JPH02290973A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH02290973A JPH02290973A JP1110690A JP11069089A JPH02290973A JP H02290973 A JPH02290973 A JP H02290973A JP 1110690 A JP1110690 A JP 1110690A JP 11069089 A JP11069089 A JP 11069089A JP H02290973 A JPH02290973 A JP H02290973A
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- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H10P72/7624—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
- H01J37/32706—Polarising the substrate
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜形成装置に係り、特に、量産用のロード
ロック式又はインライン式の成膜装置において、バイア
スを印加するのに好適な印加電極構造に関する。
ロック式又はインライン式の成膜装置において、バイア
スを印加するのに好適な印加電極構造に関する。
〔従来の技術〕
スパッタ装置（薄膜形成装置）は、種々の材料の薄膜形
成の重要な手段として各方面で広く用いられている。特
に最近は、微細化や高機能化が進み、かつ量産性が要求
されるようになってきている。これらに対し、種々の技
術が開発されてきているが、特にバイアススパッタ技術
及びインライン化成膜技術は重要な技術の１つとなって
いる。
成の重要な手段として各方面で広く用いられている。特
に最近は、微細化や高機能化が進み、かつ量産性が要求
されるようになってきている。これらに対し、種々の技
術が開発されてきているが、特にバイアススパッタ技術
及びインライン化成膜技術は重要な技術の１つとなって
いる。
しかしながら、基板表面のエッチング等の機構と異なり
，高周波を用いたバイアススパッタは成膜と同時に行な
うため、特にインライン装置などに組合せることが難か
しく、特開昭６２−２５３７６５号公報のように、基板
を固定した方式が殆んどである。又，特殊なものとして
は、特開昭６２−８０２６６号公報のカルーセルタイプ
の回転基板ホルダーにバイアスを印加させている例はあ
るが、インラインの搬送基板方式は未だ実用化に至って
いない。
，高周波を用いたバイアススパッタは成膜と同時に行な
うため、特にインライン装置などに組合せることが難か
しく、特開昭６２−２５３７６５号公報のように、基板
を固定した方式が殆んどである。又，特殊なものとして
は、特開昭６２−８０２６６号公報のカルーセルタイプ
の回転基板ホルダーにバイアスを印加させている例はあ
るが、インラインの搬送基板方式は未だ実用化に至って
いない。
インラインスパッタ方式において、高周波を用いたバイ
アススパッタを行なう場合は、そのバイアス電位、高周
波プラズマ制御等が重要な課題となるが、特に移動式の
基板ホルダーへの高周波電力の印加の状態が大きく影響
する。
アススパッタを行なう場合は、そのバイアス電位、高周
波プラズマ制御等が重要な課題となるが、特に移動式の
基板ホルダーへの高周波電力の印加の状態が大きく影響
する。
すなわち、高周波電力導入部は基板搬送ごとに接続又は
切離されるものであり、この部分の接続の良否が電極回
路のインピーダンスのりアクタンス成分を大きく変化さ
せるため．ＲＦ１！源側での負バイアス電位をモニター
していても、基板電極（基板）への電力入射量を適切に
管理することは難しく、成膜の変化は避け難い。同一の
バイアス電力でバイアス電位が変化したり、同一の電位
を得るためのバイアス電力の変化は２０〜３０％に及ぶ
ことがある。
切離されるものであり、この部分の接続の良否が電極回
路のインピーダンスのりアクタンス成分を大きく変化さ
せるため．ＲＦ１！源側での負バイアス電位をモニター
していても、基板電極（基板）への電力入射量を適切に
管理することは難しく、成膜の変化は避け難い。同一の
バイアス電力でバイアス電位が変化したり、同一の電位
を得るためのバイアス電力の変化は２０〜３０％に及ぶ
ことがある。
一方、搬送されてくる基板に高周波電力を印加すること
により、基板もしくは基板ホルダと，真空チェンバーと
の間に希薄な放電プラズマが形成される。これは、基板
に対し、適切な高周波シールドがなされていないためだ
が、移動式の基板ホルダーを完全に覆うことは極めて難
しく電力損失となっている。また、高周波シールドの電
極に対するりアクタンス成分を基板の移動ごとに極めて
良く一致させないと成膜の安定性に大きく影響する。
により、基板もしくは基板ホルダと，真空チェンバーと
の間に希薄な放電プラズマが形成される。これは、基板
に対し、適切な高周波シールドがなされていないためだ
が、移動式の基板ホルダーを完全に覆うことは極めて難
しく電力損失となっている。また、高周波シールドの電
極に対するりアクタンス成分を基板の移動ごとに極めて
良く一致させないと成膜の安定性に大きく影響する。
この他、前記の高周波シールドを基板乃至基板ホルダー
に具備させることにより、今度は基板加熱が面倒になる
。すなわち、高周波シールドは、電極間との放電を抑止
するため，２〜４ｍｍ程度の極めて狭い空隙を保持せね
ばならず，この間に加熱装百を載置することは不可能で
ある。
に具備させることにより、今度は基板加熱が面倒になる
。すなわち、高周波シールドは、電極間との放電を抑止
するため，２〜４ｍｍ程度の極めて狭い空隙を保持せね
ばならず，この間に加熱装百を載置することは不可能で
ある。
従来の薄膜形成装置にあっては、基板の搬送ごとに高周
波電力導入部は接続又は切離さ扛ているため，その接続
の良否によってバイアス電位が変化し、成膜の変化が避
け難い。
波電力導入部は接続又は切離さ扛ているため，その接続
の良否によってバイアス電位が変化し、成膜の変化が避
け難い。
一方、基板ホルダを完全に覆って高周波シールドするこ
とは困難であって、電力損失になるとともに、成膜の安
定性に影響する問題点がある。
とは困難であって、電力損失になるとともに、成膜の安
定性に影響する問題点がある。
本発明の目的は、移動式の基板と導入電極を接続しかつ
高周波シールドする安定で高性能なバイアススパッタ機
構を備えた成膜形成装置を提供することにある。
高周波シールドする安定で高性能なバイアススパッタ機
構を備えた成膜形成装置を提供することにある。
前記の目的を達成するため、本発明に係る成膜形成装置
は、真空容器内に成膜母材となるターゲットを載置する
スパッタ電極と、成膜させる基板をスパッタ電極に対向
して保持する基板ホルダと、基板ホルダを移動する移動
機構と、基板に高周波電力を通電する導入電極とからな
る薄膜形成装置において、成膜位置に移動した基板ホル
ダに導入電極を接触させかつ導入電極を高周波シールド
する同軸管を備えた移動導入電極機構と、同軸管に接触
するとともに基板ホルダを覆うアースシールドとを設け
るように構成されている。
は、真空容器内に成膜母材となるターゲットを載置する
スパッタ電極と、成膜させる基板をスパッタ電極に対向
して保持する基板ホルダと、基板ホルダを移動する移動
機構と、基板に高周波電力を通電する導入電極とからな
る薄膜形成装置において、成膜位置に移動した基板ホル
ダに導入電極を接触させかつ導入電極を高周波シールド
する同軸管を備えた移動導入電極機構と、同軸管に接触
するとともに基板ホルダを覆うアースシールドとを設け
るように構成されている。
そして移動導入電極機構は、導入電極を上下及び前後方
向に移動させるＩＩｉｉ！動部と、暉動部に一端を連結
しかつ他端を導入電極に固定した導入電極と同芯の同軸
管とからなる構成とする。
向に移動させるＩＩｉｉ！動部と、暉動部に一端を連結
しかつ他端を導入電極に固定した導入電極と同芯の同軸
管とからなる構成とする。
またアースシールドは，その外周縁を基板ホルダと接触
しかつ内周は所定の空隙離間して基板ホルダに固設され
、基板ホルダとともに移動して成膜位置で内周縁が同軸
管と接触する形状を有するものとする。
しかつ内周は所定の空隙離間して基板ホルダに固設され
、基板ホルダとともに移動して成膜位置で内周縁が同軸
管と接触する形状を有するものとする。
さらに同軸管と真空容器との接触位置に、真空シール用
のベロー又は○リングを設けた構成であり、アースシー
ルドの基板ホルダと対向する面に、基板加熱用ヒータを
具備した構成でも良い。
のベロー又は○リングを設けた構成であり、アースシー
ルドの基板ホルダと対向する面に、基板加熱用ヒータを
具備した構成でも良い。
そして真空容器内に成膜母材となるターゲットを載置す
るスパッタ電極と，成膜させる基板をスパッタ電極に対
向して保持する基板ホルダと、基板ホルダを移動する移
動機構と、基板に高周波電力を通電する導入電極とから
なる薄膜形成装置において、基板ホルダのほぼ中心部に
所定長さの導入電極を突設し、導入電極の周辺の基板ホ
ルダを覆うアースシールドを基板ホルダに設けた構成で
も良い。
るスパッタ電極と，成膜させる基板をスパッタ電極に対
向して保持する基板ホルダと、基板ホルダを移動する移
動機構と、基板に高周波電力を通電する導入電極とから
なる薄膜形成装置において、基板ホルダのほぼ中心部に
所定長さの導入電極を突設し、導入電極の周辺の基板ホ
ルダを覆うアースシールドを基板ホルダに設けた構成で
も良い。
さらに真空容器内に成膜母材となるターゲットを載置す
るスパッタ電極と、成膜させる基板をスパッタ電極に対
向して保持する基板ホルダと，基板ホルダを移動する移
動機構と、基板に高周波電力を通電する導入電極とから
なる薄膜形成装置において、所定の空隙を介して基板ホ
ルダにアースシールドを設け、アースシールドにより絶
縁されて成膜位置に移動された基板に導入電極を接触さ
せる移動導入電極機構を設けた構成でも良い。
るスパッタ電極と、成膜させる基板をスパッタ電極に対
向して保持する基板ホルダと，基板ホルダを移動する移
動機構と、基板に高周波電力を通電する導入電極とから
なる薄膜形成装置において、所定の空隙を介して基板ホ
ルダにアースシールドを設け、アースシールドにより絶
縁されて成膜位置に移動された基板に導入電極を接触さ
せる移動導入電極機構を設けた構成でも良い。
本発明によれば、薄膜形成装置の移動式の基板ホルダに
アースシールドを所定の空隙を介して設けることによっ
て，移動導入電極機構によって導入電極が搬送後の基板
と十分な接触圧をもって接続する。
アースシールドを所定の空隙を介して設けることによっ
て，移動導入電極機構によって導入電極が搬送後の基板
と十分な接触圧をもって接続する。
一方、導入電極は同軸管によって高周波シールドされて
おり，移動導入電極機構の駆動によって基板と確実でか
つ再現性の良い安定した接続をなすとともに、高周波導
入給電部とのシールドのみで十分であり、真空容器も０
リング等を介してシールドされる。
おり，移動導入電極機構の駆動によって基板と確実でか
つ再現性の良い安定した接続をなすとともに、高周波導
入給電部とのシールドのみで十分であり、真空容器も０
リング等を介してシールドされる。
また、アースシールドを基板加熱用ヒータで加熱するこ
とにより，成膜は密着性が高くなる。
とにより，成膜は密着性が高くなる。
本発明の一実施例を第１図を参照しながら説明する。真
空容器１内に成膜母材となるターゲット２を載置するス
パッタ電極３と、成膜させる基板１１をスパッタ電極３
に対向して保持する基板ホルダ１２と、基板ホルダ１２
を移動する移動機構１５，１６．１７と、基板ホルダ１
２を介して基板１１に高周波電力を通電する導入電極２
１とからなる薄膜形成装置において、移動用基板ホルダ
１４により成膜位置に移動した基板ホルダ１２に導入電
極２１の先端を押し付けかつ導入電極２１の周囲を高周
波シールドする同軸管２５を備えた移動導入電極機構と
、内周縁を同軸管２５に外周縁を移動用基板ホルダ１４
と絶縁石１３を介して接続する基板ホルダ１２にそれぞ
れ接触しかつ基板ホルダ１２．１４を所定の空隙３０を
介して覆うアースシールド２３とを設けた構成である。
空容器１内に成膜母材となるターゲット２を載置するス
パッタ電極３と、成膜させる基板１１をスパッタ電極３
に対向して保持する基板ホルダ１２と、基板ホルダ１２
を移動する移動機構１５，１６．１７と、基板ホルダ１
２を介して基板１１に高周波電力を通電する導入電極２
１とからなる薄膜形成装置において、移動用基板ホルダ
１４により成膜位置に移動した基板ホルダ１２に導入電
極２１の先端を押し付けかつ導入電極２１の周囲を高周
波シールドする同軸管２５を備えた移動導入電極機構と
、内周縁を同軸管２５に外周縁を移動用基板ホルダ１４
と絶縁石１３を介して接続する基板ホルダ１２にそれぞ
れ接触しかつ基板ホルダ１２．１４を所定の空隙３０を
介して覆うアースシールド２３とを設けた構成である。
そして移動導入電極機構は、導入電極２１を上下及び前
後方向に移動させる恥動部（シリンダ）２６と、廓動部
２６に一端を連結しかつ他端を導入電極２１と絶縁石２
７を介して固定した導入電極２７と同芯の同軸管２５と
からなるものとする．真空容器１は、インライン装置も
しくはロードロック式装置の成膜室の部分を断面状に示
される．真空室（真空容器）１に、成膜母材となるター
ゲット２を載置したスパッタ電極３が絶縁石４を介して
真空室１内に設置される。スパツタ電極３にアースシー
ルド５が設けられ、高周波電源６より供給される高周波
電力によりターゲット２の前面に高周波プラズマを形成
し、そのプラズマ中のイオン粒子がターゲット２の表面
に入射衝突をすることによりスパッタを生ぜしめている
。
後方向に移動させる恥動部（シリンダ）２６と、廓動部
２６に一端を連結しかつ他端を導入電極２１と絶縁石２
７を介して固定した導入電極２７と同芯の同軸管２５と
からなるものとする．真空容器１は、インライン装置も
しくはロードロック式装置の成膜室の部分を断面状に示
される．真空室（真空容器）１に、成膜母材となるター
ゲット２を載置したスパッタ電極３が絶縁石４を介して
真空室１内に設置される。スパツタ電極３にアースシー
ルド５が設けられ、高周波電源６より供給される高周波
電力によりターゲット２の前面に高周波プラズマを形成
し、そのプラズマ中のイオン粒子がターゲット２の表面
に入射衝突をすることによりスパッタを生ぜしめている
。
ターゲット２の上方に、ターゲット２と基板１１との間
を物理的にじゃへいするシャッタ板７が設けられている
。
を物理的にじゃへいするシャッタ板７が設けられている
。
基板１１は基板ホルダ１２にビス又は金具等で固定（図
示なし）するか、落ち込みやはめ合いなどにより支持さ
れる。この基板ホルダ１２は，高周波バイアスが印加さ
れるため、絶縁石１３を介して移動用基板ホルダ１４に
搭載される。
示なし）するか、落ち込みやはめ合いなどにより支持さ
れる。この基板ホルダ１２は，高周波バイアスが印加さ
れるため、絶縁石１３を介して移動用基板ホルダ１４に
搭載される。
この移動用基板ホルダ１４は，駆動用モータ１５により
翻動される真空室１内の搬送機構１６のチェーン又は歯
車等に連結されたローラ１７により、他の真空室から成
膜室へ、もしくは成膜室からつぎの真空室へと搬送され
る。
翻動される真空室１内の搬送機構１６のチェーン又は歯
車等に連結されたローラ１７により、他の真空室から成
膜室へ、もしくは成膜室からつぎの真空室へと搬送され
る。
この移動用基板ホルダ１４とともに移動する基板ホルダ
１２にバイアス印加用の導入電極２１を通して高周波が
高周波電源２２より供給される。
１２にバイアス印加用の導入電極２１を通して高周波が
高周波電源２２より供給される。
通常この導入電極２１は真空中では周囲の接地電位部材
、たとえば真空容器１などとグロー放電を形成しがちで
ある。本実施例はこれで防止するため、基板ホルダ１２
の上方にアースシールド２３を設け、基板ホルダ１２又
は移動用基板ホルダ１４に外周縁を接触固定させる。こ
のとき、アースシールド２３の内周は，基板ホルダ１２
と４ｍｍ以」二の空隙３０を設けると放電しやすくなる
ために、スペーサ２４を介して基板ホルダ１２との間隔
を２〜４ｍｍに一定に保つようにする。また、高周波導
入のための通電効率を向上させるため、導入電極２１が
シリンダ２６により下方に押しつけられる力に耐えられ
るような剛性をアースシールド２３に保持させる。
、たとえば真空容器１などとグロー放電を形成しがちで
ある。本実施例はこれで防止するため、基板ホルダ１２
の上方にアースシールド２３を設け、基板ホルダ１２又
は移動用基板ホルダ１４に外周縁を接触固定させる。こ
のとき、アースシールド２３の内周は，基板ホルダ１２
と４ｍｍ以」二の空隙３０を設けると放電しやすくなる
ために、スペーサ２４を介して基板ホルダ１２との間隔
を２〜４ｍｍに一定に保つようにする。また、高周波導
入のための通電効率を向上させるため、導入電極２１が
シリンダ２６により下方に押しつけられる力に耐えられ
るような剛性をアースシールド２３に保持させる。
導入電極２１の周囲同芯に高周波シールド用の同軸管２
５が設けられ、同軸管２５と導入電極２ｌとは真空シー
ル機能を有する絶縁石２７により固定されている。
５が設けられ、同軸管２５と導入電極２ｌとは真空シー
ル機能を有する絶縁石２７により固定されている。
シールド用の同軸管２５と真空容器１との接触位置に、
ベロー（図示なし）もしくはＯリング２８による真空シ
ール機能を有している。
ベロー（図示なし）もしくはＯリング２８による真空シ
ール機能を有している。
隣室より搬送されてきた基板１１はターゲット２上の規
定の位置で停止後、シリンダ２６により、バイアス印加
用の導入電極２１とシールド用の同軸管２５とは、絶縁
石２７を介して基板ホルダ１２又は移動用基板ホルダ１
４に押し付けられる．このとき基板１１のアースシール
ド２３は中央部（内周ａ）が図のように同軸管２５との
はめ合い部がテーバ状になっている．そこで下降してき
た同軸管２５はテーパに従ってアースシールド２３とは
め合い状態に容易にさせることができ、かつ中央の導入
電極２１と同様に通電接触部の径が基板ホルダ１２に比
べ小さいため、大きな接触圧が得られる．高周波通電の
場合、接触圧より接触ギャップと面積とが重要だが、良
い精度のはめ合いではこれが重要である。
定の位置で停止後、シリンダ２６により、バイアス印加
用の導入電極２１とシールド用の同軸管２５とは、絶縁
石２７を介して基板ホルダ１２又は移動用基板ホルダ１
４に押し付けられる．このとき基板１１のアースシール
ド２３は中央部（内周ａ）が図のように同軸管２５との
はめ合い部がテーバ状になっている．そこで下降してき
た同軸管２５はテーパに従ってアースシールド２３とは
め合い状態に容易にさせることができ、かつ中央の導入
電極２１と同様に通電接触部の径が基板ホルダ１２に比
べ小さいため、大きな接触圧が得られる．高周波通電の
場合、接触圧より接触ギャップと面積とが重要だが、良
い精度のはめ合いではこれが重要である。
従来のエッチング等で用いられている導入電極２１のみ
の吐動による接触通電や、アースシールド２３の基板ホ
ルダ１２への押し付けより優れた密着性が得られる。そ
の密着性が良いことは、この接触通電部の電気抵抗が小
さいこととなり、効率よくばらつきの少ない高周波電力
の導入が可能となる。
の吐動による接触通電や、アースシールド２３の基板ホ
ルダ１２への押し付けより優れた密着性が得られる。そ
の密着性が良いことは、この接触通電部の電気抵抗が小
さいこととなり、効率よくばらつきの少ない高周波電力
の導入が可能となる。
したがって、成膜と同時に高周波バイアスを印加しても
，バイアス電位及びパワーの変動を小さくおさえること
が可能で，より安定なバイアススパッタが行える。
，バイアス電位及びパワーの変動を小さくおさえること
が可能で，より安定なバイアススパッタが行える。
高周波の導入電極２１の駆動部は、シリンダ２６の代り
に，ギアとモーターと、必要に応じクラッチ等を組み合
わせても構成出来る。
に，ギアとモーターと、必要に応じクラッチ等を組み合
わせても構成出来る。
いずれの構成でも，通電時のばらつきを１０％程度に低
減することが可能である。
減することが可能である。
本発明の他の実施例は、第２図に示されるように、基板
ホルダ１２を覆うアースシールド２３の内面に基板加熱
用ヒータ４１を埋込んだ横成である。
ホルダ１２を覆うアースシールド２３の内面に基板加熱
用ヒータ４１を埋込んだ横成である。
ここで，基板１１が搬送されてきた後，摺動通電部４２
より基板加熱用ヒータ４１に給電することにより、成膜
中の加熱が可能になって密着度の高い成膜が行える。た
だしこのときヒータ通電部の真空容器１に対するシール
ド（図示なし）を忘れてはならない。
より基板加熱用ヒータ４１に給電することにより、成膜
中の加熱が可能になって密着度の高い成膜が行える。た
だしこのときヒータ通電部の真空容器１に対するシール
ド（図示なし）を忘れてはならない。
また本発明の他の実施例として、基板ホルダのほぼ中心
部に所定長さの導入電極を突設し．導入電極の周辺の基
板ホルダを覆うアースシールドを基板ホルダに設けた構
成でもよい。
部に所定長さの導入電極を突設し．導入電極の周辺の基
板ホルダを覆うアースシールドを基板ホルダに設けた構
成でもよい。
本発明の薄膜形成装置によれば、インライン方式のよう
な成膜用の基板を移動させなければならない場合でも、
基板ホルダに予めバイアス用の電極の一部を載置するこ
とにより、また高周波シールドを完全に行うことにより
、再現よく安定に高周波電力の供給が可能となり、効率
的かつ信頼性の高いバイアススパッタ成膜を行なえる効
果がある。
な成膜用の基板を移動させなければならない場合でも、
基板ホルダに予めバイアス用の電極の一部を載置するこ
とにより、また高周波シールドを完全に行うことにより
、再現よく安定に高周波電力の供給が可能となり、効率
的かつ信頼性の高いバイアススパッタ成膜を行なえる効
果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、図は他の実施
例を示す部分断面図である。 ■・・・真空室、２・・・ターゲット、３・・・スパッ
タ電極、１１・・・基板、１２・・・基板ホルダ、２１
・・・導入電極、２３・・・アースシールド、３０・・
・空隙、４１・・・基板加熱用ヒータ。
例を示す部分断面図である。 ■・・・真空室、２・・・ターゲット、３・・・スパッ
タ電極、１１・・・基板、１２・・・基板ホルダ、２１
・・・導入電極、２３・・・アースシールド、３０・・
・空隙、４１・・・基板加熱用ヒータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空容器内に成膜母材となるターゲットを載置する
スパッタ電極と、成膜させる基板を前記スパッタ電極に
対向して保持する基板ホルダと、該基板ホルダを移動す
る移動機構と、前記基板に高周波電力を通電する導入電
極とからなる薄膜形成装置において、成膜位置に移動し
た前記基板ホルダに前記導入電極を接触させかつ該導入
電極を高周波シールドする同軸管を備えた移動導入電極
機構と、前記同軸管に接触するとともに前記基板ホルダ
を覆うアースシールドとを設けたことを特徴とする薄膜
形成装置。 ２、移動導入電極機構は、導入電極を上下及び前後方向
に移動させる駆動部と、該駆動部に一端を連結しかつ他
端を前記導入電極に固定した該導入電極と同芯の同軸管
とからなることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装
置。 ３、アースシールドは、その外周縁を基板ホルダと接触
しかつ内周は所定の空隙離間して前記基板ホルダに固設
され、該基板ホルダとともに移動して成膜位置で内周縁
が同軸管と接触する形状を有することを特徴とする請求
項１又は２記載の薄膜形成装置。 ４、同軸管と真空容器との接触位置に、真空シール用の
ベロー又はＯリングを設けたことを特徴とする請求項１
又は２記載の薄膜形成装置。 ５、アースシールドの基板ホルダと対向する面に、基板
加熱用ヒータを具備したことを特徴とする請求項１〜４
のいずれか１項記載の薄膜形成装置。 ６、真空容器内に成膜母材となるターゲットを載置する
スパッタ電極と、成膜させる基板を前記スパッタ電極に
対向して保持する基板ホルダと、該基板ホルダを移動す
る移動機構と、前記基板に高周波電力を通電する導入電
極とからなる薄膜形成装置において、前記基板ホルダの
ほぼ中心部に所定長さの前記導入電極を突設し、該導入
電極の周辺の前記基板ホルダを覆うアースシールドを該
基板ホルダに設けたことを特徴とする薄膜形成装置。 ７、真空容器内に成膜母材となるターゲットを載置する
スパッタ電極と、成膜させる基板を前記スパッタ電極に
対向して保持する基板ホルダと、該基板ホルダを移動す
る移動機構と、前記基板に高周波電力を通電する導入電
極とからなる薄膜形成装置において、所定の空隙を介し
て前記基板ホルダにアースシールドを設け、該アースシ
ールドにより絶縁されて成膜位置に移動された前記基板
に前記導入電極を接触させる移動導入電極機構を設けた
ことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1110690A JPH0791645B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 薄膜形成装置 |
| US07/513,763 US4986890A (en) | 1989-04-28 | 1990-04-24 | Thin film deposition system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1110690A JPH0791645B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02290973A true JPH02290973A (ja) | 1990-11-30 |
| JPH0791645B2 JPH0791645B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=14541981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1110690A Expired - Fee Related JPH0791645B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 薄膜形成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4986890A (ja) |
| JP (1) | JPH0791645B2 (ja) |
Cited By (3)
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- 1989-04-28 JP JP1110690A patent/JPH0791645B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1990
- 1990-04-24 US US07/513,763 patent/US4986890A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0791645B2 (ja) | 1995-10-04 |
| US4986890A (en) | 1991-01-22 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |