JPH02290959A - プラズマ溶射装置 - Google Patents
プラズマ溶射装置Info
- Publication number
- JPH02290959A JPH02290959A JP1107442A JP10744289A JPH02290959A JP H02290959 A JPH02290959 A JP H02290959A JP 1107442 A JP1107442 A JP 1107442A JP 10744289 A JP10744289 A JP 10744289A JP H02290959 A JPH02290959 A JP H02290959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- laser beam
- plasma jet
- thermal spraying
- carrier gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はプラズマジェット中の溶射材料の粒子数密度分
布を観測し、プラズマシェットの中央に溶射材料か集中
するように溶射材料の搬送ガス量を制御するプラズマ溶
射装置に関する。
布を観測し、プラズマシェットの中央に溶射材料か集中
するように溶射材料の搬送ガス量を制御するプラズマ溶
射装置に関する。
［従来の技術］
一般に、プラズマ溶射は、部品材料表面に耐摩耗性、耐
熱性、耐食性を与えるための金属、セラミック、あるい
はサーメットを被覆する方法として知られており、「工
業加熱Ｊ Ｖｏ．２５， Ｎｏ．５， Ｐ８〜Ｐ１４に
具体的な説明がなされている。プラズマ溶射は通常、第
５図に示す装置構成で後述するような態様で行われてい
る。第５図において１はプラズマ溶射ガン本体で、主に
カソ一ド（以下タングステン電極という）２と、アノー
ド（以下水冷銅電極）３と、プラズマガス供給口４およ
び溶射材料供給口５，６で構成される。タングステン電
極２と水冷銅電極３は絶縁体７によって電気的に分離さ
ね、タングステン電極２は直流電源８の負極に、水冷銅
電極３は正極にそれぞれ接続されている。９はプラズマ
ガス（通常はアルゴン、ヘリウム、水素、窒素など）を
貯蔵し、プラズマガス供給口に送給するガスボンへであ
り、１０及び１２は溶射材料をためておく気密性のホッ
パー、１ｌ及びｌ３は溶射材料をそれぞれの溶射材料供
給口５．６へ送給するための搬送ガス（Ａｒ等）ボンベ
である。
熱性、耐食性を与えるための金属、セラミック、あるい
はサーメットを被覆する方法として知られており、「工
業加熱Ｊ Ｖｏ．２５， Ｎｏ．５， Ｐ８〜Ｐ１４に
具体的な説明がなされている。プラズマ溶射は通常、第
５図に示す装置構成で後述するような態様で行われてい
る。第５図において１はプラズマ溶射ガン本体で、主に
カソ一ド（以下タングステン電極という）２と、アノー
ド（以下水冷銅電極）３と、プラズマガス供給口４およ
び溶射材料供給口５，６で構成される。タングステン電
極２と水冷銅電極３は絶縁体７によって電気的に分離さ
ね、タングステン電極２は直流電源８の負極に、水冷銅
電極３は正極にそれぞれ接続されている。９はプラズマ
ガス（通常はアルゴン、ヘリウム、水素、窒素など）を
貯蔵し、プラズマガス供給口に送給するガスボンへであ
り、１０及び１２は溶射材料をためておく気密性のホッ
パー、１ｌ及びｌ３は溶射材料をそれぞれの溶射材料供
給口５．６へ送給するための搬送ガス（Ａｒ等）ボンベ
である。
」ニ記の装置において、ます、プラズマガスボンベ９か
らプラズマガス供給口４を通してプラズマガスを供給し
、直流電源８によりタングステン電Ｖ５２と水冷銅電礪
３の間にプラズマアークを発生させる。このアークとプ
ラズマガスとの熱交換により、プラズマシエット１５と
なってプラズマ溶射ガン！より噴射する。被溶射母材１
４は予めその溶射面をブラスト等を施し、所定の位置に
設置する。その後、溶射材料供給口５、６からはホッパ
−１０、１２内の溶射材料を搬送ガスボンへ１１、１３
がらのガスにより上記のプラズマジェット１５中に供給
し、被溶射母材Ｉ４に溶射されて、溶射被膜１９が禎層
ざれる。
らプラズマガス供給口４を通してプラズマガスを供給し
、直流電源８によりタングステン電Ｖ５２と水冷銅電礪
３の間にプラズマアークを発生させる。このアークとプ
ラズマガスとの熱交換により、プラズマシエット１５と
なってプラズマ溶射ガン！より噴射する。被溶射母材１
４は予めその溶射面をブラスト等を施し、所定の位置に
設置する。その後、溶射材料供給口５、６からはホッパ
−１０、１２内の溶射材料を搬送ガスボンへ１１、１３
がらのガスにより上記のプラズマジェット１５中に供給
し、被溶射母材Ｉ４に溶射されて、溶射被膜１９が禎層
ざれる。
ここで満足できる溶射被膜の品質を達成するためには、
溶射材料供給口５、６から投入された溶射材料がプラズ
マジェットの中央を飛行し，かつ十分溶融する時間が必
要てある。なぜならプラズマジェットの温度はプラズマ
ジェットの周辺部に行くにつれて急激に低下するため、
・周辺部を飛行する溶射材料は被溶射母材に達するまで
の時間内に溶融できずに未溶融のまま被溶射母材上に積
層し、被膜品質を低下させるためである。
溶射材料供給口５、６から投入された溶射材料がプラズ
マジェットの中央を飛行し，かつ十分溶融する時間が必
要てある。なぜならプラズマジェットの温度はプラズマ
ジェットの周辺部に行くにつれて急激に低下するため、
・周辺部を飛行する溶射材料は被溶射母材に達するまで
の時間内に溶融できずに未溶融のまま被溶射母材上に積
層し、被膜品質を低下させるためである。
またここで溶射に用いられるプラズマガスの流量、プラ
ズマガスに用いるアルゴンとヘリウムまたはアルゴンと
水素の混合比、ならびに投入電力は溶射材料毎に異なる
。何故ならばプラズマジェットの密度や速度が違うこと
で、各々の条件毎に溶射材料の入り方も違クて来るため
である。それ故に搬送ガス量が多すぎるときは溶射材料
がプラズマジェットを突き抜けてしまうし、少なすぎる
ときはプラズマジェットに入りきれずはね返されてしま
う。
ズマガスに用いるアルゴンとヘリウムまたはアルゴンと
水素の混合比、ならびに投入電力は溶射材料毎に異なる
。何故ならばプラズマジェットの密度や速度が違うこと
で、各々の条件毎に溶射材料の入り方も違クて来るため
である。それ故に搬送ガス量が多すぎるときは溶射材料
がプラズマジェットを突き抜けてしまうし、少なすぎる
ときはプラズマジェットに入りきれずはね返されてしま
う。
そこでこれまでは、溶射材料毎に異なる、プラズマガス
の流量や混合比及び投入電力の条件に合わせて、溶射材
料の搬送ガス量を経験に基づき変化させ、その際の溶射
被膜品質との関係で最適搬送ガス量を決定していた。そ
の最適搬送ガス量の決定のためにはサンプル溶射が数回
必要で、またサンプル溶射一回毎に被膜形状と被膜品質
の検査を行っていた。
の流量や混合比及び投入電力の条件に合わせて、溶射材
料の搬送ガス量を経験に基づき変化させ、その際の溶射
被膜品質との関係で最適搬送ガス量を決定していた。そ
の最適搬送ガス量の決定のためにはサンプル溶射が数回
必要で、またサンプル溶射一回毎に被膜形状と被膜品質
の検査を行っていた。
［発明が解決しようとする課題］
上記溶射法においては、最適搬送ガス量を決定するだめ
のサンプル溶射一回毎に、被溶射母材の作製から溶射後
の被ｊ摸形状と被膜品質の検査を行うため数日を必要と
している。そのため実際の溶射に至るまでに数回行うサ
ンプル溶射に要する労力と費用が多大なものとなフてし
まう問題点があった。
のサンプル溶射一回毎に、被溶射母材の作製から溶射後
の被ｊ摸形状と被膜品質の検査を行うため数日を必要と
している。そのため実際の溶射に至るまでに数回行うサ
ンプル溶射に要する労力と費用が多大なものとなフてし
まう問題点があった。
本発明はこのような問題点を解決し、極めて効率的でか
つ安価なコストにてプラズマ溶射を実施することが可能
な装置を提供することを目的とする。
つ安価なコストにてプラズマ溶射を実施することが可能
な装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段コ
本発明は上記の目的を達成するため次のように構成して
なる。すなわち １．プラズマジェット中に、搬送ガスにょり溶射材料を
投入し、プラズマの熱で溶融された溶射材料を母材の表
面に積層する溶射装置に於て、プラズマジェットに対向
して、片側にはレーザ発振器とレーザビーム拡大装置を
設け、反対側にはレーザビーム集光装置とその焦点位置
にアパチャーと該アパチャー後方に受光センサーを設け
ると共に、信号取込装置、アーベル変換装置を設けたこ
とを特徴とするプラズマ溶射装置。
なる。すなわち １．プラズマジェット中に、搬送ガスにょり溶射材料を
投入し、プラズマの熱で溶融された溶射材料を母材の表
面に積層する溶射装置に於て、プラズマジェットに対向
して、片側にはレーザ発振器とレーザビーム拡大装置を
設け、反対側にはレーザビーム集光装置とその焦点位置
にアパチャーと該アパチャー後方に受光センサーを設け
ると共に、信号取込装置、アーベル変換装置を設けたこ
とを特徴とするプラズマ溶射装置。
２．プラズマジェット中に、搬送ガスにより溶射材料を
投入し、プラズマの熱で溶融された溶射材料を母材の表
面に積層する溶射装置に於て、プラズマジェットに対向
して、片側にはレーザ発振器、レーザビーム拡大装置、
ハーフミラーを設け、反対側には全反射ミラーを設け、
全反射ミラーで反射さわた後ハーフミラーで折曲げられ
たレーザビームの通過位置にレーザビーム集光装置とそ
の焦点位置にアパチャーと該アパチャー後方に受光セン
サーを設けると共に、信号取込装置、アーベル変換装置
を設けたことを特徴とするプラズマ溶射装置。
投入し、プラズマの熱で溶融された溶射材料を母材の表
面に積層する溶射装置に於て、プラズマジェットに対向
して、片側にはレーザ発振器、レーザビーム拡大装置、
ハーフミラーを設け、反対側には全反射ミラーを設け、
全反射ミラーで反射さわた後ハーフミラーで折曲げられ
たレーザビームの通過位置にレーザビーム集光装置とそ
の焦点位置にアパチャーと該アパチャー後方に受光セン
サーを設けると共に、信号取込装置、アーベル変換装置
を設けたことを特徴とするプラズマ溶射装置。
３．プラズマジェット中に、搬送ガスにより溶射材料を
投入し、プラズマの熱で溶融された溶射材料を母材の表
面に積層する溶射装置に於て、観測された溶射材料の粒
子密度分布を用いて、溶射材料の搬送ガス量をＡ節する
ための制御装置を設けたことを特徴とする、上記１項あ
るいは２項記載のプラズマ溶射装置。
投入し、プラズマの熱で溶融された溶射材料を母材の表
面に積層する溶射装置に於て、観測された溶射材料の粒
子密度分布を用いて、溶射材料の搬送ガス量をＡ節する
ための制御装置を設けたことを特徴とする、上記１項あ
るいは２項記載のプラズマ溶射装置。
である。
［作川］
従って本発明の作用を第１図並びに第２図を用いて説明
する。すなわち、レーザ発振器２０で作られたレーザビ
ーム２６はレーザビーム拡大装置により、平行先のまま
直経が広げられた後、プラズマジェットに照射される。
する。すなわち、レーザ発振器２０で作られたレーザビ
ーム２６はレーザビーム拡大装置により、平行先のまま
直経が広げられた後、プラズマジェットに照射される。
プラズマジェットを通過したレーザビームは透過後その
ままか又は全反射ミラー３０とハーフミラー３ｌで反射
された後レーザービーム集光装置て絞られ、その焦点位
置に設置されたアパチャー２４で計測誤差となる散乱光
がカットされ、その光強度が受光センサー２５で計測さ
れる。プラズマジェット１５中を溶射材料Ｘ８が飛行し
ているときは、レーザビーム１５か溶射材料により遮光
されてその光強度が減衰する。この減衰率を受光センサ
ー２５で計測し信号取込装置２７内に記憶され、その後
アーベル変換装置２９内てアーベル変換を行うことによ
り、プラズマジェット中の溶射材料の粒子数密度分布が
明らかとなる。その結果を用いてプラズマジェット中心
部分て溶射材料の粒子数密度分布か最大となるように溶
射材料の搬送ガス量を制御する。又は制御装置２８と流
調弁ｌ６、ｌ７の組合せにより、プラズマジェット中心
部分の溶射材料の粒子数密度か最大となるように搬送ガ
ス量が制御される。
ままか又は全反射ミラー３０とハーフミラー３ｌで反射
された後レーザービーム集光装置て絞られ、その焦点位
置に設置されたアパチャー２４で計測誤差となる散乱光
がカットされ、その光強度が受光センサー２５で計測さ
れる。プラズマジェット１５中を溶射材料Ｘ８が飛行し
ているときは、レーザビーム１５か溶射材料により遮光
されてその光強度が減衰する。この減衰率を受光センサ
ー２５で計測し信号取込装置２７内に記憶され、その後
アーベル変換装置２９内てアーベル変換を行うことによ
り、プラズマジェット中の溶射材料の粒子数密度分布が
明らかとなる。その結果を用いてプラズマジェット中心
部分て溶射材料の粒子数密度分布か最大となるように溶
射材料の搬送ガス量を制御する。又は制御装置２８と流
調弁ｌ６、ｌ７の組合せにより、プラズマジェット中心
部分の溶射材料の粒子数密度か最大となるように搬送ガ
ス量が制御される。
［実施例］
以下に本発明の実施の一例を図面に基づいて説明する。
第１図においてレーザ発振器２０から射出されたレーザ
ビーム２６は、凸レンズ２１と凸レンズ２２を組合わせ
たレーザビーム拡大装置により、平行光のままその直径
がプラズマジェットの断面積以上に拡大される。ここで
レーザ発振器２０は連続発振でもパルス発振でも構わな
い。またレーザビーム拡大装置は平行光のままその直径
がプラズマジェットの断面禎以上に拡大されるものであ
ればレンズ単体、ミラー単体またはそれらの組合せであ
っても構わない。レーザビームの直径は、例えばプラズ
マジェットの断面積の平均が２ ０＋＋＋ｍであればそ
の断面禎に変動かあっても計測できるように、３ ０ｍ
ｍ以上が望ましい。
ビーム２６は、凸レンズ２１と凸レンズ２２を組合わせ
たレーザビーム拡大装置により、平行光のままその直径
がプラズマジェットの断面積以上に拡大される。ここで
レーザ発振器２０は連続発振でもパルス発振でも構わな
い。またレーザビーム拡大装置は平行光のままその直径
がプラズマジェットの断面禎以上に拡大されるものであ
ればレンズ単体、ミラー単体またはそれらの組合せであ
っても構わない。レーザビームの直径は、例えばプラズ
マジェットの断面積の平均が２ ０＋＋＋ｍであればそ
の断面禎に変動かあっても計測できるように、３ ０ｍ
ｍ以上が望ましい。
拡大されたレーザヒームはプラズマジェット１５を透過
し、レーザビーム集光装置である凸レンズ２３により絞
られる。レーザビーム集光装置はレンズ単体、ミラー単
体またはそれらの組合せであっても構わない。凸レンズ
２３の焦点位置には、溶射材料によるレーザビーム２６
の散乱光が計測値に影習を及ぼさないように遮光するた
めのアパチャー２４が設置さわている。ここでアパチャ
ー２４は表面か艶消しの黒色で、中央に直径１ｍｍ程度
のビンホールを開けた薄い金属板である。アバチャ−２
４を通過したレーザ光の強度は受光センサー２５で電気
信号に変化され信号取込装置２７に記憶される。この受
光センサー２５は光強度を電気信号に変換するものなら
どのようなものでも構わない。
し、レーザビーム集光装置である凸レンズ２３により絞
られる。レーザビーム集光装置はレンズ単体、ミラー単
体またはそれらの組合せであっても構わない。凸レンズ
２３の焦点位置には、溶射材料によるレーザビーム２６
の散乱光が計測値に影習を及ぼさないように遮光するた
めのアパチャー２４が設置さわている。ここでアパチャ
ー２４は表面か艶消しの黒色で、中央に直径１ｍｍ程度
のビンホールを開けた薄い金属板である。アバチャ−２
４を通過したレーザ光の強度は受光センサー２５で電気
信号に変化され信号取込装置２７に記憶される。この受
光センサー２５は光強度を電気信号に変換するものなら
どのようなものでも構わない。
プラズマジェットｌ５中に溶射材料１Ｂを投入した場合
、その溶射材料１８により遮光されてレーザ光強度が減
衰する。その減衰量は溶射材料の密度および通過距離と
相関かあるため、レーザ光が溶射材料密度の高い所を長
い距離通過するほどレーザ光強度の減衰率か大きくなる
。プラズマジェット１５中に溶射材料ｌ８を投入する前
と後の計測結果を第３図（ｂ）に示す。計測されたレー
ザ光強度の減衰率ヲ用イて、アーベル変換装置２９内で
アーベル変換（ある物理量ε（ｒ）が回転対称性を持っ
ていてしかも半径ｒだけの関数のとき、観測量１ （ｙ
）からもとのε（『）を求める変換）を行うと、第４図
に示すような溶射材料の粒子数密度分布が得られる。こ
の結果を用いて手動で搬送ガス量を調整し、プラズマジ
ェットの中心部分の粒子数密度が最大となるようにする
。またはこの結果を制御装置２８に取り込み、流調弁１
６． １７に開閉の信号を出すことで搬送ガス量を調節
し、プラズマ中心部分の粒子数密度が最大となるように
制御する。
、その溶射材料１８により遮光されてレーザ光強度が減
衰する。その減衰量は溶射材料の密度および通過距離と
相関かあるため、レーザ光が溶射材料密度の高い所を長
い距離通過するほどレーザ光強度の減衰率か大きくなる
。プラズマジェット１５中に溶射材料ｌ８を投入する前
と後の計測結果を第３図（ｂ）に示す。計測されたレー
ザ光強度の減衰率ヲ用イて、アーベル変換装置２９内で
アーベル変換（ある物理量ε（ｒ）が回転対称性を持っ
ていてしかも半径ｒだけの関数のとき、観測量１ （ｙ
）からもとのε（『）を求める変換）を行うと、第４図
に示すような溶射材料の粒子数密度分布が得られる。こ
の結果を用いて手動で搬送ガス量を調整し、プラズマジ
ェットの中心部分の粒子数密度が最大となるようにする
。またはこの結果を制御装置２８に取り込み、流調弁１
６． １７に開閉の信号を出すことで搬送ガス量を調節
し、プラズマ中心部分の粒子数密度が最大となるように
制御する。
プラズマジェットヘレーザビームを照射する方法として
は第２図に示すように、全反射ミラー３０とハーフミラ
ー３ｌを用いる方法でも良い。具体的にはレーザ発振器
２０から射出されたレーザビーム２６は、凸レンズ２Ｉ
と凸レンズ２２を組合せたレーザビーム拡大装置により
、平行光のままその直径がプラズマジェットの断而積以
上に拡大され、ハーフミラー３１を透過し、プラズマジ
ェットｌ５に照射され、プラズマジェットに対向して置
かれた全反射ミラーで反射の後ハーフミラーで更に反射
され、レーザビーム集光装置である凸レンズ２３により
絞られる。ここでハーフミラーは光を照射したときに光
量の半分が照射面で反射し残り半分か照射面を透過する
ものである。
は第２図に示すように、全反射ミラー３０とハーフミラ
ー３ｌを用いる方法でも良い。具体的にはレーザ発振器
２０から射出されたレーザビーム２６は、凸レンズ２Ｉ
と凸レンズ２２を組合せたレーザビーム拡大装置により
、平行光のままその直径がプラズマジェットの断而積以
上に拡大され、ハーフミラー３１を透過し、プラズマジ
ェットｌ５に照射され、プラズマジェットに対向して置
かれた全反射ミラーで反射の後ハーフミラーで更に反射
され、レーザビーム集光装置である凸レンズ２３により
絞られる。ここでハーフミラーは光を照射したときに光
量の半分が照射面で反射し残り半分か照射面を透過する
ものである。
凸レンズ２３の焦点位置には、アパチャ−２４か設置さ
れ、アパチャー２４を通過したレーザ光の強度は受光セ
ンサー２５で電気信号に変換されイ８号取込装置２７に
記憶される。記憶された信号はアーベル変換装置２９内
でアーベル変換され、溶射材料の粒子数密度分布が得ら
える。この結果を用いて手動で搬送ガス量を調整し、プ
ラズマジェットの中心部分の粒子数密度か最大となるよ
うにする。またはこの結果を制御装置２８に取り込み、
流調弁＋６．ｌ７に開閉の信号を出すことで搬送ガス量
を調節し、プラズマ中心部分の粒子数密度が最大となる
ように制御する。
れ、アパチャー２４を通過したレーザ光の強度は受光セ
ンサー２５で電気信号に変換されイ８号取込装置２７に
記憶される。記憶された信号はアーベル変換装置２９内
でアーベル変換され、溶射材料の粒子数密度分布が得ら
える。この結果を用いて手動で搬送ガス量を調整し、プ
ラズマジェットの中心部分の粒子数密度か最大となるよ
うにする。またはこの結果を制御装置２８に取り込み、
流調弁＋６．ｌ７に開閉の信号を出すことで搬送ガス量
を調節し、プラズマ中心部分の粒子数密度が最大となる
ように制御する。
［発明の効果］
以上説明したような本発明の構成のために、プラズマ中
を飛行する溶射材料の粒子密度を観測し、その値を用い
て最適搬送ガス量を決定することが可能となった。その
ためこれまで数回行っていてサンプル溶射用の被溶射母
材の作製と溶射後の被膜形状と被膜品質の検査がなくな
フたことで、費用と労力の削減が行われた。
を飛行する溶射材料の粒子密度を観測し、その値を用い
て最適搬送ガス量を決定することが可能となった。その
ためこれまで数回行っていてサンプル溶射用の被溶射母
材の作製と溶射後の被膜形状と被膜品質の検査がなくな
フたことで、費用と労力の削減が行われた。
第１図、第２図は本発明の一実施例である。第３図（ａ
）は計測システムの平面図、（ｂ）はその計測結果であ
る。第４図はアーベル変換により計算された粒子数密度
分布を表すグラフである。第５図は従来のプラズマ溶射
法を説明する図である。 １・・・溶射ガン、２・・・タングステン電極、３・・
・水冷銅電極、４・・・プラズマガス供給口、５，６・
・・溶射材料供給口、７・・・絶縁体、８・・・直流電
源、９・・・プラズマガスボンへ、１０． １２・・・
溶射材料ポッパ１１， ＋３・・・搬送ガスボンベ、１
４・・・被溶射母材、１５・・・プラズマジェット、１
６． １７・・・流調弁、１８・・・溶射材料、１９・
・・溶射被膜、２ｏ・・・レーザ発振器、２＋，２２．
２３・・・レンズ、２４・・・アパチャー、２５・・
・受光センサー、２６・・・レーザビーム、２７・・・
信号取込装置、２８・・・制御装置、２９・・・アーベ
ル変換装置、３ｏ・・・全反射ミラー、３１・・・ハー
フミラー
）は計測システムの平面図、（ｂ）はその計測結果であ
る。第４図はアーベル変換により計算された粒子数密度
分布を表すグラフである。第５図は従来のプラズマ溶射
法を説明する図である。 １・・・溶射ガン、２・・・タングステン電極、３・・
・水冷銅電極、４・・・プラズマガス供給口、５，６・
・・溶射材料供給口、７・・・絶縁体、８・・・直流電
源、９・・・プラズマガスボンへ、１０． １２・・・
溶射材料ポッパ１１， ＋３・・・搬送ガスボンベ、１
４・・・被溶射母材、１５・・・プラズマジェット、１
６． １７・・・流調弁、１８・・・溶射材料、１９・
・・溶射被膜、２ｏ・・・レーザ発振器、２＋，２２．
２３・・・レンズ、２４・・・アパチャー、２５・・
・受光センサー、２６・・・レーザビーム、２７・・・
信号取込装置、２８・・・制御装置、２９・・・アーベ
ル変換装置、３ｏ・・・全反射ミラー、３１・・・ハー
フミラー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プラズマジェット中に、搬送ガスにより溶射材料を
投入し、プラズマの熱で溶融された溶射材料を母材の表
面に積層する溶射装置に於て、プラズマジェットに対向
して、片側にはレーザ発振器とレーザビーム拡大装置を
設け、反対側にはレーザビーム集光装置とその焦点位置
にアパチャーと該アパチャー後方に受光センサーを設け
ると共に、信号取込装置、アーベル変換装置を設けたこ
とを特徴とするプラズマ溶射装置。 ２、プラズマジェット中に、搬送ガスにより溶射材料を
投入し、プラズマの熱で溶融された溶射材料を母材の表
面に積層する溶射装置に於て、プラズマジェットに対向
して、片側にはレーザ発振器、レーザビーム拡大装置、
ハーフミラーを設け、反対側には全反射ミラーを設け、
全反射ミラーで反射された後ハーフミラーで折曲げられ
たレーザビームの通過位置にレーザビーム集光装置とそ
の焦点位置にアパチャーと該アパチャー後方に受光セン
サーを設けると共に、信号取込装置、アーベル変換装置
を設けたことを特徴とするプラズマ溶射装置。 ３、プラズマジェット中に、搬送ガスにより溶射材料を
投入し、プラズマの熱で溶融された溶射材料を母材の表
面に積層する溶射装置に於て、観測された溶射材料の粒
子密度分布を用いて、溶射材料の搬送ガス量を調節する
ための制御装置を設けたことを特徴とする、請求項１あ
るいは２記載のプラズマ溶射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107442A JPH02290959A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | プラズマ溶射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107442A JPH02290959A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | プラズマ溶射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02290959A true JPH02290959A (ja) | 1990-11-30 |
| JPH0564708B2 JPH0564708B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=14459256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1107442A Granted JPH02290959A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | プラズマ溶射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02290959A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5601235A (en) * | 1993-12-04 | 1997-02-11 | United Kingdom Atomic Energy Authority | Aerosol generator |
| EP1479788A1 (de) * | 2003-05-23 | 2004-11-24 | Sulzer Metco AG | Hybrides Verfahren zum Beschichten eines Substrats durch ein thermisches Aufbringen der Beschichtung |
| WO2009008478A1 (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | National University Corporation Gunma University | 音響計測装置及び音響計測方法 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1107442A patent/JPH02290959A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5601235A (en) * | 1993-12-04 | 1997-02-11 | United Kingdom Atomic Energy Authority | Aerosol generator |
| EP1479788A1 (de) * | 2003-05-23 | 2004-11-24 | Sulzer Metco AG | Hybrides Verfahren zum Beschichten eines Substrats durch ein thermisches Aufbringen der Beschichtung |
| WO2009008478A1 (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | National University Corporation Gunma University | 音響計測装置及び音響計測方法 |
| JP2009019911A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Gunma Univ | 音響計測装置及び音響計測方法 |
| US8107061B2 (en) | 2007-07-10 | 2012-01-31 | National University Corporation Gunma University | Acoustic measurement device and acoustic measurement method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564708B2 (ja) | 1993-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4596718A (en) | Vacuum plasma coating apparatus | |
| US8809780B2 (en) | Electron beam layer manufacturing using scanning electron monitored closed loop control | |
| WO2020062341A1 (zh) | 一种激光增材装置及其增材制造的方法 | |
| JP7607032B2 (ja) | 高温での選択的レーザー溶融／焼結による完全緻密でクラックフリーのシリコンの３ｄ印刷 | |
| US6537605B1 (en) | Method and device for coating high temperature components by means of plasma spraying | |
| CN112620655B (zh) | 一种激光同轴熔融与检测反馈控制的增材制造系统 | |
| US6146714A (en) | Method of forming metal, ceramic or ceramic/metal layers on inner surfaces of hollow bodies using pulsed laser deposition | |
| KR20150053806A (ko) | 3ｄ 이미징 용접 경로 제어에 의한 자동화 초합금 레이저 클래딩 방법 | |
| CN108802165A (zh) | 具光谱超声复合在线检测功能的增材加工系统及方法 | |
| EP0625401B1 (en) | Laser system and use of the laser system | |
| CN119772211B (zh) | 一种激光电子束复合增材制造方法及系统 | |
| JPH02290959A (ja) | プラズマ溶射装置 | |
| Friis et al. | Investigation of particle in-flight characteristics during atmospheric plasma spraying of yttria-stabilized ZrO2: Part 1. Experimental | |
| US4048348A (en) | Method of applying a fused silica coating to a substrate | |
| CN108977743A (zh) | 喷镀膜的成膜方法 | |
| US3691341A (en) | Improvements to the controlling of focussing of electronic bombardment | |
| US20040074072A1 (en) | Method for manufacturing gas sensor elements | |
| JPH0757739A (ja) | 高温型燃料電池用燃料電極の製造方法 | |
| JPS60238472A (ja) | レ−ザ溶射法 | |
| JPS59210349A (ja) | 微粒子長距離搬送プラズマ発光分光法による溶融金属の分析方法および装置 | |
| JPH03253551A (ja) | レーザ溶射方法及び装置 | |
| CN115178755B (zh) | 一种基于模块化控制技术的激光增材制造用矩阵式激光器 | |
| JP7523685B2 (ja) | 偏光制御により３次元ワークピースを造形するための照射システムを動作させる方法、照射システム及び装置 | |
| Nishikawa et al. | Gas hollow tungsten arc characteristics under simulated space environment | |
| Dalaee | Enhancment in deposition rate of laser DMD |