を付した。
成図であって、第４図の前記第２実施例と同一素子は同
一符号を付した。
図中１８は反射板、１９は結合用単一モードファイバで
ある。ここで反射板１８は、前記第２実施例が反射光Ｌ
ｓｂ’ を局発光と考えるものであるから一定レベル
以上の大きさの反射光Ｌ ｓｂ’ を必要不可欠とする
が、コネクタ６を取付けるために被測定用光ファイバ１
０の入射端をカッターで切断する際切口が鏡面状の切断
面に上手に可成されない場合には充分な反射光Ｌｓｂ’
を確保出来ない欠点を解決するために方向性結合器１３
から結合用ファイバ１９を介して分岐し、常に反射板１
８から一定レベルの反射光Ｌ ｓｂ’ を導入するよう
に特設されたものである。
ある。ここで反射板１８は、前記第２実施例が反射光Ｌ
ｓｂ’ を局発光と考えるものであるから一定レベル
以上の大きさの反射光Ｌ ｓｂ’ を必要不可欠とする
が、コネクタ６を取付けるために被測定用光ファイバ１
０の入射端をカッターで切断する際切口が鏡面状の切断
面に上手に可成されない場合には充分な反射光Ｌｓｂ’
を確保出来ない欠点を解決するために方向性結合器１３
から結合用ファイバ１９を介して分岐し、常に反射板１
８から一定レベルの反射光Ｌ ｓｂ’ を導入するよう
に特設されたものである。
ここで信号光用光源１はそれぞれ第５図に示すような周
波数変調を受は一定振幅で発光する。
波数変調を受は一定振幅で発光する。
同図で相互にｆ３〉ｆ２〉ｆｌの関係がある。
前記第２実施例と同様にデッドゾーンを分解能と同程度
に大幅に低減することが可能となる。
に大幅に低減することが可能となる。
（３）発明の効果
かくして本発明の光パルス試験器Ｂ、Ｃ，Ｄは光パルス
処理系Ｂ Ｌ、 ＣＬ、 ＯＬの光学系に光スイッチを
用いずにヘテロダイン検波後のビート周波数が違うこと
により反射光Ｌ ｓｂ’ と接方散乱光Ｌ ｓａ’が完
全に分離できるため、光学系の構成が簡便且つ低価格で
実現できデッドゾーンーンを分解能と同程度に大幅に低
減することが可能となる優れた効果を秦する。
処理系Ｂ Ｌ、 ＣＬ、 ＯＬの光学系に光スイッチを
用いずにヘテロダイン検波後のビート周波数が違うこと
により反射光Ｌ ｓｂ’ と接方散乱光Ｌ ｓａ’が完
全に分離できるため、光学系の構成が簡便且つ低価格で
実現できデッドゾーンーンを分解能と同程度に大幅に低
減することが可能となる優れた効果を秦する。
第１図は本発明の第１実施例を示すブロックダイヤグラ
ムによる概略構成図、第２図（ａ）（ｂ）は同・信号用
光源と局発用光源のそれぞれ変調特性図、第３図（ａ）
（ｂＨｃ）は同・ヘテロゲイン検波後のそれぞれビート
周波数特性図、第４図は本発明の第２実施例を示すブロ
ックダイヤグラムによる概略構成図、第５図は同・信号
用光源の変調特性図、第６図は本発明の第３実施例を示
すブロックダイヤグラムによる概略構成図、第７図は光
パルス試験器の従来例を示すブロックダイヤグラムによ
る概略構成図および第８図は同・光源の変調特性図であ
る。 Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ・・・光パルス試験器 ＡＬ ＢＬ、ＣＬ、ＤＬ・・・光パルス処理系１・・・
信号用光源 ３．１２・・・制御系４・・・光／電
気変換器 ５・・・電気信号処理系 ６・・・コネクタ７．８．９
．１６．１７．１９・・・結合用単一モード光ファイバ １０・・・被測定用光ファイバ １１・・・局発光用光源 １３．１４・・・方向性結合
器１５・・・バンドパスフィルタ １８・・・反射板 第１図 ／ 第２図（α） 第２図（ｂ） 時開（μＳ） 時間（Ｐｓ） 第８図（Ｑ） 第３図（Ｃ） 第６図 第４図 第５図 第８図
ムによる概略構成図、第２図（ａ）（ｂ）は同・信号用
光源と局発用光源のそれぞれ変調特性図、第３図（ａ）
（ｂＨｃ）は同・ヘテロゲイン検波後のそれぞれビート
周波数特性図、第４図は本発明の第２実施例を示すブロ
ックダイヤグラムによる概略構成図、第５図は同・信号
用光源の変調特性図、第６図は本発明の第３実施例を示
すブロックダイヤグラムによる概略構成図、第７図は光
パルス試験器の従来例を示すブロックダイヤグラムによ
る概略構成図および第８図は同・光源の変調特性図であ
る。 Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ・・・光パルス試験器 ＡＬ ＢＬ、ＣＬ、ＤＬ・・・光パルス処理系１・・・
信号用光源 ３．１２・・・制御系４・・・光／電
気変換器 ５・・・電気信号処理系 ６・・・コネクタ７．８．９
．１６．１７．１９・・・結合用単一モード光ファイバ １０・・・被測定用光ファイバ １１・・・局発光用光源 １３．１４・・・方向性結合
器１５・・・バンドパスフィルタ １８・・・反射板 第１図 ／ 第２図（α） 第２図（ｂ） 時開（μＳ） 時間（Ｐｓ） 第８図（Ｑ） 第３図（Ｃ） 第６図 第４図 第５図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、発光周波数がｆ＿２、ｆ＿３、ｆ＿２の順で変わる
信号光用光源素子と第１の方向性結合器と被測定用光フ
ァイバの順に結合用単一モード光ファイバを介して光学
的に結合する一方、前記第１の方向性結合器の入射ポー
トの空きの一端から第２の方向性結合器と受光器の順に
結合用単一モード光ファイバを介して光学的に結合し、
他方前記信号光用光源素子に同期して発光周波数がｆ＿
１、ｆ＿４、ｆ＿１の順で変わる局発光用光源素子と前
記第２の方向性結合器の入射ポートの空きの一端を結合
用単一モード光ファイバを介して光学的に結合した光パ
ルス処理系において、前記発光周波数相互の関係が ｜ｆ＿１−ｆ＿３｜≠｜ｆ＿１−ｆ＿２｜、｜ｆ＿１−
ｆ＿３｜≠｜ｆ＿２−ｆ＿３｜、｜ｆ＿１−ｆ＿３｜≠
｜ｆ＿３−ｆ＿４｜、｜ｆ＿１−ｆ＿３｜≠｜ｆ＿２−
ｆ＿４｜、ｆ＿１≠ｆ＿３ であり、 かつ前記受光器とこれに電気的に結合する電気信号処理
系間に中心周波数が｜ｆ＿１−ｆ＿３｜であるバンドパ
スフィルターを挿入することを特徴とする光パルス試験
器２、発光周波数がｆ＿２、ｆ＿３、ｆ＿１の順で変わ
る信号光用光源素子と方向性結合器と被測定用光ファイ
バの順に結合用単一モード光ファイバを介して光学的に
結合するとともに前記方向性結合器の入射ポートの空き
の一端を結合用単一モード光ファイバを介して受光器と
光学的に結合した光パルス処理系において、前記発光周
波数相互の関係が ｜ｆ＿１−ｆ＿３｜≠｜ｆ＿１−ｆ＿２｜、｜ｆ＿１−
ｆ＿３｜≠｜ｆ＿２−ｆ＿３｜、ｆ＿１≠ｆ＿３ であり、 かつ前記受光器とこれに電気的に結合する電気信号処理
系間に中心周波数が ｜ｆ＿１−ｆ＿３｜であるバンドパスフィルターを挿入
することを特徴とする光パルス試験器 ３、発光周波数がｆ＿２、ｆ＿３、ｆ＿１の順で変わる
信号光用光源素子と方向性結合器と被測定用光ファイバ
の順に結合用単一モード光ファイバを介して光学的に結
合する一方、前記方向性結合器の入射ポートの空きの一
端を結合用単一モード光ファイバを介してそれぞれ受光
器及び反射器と光学的に結合した光パルス処理系におい
て、前記発光周波数相互の関係が ｜ｆ＿１−ｆ＿３｜≠｜ｆ＿１−ｆ＿２｜、｜ｆ＿１−
ｆ＿３｜≠｜ｆ＿２−ｆ＿３｜、ｆ＿１≠ｆ＿３ であり、かつ前記受光器とこれに電気的に結合する電気
信号処理系間に中心周波数が｜ｆ＿１−ｆ＿３｜である
バンドパスフィルターを挿入することを特徴とする光パ
ルス試験器
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14799588A JP2676045B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 光パルス試験器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14799588A JP2676045B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 光パルス試験器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022907A true JPH022907A (ja) | 1990-01-08 |
| JP2676045B2 JP2676045B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=15442768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14799588A Expired - Fee Related JP2676045B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 光パルス試験器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2676045B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0313835A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-22 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 後方散乱光測定方式及びその装置 |
| JPH0472540A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 後方散乱光測定方式 |
| US6890378B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-05-10 | Seiko Epson Corporation | Inkjet ink |
| JP2012042231A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Anritsu Corp | 光パルス試験装置および光伝送路試験方法 |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP14799588A patent/JP2676045B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0313835A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-22 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 後方散乱光測定方式及びその装置 |
| JPH0472540A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 後方散乱光測定方式 |
| US6890378B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-05-10 | Seiko Epson Corporation | Inkjet ink |
| JP2012042231A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Anritsu Corp | 光パルス試験装置および光伝送路試験方法 |
| CN102374930A (zh) * | 2010-08-13 | 2012-03-14 | 安立股份有限公司 | 光脉冲试验装置及光传输通道试验方法 |
| US8781264B2 (en) | 2010-08-13 | 2014-07-15 | Anritsu Corporation | Optical pulse test apparatus and method of testing optical transmission path |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2676045B2 (ja) | 1997-11-12 |
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