JPH0564708B2 - - Google Patents
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- JPH0564708B2 JPH0564708B2 JP1107442A JP10744289A JPH0564708B2 JP H0564708 B2 JPH0564708 B2 JP H0564708B2 JP 1107442 A JP1107442 A JP 1107442A JP 10744289 A JP10744289 A JP 10744289A JP H0564708 B2 JPH0564708 B2 JP H0564708B2
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- spraying
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はプラズマジエツト中の溶射材料の粒子
数密度分布を観測し、プラズマジエツトの中央に
溶射材料が集中するように溶射材料の搬送ガス量
を制御するプラズマ溶射装置に関する。
数密度分布を観測し、プラズマジエツトの中央に
溶射材料が集中するように溶射材料の搬送ガス量
を制御するプラズマ溶射装置に関する。
［従来の技術］
一般に、プラズマ溶射は、部品材料表面に耐摩
耗性、耐熱性、耐食性を与えるための金属、セラ
ミツク、あるいはサーメツトを被覆する方法とし
て知られており、「工業加熱」Vo.25、No.５、p8
〜p14に具体的な説明がなされている。プラズマ
溶射は通常、第５図に示す装置構成で後述するよ
うな態様で行われている。第５図において１はプ
ラズマ溶射ガン本体で、主にカソード（以下タン
グステン電極という）２と、アノード（以下水冷
銅電極）３と、プラズマガス供給口４および溶射
材料供給口５，６で構成される。タングステン電
極２と水冷銅電極３は絶縁体７によつて電気的に
分離され、タングステン電極２は直流電源８の負
極に、水冷銅電極３は正極にそれぞれ接続されて
いる。９はプラズマガス（通常はアルゴン、ヘリ
ウム、水素、窒素など）を貯蔵し、プラズマガス
供給口に送給するガスボンベであり、１０及び１
２は溶射材料をためておく気密性のホツパー、１
１及び１３は溶射材料をそれぞれの溶射材料供給
口５，６へ送給するための搬送ガス（Ar等）ボ
ンベである。
耗性、耐熱性、耐食性を与えるための金属、セラ
ミツク、あるいはサーメツトを被覆する方法とし
て知られており、「工業加熱」Vo.25、No.５、p8
〜p14に具体的な説明がなされている。プラズマ
溶射は通常、第５図に示す装置構成で後述するよ
うな態様で行われている。第５図において１はプ
ラズマ溶射ガン本体で、主にカソード（以下タン
グステン電極という）２と、アノード（以下水冷
銅電極）３と、プラズマガス供給口４および溶射
材料供給口５，６で構成される。タングステン電
極２と水冷銅電極３は絶縁体７によつて電気的に
分離され、タングステン電極２は直流電源８の負
極に、水冷銅電極３は正極にそれぞれ接続されて
いる。９はプラズマガス（通常はアルゴン、ヘリ
ウム、水素、窒素など）を貯蔵し、プラズマガス
供給口に送給するガスボンベであり、１０及び１
２は溶射材料をためておく気密性のホツパー、１
１及び１３は溶射材料をそれぞれの溶射材料供給
口５，６へ送給するための搬送ガス（Ar等）ボ
ンベである。
上記の装置において、まず、プラズマガスボン
ベ９からプラズマガス供給口４を通してプラズマ
ガスを供給し、直流電源８によりタングステン電
極２と水冷銅電極３の間にプラズマアークを発生
させる。このアークとプラズマガスとの熱交換に
より、プラズマジエツト１５となつてプラズマ溶
射ガン１より噴射する。被溶射母材１４は予めそ
の溶射面をブラスト等を施し、所定の位置に設置
する。その後、溶射材料供給口５，６からはホツ
パー１０，１２内の溶射材料を搬送ガスボンベ１
１，１３からのガスにより上記のプラズマジエツ
ト１５中に供給し、被溶射母材１４に溶射され
て、溶射被膜１９が積層される。
ベ９からプラズマガス供給口４を通してプラズマ
ガスを供給し、直流電源８によりタングステン電
極２と水冷銅電極３の間にプラズマアークを発生
させる。このアークとプラズマガスとの熱交換に
より、プラズマジエツト１５となつてプラズマ溶
射ガン１より噴射する。被溶射母材１４は予めそ
の溶射面をブラスト等を施し、所定の位置に設置
する。その後、溶射材料供給口５，６からはホツ
パー１０，１２内の溶射材料を搬送ガスボンベ１
１，１３からのガスにより上記のプラズマジエツ
ト１５中に供給し、被溶射母材１４に溶射され
て、溶射被膜１９が積層される。
ここで満足できる溶射被覆の品質を達成するた
めには、溶射材料供給口５，６から投入された溶
射材料がプラズマジエツトの中央を飛行し、かつ
十分溶融する時間が必要である。なぜならプラズ
マジエツトの温度はプラズマジエツトの周辺部に
行くにつれて急激に低下するため、周辺部を飛行
する溶射材料は被溶射母材に達するまでの時間内
に溶融できずに未溶融のまま被溶射母材上に積層
し、被膜品質を低下させるためである。
めには、溶射材料供給口５，６から投入された溶
射材料がプラズマジエツトの中央を飛行し、かつ
十分溶融する時間が必要である。なぜならプラズ
マジエツトの温度はプラズマジエツトの周辺部に
行くにつれて急激に低下するため、周辺部を飛行
する溶射材料は被溶射母材に達するまでの時間内
に溶融できずに未溶融のまま被溶射母材上に積層
し、被膜品質を低下させるためである。
またここで溶射に用いられるプラズマガスの流
量、プラズマガスに用いるアルゴンとヘリウムま
たはアルゴンと水素の混合比、ならびに投入電力
は溶射材料毎に異なる。何故ならばプラズマジエ
ツトの密度や速度が違うことで、各々の条件毎に
溶射材料の入り方も違つて来るためである。それ
故に搬送ガス量が多すぎるときは溶射材料がプラ
ズマジエツトを突き抜けてしまうし、少なすぎる
ときはプラズマジエツトに入りきれずはね返され
てしまう。
量、プラズマガスに用いるアルゴンとヘリウムま
たはアルゴンと水素の混合比、ならびに投入電力
は溶射材料毎に異なる。何故ならばプラズマジエ
ツトの密度や速度が違うことで、各々の条件毎に
溶射材料の入り方も違つて来るためである。それ
故に搬送ガス量が多すぎるときは溶射材料がプラ
ズマジエツトを突き抜けてしまうし、少なすぎる
ときはプラズマジエツトに入りきれずはね返され
てしまう。
そこでこれまでは、溶射材料毎に異なる、プラ
ズマガスの流量や混合比及び投入電力の条件に合
わせて、溶射材料の搬送ガス量を経験に基づき変
化させ、その際の溶射被膜品質との関係で最適搬
送ガス量を決定していた。その最適搬送ガス量の
決定のためにはサンプル溶射が数回必要で、また
サンプル溶射一回毎に被膜形状と被膜品質の検査
を行つていた。
ズマガスの流量や混合比及び投入電力の条件に合
わせて、溶射材料の搬送ガス量を経験に基づき変
化させ、その際の溶射被膜品質との関係で最適搬
送ガス量を決定していた。その最適搬送ガス量の
決定のためにはサンプル溶射が数回必要で、また
サンプル溶射一回毎に被膜形状と被膜品質の検査
を行つていた。
［発明が解決しようとする課題］
上記溶射法においては、最適搬送ガス量を決定
するためのサンプル溶射一回毎に、被溶射母材の
作製から溶射後の被膜形状と被膜品質の検査を行
うため数日を必要としている。そのため実際の溶
射に至るまでに数回行うサンプル溶射に要する労
力と費用が多大なものとなつてしまう問題点があ
つた。
するためのサンプル溶射一回毎に、被溶射母材の
作製から溶射後の被膜形状と被膜品質の検査を行
うため数日を必要としている。そのため実際の溶
射に至るまでに数回行うサンプル溶射に要する労
力と費用が多大なものとなつてしまう問題点があ
つた。
本発明はこのような問題点を解決し、極めて効
率的でかつ安価なコストにてプラズマ溶射を実施
することが可能な装置を提供することを目的とす
る。
率的でかつ安価なコストにてプラズマ溶射を実施
することが可能な装置を提供することを目的とす
る。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記の目的を達成するため次のように
構成してなる。すなわち (1) プラズマジエツト中に、搬送ガスにより溶射
材料を投入し、プラズマの熱で溶融された溶射
材料を母材の表面に積層するプラズマ溶射装置
に於いて、プラズマジエツトに対向して、片側
にはレーザ発振器とレーザビーム拡大装置を設
け、反対側にはレーザビーム集光装置とその焦
点位置にアパチヤーと、そのアパチヤー後方に
プラズマジエツト内の溶射材料により遮光され
る遮光量を検出する受光センサーを設けると共
に、その受光センサーの信号を取り込む信号取
込装置と、その信号をアーベル変換するアーベ
ル変換装置と、そのアーベル変換装置により求
められた溶射材料の粒子密度分布を用いて溶射
材料の搬送ガス量を調節するための流量制御装
置を設けたことを特徴とするプラズマ溶射装
置。
構成してなる。すなわち (1) プラズマジエツト中に、搬送ガスにより溶射
材料を投入し、プラズマの熱で溶融された溶射
材料を母材の表面に積層するプラズマ溶射装置
に於いて、プラズマジエツトに対向して、片側
にはレーザ発振器とレーザビーム拡大装置を設
け、反対側にはレーザビーム集光装置とその焦
点位置にアパチヤーと、そのアパチヤー後方に
プラズマジエツト内の溶射材料により遮光され
る遮光量を検出する受光センサーを設けると共
に、その受光センサーの信号を取り込む信号取
込装置と、その信号をアーベル変換するアーベ
ル変換装置と、そのアーベル変換装置により求
められた溶射材料の粒子密度分布を用いて溶射
材料の搬送ガス量を調節するための流量制御装
置を設けたことを特徴とするプラズマ溶射装
置。
(2) プラズマジエツト中に、搬送ガスにより溶射
材料を投入し、プラズマの熱で溶融された溶射
材料を母材の表面に積層するプラズマ溶射装置
に於いて、プラズマジエツトに対向して、片側
にはレーザ発振器とレーザビーム拡大装置、ハ
ーフミラーを設け、反対側には全反射ミラーを
設け、全反射ミラーで反射された後ハーフミラ
ーで折曲げられたレーザビーム集光装置と、そ
の焦点位置にアパチヤーと、そのアパチヤー後
方にプラズマジエツト内の溶射材料により遮光
される遮光量を検出する受光センサーを設ける
と共に、その受光センサーの信号を取り込む信
号取込装置と、その信号をアーベル変換するア
ーベル変換装置と、そのアーベル変換装置によ
り求められた溶射材料の粒子密度分布を用いて
溶射材料の搬送ガス量を調節するための流量制
御装置を設けたことを特徴とするプラズマ溶射
装置。
材料を投入し、プラズマの熱で溶融された溶射
材料を母材の表面に積層するプラズマ溶射装置
に於いて、プラズマジエツトに対向して、片側
にはレーザ発振器とレーザビーム拡大装置、ハ
ーフミラーを設け、反対側には全反射ミラーを
設け、全反射ミラーで反射された後ハーフミラ
ーで折曲げられたレーザビーム集光装置と、そ
の焦点位置にアパチヤーと、そのアパチヤー後
方にプラズマジエツト内の溶射材料により遮光
される遮光量を検出する受光センサーを設ける
と共に、その受光センサーの信号を取り込む信
号取込装置と、その信号をアーベル変換するア
ーベル変換装置と、そのアーベル変換装置によ
り求められた溶射材料の粒子密度分布を用いて
溶射材料の搬送ガス量を調節するための流量制
御装置を設けたことを特徴とするプラズマ溶射
装置。
である。
［作用］
従つて本発明の作用を第１図並びに第２図を用
いて説明する。すなわち、レーザ発振器２０で作
られたレーザビーム２６はレーザビーム拡大装置
により、平行光のまま直径が広げられた後、プラ
ズマジエツトに照射される。プラズマジエツトを
通過したレーザビームは透過後そのままか又は全
反射ミラー３０とハーフミラー３１で反射された
後レーザービーム集光装置で絞られ、その焦点位
置に設置されたアパチヤー２４で計測誤差となる
散乱光がカツトされ、その光強度が受光センサー
２５で計測される。プラズマジエツト１５中を溶
射材料１８が飛行しているときは、レーザビーム
１５が溶射材料により遮光されてその光強度が減
衰する。この減衰率を受光センサー２５で計測し
信号取込装置２７内に記憶され、その後アーベル
変換装置２９内でアーベル変換を行うことによ
り、プラズマジエツト中の溶射材料の粒子数密度
分布が明らかとなる。その結果を用いてプラズマ
ジエツト中心部分で溶射材料の粒子数密度分布が
最大となるように溶射材料の搬送ガス量を制御す
る。又は制御装置２８と流調弁１６，１７の組合
せにより、プラズマジエツト中心部分の溶射材料
の粒子数密度が最大となるように搬送ガス量が制
御される。
いて説明する。すなわち、レーザ発振器２０で作
られたレーザビーム２６はレーザビーム拡大装置
により、平行光のまま直径が広げられた後、プラ
ズマジエツトに照射される。プラズマジエツトを
通過したレーザビームは透過後そのままか又は全
反射ミラー３０とハーフミラー３１で反射された
後レーザービーム集光装置で絞られ、その焦点位
置に設置されたアパチヤー２４で計測誤差となる
散乱光がカツトされ、その光強度が受光センサー
２５で計測される。プラズマジエツト１５中を溶
射材料１８が飛行しているときは、レーザビーム
１５が溶射材料により遮光されてその光強度が減
衰する。この減衰率を受光センサー２５で計測し
信号取込装置２７内に記憶され、その後アーベル
変換装置２９内でアーベル変換を行うことによ
り、プラズマジエツト中の溶射材料の粒子数密度
分布が明らかとなる。その結果を用いてプラズマ
ジエツト中心部分で溶射材料の粒子数密度分布が
最大となるように溶射材料の搬送ガス量を制御す
る。又は制御装置２８と流調弁１６，１７の組合
せにより、プラズマジエツト中心部分の溶射材料
の粒子数密度が最大となるように搬送ガス量が制
御される。
［実施例］
以下に本発明の実施の一例を図面に基づいて説
明する。第１図においてレーザ発振器２０から射
出されたレーザビーム２６は、凸レンズ２１と凸
レンズ２２を組合わせたレーザビーム拡大装置に
より、平行光のままその直径がプラズマジエツト
の断面積以上に拡大される。ここでレーザ発振器
２０は連続発振でもパルス発振でも構わない。ま
たレーザビーム拡大装置は平行光のままその直径
がプラズマジエツトの断面積以上に拡大されるも
のであればレンズ単体、ミラー単体またはそれら
の組合せであつても構わない。レーザビームの直
径は、例えばプラズマジエツトの断面積の平均が
20mmであればその断面積に変動があつても計測で
きるように、30mm以上が望ましい。
明する。第１図においてレーザ発振器２０から射
出されたレーザビーム２６は、凸レンズ２１と凸
レンズ２２を組合わせたレーザビーム拡大装置に
より、平行光のままその直径がプラズマジエツト
の断面積以上に拡大される。ここでレーザ発振器
２０は連続発振でもパルス発振でも構わない。ま
たレーザビーム拡大装置は平行光のままその直径
がプラズマジエツトの断面積以上に拡大されるも
のであればレンズ単体、ミラー単体またはそれら
の組合せであつても構わない。レーザビームの直
径は、例えばプラズマジエツトの断面積の平均が
20mmであればその断面積に変動があつても計測で
きるように、30mm以上が望ましい。
拡大されたレーザビームはプラズマジエツト１
５を透過し、レーザビーム集光装置である凸レン
ズ２３により絞られる。レーザビーム集光装置は
レンズ単体、ミラー単体またはそれらの組合せで
あつても構わない。凸レンズ２３の焦点位置に
は、溶射材料によるレーザビーム２６の散乱光が
計測値に影響を及ぼさないように遮光するための
アパチヤー２４が設置されている。ここでアパチ
ヤー２４は表面が艶消しの黒色で、中央に直径１
mm程度のピンホールを開けた薄い金属板である。
アパチヤー２４を通過したレーザ光の強度は受光
センサー２５で電気信号に変化され信号取込装置
２７に記憶される。この受光センサー２５は光強
度を電気信号に変換するものならどのようなもの
でも構わない。
５を透過し、レーザビーム集光装置である凸レン
ズ２３により絞られる。レーザビーム集光装置は
レンズ単体、ミラー単体またはそれらの組合せで
あつても構わない。凸レンズ２３の焦点位置に
は、溶射材料によるレーザビーム２６の散乱光が
計測値に影響を及ぼさないように遮光するための
アパチヤー２４が設置されている。ここでアパチ
ヤー２４は表面が艶消しの黒色で、中央に直径１
mm程度のピンホールを開けた薄い金属板である。
アパチヤー２４を通過したレーザ光の強度は受光
センサー２５で電気信号に変化され信号取込装置
２７に記憶される。この受光センサー２５は光強
度を電気信号に変換するものならどのようなもの
でも構わない。
プラズマジエツト１５中に溶射材料１８を投入
した場合、その溶射材料１８により遮光されてレ
ーザ光強度が減衰する。その減衰量が溶射材料の
密度および通過距離と相関があるため、レーザ光
が溶射材料密度の高い所を長い距離通過するほど
レーザ光強度の減衰率が大きくなる。プラズマジ
エツト１５中に溶射材料１８を投入する前と後の
計測結果を第３図ｂに示す。計測されたレーザ光
強度の減衰率を用いて、アーベル変換装置２９内
でアーベル変換（ある物理量ε(r)が回転対称性を
持つていてしかも半径ｒだけの関数のとき、観測
量(y)からもとのε(r)を求める変換）を行うと、
第４図に示すような溶射材料の粒子数密度分布が
得られる。この結果を用いて手動で搬送ガス量を
調整し、プラズマジエツトの中心部分の粒子数密
度が最大となるようにする。またはこの結果を制
御装置２８に取り込み、流調弁１６，１７に開閉
の信号を出すことで搬送ガス量を調節し、プラズ
マ中心部分の粒子数密度が最大となるように制御
する。
した場合、その溶射材料１８により遮光されてレ
ーザ光強度が減衰する。その減衰量が溶射材料の
密度および通過距離と相関があるため、レーザ光
が溶射材料密度の高い所を長い距離通過するほど
レーザ光強度の減衰率が大きくなる。プラズマジ
エツト１５中に溶射材料１８を投入する前と後の
計測結果を第３図ｂに示す。計測されたレーザ光
強度の減衰率を用いて、アーベル変換装置２９内
でアーベル変換（ある物理量ε(r)が回転対称性を
持つていてしかも半径ｒだけの関数のとき、観測
量(y)からもとのε(r)を求める変換）を行うと、
第４図に示すような溶射材料の粒子数密度分布が
得られる。この結果を用いて手動で搬送ガス量を
調整し、プラズマジエツトの中心部分の粒子数密
度が最大となるようにする。またはこの結果を制
御装置２８に取り込み、流調弁１６，１７に開閉
の信号を出すことで搬送ガス量を調節し、プラズ
マ中心部分の粒子数密度が最大となるように制御
する。
プラズマジエツトへレーザビームを照射する方
法としては第２図に示すように、全反射ミラー３
０とハーフミラー３１を用いる方法でも良い。具
体的にはレーザ発振器２０から射出されたレーザ
ビーム２６は、凸レンズ２１と凸レンズ２２を組
合せたレーザビーム拡大装置により、平行光のま
まその直径がプラズマジエツトの断面積以上に拡
大され、ハーフミラー３１を透過し、プラズマジ
エツト１５に照射され、プラズマジエツトに対向
して置かれた全反射ミラーで反射の後ハーフミラ
ーで更に反射され、レーザビーム集光装置である
凸レンズ２３により絞られる。ここでハーフミラ
ーは光を照射したときに光量の半分が照射面で反
射し残り半分が照射面を透過するものである。
法としては第２図に示すように、全反射ミラー３
０とハーフミラー３１を用いる方法でも良い。具
体的にはレーザ発振器２０から射出されたレーザ
ビーム２６は、凸レンズ２１と凸レンズ２２を組
合せたレーザビーム拡大装置により、平行光のま
まその直径がプラズマジエツトの断面積以上に拡
大され、ハーフミラー３１を透過し、プラズマジ
エツト１５に照射され、プラズマジエツトに対向
して置かれた全反射ミラーで反射の後ハーフミラ
ーで更に反射され、レーザビーム集光装置である
凸レンズ２３により絞られる。ここでハーフミラ
ーは光を照射したときに光量の半分が照射面で反
射し残り半分が照射面を透過するものである。
凸レンズ２３の焦点位置には、アパチヤー２４
が設置され、アパチヤー２４を通過したレーザ光
の強度は受光センサー２５で電気信号に変換され
信号取込装置２７に記憶される。記憶された信号
はアーベル変換装置２９内でアーベル変換され、
溶射材料の粒子数密度分布が得らえる。この結果
を用いて手動で搬送ガス量を調整し、プラズマジ
エツトの中心部分の粒子数密度が最大となるよう
にする。またはこの結果を制御装置２８に取り込
み、流調弁１６，１７に開閉の信号を出すことで
搬送ガス量を調節し、プラズマ中心部分の粒子数
密度が最大となるように制御する。
が設置され、アパチヤー２４を通過したレーザ光
の強度は受光センサー２５で電気信号に変換され
信号取込装置２７に記憶される。記憶された信号
はアーベル変換装置２９内でアーベル変換され、
溶射材料の粒子数密度分布が得らえる。この結果
を用いて手動で搬送ガス量を調整し、プラズマジ
エツトの中心部分の粒子数密度が最大となるよう
にする。またはこの結果を制御装置２８に取り込
み、流調弁１６，１７に開閉の信号を出すことで
搬送ガス量を調節し、プラズマ中心部分の粒子数
密度が最大となるように制御する。
［発明の効果］
以上説明したような本発明の構成のために、プ
ラズマ中を飛行する溶射材料の粒子密度を観測
し、その値を用いて最適搬送ガス量を決定するこ
とが可能となつた。そのためこれまで数回行つて
いてサンプル溶射用の被溶射母材の作製と溶射後
の被膜形状と被膜品質の検査がなくなつたこと
で、費用と労力の削減が行われた。
ラズマ中を飛行する溶射材料の粒子密度を観測
し、その値を用いて最適搬送ガス量を決定するこ
とが可能となつた。そのためこれまで数回行つて
いてサンプル溶射用の被溶射母材の作製と溶射後
の被膜形状と被膜品質の検査がなくなつたこと
で、費用と労力の削減が行われた。
第１図、第２図は本発明の一実施例である。第
３図ａは計測システムの平面図、ｂはその計測結
果である。第４図はアーベル変換により計算され
た粒子数密度分布を表すグラフである。第５図は
従来のプラズマ溶射法を説明する図である。 １……溶射ガン、２……タングステン電極、３
……水冷銅電極、４……プラズマガス供給口、
５，６……溶射材料供給口、７……絶縁体、８…
…直流電流、９……プラズマガスボンベ、１０，
１２……溶射材料ホツパー、１１，１３……搬送
ガスボンベ、１４……被溶射母材、１５……プラ
ズマジエツト、１６，１７……流調弁、１８……
溶射材料、１９……溶射被膜、２０……レーザ発
振器、２１，２２，２３……レンズ、２４……ア
パチヤー、２５……受光センサー、２６……レー
ザビーム、２７……信号取込装置、２８……制御
装置、２９……アーベル変換装置、３０……全反
射ミラー、３１……ハーフミラー。
３図ａは計測システムの平面図、ｂはその計測結
果である。第４図はアーベル変換により計算され
た粒子数密度分布を表すグラフである。第５図は
従来のプラズマ溶射法を説明する図である。 １……溶射ガン、２……タングステン電極、３
……水冷銅電極、４……プラズマガス供給口、
５，６……溶射材料供給口、７……絶縁体、８…
…直流電流、９……プラズマガスボンベ、１０，
１２……溶射材料ホツパー、１１，１３……搬送
ガスボンベ、１４……被溶射母材、１５……プラ
ズマジエツト、１６，１７……流調弁、１８……
溶射材料、１９……溶射被膜、２０……レーザ発
振器、２１，２２，２３……レンズ、２４……ア
パチヤー、２５……受光センサー、２６……レー
ザビーム、２７……信号取込装置、２８……制御
装置、２９……アーベル変換装置、３０……全反
射ミラー、３１……ハーフミラー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラズマジエツト中に、搬送ガスにより溶射
材料を投入し、プラズマの熱で溶融された溶射材
料を母材の表面に積層するプラズマ溶射装置に於
いて、プラズマジエツトに対向して、片側にはレ
ーザ発振器とレーザビーム拡大装置を設け、反対
側にはレーザビーム集光装置とその焦点位置にア
パチヤーと、そのアパチヤー後方にプラズマジエ
ツト内の溶射材料により遮光される遮光量を検出
する受光センサーを設けると共に、その受光セン
サーの信号を取り込む信号取込装置と、その信号
をアーベル変換するアーベル変換装置と、そのア
ーベル変換装置により求められた溶射材料の粒子
密度分布を用いて溶射材料の搬送ガス量を調節す
るための流量制御装置を設けたことを特徴とする
プラズマ溶射装置。 ２ プラズマジエツト中に、搬送ガスにより溶射
材料を投入し、プラズマの熱で溶融された溶射材
料を母材の表面に積層するプラズマ溶射装置に於
いて、プラズマジエツトに対向して、片側にはレ
ーザ発振器とレーザビーム拡大装置、ハーフミラ
ーを設け、反対側には全反射ミラーを設け、全反
射ミラーで反射された後ハーフミラーで折曲げら
れたレーザビーム集光装置と、その焦点位置にア
パチヤーと、そのアパチヤー後方にプラズマジエ
ツト内の溶射材料により遮光される遮光量を検出
する受光センサーを設けると共に、その受光セン
サーの信号を取り込む信号取込装置と、その信号
をアーベル変換するアーベル変換装置と、そのア
ーベル変換装置により求められた溶射材料の粒子
密度分布を用いて溶射材料の搬送ガス量を調節す
るための流量制御装置を設けたことを特徴とする
プラズマ溶射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107442A JPH02290959A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | プラズマ溶射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107442A JPH02290959A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | プラズマ溶射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02290959A JPH02290959A (ja) | 1990-11-30 |
| JPH0564708B2 true JPH0564708B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=14459256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1107442A Granted JPH02290959A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | プラズマ溶射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02290959A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9324938D0 (en) * | 1993-12-04 | 1994-01-26 | Atomic Energy Authority Uk | Aerosol generator |
| EP1479788B1 (de) * | 2003-05-23 | 2007-11-28 | Sulzer Metco AG | Hybrides Verfahren zum Beschichten eines Substrats durch ein thermisches Aufbringen der Beschichtung |
| JP5187721B2 (ja) | 2007-07-10 | 2013-04-24 | 国立大学法人群馬大学 | 音響計測装置及び音響計測方法 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1107442A patent/JPH02290959A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02290959A (ja) | 1990-11-30 |
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